Avaliação II - Individual

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GABARITO | Avaliação II - Individual (Cod.:
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Prova 77047499
Qtd. de Questões 10
Acertos/Erros 10/0
Nota 10,00
O transistor PNP possui suas junções PN uma voltada contra a outra, 
com o cristal N (negativo) para as costas da outra junção, formando, então, o 
transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é acionado com carga negativa 
em relação ao emissor. Com base nesse contexto, analise as sentenças a 
seguir:
I- A análise dos transistores pnp segue o mesmo padrão estabelecido para o 
transistor npn. Primeiramente o valor de IB é determinado e, em seguida, 
aplicamos as relações apropriadas ao transistor e obtemos os restantes das 
incógnitas necessárias. 
II- Ao se observar as equações resultantes é possível perceber que a 
diferença entre a utilização de um transistor npn por um pnp será o sinal 
associado a algumas quantidades específicas.
III- O transistor PNP possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com 
o cristal P (positivo) para as costas da outra junção, formando, então, o 
transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é acionado com carga positiva 
em relação ao emissor.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças I e III estão corretas.
B As sentenças II e III estão corretas.
C Somente a sentença II está correta.
D As sentenças I e II estão corretas.
Um MESFET (transistor de efeito de campo semicondutor de metal) é um 
dispositivo semicondutor de transistor de efeito de campo semelhante a um 
JFET com uma junção Schottky (metal - semicondutor) em vez de uma junção 
p-n para uma porta. Os MESFETs são construídos em tecnologias de 
semicondutores compostos que necessitam de superfície de alta qualidade, 
como arseneto de gálio, fosfeto de índio ou carboneto de silício, e são mais 
rápidos, e mais caros do que JFETs ou MOSFETs baseados em silício. Os 
MESFETs de produção são operados até aproximadamente 45 GHz, e são 
comumente usados para radares e comunicações de frequência de 
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microondas. Os primeiros MESFETs foram desenvolvidos em 1966 e, um ano 
depois, seu desempenho de microondas RF de frequência extremamente alta 
foi demonstrado. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças 
verdadeiras e F para as falsas:
( ) Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo 
depósito de um metal como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a 
principal diferença para os MOSFETs tipo n, resultando em níveis menores 
de capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências que suporta 
ainda mais a grande mobilidade dos portadores no material de GaAs.
( ) A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome de 
transistor de efeito de campo metal-semicondutor (MESFETs).
( ) Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante 
à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
( ) Existe também o MESFET tipo junção, com estrutura semelhante à 
observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - V - F.
B V - F - V - F.
C F - V - F - V.
D V - V - F - F.
Para o estudo das operações básicas de um transistor bipolar de junção 
foi utilizado um transistor pnp. Com relação à operação de um transistor npn, 
as características são equivalentes, sendo somente necessário a troca das 
funções das lacunas e dos elétrons. O transistor pnp não possui a polarização 
base-emissor e o transistor pnp não possui a polarização base-emissor. Com 
base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Muitos portadores minoritários atravessam para a região do tipo n (base) 
através da junção pn (emissor-base) que está diretamente polarizada.
II- Devido a ser muito fina a camada do tipo n e pouco condutiva, poucos 
portadores contribuíram para a corrente de base, sendo essa corrente 
normalmente na ordem de microampères, enquanto a corrente do coletor e 
do emissor é na ordem de miliampères.
III- A maior parte dos portadores majoritários entrará através da junção 
polarizada reversamente no material do tipo p conectado ao terminal do 
coletor.
Assinale a alternativa CORRETA:
A Somente a sentença II está correta.
B As sentenças I e II estão corretas.
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C As sentenças I e III estão corretas.
D As sentenças II e III estão corretas.
Existem vários tipos de transistor e cada um deles possui um 
funcionamento e aplicação específica. Iremos descrever neste artigo sobre 
como funciona um transistor TBJ (transistor de junção bipolar). Um 
componente bipolar é chamado assim devido a serem constituídos de 
materiais do tipo P e do tipo N. Isso significa que para sua correta operação o 
material tipo P depende de portadores de carga positiva (lacunas) e o 
material de tipo N depende de portadores de carga negativa (elétrons). Os 
materiais semicondutores (tipo P ou tipo N) conseguem conduzir uma 
corrente elétrica, porém não conseguem conduzir tão bem quanto um 
material condutor. Como exemplo, podemos citar o silício e o germânio. Com 
base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as 
falsas:
( ) O transistor consiste em três camadas de material, sendo que duas delas 
são feitas de material igual.
( ) O princípio de operação do transistor é que uma pequena quantidade de 
corrente na base irá provocar o fluxo de uma grande quantidade de corrente 
no coletor.
( ) O transistor pode ter apenas duas configurações: base-comum e emissor-
comum.
( ) O transistor pode ter apenas duas configurações: base-emissor e 
emissor-comum.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - V - F - F.
B F - V - V - F.
C F - V - F - V.
D V - F - V - F.
[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com 
Transistor] Através da prática virtual, o canal 1 da fonte será ajustado para 9 
V. Conecte o multímetro ao transistor para realizar a medição da corrente, 
basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e selecionando a 
opção “Medir Corrente”. Ajuste o potenciômetro em 50 kohms. Com o 
sistema montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os 
dados da questão, é possível realizar alguns experimentos relacionados à 
Iluminação de Emergência com o Transistor.
Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRETA:
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A
Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED
irá se manter apagado. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá
a resistência aumentada.
B
Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED
irá acender. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a
resistência aumentada.
C
Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED
irá se manter apagado. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá
a resistência diminuída.
D
Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED
irá acender. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a
resistência diminuída.
[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com 
Transistor] Através da prática virtual, o canal 1 da fonte será ajustado para 9 
V. Conecte o multímetro ao transistor para realizar a medição da corrente, 
basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e selecionando a 
opção “Medir Corrente”. Ajuste o potenciômetro em 10 kohms. Com o 
sistema montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os 
dados da questão, é possível realizar alguns experimentos relacionados à 
Iluminação de Emergência com o Transistor.
Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativaCORRETA:
A
Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED
irá se manter aceso. Mas a corrente apresentada no multímetro irá
aumentar.
B Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, a
corrente apresentada no multímetro será de 69,43 mA.
C
Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED
irá se manter aceso. Sendo que a corrente apresentada no multímetro
permanecerá a mesma.
D
Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED
irá se manter apagado. Mas a corrente apresentada no multímetro irá
aumentar.
O transistor FET, do inglês "Field Effect Transistor", ou, em português 
Transistor de Efeito de Campo, funciona através do efeito de um campo 
elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de 
amplificadores, em chaves ou em controle de corrente sobre uma carga. Com 
base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as 
falsas:
( ) Os transistores de efeito de campo (FET - field-effect transistor, do 
inglês) é um dispositivo semelhante ao TBJ, sendo a principal diferença o TBJ 
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um dispositivo controlado por corrente enquanto o JFET é um dispositivo 
controlado por tensão.
( ) O nome "efeito de campo" é derivado da característica de que para os 
dispositivos MOSFET é estabelecido um campo magnético pelas cargas 
presentes que controlaram o caminho de condução do circuito de entrada 
sem necessidade de contato direto entre as grandezas controladas e 
controladoras.
( ) Uma das principais características do FET é sua baixa impedância, os 
ganhos de tensão CC são muito menores que o TBJ e são mais estáveis em 
termos de temperatura, sendo um dos principais motivos de seu uso em 
circuitos integrados.
( ) Assim como os TBJs podem ser npn e pnp, os JFETs podem ser de canal 
n e de canal p, porém os transistores bipolares de junção, assim como o nome 
diz, são bipolares (condução por dois portadores de carga: elétrons ou 
lacunas) e os transistores de efeito de campo são dispositivos unipolares 
(dependem unicamente da condução de elétrons - canal n - ou de lacunas - 
canal p).
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - V - F - F.
B F - V - F - V.
C F - V - V - F.
D V - F - F - V.
O nome MOSFET significa transistor de efeito de campo metal-óxido-
semicondutor. Nos Transistores de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido 
Metálico, MOSFET, é como um transistor FET, porém o terminal Porta isolado 
demais por uma fina camada de óxido de silício, o que faz com que os 
transistores MOSFET tenham uma alta impedância (resistência) na entrada. 
Os transistores MOSFET são largamente utilizados em fontes de alimentação 
como chaveadores, pois sua alta resistência na entrada e seu baixo consumo 
facilitam tal operação. Com base nesse contexto, classifique V para as 
sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente 
oposta à apresentada para de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e 
um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as 
polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos.
( ) A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo 
IC.
( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do 
sinal correto de IJ e VD.
( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a 
mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os 
materiais, tensão e corrente são invertidos.
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Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - V - F.
B V - V - F - F.
C V - F - F - V.
D F - V - F - V.
Os transistores podem atuar como amplificadores ou interruptores em 
circuitos eletrônicos. Seu uso mais comum está nos processadores de 
computador, nos quais são requeridos graças a sua capacidade de emular os 
bits por meio do aumento ou queda de tensão, de forma rápida e precisa. 
Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- O transistor é um componente semicondutor composto por três camadas, 
podendo ser constituídas de dois modos distintos: duas camadas de material 
semicondutor do tipo n e uma camada de material semicondutor do tipo p 
(sendo chamado de transistor npn) ou duas camadas de material 
semicondutor do tipo p e uma camada de material semicondutor do tipo n 
(sendo chamado de transistor pnp).
II- Os transistores bipolares de junção são semelhantes aos diodos de junção, 
embora eles contenham uma junção adicional, o transistor é dito bipolar pois 
possui tanto lacunas (+) quanto elétrons (-) constituindo o fluxo de corrente 
através do dispositivo.
III- Os TBJs - do inglês "tripolar junction transistor" são conhecidos no Brasil 
como transistores tripolares de junção pois têm três pernas.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças II e III estão corretas.
B As sentenças I e III estão corretas.
C As sentenças I e II estão corretas.
D Somente a sentença II está correta.
Na prática, a tecnologia MOSFET é utilizada em equipamentos 
eletrônicos para amplificar o sinal enviado pela unidade principal para 
alimentar os alto-falantes. Resulta assim em maior potência do som 
produzido. o MOSFET também é constituído de camadas P e N, sendo 
caracterizados de duas formas: transistores MOSFET de canal-N e de canal-P. 
Os dois tipos são similares, mas o canal-P possui a polaridade de tensão e o 
sentido de corrente invertidos com relação ao transistor de canal-N. Com 
base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as 
falsas:
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( ) O nome MOSFET significa transistor de junção de campo metal-boro-
semicondutor.
( ) O MOSFET não apresenta características muito parecidas com o JFET. 
( ) É possível notar que sua construção é obtida através de uma base de 
silício (sob a qual é construído o dispositivo), é adicionado uma camada 
grossa de material do tipo p chamada substrato, os terminais da fonte e do 
dreno são conectados ao material do tipo n por meio de contatos metálicos, a 
porta é isolada do material do tipo n por uma camada de dielétrico (SiO2) 
responsável pela alta impedância de entrada do dispositivo.
( ) O nome agora faz sentido, metal se referindo às conexões do dreno, 
fonte e porta; óxido referindo-se à camada isolante de dióxido de silício e 
semicondutor se relaciona à estrutura básica na qual as regiões do tipo p e n 
são difundidas.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - F - V.
B F - F - V - V.
C V - V - F - F.
D V - F - V - F.
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