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Impacto da injeção de falha baseada em RF em osciladores de cristal 
do tipo Pierce sob testes padrão EMC em microcontroladores
A. Olmos1, A. Vilas Boas2 ER da Silva3, JC Silva3, e R. Maltione3
Divisão de Microcontroladores 
Freescale Semiconductor Austin, 
EUA1/ Campinas, Brasil2
Autor de contato: Alfredo.Olmos@freescale.com
Divisão de Concepção de Sistemas de Hardware
Centro de Tecnologia da Informação
Campinas, Brasil3
Autor de contato: Ricardo.Maltione@cti.gov.br
Abstrato—Os osciladores de cristal geralmente são implementados usando 
a configuração Pierce ¶ devido à sua alta estabilidade, pequena quantidade 
de componentes e fácil ajuste. Com o desenvolvimento da tecnologia e a 
redução do dispositivo, os osciladores embarcados em microcontroladores 
modernos incluem todos os componentes de rede integrados no chip para 
atender a projetos econômicos que suportam cristais e ressonadores 
cerâmicos. Este fato torna o oscilador mais sensível à carga da rede de 
realimentação e desvios relacionados às proteções ESD exigidas nos pinos 
de E/S de cristal externos. Aplicações robustas como industriais, 
automotivas, biomédicas e aeroespaciais requerem testes agressivos de 
qualificação de EMC onde a interferência de RF de alta potência é injetada 
causando jitter, desvio de frequência ou até mesmo corrupção do relógio 
que se traduz em falhas graves no nível do sistema. Este trabalho discute o 
impacto da interferência de RF em osciladores de cristal. Uma análise 
teórica do fator de carga é proposta e comparada com resultados 
experimentais obtidos de um veículo de teste de silício CMOS de 0,35μm. 
Por fim, é apresentada uma estratégia de teste para microcontroladores e 
SoCs complexos.
conduzir uma pequena corrente. Esses osciladores podem ser configurados para 
gerar um sinal de clock altamente preciso com algumas dezenas de ppm/o
Estabilidade C, necessária para funções de precisão como: temporizadores de 
captura de entrada para medição de período; geração de período para atraso, 
temporização e agendadores; comparação de tempo limite para PWM, 
watchdog, etc.; e definir as taxas de conversão A/D e D/A.
O excelente desempenho dos osciladores de cristal Pierce é 
seriamente afetado se usados em aplicações sob poderosa 
interferência de radiofrequência (RF). Assim, esta solução econômica 
pode ser perturbada com uma alta probabilidade de ocorrência de 
erros graves ou simplesmente parar de trabalhar em casos extremos. 
A literatura relata vários efeitos da interferência de RF prevendo 
falhas induzidas em circuitos complexos. Por exemplo, em [8] é 
apresentado um trabalho interessante sobre o modo multi-oscilação 
causando bloqueios de oscilação. As referências [6-11] realizam 
análises quanto às fontes gerais de ruído considerando aspectos 
como fase e 1/fruído [6,9], jitter [10] e ruído de substrato [11]. 
Trabalhos relatados relacionados à interferência de RF estão focados 
em efeitos perturbadores [12] em circuitos digitais causados por 
mudança no ponto de desarme do inversor e atrasos induzidos em 
portas lógicas [9,10]. As referências [12-14] analisam aspectos da 
interferência de RF sendo aplicada em circuitos analógicos, como 
comparadores (ou op-amps) e referências de tensão/corrente através 
das mudanças em seus pontos de polarização [6,7]. Alguns outros 
aspectos relacionados à suscetibilidade à interferência em CIs são 
apresentados em [9] dependendo da severidade do método de ensaio 
(ie, IEC 62132). Com relação exclusivamente aos osciladores, o 
método proposto em [19] para interferência de RF é mais apropriado 
para osciladores não harmônicos. As referências [21, 22] exploram os 
efeitos do baixo nível de interferência de RF. Portanto,
Palavras-chave – Crystal Oscillators, RF Fault Injection, EMC.
eu. euNTRODUÇÃO
Durante várias décadas o oscilador Pierce ¹ [1,2] tem sido 
amplamente utilizado para construir circuitos de clock para 
microcontroladores (MCUs) e vários Systems on Chip (SoC). Na 
configuração usual, o cristal é frequentemente montado próximo aos 
pinos do clock do MCU com uma pequena rede composta por dois 
capacitores (C1e C2) aterrado, e um resistor conectado em paralelo 
com o cristal; o resistor destina-se a controlar a corrente de 
acionamento de cristal e evitar sobrecarga e distorção do sinal em 
harmônicos de alta ordem. Esta configuração garante grande 
estabilidade se bem projetada usando cristais ou ressonadores 
cerâmicos. Também é fácil de ajustar alterando os componentes da 
rede de feedback de acordo com os parâmetros do fabricante.
O presente trabalho examina o impacto da interferência e 
carregamento na rede de realimentação dos osciladores Pierce ¶ e 
sua influência na precisão da frequência, incluindo jitter e modulação, 
bem como mecanismos de falha que podem causar perturbações sob 
potência de RF extremamente alta aplicada na faixa de ressonância 
do substrato (que é dado ajustando a indutância L do substratoSUB
com as capacitâncias da junção parasita).
Com o encolhimento da tecnologia e o uso extensivo de MCUs em 
aplicações econômicas, o mercado de componentes de rede on-chip 
brilhou, mesmo em ambientes ruidosos, como industriais e 
automotivos [3-7]. Desta forma, para manter um projeto econômico, 
os capacitores de carga são menores e às vezes comparáveis às 
capacitâncias do pad de E/S ou à capacitância associada às estruturas 
ESD usadas para proteger os pinos.
Este trabalho está organizado da seguinte forma: as Seções I e II 
estudam brevemente o efeito da interferência de RF em osciladores 
de cristal Pierce ¶, para identificar fontes e caminhos de interferência, 
o impacto na frequência e estabilidade, e diversas condições de falha 
em aplicações. A Seção III descreve uma análise teórica
Além disso, as restrições de gerenciamento de energia para aplicações de 
baixa potência exigem que o amplificador de feedback de cristal opere em níveis 
de corrente muito baixos, fazendo com que o cristal também
Este trabalho foi parcialmente patrocinado pela FAPESP e CNPQ/Brasil
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Uso licenciado autorizado limitado a: UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL. Baixado em 23 de outubro de 2022 às 21:16:39 UTC do IEEE Xplore. Restrições aplicadas.
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Figura 1. (A) oscilador de cristal Pierce ¶, e (B) seus principais parasitas.
Figura 3. Parasitos de proteção ESD considerados na análise de interferência de nós:
(A) Proteção baseada em trilhos; e (B) proteção baseada em PAD.
Figura 2. Modelo de cristal equivalente incluindo fundamental, harmônicos e
modos de oscilação espúrios. Figura 4. Caminho de acoplamento de interferência para a entrada do amplificador de realimentação.
introduzindo um novo parâmetro de fator de carga que ajuda a 
entender como a rede de realimentação contribui no processo de 
interferência. A seção IV verifica a hipótese por simulação sobre 
os mecanismos de falha identificados. Por fim, a Seção V 
apresenta resultados experimentais e apresenta uma 
metodologia para testes.
Basicamente, existem dois esquemas de proteções ESD conforme 
descrito em [4]. A Fig. 3 mostra o corte transversal destas estruturas 
destacando os principais desvios a elas associados. Em relação à faixa 
de frequência de oscilação para cristais operando no modo 
fundamental, e desde LS1for maior que as indutâncias parasitas, é 
razoável concluir que o caminho principal de interferência ocorre 
através de capacitâncias parasitas que podem ser comparáveis às 
capacitâncias de carga presentes na rede de realimentação. Observe 
que a maioria dos MCUs tem uma porção analógica reduzida em 
contraste com a parte digital. Portanto, o esquema baseado em trilho 
é preferível às proteções baseadas em almofadas. Assim, o principal 
caminho para a interferência é através dos diodos (para Pbulk e para 
o substrato) via capacitâncias reversas. Essa interferênciaocorre 
antes de atingir o limite necessário para ter um efeito de retificação 
do sinal de interferência pelos diodos de proteção operando tanto no 
modo de polarização direta quanto reversa.
II. RFINTERFERÊNCIA EM OSCILADORES DE CRISTAL PERFURAÇÃO
O circuito básico do oscilador Pierce é baseado em um único 
transistor acionado por uma fonte de corrente para implementar um 
amplificador inversor. Isso pode ser realizado também usando um 
inversor sem buffer como mostrado na Fig. 1A. Uma implementação 
com componentes de rede no chip é mostrada na Fig. 1B. Em 
implementações práticas de MCU, os componentes externos são 
usados de acordo com os parâmetros do fabricante do cristal ou do 
ressonador cerâmico. O modelo de cristal mostrado na Fig. 2 mostra 
os principais elementos (LS1, CS1- responsável pela frequência de 
oscilação fundamental), as componentes espúrias (LSK, CSK) e os 
outros harmônicos harmônicos (LSN, CSN- restrito a 5ºna prática) [8].
Desta forma, a análise começa modelando a interferência através de Z
Ccaminho (que corresponde ao substrato, sinalizador de matriz, bulk well e 
parasita ESD) aplicado à entrada do amplificador de realimentação 
conforme mostrado na Fig. 4. Com base neste modelo, existem dois 
mecanismos de falha de acordo com o nível de interferência:
O presente trabalho estudará o desvio na frequência 
fundamental causado pela carga, assumindo que o fator Q do 
circuito oscilador é suficiente para mantê-lo travado próximo 
à fundamental, embora ainda seja suscetível à interferência 
de RF.
A) Nível de interferência baixo a médio
Mecanismo de falha: Desvio do ponto de carregamento e 
disparo Condição: |VSub-RF| <VDD/kVD(k - 2),A Fig. 1B também ilustra as estruturas ESD relacionadas 
com os pads de E/S XTAL1 e XTAL2 que fornecem a interface 
entre o chip e os componentes externos. Neste caso a interferência de RF acoplada via ZCimpedância afetará o 
valor médio do ponto de desarme do amplificador do inversor
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(considerando um inversor lógico) ou alterando o ponto de polarização que 
refletirá nas condições de estabilidade do loop. O desvio de frequência devido 
ao deslocamento do ponto de disparo e jitter será induzido.
retificação) causando alteração expressiva no ganho em malha 
fechada com geração de harmônicos que serão processados pelo 
amplificador. Observe que quando VNatinge um dos limites do 
inversor, o sistema entra em colapso e a oscilação para.
B) Alto nível de interferência
Mecanismo de falha: Retificação e corrupção do relógio 
Condição: |VSub-RF| - VDD/kVD(k - 2)
Conforme discutido anteriormente, quando a interferência está sob o caso
(A), não é fácil prever o desvio de oscilação de maneira fácil. 
Um método possível é analisar os efeitos na rede de 
realimentação do ponto de vista do carregamento. Como o 
oscilador Pierce trabalha com reatância positiva [5], a relação 
entre os elementos de ressonância paralelo e série deve ser 
explorada.
Nesse caso, a interferência de RF agora tem amplitude suficiente 
para colocar as proteções ESD na região de polarização direta. Assim, 
fenômenos de retificação ocorrerão e as capacitâncias de carga 
aumentarão o valor médio na entrada do amplificador inversor 
(mudança de ponto de desarme, considerando um inversor lógico) 
levando-o para fora da região de operação linear até atingir um dos 
limites para chavear sua saída para um estado permanente.
A frequência de oscilação para o modo série depende apenas 
da capacitância CS1e indutância LS1, e é dado por:
1
fOSCSERIESO primeiro mecanismo de falha é muito importante porque pode 
causar erros inesperados no sistema. Não é facilmente identificado e 
não pode ser previsto ou corrigido. O segundo mecanismo de falha é 
claramente fácil de identificar, pois ocorre um problema grave no 
sistema; por exemplo, durante o teste de Injeção Direta de Energia 
(DPI) quando o equipamento está procurando o ponto de máxima 
suscetibilidade. A próxima seção propõe uma análise inovadora 
baseada em uma nova definição de fator de carga para correlacionar 
o desvio de frequência com o carregamento induzido pela 
interferência de RF.
(3)2- euS1CS1
A frequência de oscilação para o modo paralelo é afetada 
pela capacitância do cristal paralelo (C0) e a capacitância de carga 
associada à rede de realimentação. Pode ser expresso por:
1
fOSCPARALELO
C0 Ceu (4)2- euS1CS1CS1 C0 Ceu
A capacitância de carga (Ceu) é composto pela capacitância 
equivalente nos nós 1 e 2 (C1e C2em série), a capacitância parasita (C
DISPERSO), e a capacitância parasita inter-pin-out da unidade do 
dispositivo (alguns autores também incluem a capacitância parasita 
inter-trilhas da placa). Assim, C.eué:
III. EUANÁLISE DE NTERFERÊNCIA ATRAVÉS DO FATOR DE CARGA
Uma análise de interferência da injeção de RF nos nós do circuito 
da Fig. 4 considera o ruído acoplado apenas nos nós sensíveis. A 
interferência de RF é representada por (VRF, ZRF) acoplado ao nó N via 
ZC(ou seja, acoplamento de substrato) ou via ZF(ou seja, bandeira ou 
“die pad”) onde VRFe VXsão sinais complexos. Assumindo que essas 
fontes podem ser expressas por suas complexas séries de Fourier 
como:
Ceu C12 CDISPERSO Cvocê (5)
onde C12É dado por:
C
C1
C12 1C2 (6)C2
VRF( t) A ejn - t,VX(t) A eJN
-
t,- 2-
TRF X
2-f (1) A relação entre a frequência de oscilação dos modos 
paralelo e série é encontrada combinando as Eqs. (3) e (4):n n
a corrente no nó N é dada por IN=euX+euRFonde euX
representa o componente de operação normal e IRFo componente de 
interferência. Aplicando a análise de interferência descrita em [11], o 
VNtensão pode ser expressa usando uma constante média 1/T com 
T>TRFem relação ao deslocamento devido à interferência de RF como:
C
fOSCPARALELO fOSCSERIES 1 S1 (7)(C0 Ceu)
A expressão (7) mostra que o modo ressonante paralelo ocorre 
muito próximo da frequência de oscilação do modo série, e sua 
proximidade é afetada pelas condições de carga. Portanto, o termo 
dentro da raiz é muito pequeno. Alguns autores [5] expandem este 
termo na série de Taylor desconsiderando termos de alta ordem, 
obtendo a seguinte aproximação:
~VN(-) ~SXVX(-) ~SCVRF(-) (2)
Onde está aXe SCsão constantes para uma certa frequência e VX
e VRFsão tensões médias. Observe que o amplificador foi 
modelado como H( ). Este sinal retorna ao nó N através da 
rede de feedback representada por F(
ressonador.
CS1
fOSC fOSC 1 (8)PARALELO SERIES 2(C0 Ceu)) que inclui o cristal
A expressão (8) é precisa o suficiente para descrever a dependência de 
frequência com centenas de ppm de desvio. Agora, substituindo Ceupela 
Eq. (5), os componentes da rede de feedback podem ser incluídos da 
seguinte forma:
Na condição (A), o bloco H(
operando na região linear permitindo oscilação se o ganho da malha 
for suficiente para garantir o deslocamento de fase global que 
satisfaça a condição de oscilação [3,5]. Neste caso a interferência 
afeta o ganho em malha fechada e a posição dos polos. Portanto, 
pode causar instabilidade e afetar o tempo de inicialização. Na 
condição (B), o bloco H( ) tem um comportamento não linear (devido a
) pode ser considerado
CS1
fOSCPARALELO fOSC 1 (9)SERIES 2C12 C0 CDISPERSO Cvocê
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Isolando e combinando todos os componentes paralelos em um CP
termo, e normalizando a relação com C0pelo parâmetrop:
Uma vez que todas as capacitâncias tenham sido normalizadas em relação a 
C0, substituindo (10) e (19) em (11), resulta:
CP C0 CDISPERSO Cvocê (1p)C0 (10)
fOSCPARALELO CS1
Eq. (8) pode ser definido em termos de componentes de carga como: 1 (20)
fOSCSERIES 2 xC0(1 p)C0
CS1
C12
1
fOSC fOSSERIESC 1 (11)PARAL ELL 2 CP
Por álgebra simples, a Eq. (20) pode ser reescrita como:
Observe queos capacitores de carga nos nós 1 e 2 podem ser 
diferentes por imposição de projeto ou incompatibilidade. Assim, pode-se 
representá-los por:
fOSCPARALELO 1
2
1
1)
CS11 (21)
fOSCSERIES (x p p 1 C0
C2 C1 (12) Eq. (21) fornece a relação entre a frequência de oscilação 
paralela e série em relação a todos os componentes da rede 
parametrizados para C0. Da Eq. (21), pode-se extrair umfator de 
cargatermo (euF) para concatenar toda a influência de carga da 
rede definida por:
onde é a razão entre as capacitâncias. Substituindo a Eq. (12) em 
(6) para obter C12em termos de C1dá:
C1
C1
C1
C1
C12 C1 (13)1 1
2
1
1)p1
euF (22)(x p
Definindo o conjunto de capacitâncias associadas ao nó 1 como formado 
por uma parte fixa (CFIXAR) relacionado a uma capacitância fixa, e uma parte 
variável CDrelacionado às capacitâncias de junção reversa, então:
onde o parâmetro constanteprepresenta a capacitância parasita 
e do dispositivo, às vezes já computada em C0por alguns 
fabricantes ou designers. Em designs robustosp<<1, assim,
(14) com precisão de ppm suficiente, Eq. (22) reduz-se a:C1 CFIXAR CD
1
2 (x1) 1
1O termo de capacitância fixa inclui o externo (C1EXT), o 
interno (C1INT), e a capacitância do pad (a capacitância da 
placa é considerada externa). A relação entre eles pode ser
euF (23)
Eq. (23) é plotado na Fig. 5 como uma superfície em termos de C2/C1
razão com a capacitância do nó em função de C0.Observe que o 
fator de carga tem mais variação para umxdevido a grande
(15) incrementos de capacitância nos nós 1 ou 2. C2/C1relação introduz variação fraca no fator de carga LF.
normalizado em relação a C0pela razãof, Como:
CFIXAR C1EXT C1INT CALMOFADA fC0
Nota CDestá relacionado à tensão reversa aplicada às junções 
nas estruturas de proteção ESD localizadas nos pinos de E/S 
XTAL1 e XTAL2. Nesta análise, será considerada uma conexão 
ferroviária típica; os diodos em polarização reversa são 
conectados ao VDD (por PVOLUME) e para GND (via substrato). A 
expressão para CDvem depois de [15], mas pode ser normalizado 
para C0pelo fatorvcomo dado por:
Finalmente, a relação entre o modo de oscilação do cristal Pierce 
¼ em termos do fator de carga é dada por:
fOSC CS1PARALELO 1 euF (24)
fOSC C0SERIES
Considerando um cristal típico de 4MHz com CS1=54fF e C0=2,9pF, 
o desvio de frequência pode ser plotado como uma superfícieCJ0CD vc01
VR N (16) função na Fig. 6. Observe que a função mostra o mesmo comportamento1 observado em LF. Observe também que o fator de carga é obtido isolando-
o na Eq. (24) e medindo a frequência paralela para avaliar LF, uma vez C0, C
S1e a frequência de ressonância em série são especificadas pelo fabricante 
do cristal:
0
Substituindo (15) e (13) em (16), C1pode ser escrito em termos de C0do 
seguinte modo:
C1 (C1EXT C1INT CALMOFADA)CD (fv)C0 C0 fOSCPARALELO(17) euF 1 (25)CS1 fOSCSERIES
Na ausência de qualquer interferência (por substrato ou PVOLUME
variação potencial devido a RFI) C1é constante e pode ser 
simplificado definindox=(f+v), assim:
Assumindo que o oscilador está sob interferência de RF, mas 
o valor médio da tensão do substrato é tal que mantém os diodos 
operando em polarização reversa (caso A, nenhum fenômeno de 
retificação no local), e considerandop<<1 com-= 1, o fator de 
carga se aproxima de:
C1 (fv)C0 xC0 (18)
Assim, a capacitância entre os nós 1 e 2 pode agora ser dada em 
termos de C0Como:
1
2 (v
2
f1) 1
euF (26)
C12 xC0 (19) Ondevefsão a razão de variação devido ao RFI (de 0,01 a 100) 
e a razão fixa nos nós cristalinos 1 e 2 em relação a C0,1
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Figura 5. Função do fator de carga XTAL.
Figura 6. Desvio de frequência sem interferência.
Figura 7. Desvio de frequência com interferência.
respectivamente. Eq. (26) produz a superfície mostrada na Fig. 7. 
Neste caso, a razão de frequência é severamente afetada sob forte 
interferência de RF porque a razão de capacitância de junção CJ/C0
devido à redução da profundidade potencial da barreira. 
Observe que o desvio é acentuado para C altoX/C0relações 
(alto valor de capacitância colocado nos nós 1 e 2).
Figura 8.
(A,B é um A-zoom) VRF= 500mV (3dBm), (C,D é um C-zoom) VRF= 2500mV
(20dBm) @ 100MHz, Z = 50 .
Comportamento simulado transitório sob vários níveis de interferência de RF
Com um nível de potência maior (+18dBm) de interferência de 
RF injetado no substrato, o nó 1 torna-se suscetível ao 
mecanismo de retificação até o ponto em que a oscilação cessa, 
conforme previsto no Caso B Seção II. Este comportamento é 
mostrado na Fig. 8-C e ampliado na Fig. 8-D.
4. RF-FRESULTADOS DA SIMULAÇÃO DA INJEÇÃO AULT
O oscilador da Fig. 1 foi simulado usando um processo CMOS de 
0,35μm com modelos de RF adequados para os dispositivos e o substrato. 
Um inversor simples operando em região linear foi utilizado como 
amplificador de realimentação. O sinal de interferência de RF foi ajustado 
para uma frequência de 100MHz com uma fonte de impedância de 50 
sendo acoplada ao substrato através de ZC. A bancada de simulação 
considera todos os elementos da rede discutidos na Seção II. Drivers de 
saída lógicos também foram adicionados à bancada de testes para analisar 
a perturbação de RF induzida no clock de saída.
V. ERESULTADOS EXPERIMENTAIS
Os experimentos relatados aqui foram coletados com um oscilador 
Pierce implementado em uma tecnologia CMOS de 0,35μm. A 
implementação do circuito é uma arquitetura típica encontrada em 
microcontroladores e possui todos os componentes de rede integrados. 
Componentes de rede externos opcionais podem ser adicionados. A Fig. 9 
mostra a fotografia e o layout da matriz, enquanto a Fig. 10 mostra o 
esquema incluindo a rede de feedback no chip, conexões de almofadas e 
estruturas ESD. O substrato é acessado diretamente via pad. O veículo de 
teste compreende um oscilador de cristal autônomo experimental e alguns 
motoristas para monitorar os sinais. Como o objetivo principal é estudar 
os efeitos de interferência no bloco oscilador, incluindo o impacto da carga 
na precisão do relógio, o circuito foi isolado do núcleo do MCU e de outros
A Fig. 8-A ilustra os resultados da simulação para um nível de 
interferência de baixa potência (-10dBm). A injeção de interferência de RF 
causa superposição de ruído nos nós de cristal 1 e 2. Nenhum distúrbio 
significativo é observado na tensão do cristal ou na forma de onda da 
corrente. O problema gerado pela superposição de RF também causa um 
salto induzido no driver de saída. Este comportamento resulta em 
instabilidade do clock e jitter, fazendo com que o oscilador perca sua 
precisão. Observe este comportamento na janela de zoom mostrada na 
Fig. 8-B.
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sub-blocos. Normalmente, em um microcontrolador completo, além do 
oscilador existem também várias funções analógicas e uma interface funcional/
teste para compartilhar pads de E/S com circuitos digitais conforme descrito em 
[11]. Além disso, o pacote também influencia os resultados dos testes, afetando 
principalmente o comportamento em frequências mais altas devido aos desvios 
do quadro de chumbo. Observe que alguns dispositivos SoC complexos podem 
incluir um barramento de teste analógico interno com recursos de depuração e 
monitoramento de RF (ATB-RF) durante os testes de conformidade. Atualmente, 
o teste ATB-RF é feito durante a fase de qualificação do IC, mas não em 
produção.
apropriado para realizar análises nos domínios do tempo e da frequência. 
Um osciloscópio DSO com software especial realiza análises 
comportamentais e de jitter, enquanto o analisador de espectro obtém a 
perturbação nos componentes do espectro e faz a correlação THD. O 
amplificador de potência de RF é opcional dependendo da potência 
máxima fornecidapelo gerador de RF. Nos testes de conformidade EMC, é 
incluído um medidor de potência ROE (não mostrado aqui) para verificar a 
potência real fornecida ao DUT. Aqui, devido a algumas limitações do 
equipamento, foi feito um teste preliminar para avaliar o impacto do ROE. 
O sistema pode ser acionado manualmente ou automaticamente via GPIB. 
A Fig. 12 mostra a máquina de estado de teste usada para caracterização 
de DPI usando a opção automática. A medição precisa de alguns cuidados 
e atenção especiais em relação às etapas de potência de RF aplicadas: no 
nosso caso, cada passo na fonte de energia de RF foi feito para atingir um 
nível desejado evitando picos na saída do gerador de RF. O tempo entre os 
eventos deve ser ajustado considerando o superaquecimento do 
dispositivo e do cristal durante o teste para minimizar a influência da 
temperatura nos resultados experimentais. Em resumo, o teste não é fácil 
e alguma experiência deve ser necessária para completá-lo com sucesso. 
Como detalhe adicional de configuração, foi empregada a opção de filtro 
no frequencímetro para captura de frequência e período.
A configuração do teste de medição na Fig. 10 detalha as conexões de 
energia e os pontos de injeção RFI. Para evitar a injeção de energia de RF sobre a 
fonte de alimentação, um filtro de desacoplamento está incluído. Este filtro 
adiciona alguns pontos ressonantes no circuito, portanto, a configuração do 
teste deve ser caracterizada sem DUT para determinar sua influência geral. 
Apesar de uma fonte de alimentação limpa não estar frequentemente presente 
em um sistema baseado em microcontrolador, ela é quase padrão em testes de 
conformidade industrial EMC, pois o objetivo principal é a qualificação EMC. A 
mesma configuração é frequentemente adotada para depuração e pesquisa de 
suscetibilidade. Vários experimentos e medições podem ser realizados com esta 
configuração. Como mencionado anteriormente, o presente trabalho está 
focado em estudar os efeitos de interferência devido à injeção de RF no 
substrato, para analisar os efeitos do carregamento.
A Fig. 11 propõe um ambiente de caracterização para o teste 
de injeção de falha de RF (ou teste padrão EMC [12]) e é mais
(UMA)
(B)
Figura 11. Configuração de teste para análise de injeção de falha de RF.
Figura 9. (A) Foto do molde e (B) layout do circuito de teste do oscilador Pierce.
Figura 10. Circuito de teste do oscilador de perfuração para análise de injeção de falha de RF. Figura 12. Máquina de estado de teste para DPI - análise de injeção de falhas de RF.
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Figura 13. Resposta transitória para injeção de falhas de RF.
Figura 15. Resultado do teste de DPI para injeção de RF no subatrato, (A) configuração com
C1 e C2 externos de 10pF, (B) apenas C1 e C2 internos.
A Fig. 15 ilustra alguns resultados interessantes quando uma 
varredura de frequência é feita em vários níveis de potência para 
verificar o desvio do oscilador em ppm. Na Fig. 15(A) foi utilizada uma 
configuração convencional do oscilador Pierce com capacitores de 
carga externos (C1e C2) de 10pF mais uma capacitância parasita de 
8pF. Observe a pequena perturbação de alguns ppm na frequência, 
demonstrando que o oscilador mantém sua precisão apesar do forte 
nível de interferência. Abaixo de 10 dBm do nível de potência de 
injeção, os resultados não são tão precisos porque não é fácil isolar os 
fenômenos da variação do autoaquecimento. Porém, na Fig. 15(B) 
usando apenas os capacitores internos, o impacto é mais severo e o 
oscilador perde sua precisão. Observe o grande contraste devido ao 
efeito de carregamento ESD e outro acoplamento de substrato que 
introduz um grande desvio na frequência de saída do oscilador. 
Finalmente, dependendo do nível de potência, o efeito de 
interferência pode ser causado pelo carregamento (nível baixo, 
inferior a 10dBm) ou por retificação e corrupção do relógio (nível alto, 
superior a 10dBm) conforme previsto na Seção II.
Figura 14. (A) Desvio de frequência percentual avaliado induzido pela injeção de falha 
de RF em relação à mudança em Ceucapacitância; (B) Desvio medido para um
Injeção de falha de RF de 500MHz
Desta forma, um teste de interferência de RF compatível com [12] 
foi realizado no dispositivo oscilador de cristal Pierce. A Fig. 13 mostra 
a resposta transiente na saída do oscilador antes e depois da injeção 
de RF. Observe que o relé de potência de RF (SSR) exige certo tempo 
para fornecer a potência total à carga. Assim, o tmáximo
parâmetro deve ser caracterizado antes (como representado pelo sinal de 
sincronização do gerador de RF na Fig. 13), para definir o tempo no programa de 
teste.
VI. CINCLUSÃO
Este trabalho analisa o impacto da interferência de RF nos 
parâmetros do oscilador de cristal Pierce, como estabilidade de 
frequência e desvio, e diversas condições de falha em aplicações. Um 
método de previsão baseado no fator de carga foi apresentado e 
diretrizes de projeto foram desenhadas para aumentar a robustez do 
circuito. A análise teórica foi confirmada por simulações de injeção de 
RF. Ambos os resultados da teoria e da simulação estão em boa 
concordância com os dados experimentais. Finalmente, um método 
de teste e estratégia foram sugeridos para realizar tal caracterização 
via ATB-RF em dispositivos SoC complexos como microcontroladores, 
bem como para fins de pesquisa.
Um comportamento particular com um sinal CW de RF de 500MHz 
(frequência de interferência máxima devido ao acoplamento de 
substrato para esta tecnologia) é mostrado na Fig. 14. A potência é 
aumentada da região linear para a não linear para verificar o 
comportamento do oscilador, conforme descrito na Seção II. Observe 
o desvio de frequência encontrado após o centro da interferência (10 
dBm). O deslocamento em amplitude e tempo de atraso em relação 
ao sinal sem interferência também foram caracterizados. A 
frequência tem mais variação (comportamento não linear), então a 
potência injetada aumenta confirmando a previsão dada pela Eq. (3).
Uso licenciado autorizado limitado a: UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL. Baixado em 23 de outubro de 2022 às 21:16:39 UTC do IEEE Xplore. Restrições aplicadas.
REFERÊNCIAS [12] B. Traa, "Análise de Susceptibilidade de RF de Circuitos Analógicos Integrados 
Complexos", IEEE Int. Simpósio sobre Compatibilidade Eletromagnética, EMC 
2002, Minneapolis, MN, EUA, pp. 987-992, 19-23 de agosto de 2002.[1] GW Pierce, "Sistema Elétrico", EUA. Patente 2.133.642.
[2] B. Parzen, "Design of Crystal and Other Harmonic Oscillators", John 
Wiley & Sons, 1983.
[13] F. Fiore e PS Crovetti, "Prediction of High-Power EMI Effects in CMOS 
Operational Amplifiers", IEEE Transactions on Electromagnetic 
Compatibility, Volume 48, Issue 1, pp. 153-160, Fev. 2006.[3] EA Vittoz, MGR Degrauwe e S. Bitz, "Circuitos osciladores de cristal de 
alto desempenho: Teoria e Aplicação", IEEE Journal of Solid-State 
Circuits, vol. 23, No. 3, pp. 774-783, junho de 1988
[14] F. Vargas, DL Cavalcante, E. Gatti, D. Prestes, D. Lupi, E. Rhod, “EMI-Based 
Fault Injection”, 6th IEEE Latin American Test Workshop, pp. 91-96, 30 de 
março – 2 de abril de 2005.[4] C. Cox e C. Merritt., “Considerações de projeto de circuito de oscilador 
de microcontrolador”, Nota de aplicação, AN1706/D, Freescale 
Semiconductor, 2004
[15] SB Dhia, M. Ramdaniand E.Sicard, "Compatibilidade Eletromagnética de 
Circuitos Integrados: Técnicas para baixa emissão e suscetibilidade", 
Springer 2006, EUA, ISBN 0-387-26600-3.[5] W. Tom., “Oscillators for Microcontrollers”, Intel Application Note, 
AN-155, junho de 1983. [16] J. Goldberg, "A Simple Way of Characterizing High Q Oscillators", Proc. do 
42º Simpósio Anual de Controle de Frequência, pp.304-326, 1988.[6] VN Kuleshov, "Osciladores: estabilidade, ajuste, ruído", Simpósio 
Internacional de Sinais, Circuitos e Sistemas (ISSCS2005), vol. 2, pp. 
397-402, 2005.
[17] Q. Rong, X. Huang e F. Tan, "Analysis and Measurement of Jitter in 
Crystal Oscillator", Proceedings of International Conference on 
Communications, Circuits and Systems, vol. 2, pp. 734, 27-30 de maio 
de 2005.
[7] VF Kroupa, J. Stursa, V. Cizek e H. Svandova, “1/F Fractional Frequency 
Noise in Crystal Oscillators”, IEEE International Frequency Control 
Symposium and PDA Exhibition, pp.674-679, 29-31 de maio, 2002. [18] L. Schiano, M. Momenzadeh, F. Zhang, YJ Lee, T. Kane, S. Max, P. Perkins, Y.-
B. Kim, F. Lombardi e FJ Meyer, "Measuring the Timing Jitter of ATE in the 
Frequency Domain", IEEE Transactions on Instrumentation and 
Measurement, Vol. 55, nº 1, pp. 280-289, fevereiro de 2006.
[8] J.-J. Laurin, SG Zaky e KG Balmain, "EMI-Induced Failures in Crystal 
Oscillators", IEEE Transactions on Electromagnetic Comability, 
Vol. 33, No. 4, pp. 334-342, novembro de 1991.
[9] J.-J. Laurin, JF Chappel e SG Zaky, "Atrasos induzidos por EMI em circuitos 
digitais: previsão", IEEE Int. Simpósio sobre Compatibilidade 
Eletromagnética, pp.443-448, Anaheim, CA, EUA, 17-21 de agosto de 1992.
[19] ER da Silva, F. Costa, FH Behrens, RS Kickhofel e R. Maltione, "Using 
Mixed-Mode Test Bus Architecture to RF-Based Fault Injection 
Analysis and EMC Fault Debug", 10th IEEE Latin American Test 
Workshop, Búzios , Rio de Janeiro, Brasil, 2 a 5 de março de 2009.[10] MP Robinson, K. Fischer, ID Flintoft, "A Simple Model of EMI-Induced 
Timing Jitter in Digital Circuits, its Statistical Distribution and its Effect 
on Circuit Performance, IEEE Transactions on Electromagnetic 
Comability, Vol 45, No. 3, pp. 513-519, agosto de 2003.
[20] IEC 62132: Circuitos Integrados, medição de imunidade 
eletromagnética até 1 GHz,www.iec.ch .
[21] UL Rohde e AK Poddar, "Mode-Coupling and Phase-Injection 
engine enable EMI-Insensitive Crystal Oscillator Circuits", IEEE 
TELSIKS 2009, pp. 21-28.
[11] K. Kim e AA Iliadis, "Perturbações operacionais e novos erros críticos de bits em 
inversores digitais CMOS devido a interferência eletromagnética pulsada de alta 
potência", Solid-State Electronics, vol. 54, Edição 1, pp. 18-21, janeiro de 2010. [22] UL Rohde e AK Poddar,"Interferência eletromagnética e dinâmica de inicialização 
em circuitos osciladores de cristal de alta frequência", IEEE 2010.
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