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Sobre as famílias de circuitos lógicos: CMOS 
É construída por transistores MOSFET complementares do tipo canal N e canal P; tendo as portas 
NOU e NE como blocos lógicos principais. 
Apresenta consumo de potência (com VDD = 5V ) da ordem de 1 nW por porta na série 4000 e 2,5 
nW por porta na versão 74HC. 
a família CMOS possui larga faixa de tensão de alimentação, logo NÃO NECESSITA de uma 
regulagem precisa na fonte. 
a margem de imunidade ao ruído para a família CMOS é muito alta comparada com a família TTL, 
daí ser adequada para utilização em circuitos que operam em sistemas ou ambientes de alto nível de
ruído.
Sobre as memorias: 
Quanto à troca de dados as memórias classificam-se em de escrita/leitura ou memória apenas de 
leitura. Quanto ao tipo de armazenamento, as memórias classificam-se em ESTÁTICAS e 
DINÂMICAS. 
Palavra de endereço é o conjunto de níveis lógicos ou bits necessários para o endereçamento de uma
determinada localidade de memória para o acesso ao dado. O número total de bits que podem ser 
armazenados em uma memória é a definição de CAPACIDADE DE MEMÓRIA. 
O tempo de acesso de uma memória é o tempo necessário desde a entrada de um endereço até o 
momento em que a informação apareça na saída. 
Se uma memória com L localidades precisa de 2 fios para o seu endereçamento no sistema 
hexadecimal, então precisará de 8 fios para o seu endereçamento no sistema binário.
A alimentação característica de circuitos da família TTL e de 5V.
A memoria EPROM, também conhecida como UVPROM, apos a programação, recebe a mesma 
classificação da PROM: Não volátil, acesso aleatório, apenas leitura.
Sobre às memórias: 
O tempo de acesso de uma memória é o tempo necessário desde a entrada de um endereço até o 
momento em que a informação apareça na saída. 
A palavra de endereço é definida como sendo o conjunto de níveis lógicos ou bits necessários para o
endereçamento de uma determinada localidade de memória para acesso ao dado. 
São exemplos de memórias não voláteis: ROM e EPROM. 
Toda a estrutura com os endereços e dados armazenados é frequentemente colocada em uma tabela 
denominada mapeamento de memoria.
Sobre as famílias de circuitos lógicos: 
O tempo de atraso de propagação é definido como o tempo que um bloco lógico leva para mudar de
estado desde a aplicação de um nível lógico para o outro. 
Entende-se por família de circuitos lógicos os tipos de estruturas internas que nos permitem a 
confecção destes blocos em circuitos integrados.
A utilização de blocos da família TTL com coletor aberto permite a conexão das saídas dos blocos 
em um único ponto através de um resistor. Esse ponto comporta-se como uma porta lógica: AND
Sobre as definições de memórias ROM: 
Saída em alta impedância: desconexão da barra de dados. 
Decodificador de endereços: gerador de produtos canônicos. 
Matriz de dados: células de memória. 
Chaves de saída: buffers.
Sobre a família TTL: 
Tri-state: apresenta situação de alta impedância na saída. 
Open-collector: deve ter um resistor ligado externamente, quando da sua utilização. 
Schimitt-trigger: possibilita tornar rápidas as variações lentas dos níveis de tensão de determinados 
sinais aplicados à sua entrada.
Sobre as Memórias: 
Acesso: seqüencial ou aleatório. 
Volatilidade: seqüencial ou aleatório. 
Troca de Dados: escrita/leitura ou apenas leitura. 
Tipo de Armazenamento: estáticas e dinâmicas
Do processo de fabricação de um CI monolítico: 
Difusão epitaxial; difusão de isolação; difusão de base; difusão de emissor; contato e interconexão.
Sobre CI de filme fino e espesso: 
Utiliza um substrato de isolação. 
Permite a adição de diodo e transistor na superfície de isolação, como elementos discretos.
São família lógica: TTL e CMOS
ALU é a área do computador na qual as operações lógicas e aritméticas são realizadas sobre os 
dados. 
Periféricos são dispositivos externos que auxiliam na entrada e saída de dados em um computador.
O que é baud rate: Velocidade de comunicação serial de dados
Qual é o tipo de multivibrador que é considerado elemento básico de memória dos sistemas 
digitais? Biestável.
É um tipo de memória que permite ao usuário tanto programar quanto apagar o dado, sendo que o 
apagamento do conteúdo é feito pela aplicação de uma luz ultravioleta (UV) intensa no dispositivo. 
EPROM
A tecnologia utilizada para fazer circuitos CMOS em silício é muito bem dominada e pode ser 
manufaturado e vendido a preços acessíveis. 
Funções lógicas são muito fáceis de serem implementadas usando circuitos CMOS.
O nível de integração é um indicador utilizado para fornecer uma medida do número de portas 
existentes numa pastilha, possibilitando a separação de vários níveis padrão de integração, tais 
como MSI, LSI, VLSI onde o número de portas varia de dezenas até milhões em uma única 
pastilha.
Uma vantagem da EEPROM sobre a EPROM é a e sua capacidade de apagar e reescrever bytes 
individualmente eletricamente na matriz de memoria.
O conteúdo do registrador H é 00000000 e do L é 11111111. Após a execução da instrução INX H, 
quais serão os conteúdos dos registradores H e L, respectivamente: 00000001 e 00000000
A capacidade de armazenamento, em bytes, por uma memória, é uma função do número de 
terminais da barra de endereços.
Considere um Circuito Integrado alimentado por uma fonte com valor VDD = 5V. Segundo a lógica
negativa, essa tensão de 5V representa um nível lógico será 0
Dispositivos RAM e ROM são elementos básicos de um microcomputador. 
Decodificação de instruções é uma das funções de um microprocessador. 
Um programa armazenado na memória ROM chama-se FIRMWARE.
Um técnico, ao receber um circuito integrado (CI) de 14 terminais, observou que este não estava 
identificado. O técnico fez, então, quatro afirmações, conforme descritas abaixo: 
Se esse CI pertencer à família TTL, ele apresenta um terminal de alimentação para receber potência 
elétrica externa. 
Se esse CI for da família CMOS, que é mais moderna que a TTL, ele necessita de potência elétrica 
externa para operar. 
Se o fan-out, de cada saída, desse CI for igual a 10, ele poderá alimentar 14 entradas lógicas com 
segurança. 
Caso esse CI pertença à família CMOS, ele apresenta, internamente, transistores MOSFET.
Sobre memórias: 
As memórias ROM permitem somente leitura dos dados nelas gravados previamente em sua 
fabricação, além disso possuem acesso aleatório e não são voláteis. 
As memórias PROM permitem o armazenamento de dados pelo próprio usuário, porém de modo 
definitivo. Após a programação, o processo é irreversível. 
A memória EPROM é uma evolução da ROM, que é programável e apagável mediante exposição à 
luz ultravioleta; 
As memórias RAM permitem escritas e leituras dos dados, possuem acesso aleatório e são voláteis.
Dois CI’s são funcionalmente equivalentes quando as funções lógicas que realizam são exatamente 
as mesmas.
Não volátil, com capacidade de apagamento elétrico no próprio circuito, possui alta densidade.” 
Flash
Rampa Digital: Possui um contador conectado ao conversor digital-analógico. 
Aproximações Sucessivas: Possui um registrador de controle conectado ao conversor 
digitalanalógico. 
Tensão – Freqüência: Utiliza um oscilador controlado por tensão linear ao invés de um conversor 
digitalanalógico. 
Flash: Não usa sinal de clock e é o conversor de maior velocidade
O CI regulador de tensão 7915 foi utilizado em uma fonte reguladora de tensão. Um voltímetro 
medindo a tensão na carga indica -15V
Memória RAM é designada como memória de acesso aleatório
A presença de um chanfro, num dos lados de um encapsulamento DIP (dual in line package), tem 
por finalidade possibilitar a localização do pino 1 do CI. 
O termo fan-out (também denominado fator de acionamento de carga) é definido como o número 
máximo de entradas lógicas que a saída de um circuito lógico pode acionar com segurança. 
Para as especificações da série TTL padrão, a tensão de entrada deve ser menor do que 0,8V ou 
maior do que 2,0V. Uma tensão de entradaentre 0,8 e 2,0V é considerada inválida e produzirá uma 
resposta de saída imprevisível, portanto tem de ser evitada .
Uma aplicação prática para o circuito PLL é: 
demoduladores de FM. 
sintetizadores de freqüência 
demoduladores de sinais FSK.
Circuitos multiplicadores de tensão são empregados para manterem uma tensão de pico 
relativamente pequena no transformador.
Uma aplicação popular do CI temporizador 555 é como um multivibrador astável ou circuito de 
clock.
As principais características ma memória são: a capacidade e tempo de acesso.
Memória não volátil: As informações armazenadas na memória permanecem inalteradas mesmo 
sem alimentação.
Memória RAM: Acesso aleatório, permite a leitura e a escrita, utilizada como memória primária 
em sistemas eletrônicos digitais.
RAM Estática: É um tipo de memória de acesso aleatório que mantém os dados armazenados 
desde que seja mantida sua alimentação, não precisando que as células que armazenam os bits 
sejam refrescadas, que são utilizadas de tempo em tempo, como é o caso das memórias DRAM.
ROM: apenas de leitura.
PROM: Não volátil, apenas de leitura, porém programável. A programação pode ser realizada pelo 
próprio usuário.
EPROM: Não volátil, apenas de leitura e reprogramável. Sua programação é feita eletricamente, 
podendo ser apagada através da exposição á luz ultra-violeta.
EEPROM: Permite que dados sejam apagados e gravados eletricamente.
Sobre as memórias
Armazenamento dinâmico: Necessita-se inserir a informação de tempos em tempos.
Volátil: Perde-se a informação quando não há alimentação.
Acesso Sequencial: Utiliza-se nas fitas magnéticas de armazenamento.
Capacidade de armazenagem: Determina-se pelo número de linhas do barramento de 
endereçamento.
A família TTL, através de suas séries, colocou blocos disponíveis no mercado de componentes, com
muitas possibilidades. Entre eles, destaca-se um tipo de bloco que possibilita tornar rápidas as 
variações lentas dos níveis de tensão de determinados sinais aplicados à sua entrada, causando na 
saída o aparecimento de uma onda quadrada bem definida. Blocos configurados com entradas 
schimitt-trigger.
Conceitos e parâmetro de famílias lógicas: 
O parâmetro VIH determina o valor mínimo de tensão de entrada para o nível lógico 1.
O tempo de atraso de propagação é o tempo necessário que um bloco leva para passar do estado 0 
para 1 e vice-versa.
A imunidade ao ruído é a capacidade que os blocos de determinada família lógica possuem de não 
receber influencias parasitas elétricas ou magnéticas, denominados ruídos. 
Margem de imunidade ao ruído: Determina o quanto de tolerância irá haver sobre os limites dos 
níveis lógicos, sem que haja alteração na sua funcionalidade.
Sobre os circuitos integrados:
Os encapsulamentos DIP são os mais populares para construção de protótipo, montagens e para 
experiências educacionais. 
A tensão de alimentação nominal (Vcc) de 5V é usado tanto pela série 74ALS quanto pela série 54 
ALS.
A linha 54xx é de uso militar, com limites de tensão, corrente e temperatura mais rígidos.
A linha 74xx é de uso geral civil.
A família CMOS permitem uma alimentação de 3v até 15v.
Clock é o coração do circuito.
Duty cycle: é a porcentagem de tempo em que o sinal fica em nível lógico 1 durante todo o período 
do pulso de clock.
Gerador de clock: qualquer circuito eletrônico capaz de gerar um sinal elétrico no chamado formato
onda quadrada.
Para circuitos TTL, + 5V é uma marca e 0V é um espaço. Para RS-232C uma marca poderia ser 
-12V e um espaço +12V. 
A memória de armazenamento dinâmico caracteriza-se pela incapacidade de manter a informação 
armazenada por muito tempo, sendo necessária a atualização dos dados periodicamente.
A memória EEPROM não necessita de ser submetida á luz ultravioleta para ser apagada, podendo 
ser atualizada sem a necessidade de ser removida do circuito. Esse procedimento é aplicado á 
EPROM.
A memória volátil é incapaz de manter a informação armazenada na falta de alimentação.
A memória de acesso sequencial é desvantajosa em relação de acesso aleatório, pois é muito mais 
lenta para acessar um dado, principalmente nas últimas posições.
Memória que armazena as instruções e os dados que a CPU acessa no instante de processamento. É 
a memória mais rápida presente na arquitetura do computador. Memória Principal
Esta memória pode ser programada, apagada e reprogramada pelo usuário quantas vezes este 
desejar. Dentre as principais vantagens dela, destaca-se a possibilidade de apagá-la eletricamente. 
EEPROM
Durante a operação de leitura de memórias, há um atraso de propagação de dados até que a 
informação esteja disponível na saída da ROM. Esse atraso serve para indicar a velocidade de 
operação da memória.Tempo de Acesso.
Uma memória dinâmica necessita da operação de refresh, pois, caso contrário, os dados se perdem 
com o passar do tempo.
Na memória de acesso aleatório o tempo de acesso é o mesmo para qualquer endereço.
Quando a modulação (m=0), significa ausência de modulação e, portanto, não haverá bandas 
laterais, só a portadora.
O modo de chaveamento QAM e um sistema otimizado de modulação que modifica as 
características da fase e amplitude da portadora.
O microfone e um transdutor, pois converte ondas sonoras em sinais elétricos.
O controle automático de ganho tira uma amostra do sinal demodulado na entrada do amplificador 
de áudio e o insere na etapa de FI para controlar a intensidade do sinal, diminuindo a polarização da
etapa, por conseguinte diminui o ganho e assim quanto mais alto for o sinal demodulado maior será 
a diminuição da polarização, o mesmo efeito caso contrário, se o sinal for muito baixo, a 
polarização é aumentada, aumentando o ganho da FI. O resultado é que o circuito executa a 
correção automática do nível de sinal na saída, mantendo-o mais estável possível.
Análise crítica dos sistemas de modulação AM-DSB e AM-SSB: 
O sistema AM-SSB apresenta metade do ruído presente no sinal AM-DSB. 
A potência em cada raia de informação é 16,7 % da potência total do transmissor em AM-SSB. 
O sistema AM-DSB utiliza equipamentos mais tolerantes a variações de freqüência, diferente do 
AMSSB onde são necessários cristais para cortar desvios de freqüência.
De acordo com a “lei A”, aprovada pelo CCITT, quantos bits compõem a informação analógica do 
código de entrada de uma compressão digital PCM, incluída a informação de polaridade? 13
O intervalo entre os pulsos em PPM é variável. 
O sinal PAM não é habitualmente transmitido, mas a partir dele, podem-se criar sinais modulados 
em PAM/AM ou PAM/FM. 
No sistema PCM, só há dois níveis distintos para o sinal modulado; com isso, o ruído é 
substancialmente reduzido.
Em modulação AM-DSB os fatores que determinam o índice de modulação são: 
A amplitude da onda da portadora e a amplitude da onda do sinal modulante.
O AM-SSB é um sistema que tem portadora suprimida e o gráfico de seu espectro é representado 
por um único trapézio. O Sistema de Modulação em Amplitude com Banda Lateral Única, abrevia-
se AM-SSB. No Sistema AM-DSB a portadora utiliza 67%, ou mais, da potência total do sinal 
modulado.
A grande vantagem de uma modulação em sistema pulsado PCM é aumentar a relação sinal/ruído 
do sinal modulado. 
O multivibrador astável é utilizado no circuito de um modulador FM que executa uma modulação 
FM pelo método digital.
Na medição prática do índice de modulação, é necessário injetar o sinal modulado no eixo vertical 
do osciloscópio, além de: desligar a varredura e injetar o sinal modulante no eixo horizontal.
De acordo com os conceitos sobre modulação, pode-se afirmar que o sinal resultante entre o sinal 
de informação e o sinal de portadora é: sinal modulado.
É denominado Multivibrador Monoestável aquele que tem um estado estável, no qual permanece 
indefinidamente, e um estado instável, quando disparado.
O índice de modulação maior que 1 causa distorção devido á inversão de fase da portadora.
Qual o tipo de propagação de onda é utilizadona radiodifusão comercial de AM: Terrestre
Na linha de transmissão com impedância de carga diferente de Zo, ocorre o aparecimento de onda 
refletida, além da onda incidente na carga. Essa onda refletida é causada pelo (a): incapacidade da 
carga de absorver toda a energia incidente.
A modulação, tanto em AM como em FM, é um processo de grande importância utilizado nas 
comunicações, pois sem ela seria necessária uma antena da ordem de 15 km de comprimento para 
se transmitir um sinal de 20 kHz.
um circuito demodulador do tipo Discriminador de Fase Detetor Foster-Seeley
O processo que utiliza um sinal elétrico de freqüência elevada para “transportar” o sinal de 
informação, mediante a alteração de alguma de suas características, proporcionalmente ao sinal de 
informação, é chamado de modulação
A Modulação em Amplitude tem dois sistemas de comunicação amplamente utilizados, que são o 
AM-DSB e o AM-SSB O primeiro, de ampla utilização na rádio-difusão comercial e o segundo, de 
grande penetração na comunicação
O detetor Foster-Seeley, demodulador de FM, também é conhecido como discriminador de fase.
Qual é o demodulador composto por dois detetores de inclinação montados de forma simétrica e 
alimentados por um transformador com derivação central detetor de inclinação balanceado.
No sistema de modulação PPM, a modulação varia a posição do pulso da portadora, 
proporcionalmente ao sinal modulante, mantendo a amplitude e a largura dos pulsos constantes.
O processo de transferência de sinais de informação para uma portadora de alta frequência é 
denominado modulação.
Modulação é um processo que consiste em se alterar uma característica da onda portadora 
proporcionalmente ao sinal modulante. 
A Modulação em Frequência (FM) ou a Modulação em Fase (PM), por suas grandes semelhanças, 
são classificadas como Modulação Angular.
Um modulador AM-SSB apresenta em sua saída um sinal modulado que possui somente uma banda
lateral. 
A modulação AM-SSB gera um sinal que ocupa uma estreita banda no espectro de freqüência.
O termo FM significa modulação de frequencia
Em relação à Modulação por Codificação de Pulso (PCM): 
A grande vantagem do PCM reside no fato de só haver níveis distintos para o sinal modulado, 
reduzindo-se de forma substancial o ruído que interfere sobre o sinal modulado, pois este pode ser 
constantemente regenerado, reassumindo sua forma original. 
Um sistema PCM pode ser monocanal ou multicanal. Os sistemas PCM multicanais adicionam uma
etapa de multiplexação por divisão no tempo ao sistema monocanal.
A Modulação em Amplitude (AM) pode se subdividir em categorias. 
DSB, VSB, SSB
A relação que expressa o desvio máximo de fase que sofre o sinal modulado é chamado de índice 
de modulação FM.
O Multivibrador monoestável que tem o tempo de permanência no estado quase estável (tp), 
reiniciado a cada disparo é o redisparável.
O processo que utiliza um sinal elétrico de freqüência elevada para “transportar” o sinal de 
informação, mediante a alteração de alguma de suas características, proporcionalmente ao sinal de 
informação, é chamado de modulação.
Modulação em Amplitude tem dois sistemas de comunicação amplamente utilizados, que são o AM-
DSB e o AM-SSB. O primeiro, de ampla utilização na rádio-difusão comercial e o segundo, de 
grande penetração na comunicação ponto-a-ponto
A demodulação AM-DSB pode ser feita de forma síncrona ou quadrática.
AM-DSB/RC: Dispensa a existência de oscilador local.
AM-CSSB: Compatibiliza sistemas implantando com AM-DSB
AM-VSB: Empregado na modulação do sinal de video de televisão.
AM-DSB/SC: Economiza potencia utilizada pela portadora no sistema AM-DSB.
Quanto á largura de faixa,o ruído do sinal modulado nos sistema AM-SSB é a metade do ruído 
presente no sinal AM-DSB.
No transistor heterodino de FM, a heterodinação consiste em: Passar o sinal modulado por um 
misturador, conseguindo alterar a frequência da portadora sem modificar o desvio de frequência do 
sinal. 
Na demodulação AM-DSB, de forma síncrona, o sinal recuperado, após a passagem pelo filtro 
passa- baixas com velocidade angular de corte Wn é composto de: Um valor médio (nível DC) 
mais uma parcela proporcional ao sinal modulante.
A demodulação da onda é a operação realizada na recepção, que retira o sinal de informação da 
onda receptora.
Modem: é o resultado da contração de modulador-demodulador, sendo modulador na transmissão e 
demodulador na recepção.
ASK: chaveamento por desvio de amplitude. Consiste em alterar a amplitude da onda portadora 
com a fixação de dois níveis de amplitude, para representar o bit 1 e bit 0, mantendo-se constantes a
frequência e a continuidade da fase.
FSK: chaveamento por desvio de frequência. Mantêm a mesma amplitude e a continuidade da fase.
 PSK: Chaveamento por desvio de fase. Mantém constante a amplitude e a frequência da onda. 
QAM: modulação por amplitude em quadratura. Modifica amplitude e fase da portadora.
Modulação em AM DSB: modulação em amplitude com dupla banda lateral.
Se aplicarmos um sinal modulador a uma portadora com intensidade muito grande, ocorre o que 
denominamos sobremodulação.
Uma característica fundamental de um sinal FM é que o desvio de frequência é proporcional a 
amplitude do sinal modulante.
 AM-DSB: Modulação em Amplitude com Banda Lateral Dupla.
 AM-SSB: Modulação em Amplitude com Banda Lateral Simples.
AM-DSB/SC: Modulação em Amplitude com Banda Lateral Dupla e Portadora Suprimida.
O sistema PWM consiste em variar a largura do pulso da portadora, proporcionalmente ao sinal 
modulante, mantendo-se constantes a amplitude e o intervalo de tempo a que os pulsos se repetem.
O PLL usado como demodulador FM consiste em um detector de fase, um filtro passa baixa e um 
oscilador controlado por tensão.
Uma vantagem do sistema FM sobre PM é que o primeiro pode ser demodulado para recuperação 
da informação, usando-se um circuito simples, como um LC sintonizado e um retificador.
O índice de modulação é usado em comunicações como medida da razão entre as amplitudes da 
informação e da portadora no sinal modulado.
O termo PM significa modulação de fase.
O termo AM-DSB significa Modulação em amplitude com banda lateral dupla.
Na modulação por código de pulso (PCM), a amplitude do sinal analógico de entrada é amostrada e 
se produz uma seqüência de 1s e 0s, representando a amplitude do sinal. É basicamente um 
processo de conversão analógica-digital.
As funções fundamentais realizadas pelo Sistema PCM (Modulação por Pulsos Codificados). 
Amostragem – Quantização e Codificação.
Para melhorar a seletividade de um rádio FM deve-se considerar as características de 
qual circuito ou componente que compõe o equipamento?
O fator de qualidade (Q) do circuito tanque de sintonia deve ser 
melhorado, aumentando-se seu valor.
A região de saturação de um transistor bipolar de junção na configuração base comum e 
caracterizada pela polarização direta das junções coletor-base e base- emissor.
Sobre os transistores de efeito de campo (FET). 
No MOSFET, não ha conexão elétrica entre o terminal de porta e o canal. 
O MOSFET tipo depleção canal “n” tem um canal conectando as regiões n-dopadas de dreno e 
fonte. 
O JFET e um dispositivo unipolar, pois realiza a condução por um único canal, que pode ser de 
elétrons ou lacunas. 
O MOSFET tipo intensificação canal “n” não possui um canal conectando as regiões n-dopadas de 
dreno e fonte.
No MOSFET tipo intensificação com polarização por divisor de tensão, a corrente de dreno (ID) e 
zero para valores de tensão porta-fonte menores do que o valor de limiar VGS(Th).
O FET VMOS apresenta níveis de resistência do canal menores e especificações de corrente e 
potencia maiores do que um MOSFET planar.
Em relação à configuração base-comum dos transistores bipolares de junção: 
Na região ativa, a junção coletor-base está reversamente polarizada, enquanto a junção base-emissor
está diretamente polarizada.
TBJ ser um dispositivo controlado a corrente enquanto que o JFETéum dispositivo controlado a 
tensão.
A característica mais importante da operação ac do FET é que uma tensão ac aplicada aos terminais 
porta-fonte do dispositivo controla a corrente entre os terminais dreno- fonte.
Característica de um modulador síncrono a transistor, utilizado em sistemas de modulação em
amplitude: 
O transistor não necessita de polarização DC para chavear o sinal de entrada na junção base-
emissor.
Transistor unipolar, no qual a corrente de porta é extremamente pequena, tanto para polarização 
positiva como para polarização negativa e que NÃO possui um canal ligando a fonte ao dreno, 
permanecendo portanto em um estado desligado quando a tensão da porta é zero: MOSFET de 
Modo Intensificação.
A região de operação do transistor, onde tanto o diodo coletor como o diodo emissor são 
polarizados diretamente, é conhecida como Região: de Saturação.
Considerando o JFET canal N, polarizado com VGS = 0V, e analisando o comportamento ID em 
função de VDS , sendo Vp a tensão de constrição: quanto maior for VP, significa que maior é a 
resistência do canal.
O ponto de saturação de um circuito emissor comum é um valor variável, que depende da tensão de 
polarização do coletor e da resistência do coletor. 
O ganho de corrente é um fator que varia em transistores de mesma característica. 
Esse fato afeta, significativamente, os circuitos emissor comum e pouco afeta os circuitos com 
polarização de emissor.
Sobre o Ponto de Corte da reta de carga de um transistor: 
É a máxima tensão coletor-emissor possível para o circuito.
Quanto a utilização do transistor TBJ como dispositivo de chaveamento é: 
A VCE deve assumir valores próximos de 0 (zero) e VCC, de acordo com a IB aplicada.
O transistor de efeito de campo que tem como característica a formação do canal a partir da 
polarização adequada de VGS, chama-se: MOSFET – intensificação.
Sobre os transistores bipolares do tipo NPN: 
A base deve ser polarizada com potencial positivo em relação ao emissor e negativo em relação ao 
coletor
A curva de transferência ou transcondutância para um transistor MOSFET é: I D xVGS
Em um projeto de um amplificador a transistor desejarmos efetuar a elevação da impedância de 
saída: Base comum
A impedância de entrada do transistor na configuração base comum é baixa. 
Um amplificador, em emissor comum com transistor PNP, possui a base negativa e o coletor 
também negativo, tudo em relação ao emissor.
A grande vantagem do JFET, sobre os transistores TJB, é a: altíssima impedância de entrada, 
além de ser um dispositivo de baixo ruído.
A polarização do transistor na região ativa polariza a junção coletor-base reversamente e a junção 
base-emissor diretamente.
De acordo com o modo básico de operação, os MOSFETs subdividem-se em tipo depleção e tipo 
intensificação.
Circuitos lógicos CMOS utilizam transistores nFET e pFET conectados como pares 
complementares.
Em um JFET canal N polarizado automaticamente e funcionando em condições normais: o valor de 
RS define o ponto de operação do circuito.
A curva de transcondutância do FET é: não-linear.
Um multivibrador monoestável encontra-se na condição estável. Entre o coletor do transistor Q2 e a
base do transistor Q1, ambos configurados em emissor comum, está conectado o capacitor C1 Entre
o coletor de Q1 e a base de Q2, está o resistor R1. O que é necessário para que o circuito saia da 
condição de estabilidade : Aplicar um pulso positivo na base de Q2, se os transistores forem NPN.
A curva característica de entrada de um transistor na configuração emissor comum é plotada em 
função das variações de VBE por IB, com VCE constante.
O ganho de corrente de um transistor designado por beta se refere à configuração 
emissor comum.
A impedância de entrada na configuração em coletor comum é alta. 
A configuração emissor comum apresenta alto ganho de tensão.
A curva de transferência ou transcondutância para um MOSFET é dada em relação a 
ID x VGS.
Em um transistor: IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE
Ao aplicar uma tensão de polarização inversa entre a porta (G) e a fonte (S) de um 
JFET, haverá um (a) aumento da camada de depleção.
Na configuração de base comum, a curva de entrada de um transistor é semelhante à curva 
característica de um diodo, pois a junção emissor-base funciona como um diodo polarizado 
diretamente. 
O transistor está em saturação quando a corrente é máxima.
A energia para a polarização e a corrente de coletor, bem como a energia dissipada à carga para a 
operação de um transistor é oriunda de tensão de alimentação (VCC).
O transistor na configuração coletor comum, apresenta as seguintes características: 
Ganho de corrente alto, ganho de tensão baixo, impedância de entrada alta.
Sobre um FET: 
a corrente flui em sentido oposto à de um transistor nFET
Os transistores de efeito de campo (FET) são dispositivos unipolares controlados por tensão.
No transistor de efeito de campo canal N, com o aumento da polarização negativa de V GS teremos 
o decréscimo da corrente de dreno Id, mantendo-se constante a alimentação V DD .
O tempo de aquisição de um circuito de amostragem e retenção (S/H) é definido como o tempo de 
espera para se passar do modo de retenção a partir de um comando de amostragem. 
A porta de transmissão de um circuito de amostragem e retenção (S/H) é formada por dois 
Transistores MOS complementares em paralelo, sem unir o substrato à fonte. 
A velocidade máxima de uma amostragem de um circuito S/H é determinada pelo tempo de 
aquisição.
Sobre o Transistor Bipolar de Junção (TBJ): 
A camada emissora é fortemente dopada, a base é menos dopada e a coletora possui uma dopagem 
bem leve. 
Um transistor configurado como base-comum apresenta na região de corte uma corrente de coletor 
nula.
Um transistor NPN tem a sua junção base-emissor polarizada de forma direta e a sua junção base-
coletor polarizada de forma reversa. 
a passagem dos elétrons livres forma o fluxo de portadores majoritários na junção base-
emissor.
Nos transistores de efeito de campo (JFET), quando a VGS é igual a Vp a ID passa a ser zero.
Mantendo-se a variação de VGS constante, quanto maior a variação de ID maior é o valor da 
transcondutância em um JFET. 
Os pontos de intersecção entre a curva de transcondutância de um JFET e os eixos cartesianos da 
sua curva característica de transferência são IDSS e VP.
“A análise CA de um circuito que utiliza dispositivos FET requer o desenvolvimento de um modelo 
CA de pequeno sinal para o dispositivo. Um dos principais componentes do modelo CA reflete o 
fato de que uma tensão aplicada aos terminais porta-fonte do dispositivo controla a corrente entre os
terminais dreno-fonte.
O ganho de corrente de dois transistores numa conexão Darlington é igual a (ao) produto dos 
ganhos das correntes individuais dos transistores
O ponto onde a reta de carga intercepta a região de saturação das curvas do coletor de um transistor 
denomina-se ponto de Saturação
No transistor de efeito de campo canal N, com o aumento da polarização negativo de V GS teremos 
o decréscimo da corrente de dreno Id, mantendo-se constante a alimentação V DD .
Na região de corte, as junções coletor-base e base-emissor de um transistor estão reversamente 
polarizadas.
Na região de saturação, as junções coletor-base e base-emissor de um transistor estão reversamente 
polarizadas.
A configuração coletor-comum é utilizada principalmente para o casamento de impedância. 
Os ganhos de tensão dos amplificadores com TBJ normalmente maiores do que os verificados para 
os amplificadores com FET.
Dois tipos de FET's: Transistor de junção por efeito de campo JFET e transistor de campo metal-
óxido -semicondutor MOSFET
É camada solante SIO2 na construção do MOSFET a responsável pela desejável alta impedância de 
entrada do dispositivo.
A região de tensões positivas de porta, nas curvas de dreno ou de transferência, é normalmente 
chamada região de intensificação.
A região entre os níveis de corte e saturação é denominada região de depleção.CMOS: Possui alta impedância de entrada; alta velocidade de chaveamento; níveis reduzidos de 
consumo de potencia.
Conexão em Cascode: Prover alta impedância de entrada; baixo ganho de tensão.
Sobre os Transistores
Polarização por divisor de tensão: alto ganho de tensão com inversão de fase.
Base-comum: baixa impedância de entrada.
Seguidor-de-emissor: alto ganho de corrente com inversão de fase.
Baixo ganho de tensão (aproximadamente 1)
O seguidor de emissor também é conhecido como amplificador coletor comum 
A conexão Darlington consiste na ligação em cascata de seguidores de emissor. A principal 
vantagem dessa conexão é alta impedância de entrada, olhando para a base do primeiro transistor.
Um Transistor na configuração emissor comum, quando o mesmo estiver saturado, o seu ganho de 
corrente, comparado com seu ganho de corrente na região ativa é menor.
Principais características de um amplificador operacional: alta impedância de entrada; baixa 
impedância de saída; e tensão de saída igual a zero quando as entradas estiverem a mesma tensão.
O FET é um dispositivo unipolar que depende unicamente da condução de elétrons (canal n) ou de 
lacunas (canal p).
Sobre o TBJ: A corrente presente no emissor (Ie) é formada pela soma das correntes de base (Ib) e 
de coletor (Ic).
A correta polarização através de resistores assegura que um circuito transistorizado funcione no 
chamado ponto quiescente ou ponto de operação desejado.
Os tipos de polarização mais comuns são: polarização da base por corrente constante e polarização 
da base por divisor de tensão.
O transistor é um componente que controla uma corrente alta através de uma corrente baixa.
Na região ativa, a junção coletor-base está reversamente polarizada, enquanto a junção base-emissor
está diretamente polarizada.
Na região de corte, as junções coletor-base e base-emissor de um transistor estão reversamente 
polarizadas.
Na região de saturação, as junções coletor-base e base-emissor estão diretamente polarizadas.
Na região ativa de um amplificador em emissor-comum, a junção coletor-base está reversamente 
polarizada, enquanto a junção base-emissor está diretamente polarizada.
A configuração coletor-comum é utilizada principalmente para o casamento de impedância. 
Apresenta alta impedância de entrada, uma baixa impedância de saída.
Para o transistor típico na região ativa, VCE é normalmente 25% a 75% de VCC.
A diferença fundamental entre os dois tipos de transistores é o fato de o TBJ ser um dispositivo 
controlado a corrente, enquanto que o JFET é um dispositivo controlado a tensão.
O FET é um dispositivo unipolar.
Uma das características mais importantes do FET é a sua alta impedância de entrada.
A configuração seguidor de emissor apresenta uma alta impedância na entrada e uma baixa 
impedância na saída.
A configuração base-comum possui baixa impedância de entrada, alta impedância de saída e ganho 
de corrente menor que 1.
TBJ é controlado por corrente (Ib)
FET é controlado por tensão (Vgs).
A principal diferença entres esses dois transistores é o fato de o TBJ ser um dispositivo controlado 
por corrente, enquanto o JFET é um dispositivo controlado por tensão.
Transistor Bipolar de Junção: Há três terminais chamados de emissor, coletor e base.
Transistor de Efeito de Campo: Possui alta impedância de entrada, uma característica muito
importante em projetos de sistemas de amplificação linear CA.
 Maior estabilidade em termos de temperatura.
O Transistor de Unijunção é muito importante em projetos de sistemas eficientes. O baixo custo por
unidade, combinado às excelentes características do dispositivo, garantiu seu uso em uma ampla 
variedade de aplicações. Dentre os circuitos abaixo, qual não emprega o Transistor de Unijunção em
suas configurações? Circuito de polarização por realimentação do coletor.
A IDSS é a corrente máxima de dreno para um JFET e é definida pela condição de VGS igual a 
zero, e valor de VDS maior que Vp .
Para um transistor operar na região ativa, deve-se polarizar a junção base-emissor de forma direta e 
a junção base-coletor de forma reversa.
PUT, transistor programável unijunção, destinado ao disparo de SCRs e TRIACs.
Transistor: é um componente eletrônico semicondutor de 3 regiões semicondutores. Tem como 
aplicações: chave eletrônica, amplificador e oscilador.
Modos de operação de um transistor
Modo Junção emissor base (JEB) Junção coletor base (JCB)
Corte Reversa Reversa
Ativo Direta Reversa
Saturação Direta Direta 
A potencia dissipada por um TJB na região de saturação é mínima.
O efeito túnel é de natureza puramente quântica . 
O transistor é constituído de material semicondutor.
O Teorema da Amostragem de Nyquist define que a frequência de amostragem deve ser, no 
mínimo, o dobro da frequência contida no sinal a ser amostrado.
O Transdutor é o dispositivo utilizado para converter uma variável física em uma variável elétrica.
Um dispositivo que converte uma variável elétrica em uma variável física é um atuador.
O efeito joule é o fenômeno provocado pelo aquecimento de um material devido: à passagem da 
corrente elétrica.
Num NTC, quando submetido a uma queda de temperatura de 2°C, tem sua resistência elétrica 
aumentada.
Os resistores variáveis são chamados de potenciômetros ou reostatos.
A tensão máxima a ser aplicada a um capacitor é chamada de tensão de trabalho e não deve ser 
ultrapassada.
Um fio condutor que não esteja interrompido possui uma resistência de praticamente 0.
Um condutor interrompido fará com que se tenha uma leitura de resistência infinita.
O efeito de Miller aumentará ainda o nível da capacitância de saída.
O isolamento elétrico de um acoplador ótico é útil em aplicações de alta tensão.
 Conversão analógico/Digital PCM
Não se pode afirmar sobre a ocorrência de erro de quantização. O erro de quantização, quando 
existe, ocorre no estágio posterior á amostragem.
A taxa de transmissão do canal: T= fa x 8bits
Na recepção, não se pode afirmar sobre a ocorrência de interferência intersímbolos no processo de 
demodulação do sinal.
A interferência intersímbolos é um sério problema de superposição das bandas que resulta na 
deformação do sinal analógico recuperado.
O teorema de Amostragem de Nyquist, a frequência de amostragem fo deve ser no mínimo o dobro 
da maior frequência contida no sinal.
Pelo teorema da amostragem, a frequência de amostragem deve ser o dobro da maior frequência do 
sinal (fm), e para não ocorrer interferência deve-se acrescentar uma separação entre as bandas 
definida como banda de guarda (BG). fo=2fm + BG
Handoff: Transferência de ERB para outra.
Sem sincronismo não conseguimos recuperar ou converter um sinal serial em paralelo.
Corrente convencional: sai do polo positivo para o polo negativo.
Luminância: É a quantidade de brilho apresentado.
A base de funcionamento de uma central telefônica é matriz de comutação.
Handoff: É uma função que permite ao usuário manter a conversação quando ele passa de uma 
célula para outra.
Resistores sensíveis a temperatura: PTCs e NTCs.
No PTC sua resistência aumenta quando a temperatura aumenta.
No NTC sua resistência diminui quando a temperatura aumenta.
Chamamos de informação paralela a uma informação na qual todos os bits se apresentam 
simultaneamente.
Informação série é aquela que utiliza apenas 1 fio, sendo que os bits de informação vem 
sequencialmente, um após o outro.
Open-collector: permite o controle externo da corrente de coletor proporcionando inclusive o 
aumento do fan-out.
Tri-state: Terceiro estado de saída, caracterizado por uma alta impedância.
O processo de conversão do sinal digital em sinal analógico-conversão D/A do sinal PCM: 
regeneração, decodificação e filtragem. 
É falso afirmar que “Nos blocos com open-collector, os terminais externos devem ser ligados 
diretamente ao +Vcc”, pois esses terminais devem ser ligados ao +Vcc por meio de um resistor 
externo, que terá a função de limitar e controlar a corrente.
É verdadeiro afirmar que a“A lógica wired-and é possível com a interligação dos terminais em 
open-collector a um resistor externo ligado ao +Vcc”. Isso é conseguido no ponto onde ocorre a 
conexão dos terminais open-collector e o resistor. 
É falso afirmar que “Os dispositivos Schmitt-trigger são utilizados em sistemas digitais para 
transformar ondas quadradas em ondas de variação senoidal”. A função deste bloco é quadrar o 
sinal aplicado na entrada, ou seja, tornar rápidas as variações lentas dos níveis de tensão de entrada. 
É verdadeiro afirmar que “Em sistemas onde os dispositivos compartilham o mesmo barramento 
de dados, as suas saídas devem possuir a característica tri-state.”, pois como os terminais de uma 
mesma linha do barramento estão todos conectados, para não haver interferências, os blocos que 
não estão acessando o barramento deverão estar em alta impedância, ou em tri-state.
Os dois tipos de resistores fixos são: resistores de carbono e resistores de fio enrolado.
A potência dos resistores de composição carbônica podem variar de 1/16 a 2W.
Os parâmetros resistência e temperatura de um termistor NTC estão relacionados de maneira 
inversamente proporcional, ou seja, quando a temperatura aumenta a resistência diminui.