Eletrônica Analógica I (EEA123) Avaliação I - Individual

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GABARITO | Avaliação I - Individual (Cod.:826902)
Peso da Avaliação 1,50
Prova 60332029
Qtd. de Questões 10
Acertos/Erros 10/0
Nota 10,00
Quando trabalhamos com componentes eletrônicos podemos utilizar as características reais do equipamento ou usar um modelo aproximado do componente sem prejudicar a análise do circuito. O resistor é de 100 ohms, é na realidade dentro de um lote os valores podem variar, assim como a fonte de tensão pode não ser precisamente o valor de 12 V, pode ser de 12,02 V e essa pequena variação pode modificar a saída. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A A reta de circuito, ou seja, a reta determinada através da tensão do circuito e a carga do diodo é uma característica importante dos diodos reais. Para que seja possível traçar essa reta, podemos voltar as definições matemáticas que nos dizem que para traçar uma reta, basta termos dois pontos, e os pontos mais fáceis de se determinar são as interseções com os eixos coordenados.
B A reta tangente, ou seja, a reta determinada através da tensão do circuito e a capacitância do diodo é uma característica importante dos diodos reais. Para que seja possível traçar essa reta, podemos voltar as definições matemáticas que nos dizem que para traçar uma reta, basta termos dois pontos, e os pontos mais fáceis de se determinar são as interseções com os eixos coordenados.
C A reta de carga, ou seja, a reta determinada através da tensão do circuito e a carga do diodo é uma característica importante dos diodos reais. Para que seja possível traçar essa reta, podemos voltar as definições matemáticas que nos dizem que para traçar uma reta, basta termos dois pontos, e os pontos mais fáceis de se determinar são as interseções com os eixos coordenados.
D A reta determinística, ou seja, a reta determinada através da tensão do circuito e a indutância do diodo é uma característica importante dos diodos reais. Para que seja possível traçar essa reta, podemos voltar as definições matemáticas que nos dizem que para traçar uma reta, basta termos dois pontos, e os pontos mais fáceis de se determinar são as interseções com os eixos coordenados.
Os diodos podem ser classificados em real ou ideal. O diodo ideal tem esse nome por existir somente na teoria, ou seja, ele não é real. Existe somente para que os criadores de diodos, técnicos em eletrônicas tenham um norte a seguir, por exemplo, quanto às características, limites, capacidades etc. Este diodo conduz a partir de 0 volts quando polarizado diretamente (fato que só é possível por ele ser perfeito e existir apenas no mundo teórico). Já o diodo real existente e palpável apresenta as características que de fato ocorrem. Por exemplo, quanto à condução, como 
vimos, se dá a partir de 0,7 volts se for de silício e 0,3 volts se for de germânio. Com base no exposto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Um diodo de silício polarizado diretamente quando analisado como um diodo ideal apresenta uma queda de tensão de 0,7 V.
( ) Diodo pode ser definido como um componente de dois terminais que permite que a corrente circule em um único sentido.
( ) A polarização direta do diodo expande a camada de depleção.
( ) Temperaturas elevadas aumentam o número de portadores minoritários e a corrente de fuga do diodo.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - F - V - V.
B V - V - F - F.
C V - F - V - F.
D F - V - F - V.
O diodo semicondutor, pois é o mais popular. Por possuir um núcleo de cerâmica, ele acaba dissipando energia ao trabalhar, e esse consumo varia em conformidade com o material, silício ou germânio. Dessa forma, o silício costuma "perder" 0,7V da corrente e o germânio, em torno de 0,3V. Logo, a corrente precisa ser um pouco superior para alimentar o item final. Além da aplicação como um retificador de tensão, que estabiliza e torna mais segura a condução de energia no aparelho, outra aplicação muito comum do diodo é nas lâmpadas de LED, que podemos 
observar em toda parte. Isso se dá por uma reação química entre as polaridades. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) A região de ruptura está relacionada ao valor máximo de tensão que podemos aplicar quando se está inversamente polarizado sem que o danifique. 
( ) Para uma gama grande de diodos o valor da tensão de ruptura é de 50 V, mas este valor pode ser diferente e consta no seu datasheet.
( ) Podemos perceber que a medida que aumentamos a tensão de polarização reversa sobro o diodo a corrente de polarização reversa se mantém praticamente constante até atingir a tensão de ruptura, quando ocorre um efeito avalanche que força os portadores minoritários a se moverem mais rapidamente.
( ) Um processo de saturação fará com que os elétrons de valência dos átomos absorvam uma quantidade de energia suficiente para que deixem o átomo de origem.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - F - V.
B V - V - V - F.
C V - F - V - F.
D F - V - V - F.
Diodo de Junção é uma estrutura formada a partir de uma junção PN, que por sua vez é a estrutura básica que compõe os semicondutores, tais como os próprios diodos e os transistores. É o mais simples dos componentes eletrônicos, e pode servir como um isolante ou condutor, dependendo de sua polarização. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A A corrente reversa consiste na corrente de portadores minoritários e na corrente direta.
B A corrente reversa consiste na corrente de portadores majoritários e na corrente de fuga da superfície.
C A corrente reversa consiste na corrente de portadores majoritários e na corrente direta.
D A corrente reversa consiste na corrente de portadores minoritários e na corrente de fuga da superfície.
Ao aplicarmos um potencial de V volts a junção pn de modo que o terminal negativo seja ligado ao material do tipo p e o terminal positivo ao material do tipo n, ocorrerá um aumento na região de depleção, pois o número de elétrons livres no material tipo n irá aumentar devido à atração pelo polo positivo conectado ao terminal do material do tipo n, de maneira análoga ocorrerá um aumento de lacunas no material do tipo p devido à conexão do polo negativo ao terminal do material do tipo p. Devido a essas condições, a região de depleção irá aumentar dificultando 
a movimentação de portadores majoritários, e desta forma reduzindo o fluxo a praticamente zero, portanto, a corrente é aproximadamente nula. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Chamamos de corrente de saturação reversa a corrente existente em condição de polarização reversa, Is, vale a pena observar que o sentido da corrente de saturação reversa é oposto ao sentido da corrente convencional do diodo.
II- O valor de Is normalmente tem alguns microampères, sendo normalmente expressa em nanoampères, tendo como exceção dispositivos de alta potência.
III- Se VD<0 V é possível perceber que o nível de corrente reversa é rapidamente alcançado e sem mantem praticamente inalterado com a variação da tensão, daí o termo corte.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças II e III estão corretas.
B As sentenças I e III estão corretas.
C As sentenças I e II estão corretas.
D Somente a sentença II está correta.
O diodo é fabricado com silício ou germânio com uma junção de duas partes dopadas de formas diferentes. Dessa forma, cada uma dessas duas regiões terá características um pouco diferentes. Quando o diodo está inversamente polarizado, ele se comporta como uma oposição à passagem de corrente. Assim, ele pode ser utilizado para evitar correntes reversas em circuitos eletrônicos. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Ao dopar o material de modo que contenha as duas características aparecerá uma região de junção na borda onde os materiais semicondutores do tipo p e n se encontram.
II- Entende-se por diodo a concentração de dois quadripolos.
III- Um outro nome dado a junção pn é diodo de junção.Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças I e II estão corretas.
B Somente a sentença II está correta.
C As sentenças I e III estão corretas.
D As sentenças II e III estão corretas.
O diodo é formado por uma junção entre um cristal tipo P (lado positivo - também chamado de ânodo) e outro tipo N (lado negativo - também chamado de cátodo). Dentro desses cristais, compostos por silício (mais comum) ou germânio serão inseridas impurezas (prática chamada de dopagem), que nada mais são do que átomos de boro. A escolha por este elemento decorre do fato de que por ele ser impuro, um trivalente, no lado P sempre irá haver uma lacuna, ou seja, ficará faltando 1 elétron para completar 8 e estabilizar o semicondutor. Já no lado N ocorre o 
inverso: Preenchido com silício (ou germânio) e com fósforo, esse cristal irá sempre ter 1 elétron a mais, já que o fósforo possui 5 elétrons na última camada, restando 1 elétron após a ligação covalente. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Um diodo que está conduzindo está inversamente polarizado.
( ) Um diodo com polarização direta possui uma corrente muito maior que se tivesse com polarização reversa.
( ) A tensão de joelho de um diodo é aproximadamente igual à barreira de potencial.
( ) O diodo é um dispositivo linear.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - F - V - F.
B F - V - V - F.
C V - V - F - F.
D F - V - F - V.
Diodos semicondutores são utilizados em aparelhos, equipamentos e dispositivos eletrônicos, por exemplo televisão, celular, computador, aparelhos de som, multímetros, carregadores, controle remoto para televisão e entre muitos outros. Com base no exposto, analise as sentenças a seguir:
I- Podemos testar um diodo semicondutor de diversos modos, os mais comuns são: através de um multímetro digital (função testes de diodo ou na função de ohmímetro) e através de um equipamento traçador de curva.
II- Ao utilizar um multímetro digital podemos abordar o teste de dois modos, através da função teste de diodo e através da função teste de transistor.
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III- Para utilizar a função de teste de diodo do multímetro é necessário colocar o botão de seleção no símbolo do diodo, e posicionar os eletrodos de teste, aparecerá uma indicação de tensão de polarização direta caso o diodo semicondutor esteja em seu estado "ligado".
Assinale a alternativa CORRETA:
A Somente a sentença III está correta.
B As sentenças I e II estão corretas.
C As sentenças II e III estão corretas.
D As sentenças I e III estão corretas.
Os semicondutores são materiais que possuem baixa condutividade elétrica. Esses elementos estão entre os condutores e isolantes, e são capazes de mudar sua condição de condução elétrica com facilidade. Eles não conseguem conduzir corrente elétrica em condições químicas normais. Os átomos dos semicondutores são tetravalentes, ou seja, possuem apenas quatro camadas de valência, o que os tornam elementos não estáveis. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Materiais condutores possuem resistividade muito baixas, permitindo que a corrente elétrica o atravesse sem muita dificuldade devido as suas propriedades intrínsecas (como disponibilidade de um grande número de elétrons livres). 
II- Materiais semicondutores possuem resistividade muito baixas, permitindo que a corrente elétrica o atravesse sem muita dificuldade devido as suas propriedades intrínsecas (como disponibilidade de um grande número de elétrons livres).
III- Materiais isolantes possuem alta resistividade, e deste modo uma pequena quantidade de elétrons livres, fazendo com que para que a corrente elétrica o percorra é necessário aplicar uma grande diferença de potencial.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças II e III estão corretas.
B Somente a sentença III está correta.
C As sentenças I e II estão corretas.
D As sentenças I e III estão corretas.
A avalanche é um mecanismo de colapso dos diodos de junção PN que possuem região mais fina. Nesta divisão, quando o campo elétrico é aplicado através do diodo, a velocidade da portadora de carga aumenta. Este carregador de carga colide com os outros átomos e cria os pares de buracos e elétrons. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) A região de avalanche designada como região Zener possui potencial de ruptura V_BV.
( ) É possível aproximar a curva apresentada na região Zener do eixo vertical através do aumento da dopagem dos materiais semicondutores do tipo p e do tipo n. 
( ) Existe um outro mecanismo chamado de ruptura Schottky, que ocorre quando o potencial de ruptura alcançar níveis muito baixos e deste modo poder perturbar as forças de ligação no interior do átomo devido à grade campo elétrico na região de junção dos materiais semicondutores do tipo n e do tipo p "gerando" portadores.
( ) Mesmo que o mecanismo de ruptura Zener tenha principal relevância em baixos níveis de V_BV, a região com acentuada mudança para quaisquer valores é conhecida como região Zener e os diodos que são embasados somente nesta região da curva são conhecidos como diodos Zener.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - F - V - F.
B V - V - F - V.
C F - V - V - F.
D F - V - F - V.
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