Vamos analisar cada sentença com base no funcionamento do JFET e MOSFET: 1) "A fonte de pressão de água pode ser comparada com à tensão aplicada do dreno para a fonte e estabelecer um fluxo de água (elétrons no JFET) a partir da torneira (fonte no JFET). A 'porta' através da aplicação de um sinal (tensão) controla o fluxo de água (carga) para o dreno." Verdadeiro (V). Essa é uma analogia comum para explicar o funcionamento do JFET, onde a tensão na porta controla o fluxo de corrente entre dreno e fonte. 2) "Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão da porta (G gate) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos o dreno (D drain)." Falso (F). No JFET, a porta (gate) é formada por uma junção pn que controla o canal, mas a porta não é um contato ôhmico no material tipo n; geralmente, a porta é feita em material tipo p, formando a junção com o canal tipo n. Os contatos ôhmicos são feitos na fonte e no dreno, não na porta. 3) "Na construção de um MOSFET de canal P é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo pn, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo np." Falso (F). No MOSFET de canal P, o substrato é do tipo n e o canal formado é do tipo p, ou seja, o canal é formado por portadores do tipo p entre regiões do tipo n. A descrição "material do tipo pn que forma o canal entre camadas do tipo np" está incorreta. 4) "JFET tem portadores majoritários mas não tem portadores minoritários." Verdadeiro (V). O JFET é um dispositivo unipolar, onde a condução ocorre por portadores majoritários (elétrons no canal n ou lacunas no canal p), e os portadores minoritários não participam da condução. Assim, a sequência correta é: V - F - F - V. Alternativa correta: B) V - F - F - V.