Materiais elétricos AV2

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Avaliação: CCE0252_AV2_201307221351 » MATERIAIS ELÉTRICOS
	Tipo de Avaliação: AV2
	Aluno: 201307221351 - RICARDO BARBOSA DE SOUZA
	Professor:
	JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS
	Turma: 9005/Q
	Nota da Prova: 7,5 de 8,0         Nota do Trab.: 0        Nota de Partic.: 2        Data: 05/06/2015 14:11:34
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	 ��1a Questão (Ref.: 201307404653)
	Pontos: 1,5  / 1,5
	Defina um condutor elétrico ôhmico em termos da variação entre a diferença de potencial aplicada ao mesmo e a corrente resultante.
	
	
Resposta: Resistor ôhmico, obedece a lei de ôhm. Logo o mesmo pode ser calculado pela lei de ôhm V=RxI. Logo, podemos calcular qualquer resistor ohmico com a seguinte formula: R=V/I. onde V é a diferença de potencial em volts e I é a corrente elétrica em ampere. Tendo o valor da tensão aplica e a corrente que passa pelo resistor, podemos defini-lo facilmente.
	
Gabarito:
Diz-se que um condutor é Ôhmico se a variação da diferença de potencial a ele aplicada e a corrente gerada estão relacionadas linearmente, ou seja, V=R.i, onde V é diferença de potencial, i é corrente e R é uma constante denominada resistência elétrica do material, considerando a temperatura do experimento constante.
	
Fundamentação do(a) Professor(a): Resposta aceita.
	
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	 ��2a Questão (Ref.: 201307404686)
	Pontos: 1,5  / 1,5
	Explique sucintamente o que é diamagnetismo.
	
	
Resposta: Diamagnetismo é uma forma muito fraca de magnetismo que persiste somente num campo magnetico externo, H. Os dipolos magnéticos são contrarios ao campo magnético e extritamente pequenos
	
Gabarito:
Diamagnetismo: é uma forma muito fraca de magnetismo que persiste somente durante a aplicação de um campo magnético externo, H. Os dipolos magnéticos induzidos são contrários ao campo magnético e estritamente pequenos. A permeabilidade magnética é ligeiramente inferior a 1 e a susceptibilidade magnética é negativa.
	
Fundamentação do(a) Professor(a): Resposta aceita.
	
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	 ��3a Questão (Ref.: 201307403694)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	A Agência Espacial Americana, NASA, responsável pela administração nacional da Aeronáutica e do Espaço, desenvolve pesquisas na área de Ciência dos Materiais. As condições severas do espaço sideral, como grandes amplitudes térmicas (diferença entre a temperatura máxima e mínina) e a exposição a radiação, exigem ligas metálicas de grande tenacidade, materiais cerâmicos com alta resistência a abrasão e polímeros de alta leveza e grande resistência mecânica. Para obter materiais com estas propriedades, muitas vezes são combinados elementos e substâncias com propriedades semicondutoras, condutoras e isolantes.
Entre as opções a seguir, escolha aquela que contenha somente materiais semicondutores e isolantes.
	
	
	Madeira, borracha e água pura.
	
	Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
	
	Silício, Ferro, água pura.
	 
	Arseneto de Gálio, madeira e borracha.
	
	Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Fosfeto de Gálio.
	
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	 ��4a Questão (Ref.: 201307343066)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
	
	
	7,81 x 10-6 Ω.cm
	 
	4,75 x 10-6 Ω.cm
	
	3,21 x 10-6 Ω.cm
	
	6,45 x 10-6 Ω.cm
	
	3,95 x 10-6 Ω.cm
	
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	 ��5a Questão (Ref.: 201307403731)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a mesma obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode assumir a forma  =0+ T+T2 , onde 0 , b e são constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura no último caso citado.
	
	
	Elipse.
	
	Círculo.
	 
	Parábola.
	
	Hipérbole.
	
	Reta.
	
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	 ��6a Questão (Ref.: 201307403774)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 
	
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	
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	 ��7a Questão (Ref.: 201307403810)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Capacitância é uma grandeza física associada a dispositivos denominados de capacitores e que possuem a finalidade de armazenar carga. Do ponto de vista quantitativo, define-se capacitância, C, de um capacitor como a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V. No sistema internacional de unidades (SI), a capacitância é medida em Farad (F). Considerando o exposto, determine a opção correta.
	
	
	Um capacitor que tenha acumulado uma carga de 0,010C e que possui capacitância igual a 2F está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 0,05V
	 
	Um capacitor submetido a 120V e que tenha acumulado uma carga de 0,008C possui capacitância igual a 0,00007 F.
	
	Um capacitor que possui capacitância igual a 0,06F e está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 2V acumula uma carga de 0,003C.
	
	Dois capacitores idênticos submetidos respectivamente a diferenças de potencial iguais a 2V e V/2 terão 2C e 1C de carga respectivamente.
	
	A capacitância do capacitor sempre varia com a corrente elétrica do circuito, como mostra a expressão C=Q/V.
	
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	 ��8a Questão (Ref.: 201307820804)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Entre as diversas propriedades dos materiais elétricos, há duas que merecem especial relevância devido a aplicação das mesmas nos dispositivos elétricos do dia a dia: a ferroeletricidade e a piezoeletricidade. Com relação a estes dois tipos de propriedade, NÂO podemos afirmar:
	
	 
	Os materiais piezoelétricos são aqueles que transformam luz em energia elétrica.
	
	O carbeto de silício é um exemplo de material transdutor muito utilizadi em micrifones.
	 
	Os materiais ferroelétricos possuem alto custo, limitando o seu uso em Engenharia.
	
	O titanato de bário é o exemplo de um material ferroelétrico, que pode ser utilizado como material dielétrico em capacitores.
	
	Materiais ferroelétricos são materiais que possuem a capacidade de formação natural de dipolos elétricos, apresentando magnetização permanente.
	
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	 ��9a Questão (Ref.: 201307820809)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A população das redes locais de transmissão de dados (LAN), houve a necessidade de evolução tecnológicas em diversos nichos da eletro-eletrônica, originando diversos produtos tecnológicos. Entre estes produtos, encontram-se os cabos UTP. Com relação a estes cabos, só NÂO podemos afirmar que:
	
	
	O acrônimo UTP significa Unshielded Twisted Pair ¿ UTP ou Par Trançado sem Blindagem.
	
	Admitem velocidade de transmissão de 10 MBits a 100MBits.
	
	Nos cabos UTPs verifica-se também que quanto maior for a taxa de modulação, maior será o valor da atenuação do sinal com a distânciapercorrida.
	 
	Só admitem transmissão até 10Mbts.
	
	Os cabos UTP podem ser aplicados em redes locais com distância total de até 100m.
	
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	 ��10a Questão (Ref.: 201307343937)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Os diversos tipos de capacitores têm as seguintes características:
I. Os capacitores de mica são encontrados com valores altos de capacitância.
II. O capacitor de cerâmica suporta tensões elevadas até 3 kV.
III. O capacitor eletrolítico de alumínio é utilizado em fontes de alimentação.
IV. Os capacitores de polyester são capacitores caros que podem funcionar em altas frequências.
V. O capacitor eletrolítico de alumínio é um capacitor de alta capacitância e não suporta tensões elevadas.
Das afirmações acima podemos dizer que são verdadeiras as:
	
	
	a. Somente a afirmação V.
	
	c. As afirmações I e V.
	
	b. As afirmações II e III.
	
	d. As afirmações I, II e IV.
	 
	e. As afirmações II, III e V.