Vamos analisar a questão: - Materiais semicondutores dopados com impurezas doadoras de elétrons recebem elétrons extras, ou seja, possuem excesso de elétrons livres. - Esse tipo de dopagem é chamado de tipo N (negativo), pois o portador majoritário são elétrons. - Já o tipo P é dopado com impurezas que criam lacunas (ausência de elétrons), ou seja, portadores positivos. Portanto, a alternativa correta é: E) Tipo N.