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Universidade Estácio de Sá – Graduação em Engenharia Mecânica Professor Ricardo Toscano – Campus Praça XI Circuitos Eletroeletrônicos Aplicados – CCE0205 Unidade 1 – Eletrônica Analógica – Parte 1 Lista de Exercícios 1 1) Explique como são formados os corpos, na natureza. Na natureza, um corpo é formado de matéria. Toda matéria é feita de várias combinações de formas simples de matéria, no qual chamamos de substâncias. A menor parte possível de uma substância (mantendo suas propriedades) é a molécula que, por sua vez, é constituída por partículas ainda menores denominadas de átomos. 2) Explique como é formado um átomo. Um átomo é formado por elétrons (partícula de carga negativa) que giram ao redor de um núcleo composto por prótons (partícula de carga positiva) e nêutrons (partícula que não possui carga elétrica). 3) O que define a última camada de um átomo? Define a sua valência, ou seja, a quantidade de elétrons desta órbita que pode se libertar do átomo através do bombardeio de energia externa ou se ligar a outro átomo através de ligações covalentes (compartilhamento dos elétrons da última camada de um átomo com os elétrons de última camada de outro átomo). 4) Qual é a denominação da última camada de um átomo? Camada de valência. 5) Faça uma figura ilustrando as bandas de valência, proibida e de condução. 6) O tamanho dessa banda proibida na última camada de elétrons define o comportamento elétrico do material, em três situações distintas. Faça uma figura ilustrando essas três situações. Isolantes Condutores Semicondutores 7) Defina o que são isolantes. São materiais no qual pouquíssimos elétrons tem energia suficiente para sair da banda de valência e atingir a banda de condução, sendo necessária a aplicação de um potencial (uma tensão) muito elevada para estabelecer uma corrente mensurável. 8) Defina o que são condutores. São materiais que permitem a passagem do fluxo intenso de elétrons com a aplicação de uma tensão relativamente pequena, visto a facilidade em passar da banda de valência para a de condução. 9) Defina o que são semicondutores. Constituem determinado grupo cujas características elétricas são intermediárias entre as dos condutores e as dos isolantes. 10) Na indústria Eletrônica, a utilização dos semicondutores é muito grande, principalmente na fabricação de componentes eletrônicos. Cite três exemplos de dispositivos fabricados com a utilização de semicondutores. Diodos semicondutores, os transistores e outros de diversos graus de complexidade tecnológica, células solares, microprocessadores e nanocircuitos usados em nanotecnologia. 11) Uma das características importantes dos semicondutores, que os torna atrativo para fabricação de componentes eletrônicos é? A possibilidade de variar sua condutividade elétrica pela alteração controlada de sua composição química ou estrutura cristalina. 12) Quais são os semicondutores mais comuns utilizados na indústria Eletrônica? São o silício (Si) e o germânio (Ge). 13) Em termos de valência, em que esses dois elementos (Si e Ge) se caracterizam? Estes dois elementos caracterizam-se por serem tetravalentes (possuem quatro elétrons na camada de valência). 14) O que é uma ligação covalente? Significa uma ligação de átomos estabelecida pelo compartilhamento de elétrons. 15) O que é dopagem? Processo utilizado para constituir os semicondutores p e n por meio de adição ao Si ou ao Ge de quantidade bem reduzidas de impurezas. 16) Como é denominado um material semicondutor submetido ao processo de dopagem? É denominado de material extrínseco. 17) Há dois materiais extrínsecos imprescindíveis para a fabricação de dispositivos semicondutores. Quais são esses materiais extrínsecos? Material tipo p e tipo n. 18) Como é obtido um material tipo p? É obtido dopando-se um cristal de germânio ou silício puro com átomos de impureza que possuam três elétrons de valência. Os elementos mais comumente utilizados para esse propósito são o boro, o gálio e o índio. 19) Como é obtido um material tipo n? É criado com a introdução dos elementos de impurezas que tem cinco elétrons de valência (pentavalente), como o antimônio, o arsênio e o fósforo. 20) Num material tipo n, quem são os portadores majoritários e os portadores minoritários? Num material do tipo n, o elétron é chamado de portador majoritário, e a lacuna é chamado de portador minoritário. 21) Num material tipo p, quem são os portadores majoritários e os portadores minoritários? No caso material do tipo p, a lacuna é o portador majoritário, e o elétron é o portador minoritário. 22) Como é formado um diodo semicondutor? O diodo semicondutor é formado pela simples união dos materiais p e n, constituídos a partir da mesma base (Ge ou Si). 23) Explique como é formada a camada de depleção. O semicondutor n apresenta um excesso de elétrons e o semicondutor p um excesso de lacunas. Logo, ao formar a junção pn, ocorre a difusão dos elétrons livres do lado n para o lado p. No lado n, a ausência dos elétrons cria uma região de íons positivos (cátions) próximos a junção. No lado p, quando os elétrons ocupam as lacunas que também se encontram próximas da junção (recombinação elétron-lacuna), eles criam íons negativos (ânions). Com isso, ocorre uma ausência de portadores livres na região próxima a junção. Essa região descoberta constituída de íons positivos e negativos é chamada de região (ou camada) de depleção, devido à ausência de portadores nessa região. 24) Em que se caracteriza a ausência de portadores livre na região próxima à junção? Caracteriza-se como uma barreira de potencial, cujo valor depende do material semicondutor e da temperatura ambiente. Essa diferença de potencial (VƔ), a 25oC, é de aproximadamente 0,7 V para os diodos de silício e 0,3 V para os diodos de germânio. 25) Faça uma figura ilustrando a simbologia do diodo semicondutor. 26) O que significa polarizar um diodo diretamente? Polarização direta: ocorre quando o potencial positivo da fonte encontra-se ligado ao lado p e o potencial negativo ao lado n, como ilustrado na figura ao lado. 27) Explique o que ocorre com VCC > VƔ. Com VCC > VƔ, os elétrons do lado n ganham mais energia porque são repelidos pelo terminal negativo da fonte, rompem a barreira de potencial VƔ e são atraídos para o lado p, atravessando, assim, a junção. No lado p, eles recombinam-se com as lacunas, tornando-se elétrons de valência, mas continuam deslocando-se de lacuna em lacuna, pois são atraídos pelo terminal positivo da fonte, formando-se uma corrente elétrica (ID = Corrente Direta), fazendo com que o diodo semicondutor de comporte como um condutor ou uma resistência direta RD muitíssimo pequena. 28) O que significa polarizar um diodo reversamente? Polarização reversa: ocorre quando o potencial negativo da fonte se encontra ligado ao lado p e o potencial positivo ao lado n, como ilustrado na figura ao lado. 29) Explique o que ocorre em função da polarização reversa. Em função da polarização reversa, os elétrons do lado n são atraídos para o terminal positivo e o número de íons negativos não combinados aumentará no material do tipo p. Portanto, o efeito será uma ampliação da camada de depleção. Essa ampliação estabelecerá uma barreira grande demais para os portadores majoritários superarem, reduzindo efetivamente o fluxo de portadores majoritários a zero. Por outro lado, existe uma corrente muito pequena formada pelos portadores minoritários de corrente de saturação reversa (IR), sendo desprezada na grande maioria dos casos. Assim, o diodo se comporta como se fosse um circuito aberto ou uma resistência reversa (RR). A K 30) Faça uma figura ilustrando a curva característica do diodo semicondutor nas polarizações direta e reversa.31) Explique o comportamento da curva característica do diodo no primeiro e no terceiro quadrante. No primeiro quadrante, com tensões positivas, tem-se a curva do diodo na polarização direta. Enquanto a tensão sobre o diodo é menor do que a barreira de potencial (0,7 V), a corrente é praticamente nula. A partir de 0,7 V, a corrente cresce muito, como o diodo estivesse em curto. O valor máximo dessa corrente direta (IDM) dos diodos pode ser obtida nos data sheet dos fabricantes. No terceiro quadrante, com tensões negativas, tem-se a curva do diodo na polarização reversa. A corrente reversa é muito pequena e cresce muito pouco com o aumento da tensão reversa. No entanto, há um valor de tensão denominada tensão de ruptura (VBR) que faz com que o diodo inicie um processo de condução reversa, tendo como resultado a sua ruptura. Esse valor também é obtido no data sheet do fabricante. 32) Defina o termo frequência. Dê um exemplo de valor de frequência com a devida unidade. É o número de oscilações completas (ciclos) produzidos pela onda na unidade de tempo. No SI, a frequência é medida em hertz (Hz). Exemplo: portadora de uma determinada Rádio FM é 99,9 MHz. 33) Defina o termo período. Tempo gasto para a onda completar 1 ciclo. Sua unidade é o segundo (s). 34) Calcule o valor do período para as seguintes frequências. a) 60 Hz => T = 1/f => T = 0,01666 s = 16,66 ms b) 1 kHz => T = 1/f => T = 0,001 s = 1 ms c) 5,5 MHz => T = 1/f => T = 0,1818 x 10-6 s = 181,8 ns 35) Defina o termo comprimento de onda. Distância entre dois picos máximos consecutivos da onda. Sua unidade é o metro (m). Polarização direta Polarização reversa 36) Defina o termo amplitude. Caracteriza-se pelo valor da origem até a crista da onda. Quanto maior for a amplitude, maior será a quantidade de energia presente. Sua unidade pode ser, por exemplo, tensão v (dada em volts, V) e corrente elétrica i (dada em ampères, A). Pode ser denominado como valor de pico (Vp), negativo e positivo. 37) Defina o termo fase. Caracteriza-se pela medida obtida em relação a uma referência fixa ou comparativa entre sinais. Um sinal pode estar em fase com outro, atrasado ou avançado em relação a esse outro sinal. 38) Defina o termo forma de onda. Caracteriza-se como a representação gráfica da forma com que uma onda evolui ao longo do tempo. 39) Cite 4 exemplos de forma de onda e faça figura ilustrando as mesmas.
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