ListaMicroeletrônica

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Lista de Microeletrônica
01) Com VGS – VTN = 0,6V, um transistor NMOS conduz uma corrente de 1mA; e com VGS – VTN = 0,8V, uma corrente de 1,6mA. Admitindo que o dispositivo opere na região de tríodo, calcule VDS e a relação 
Considere: 
Pelo enunciado pode ser obtido (1) e (2), como segue: 
 (1)
 (2)
Subtraindo (1) de (2), temos:
 (3)
Subtraindo (1) e (2):
Substituindo VDS em (3): 
Mas, 
E pelo enunciado:
Logo, 
Portanto, 
02) Explique detalhadamente o Método Czochralski para a obtenção de silício. Apresente também as três equações balanceadas dos processos químicos que ocorrem. Diferencie silício grau metalúrgico de silício grau eletrônico.
	O material bruto que se obtém o silício é a areia (quartzita). Assim, é produzido um silício policristalino com cerca de 98% de pureza, sendo esse grau de pureza chamado de metalúrgico, onde através da reação da quartzita com o carbono em um forno de arco elétrico, pode-se obter o silício sólido conforme mostrado na reação (1).
 (1)
	Posteriormente, o silício grau metalúrgico em pó passa por um processo de destilação fracionada a uma temperatura de 300°C, em uma reação com ácido clorídrico, formando um gás líquido a temperatura ambiente, o qual possui pureza superior ao grau metalúrgico, mostrado na reação (2). 
 (2)
	Em seguida, esse gás passa por uma reação com gás hidrogênio a 1100°C para que seja produzido silício policristalino com uma pureza ainda maior de uma parte por milhão, ou seja, 1 parte de impureza a cada partes. Esse grau de pureza é chamado de eletrônico e apesar de ser muito refinado, ainda não é suficiente para ser aplicado em microeletrônica. 
 (3)
	Assim, para que o silício possa ser utilizado em microeletrônica, ele deve ter pureza adequada que pode ser obtida através do método Czochralski, o qual consiste em fundir o silício grau metalúrgico a 1400°C e manter a base onde esse material se encontra em rotação constante. Utilizando uma semente de silício, o silício fundido forma um lingote que cresce a uma velocidade de 2 a 5 cm/h. Com esse processo, pode ser obtido um silício cuja orientação cristalográfica é a mesma da semente. Esse processo acontece em atmosfera de Argônio, o que faz com que seja possível a utilização do silício na microeletrônica, com pureza de uma parte bilhão, ou seja, a cada partes, uma parte é impureza. 
03) Em uma empresa que realiza processos de fabricação de microdispositivos em silício, você foi requisitado para fazer a separação de lâminas de silício que estavam misturadas. Quais conhecimentos você necessita ter para pode separar as lâminas de diferentes características, ou seja, lâminas do tipo P e do tipo N, e lâminas com orientações cristalográficas (100) e (111). Explique.
	Para que as lâminas de diferentes características sejam separadas é necessário conhecer a relação dessas características com os chanfros nas lâminas, já que são eles que indicam se a lâmina é do tipo P ou N, e se a orientação cristalográfica é (100) ou (111). Assim, se há apenas um chanfro na lâmina, ela é do tipo P com orientação cristalográfica do tipo (111), por outro lado, se existem dois chanfros e eles estão a 90° um do outro, a lâmina é do tipo P com orientação cristalográfica (100). Já se o ângulo entre os chanfros for de 45°, a lâmina é do tipo N com orientação cristalográfica (111), e finalmente, se o ângulo for de 180°, a lâmina é do tipo N com orientação cristalográfica (100). 
04) Sobre a limpeza RCA em lâminas de silício, responda: 
a) Explique o processo de limpeza RCA e sua importância na Microeletrônica. 
As lâminas de silício devem ser muito bem limpas para que seja removido quaisquer resíduos de gordura ou impurezas que possam estar presentes nelas. Para tal é utilizado o processo de limpeza RCA, o qual é dado em quatro etapas: inicialmente, a lamina é mergulhada em um uma solução de ácido sulfúrico com peróxido de hidrogênio por 10 minutos para que sejam removidos os resíduos de gordura (conhecida como limpeza piranha). Em seguida, a lamina é mergulhada por 30 segundos em uma solução aquosa de ácido fluorídrico para que o óxido de silício seja removido. Em seguida, as lâminas são mergulhadas em solução aquecida de hidróxido de amônio com peroxido de hidrogênio e água por 10 minutos a 80°C para que sejam removidas as gorduras e alguns metais. Finalmente, a lamina é mergulhada em uma solução aquecida de ácido clorídrico com peroxido de hidrogênio e água por 10 minutos a 80°C para que sejam removidos especificamente os metais.
Entre cada uma das quatro etapas descritas, a lâmina deve ser enxaguada em água corrente deionizada por 3 minutos e após o enxágue da última etapa, a lamina deve ser seca com jatos de nitrogênio puro. 
b) O que é a limpeza piranha? Quais os produtos químicos utilizados nesta etapa? 
	A limpeza piranha é a primeira etapa do processo de limpeza RCA (explicado acima) o qual se utiliza de ácido sulfúrico e peróxido de hidrogênio como produtos químicos nessa etapa. 
c) Na segunda etapa da limpeza RCA, explique porque é necessário utilizar recipientes de polietileno ou teflon.
É necessário que seja utilizado um recipiente de polietileno ou teflon na segunda etapa da limpeza RCA pois o ácido fluorídrico utilizado no processo pode vir a corroer o vidro. 
05) Sobre o processo de deposição de filmes por “Spin-coating”, responda: 
a) Explique como ocorre o processo de deposição por “Spin-coating”. 
	Nesse processo, o substrato é acoplado a um dispositivo e é depositada uma solução líquida do material que se deseja depositar sobre ele. Esse dispositivo possui uma rotação entre 500 e 5000 rpm, que gira por algumas dezenas de segundos para que a solução seja espalhada uniformemente sobre o substrato. Após esse processo, há a secagem da solução em temperaturas relativamente altas, utilizada para que o solvente evapore e seja obtido o filme sobre o substrato. 
b) Quais materiais podem ser depositados por “Spin-coating”? 
	Podem ser depositados diversos materiais por “Spin-coating”, como: fotorresistentes com espessuras entre 0,5 µm e cerca de 5 µm; poliamidas com espessuras entre 0,5 µm e cerca de 20 µm, epóxi SU-8 com espessuras que podem exceder 200 µm e “spin-on-glass” (SOG), com espessuras de 0,1 a 0,5 µm na microeletrônica ou espessuras de 5 a 100 µm em MEMS. 
c) O que é o óxido “Spin-on-glass” (SOG)? Explique. 
	O óxido “Spin-on-glass” (SOG) é um óxido obtido a partir de uma mistura líquida chamada siloxana com a adição de dopantes em suspensão. É utilizado para planarizar a superfície das lâminas que sofreram várias etapas de metalização, além de servir como fonte de impurezas para dopagem do silício, que é feito em processos de difusão. 
d) Quais as vantagens de utilizar o óxido SOG em dispositivos? 
	É vantajoso utilizar esse óxido em dispositivos já que ele é fácil de ser usado, pode ser obtido em baixas temperaturas, possui baixa constante dielétrica, baixo stress e adere muito bem no substrato de silício, material muito utilizado nessa aplicação devido suas excelentes propriedades, como já explicado. 
06) Necessita-se crescer um óxido de silício térmico de 2,5 µm sobre o substrato de silício. Qual a espessura do silício consumido para formar este filme de óxido? Explique. 
	Sabe-se que a espessura do silício consumido corresponde a cerca de 44% da espessura do óxido de silício térmico, ou seja, aproximadamente 44% da espessura final do óxido de silício térmico cresce para dentro do substrato. Assim, se a espessura total do óxido de silício térmico é de 2,5µm, 44% desse valor, ou seja 1,1µm é a espessura consumida de silício utilizada para formar esse filme de óxido. 
07) Sobre o processo de fotolitografia, responda: 
a) Qual é a importância da fotolitografia para a Microeletrônica? 
É através da fotolitografia que os circuitos integrados são construídos, mas também é importante devido a possibilidade de produzir superfícies geométricas muito pequenas e com alta precisão, o que é de suma importância para a confecção dos circuitos integrados.b) Explique o que é um fotorresiste. 
É um filme fotossensível constituído a partir de material polimérico, o qual é depositado sobre a lâmina de silício e posteriormente exposto a luz ultravioleta através da máscara óptica, que permite que a luz passe em determinadas regiões e em outras a passagem de luz seja bloqueada. 
c) Diferencie fotorresiste positivo de fotorresiste negativo. 
No fotorresiste positivo a radiação ultravioleta torna o fotorresiste solúvel ao revelador, e isso faz com que toda a área que é exposta à radiação UV seja removida após a revelação e as demais sejam mantidas, fazendo com que o padrão do fotorresiste seja igual ao positivo do padrão da máscara. Para tal, o fotorressiste deve ser composto por um material fotossensível em conjunto com um material polimérico. Já no fotorresiste negativo a radiação ultravioleta torna o fotorresiste insolúvel ao revelador, e isso faz com que toda a área que é exposta à radiação UV seja mantida após a revelação e as demais sejam removidas, fazendo com que o padrão do fotorresiste seja igual ao negativo do padrão da máscara. Para tal, o fotorresiste deve ser composto de um material fotossensível em conjunto com um composto polimérico. 
d) Diferencie máscara de campo claro de máscara de campo escuro.
Na máscara de campo claro a maior área é clara, ou seja, não é coberta pela emulsão ou cromo e assim, a radiação UV passa por toda a área exceto pelo padrão, que não é coberto pela emulsão. Já na máscara de campo escuro a maior área é escura, ou seja, é coberta pela emulsão ou cromo e assim, a radiação UV passa somente pela região do padrão que não é coberta pela emulsão.
e) Compare os processos de fotolitografia por contato e por proximidade. Explique vantagens e desvantagens dos processos. 
No processo por contato a máscara e a emulsão de cromo ficam em contato físico com o fotorresiste que está sobre o substrato, e assim a luz produz um padrão nele de resolução de aproximadamente 1µm quando passa pela máscara e atinge o fotorresiste. Entretanto nesse processo a máscara acaba sendo danificada devido ao contato físico. Já na litografia por proximidade, a máscara não fica em contato com o fotorresiste, ficando a uma distância que pode variar de 10 a 50µm. Assim, a máscara é protegida, mas a resolução do padrão no fotorresiste passa a ser aproximadamente 2 a 5µm, devido à difração da luz que acontece quando ela passa pelo padrão formado pela emulsão ou cromo na máscara. Devido ao fato de a microeletrônica utilizar estruturas muito pequenas, é interessante que sejam obtidas resoluções cada vez menores para tal aplicação. 
08) Dados os gráficos abaixo, que mostram a taxa de crescimento de óxido em função do tempo, quando utilizadas oxidações seca e úmida, explique com detalhes como ocorrem os processos de oxidação e porque as taxas de crescimento são diferentes.
	O processo de oxidação térmica é o mais importante na microeletrônica, já que é a partir dele que se obtém o óxido de silício. Ele é dado em um forno de oxidação com uma temperatura entre 900 e 1200°C, em uma atmosfera oxidante a qual pode ser de oxigênio, na chamada oxidação seca, ou de vapor de água, na chamada oxidação úmida e utilizando um gás de arraste. As lâminas de silício ficam dentro do forno o qual é composto por um tubo de quartzo e resistências de aquecimento e o oxigênio ou vapor de água e o gás de arraste passam pelo tubo onde estão as lâminas, em um fluxo de aproximadamente 1cm3/s. Nesse processo, a superfície das lâminas fica em contato com o oxigênio ou vapor de água fazendo com que o óxido de silício cresça e consuma o silício da própria lâmina. 
	A lâmina fica com uma camada fina de óxido de silício devido ao oxigênio presente no ar. Por isso, para que o óxido cresça durante o processo de oxidação térmica, os átomos de oxigênio devem se difundir através dessa camada de óxido já existente para atingir a superfície de silício fazendo com que quanto mais rápido o oxigênio atinja a superfície de silício, maior é a taxa de crescimento. Isso justifica o fato de a oxidação úmida possuir maior taxa de crescimento se comparada com a oxidação seca, já que na úmida, o agente oxidante é a água que possui menor em volume e massa que o oxigênio (agente oxidante na oxidação a seco), e assim sendo, ela se difunde mais facilmente pela estrutura do óxido, atingindo a superfície de silício mais rapidamente e consecutivamente apresentando uma maior taxa de crescimento que a oxidação seca. 
09) Explique a importância dos processos de dopagem elétrica de semicondutores para a Microeletrônica. Quais processos podem ser utilizados para a dopagem de substratos de silício? Cite um elemento dopante que pode ser utilizado para transformar o silício em substrato tipo P e um dopante que pode ser utilizado para transformar o silício em substrato tipo N. 
	É de suma importância que os semicondutores sejam dopados pois os semicondutores extrínsecos possuem propriedades elétricas otimizadas em comparação com os semicondutores intrínsecos. A dopagem elétrica é um processo que envolve a adição controlada de impurezas específicas a partir das quais se obtém um semicondutor com as propriedades desejadas, e assim, podem ser obtidos semicondutores com determinados tipos de portadores de carga, se são elétrons, característicos de semicondutores do tipo N, ou lacunas, características de portadores do tipo P. Além disso, os processos de dopagem são úteis para alterar a condutividade elétrica do semicondutor e formar regiões de carga especial dentro do semicondutor. 
	Podem ser utilizados dois processos para dopagem de substratos de silício, que são a difusão térmica e implantação iônica, processos que são utilizados de forma complementar na fabricação de dispositivos discretos.
	Pode ser utilizado um dopante de fósforo ou arsênio para transformar o silício em um substrato tipo P, e para transformar em um substrato do tipo N, pode ser utilizado boro ou gálio como elemento dopante. 
10) a) Explique como é realizado o processo de dopagem do silício utilizando-se a difusão térmica em atmosfera gasosa. 
	É utilizado um forno de difusão semelhante ao utilizado no processo de oxidação térmica, entretanto são utilizadas impurezas líquidas (POCl3 para o fósforo, B2H6 para o boro, AsH3 para o arsênio) ou gasosas (PH3 para o fósforo, BBr3 para o boro, AsCl3 para o arsênio) no lugar de oxigênio e vapor de água e uma atmosfera inerte de N2. As fontes liquidas de impureza passam por um borbulhador antes de serem arrastadas para o interior do forno pelo gás de arraste sendo mantido um fluxo e a temperatura. 
	Após a oxidação e litografia é feita a difusão pois geralmente são definidas algumas regiões para serem ativas e outras não. Para isso, é utilizada uma máscara de SiO2 para limitar a região onde os dopantes serão difundidos. Então primeiro é necessário crescer o óxido na superfície da lâmina e depois remover esse material em algumas regiões a partir da litografia. Após esse processo, há regiões com óxido (onde não haverá difusão de dopantes) e regiões sem óxido (onde haverá difusão). 
b) Explique como é realizada a Difusão de dopantes no silício utilizando o óxido SOG. Explique as etapas de “pré-deposição” e de “drive-in”. 
	Nesse processo também é utilizado um forno de difusão, entretanto sem gás ou líquido evaporado. Assim, é utilizado o óxido SOG sobre toda a superfície da lâmina de silício por “spin-coating” que em seguida passa por um processo em temperaturas elevadas para que a difusão aconteça. As impurezas que são fornecidas ao semicondutor são as que já estão presentes no SOG e assim como na difusão em atmosfera gasosa, a dopagem acontece apenas nas regiões onde não há máscara pois onde ela está, há impedimento da difusão. Esse processo é dividido em duas etapas, assim na pré-disposição as impurezas se difundem no silício até que a superfície esteja saturada para que ela passe a acontecer em maiores profundidades já que a fonte de impurezas continua fornecendo para o material fazendo com que a superfíciepermaneça saturada durante o processo. Em seguida, na etapa de drive-in, a concentração de dopantes na superfície é direcionada para outras profundidades, e como a fonte de impurezas não está mais fornecendo, o material difundido é aquele da superfície saturada fazendo com que a quantidade de impureza na superfície diminui, entretanto continua sendo maior que nas regiões mais profundas. 
c) Explique o que é difusão intersticial e difusão substitucional. 
	A difusão intersticial acontece quando a impureza é pequena e ocupa regiões intersticiais da rede de silício requerendo pouca energia, entre 0,5 e 1,5eV, e devido a isso é mais fácil de acontecer. Já a difusão substitucional depende da existência de vacâncias na rede do silício para que a impureza ocupe esses espaços necessitando de uma energia muito maior, cerca de 3eV, já que o átomo deve ser maior que o intersticial para substituí-lo nas regiões onde existem as vacâncias. 
11) a) Explique como ocorre o processo de implantação iônica no silício. 	
	Esse processo acontece devido a inserção de íons dopantes acelerados através de um canhão acelerador, os quais colidem sobre a lâmina de silício a ser dopada. Essa colisão acaba gerando uma penetração dos íons que faz com que a distância entre os átomos constituintes da lâmina seja aumentada devido aos choques mecânicos entre os íons e os átomos de silício do semicondutor. 	
b) Para que serve o processo de implantação iônica? 
	Serve para que haja um controle preciso da quantidade de íons implantados. 
c) Qual problema a implantação iônica pode trazer para o substrato e o que é necessário fazer para contornar este problema? 
	Essa técnica não ativa eletricamente as impurezas inseridas, assim é necessário realizar o processo de recozimento para que as impurezas sejam ativadas.
d) Compare os perfis de dopagem dos substratos quando dopados por difusão térmica e por implantação iônica. 
	Na difusão térmica a dopagem usa como princípio o transporte de meios com partículas concentradas para meios com menor concentração. Para tal, as lâminas de silício são colocadas em contato com altas concentrações de dopante em altas temperaturas (entre 800°C e 1200°C), método utilizado para obtenção de junções P-N profundas, aplicadas nas estruturas CMOS. Já o processo de implantação iônica acontece em temperaturas mais baixas e em menor tempo, apresentando uma melhor homogeneidade e melhor controle das doses implantadas, o que gera baixas concentrações de dopantes e torna o processo interessante para o ajuste de VT de transistores MOS, por exemplo. 
e) O que pode ser feito para manter um perfil constante de dopagem ao longo da profundidade da região ativa?
	Podem ser utilizados os processos de difusão gasosa com o processo de implantação iônica em conjunto em diferentes profundidades, o que faz com que haja uma concentração mais uniforme após os tratamentos térmicos posteriores.
12) Sobre os processos de corrosão de filmes em microeletrônica, responda: 
a) O que é corrosão úmida e o que é corrosão seca? 
	A corrosão úmida é um processo químico que consiste na ocorrência de uma reação química na superfície do substrato e possui alta seletividade, rapidez e simplicidade. Já a corrosão seca é um processo físico que pode trazer características de anisotropia para os dispositivos, podendo ocorrer por plasma e por íons. Conforme se passa da corrosão úmida para a seca, a isotropia e a seletividade vão diminuindo. 
b) Explique o que é anisotropia e isotropia de corrosão. Qual destas características está mais relacionada à corrosão úmida? 
A isotropia indica que a corrosão ocorreu em um certo volume e a anisotropia permite uma escala submicrométrica melhor para dispositivos microeletrônicos, onde a propriedade desejada varia de acordo com a direção, ou seja, a corrosão passa a ser mais direcional (maior caráter anisotrópico). 
c) Quais as desvantagens da corrosão úmida? 
	A corrosão úmida possui é isotrópica, desuniforme e seus reagentes são caros e tóxicos, sendo essas algumas de suas desvantagens.
d) Explique como ocorrem os mecanismos de corrosão por incidência de íons. 
Os mecanismos de corrosão por incidência de íons proporcionam uma anisotropia ainda maior no material com uma corrosão de perfil direcional. Esse mecanismo pode acontecer na corrosão seca e úmida, entretanto apresenta melhores propriedades na corrosão seca. 
e) Quais efeitos o bombardeamento de íons da corrosão pode causar no perfil de corrosão? 
Esses efeitos variam de acordo com a anisotropia do processo, ou seja, quanto mais isotrópico menor é o desvio e a corrosão embaixo dos locais não desejados. Íons bem direcionados conferem corrosões mais anisotrópicas, também o limite onde o bombardeamento ocorre interfere no perfil. 
f) Explique como obter um espaçador como o mostrado abaixo para dispositivos em Microeletrônica.
	Inicialmente, os espaçadores servem para colocar limites de distância entre determinados dispositivos e assim, a ideia é depositar o primeiro filme sob toda a superfície e realizar a litografia para que haja corrosão da parte a direita deste filme. Então, deposita-se o segundo filme acima do primeiro, dando um perfil de degrau. Assim, passa-se novamente por um processo de corrosão vertical, cuja taxa de corrosão é equivalente à espessura do filme e o estante deste filme é o espaçador. 
13) Explique sucintamente os processos de deposição de filmes por: 
a) CVD 
Esse é um processo para formação de filmes finos com base em reações químicas na superfície de substratos, a partir da utilização de compostos gasosos. Esses gases e reagentes específicos são introduzidos na câmara de reação, onde eles se difundem até a superfície do substrato e em seguida os reagentes são adsorvidos na superfície, formando um filme fino. Finalmente os subprodutos dessa reação são removidos na câmara. 
b) PECVD 
	Esse é um processo no qual os gases são decompostos em plasma por colisões com elétrons de alta energia e as moléculas de gás. Assim, o plasma reage com o SiH4, por exemplo, o que possibilita a formação de radicais de silício que reagem com radicais de oxigênio formando uma camada de deposição de SiOX. 
c) Evaporação térmica (PVD) 
	Esse processo consiste na produção de um vapor e sua posterior aplicação à superfície do substrato por condensação. 
d) Evaporação por E-beam (PVD) 
	Esse processo se assemelha ao anterior, entretanto é utilizado um feixe de elétrons que incide sobre o material alvo da vaporização. 
e) Sputtering reativo 
	Nesse processo há a reação entre os átomos retirados de um alvo metálico com a atmosfera de gás reativa para que seja possível a aplicação como filme fino em um substrato. 
f) Por que é importante considerar a Teoria Cinética dos Gases, e em especial, a Teoria de Maxwell Boltzmann para tratar os processos de CVD e PVD? Explique. 
	É importante considerar essas teorias pois nesses processos precisamos que determinados átomos cheguem em determinadas superfícies para a produção de filmes, então nesses processos alguns fatores limitantes estão diretamente ligados a teoria cinética dos gases, já que o fluxo de gás, pressão (vácuo), temperatura e concentração desses elementos são propriedades caracterizadas por essa teoria. Com isso, sabemos que além dessa teoria, a de Maxwell Boltzmann traz aspectos importantes, já que com ela podemos determinar alguns parâmetros acerca dos átomos, como sua densidade de probabilidade de estar presente e sua velocidade em relação a determinadas temperaturas, por exemplo, facilitando o processo, já que podemos determinar construção dos filmes a partir de um parâmetro simples, a temperatura.
14) Apresente sequencialmente as etapas de fabricação para a obtenção do inversor CMOS mostrado abaixo.
	Abaixo podem ser observadas as etapas de fabricação para obtenção do inversor CMOS: 
1. Wafer de silício puro e limpo o qual pode ser obtido a partir de um processo Czochralski para atingir altos graus de pureza;
2. Tratamento térmico para crescimento da camada de SiO2; 
3. Aplicaçãodo fotorresiste por spin; 
4. Exposição do fotorresiste à radiação UV com padrões desenhados na máscara;
5. Remoção da camada não exposta do fotorresiste; 
6. Ataque químico na camada oxidada não protegida pelo fotorresiste; 
7. Remoção do fotorresiste remanescente;
8. Máscara 1 para formação do poço N, por difusão de fósforo no substrato P 
9. Máscara 2 para aplicação de fotorresiste para crescimento localizado de camadas de SiO2; 
10. Crescimento de camada de SiO2; 
11. Máscara 3 para fotolitografia criando o gate entre as áreas da etapa anterior 12. Máscara 4 para controle de dopagem de arsênico, criando a fonte e o dreno dos canais N; 
13. Máscara 5 para controle de difusão do Boro, formando as áreas do tipo P; 
14. Deposição de uma camada oxidada sobre todo o dispositivo; 
15. Máscara 6 para criação dos pontos de contato e ataque químico localizado;
16. Deposição de camada metálica para contato elétrico entre os pontos da etapa anterior, finalizando o processo.
15) Os dispositivos que operam por injeção de portadores na porta flutuante por efeito de avalanche MOS, os dispositivos FAMOS, constituem uma forma alternativa de obtenção de dispositivos para a construção de memórias não-voláteis (armazenamento não volátil de informações). A figura abaixo mostra a secção transversal de um dispositivo FAMOS. 4 
Apresente sequencialmente as etapas de fabricação para a obtenção do dispositivo mostrado abaixo.
	A produção desse dispositivo é similar ao processo descrito na questão anterior (14), com a diferença da adição de uma etapa entre os passos 10 e 11, o qual possibilita a criação de um gate flutuante de silício. 
15