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Prova II - Eletrônica Analógica I

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Disciplina: Eletrônica Analógica I (EEA123) 
Avaliação: Avaliação II - Individual 
Nota da Prova: 8,00 
Legenda: Resposta Certa Sua Resposta Errada 
1. Na prática, a tecnologia MOSFET é utilizada em equipamentos eletrônicos para amplificar o sinal 
enviado pela unidade principal para alimentar os alto-falantes. Resulta assim em maior potência do som 
produzido. o MOSFET também é constituído de camadas P e N, sendo caracterizados de duas formas: 
transistores MOSFET de canal-N e de canal-P. Os dois tipos são similares, mas o canal-P possui a 
polaridade de tensão e o sentido de corrente invertidos com relação ao transistor de canal-N. Com base 
nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: 
 
( ) O nome MOSFET significa transistor de junção de campo metal-boro-semicondutor. 
( ) O MOSFET não apresenta características muito parecidas com o JFET. 
( ) É possível notar que sua construção é obtida através de uma base de silício (sob a qual é construído 
o dispositivo), é adicionado uma camada grossa de material do tipo p chamada substrato, os terminais da 
fonte e do dreno são conectados ao material do tipo n por meio de contatos metálicos, a porta é isolada do 
material do tipo n por uma camada de dielétrico (SiO2) responsável pela alta impedância de entrada do 
dispositivo. 
( ) O nome agora faz sentido, metal se referindo às conexões do dreno, fonte e porta; óxido referindo-se 
à camada isolante de dióxido de silício e semicondutor se relaciona à estrutura básica na qual as regiões 
do tipo p e n são difundidas. 
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: 
 a) V - V - F - F.
 b) V - F - V - F.
 c) F - V - F - V.
 d) F - F - V - V.
 
2. O transistor PNP possui suas junções PN uma voltada contra a outra, com o cristal N (negativo) para as 
costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é acionado com 
carga negativa em relação ao emissor. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir: 
 
I- A análise dos transistores pnp segue o mesmo padrão estabelecido para o transistor npn. Primeiramente 
o valor de IB é determinado e, em seguida, aplicamos as relações apropriadas ao transistor e obtemos os 
restantes das incógnitas necessárias. 
II- Ao se observar as equações resultantes é possível perceber que a diferença entre a utilização de um 
transistor npn por um pnp será o sinal associado a algumas quantidades específicas. 
III- O transistor PNP possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) para 
as costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é acionado 
com carga positiva em relação ao emissor. 
 
Assinale a alternativa CORRETA: 
 a) Somente a sentença II está correta. 
 b) As sentenças I e II estão corretas. 
 c) As sentenças I e III estão corretas. 
 d) As sentenças II e III estão corretas. 
 
3. Um MESFET (transistor de efeito de campo semicondutor de metal) é um dispositivo semicondutor de 
transistor de efeito de campo semelhante a um JFET com uma junção Schottky (metal - semicondutor) 
em vez de uma junção p-n para uma porta. Os MESFETs são construídos em tecnologias de 
semicondutores compostos que necessitam de superfície de alta qualidade, como arseneto de gálio, 
fosfeto de índio ou carboneto de silício, e são mais rápidos, e mais caros do que JFETs ou MOSFETs 
baseados em silício. Os MESFETs de produção são operados até aproximadamente 45 GHz, e são 
comumente usados para radares e comunicações de frequência de microondas. Os primeiros MESFETs 
foram desenvolvidos em 1966 e, um ano depois, seu desempenho de microondas RF de frequência 
extremamente alta foi demonstrado. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças 
verdadeiras e F para as falsas: 
 
( ) Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como 
tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n, resultando 
em níveis menores de capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências que suporta ainda mais 
a grande mobilidade dos portadores no material de GaAs. 
( ) A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome de transistor de efeito de 
campo metal-semicondutor (MESFETs). 
( ) Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante à observada no MESFET 
tipo depleção, porém sem o de canal p. 
( ) Existe também o MESFET tipo junção, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo 
depleção, porém sem o de canal p. 
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: 
 a) F - V - F - V.
 b) V - V - F - F.
 c) V - F - V - F.
 d) F - V - V - F.
 
4. O Silício se tornou tão importante que modificou toda uma região da Califórnia nos Estados Unidos na 
década de 1950, tornando-a uma das mais promissoras do mundo até hoje. Essa região abrigou e abriga 
as mais importantes empresas do ramo de projeto de computadores, como Intel, AMD, Dell, IBM e 
Apple, e depois de softwares que iriam executar nesses computadores, como Microsoft, Oracle e Google. 
Essa região é chamada de Vale do Silício. O silício possui várias aplicações nos componentes 
semicondutores em eletrônica, uma das suas aplicações se dá nos diversos tipos de transistores. Um dos 
TBJs mais utilizados em eletrônica é a configuração base-comum. Com base nessa configuração base-
comum dos TBJs, analise as sentenças a seguir: 
 
I- O nome base-comum é proveniente da base estar conectada na entrada e na saída (ser comum a 
ambas), além disso, normalmente possui o menor potencial, próximo ao terra, quando não está 
efetivamente conectada ao terra. 
II- Por convenção, o sentido da corrente refere-se ao fluxo convencional de elétrons, e não ao fluxo de 
lacunas, deste modo, para um TBJ, a seta define a direção da corrente de emissor (fluxo convencional). 
III- Para uma correta descrição do TBJ, dispositivo com três terminais, é necessário dois conjuntos de 
curvas características, um que represente a saída e um que represente a entrada (ou o acionamento). 
 
Assinale a alternativa CORRETA: 
 a) As sentenças II e III estão corretas. 
 b) As sentenças I e II estão corretas. 
 c) Somente a sentença II está correta. 
 d) As sentenças I e III estão corretas. 
 
5. O surgimento do transistor abriu caminho para o surgimento de diversas outras invenções importantes, 
por exemplo os CIs (Circuitos Integrados), que nada mais é que um dispositivo pequeno que contém 
milhares de transistores. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA: 
 a) Com o advento deste pequeno componente temos TVs a válvulas e outros milagres eletrônicos em 
nosso cotidiano. 
 b) Com o advento deste pequeno componente temos computadores e outros milagres eletrônicos em 
nosso cotidiano. 
 c) Com o advento deste pequeno componente temos lustres e outros milagres eletrônicos em nosso 
cotidiano. 
 d) Com o advento deste pequeno componente temos lâmpadas incandescentes e outros milagres 
eletrônicos em nosso cotidiano. 
 
6. O transistor é um dispositivo feito de material semicondutor que é largamente utilizado em circuitos 
eletrônicos e em chips de computador. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir: 
 
I- A adequada polarização do transistor é extremamente importante e necessária, de modo que a troca de 
um transistor npn por um pnp não é possível em circuitos eletrônicos, pois cada um dos tipos possui uma 
polarização característica. 
II- Para que o transistor opere corretamente, a junção coletor-base deve ser mantida reversamente 
polarizada, deste modo tem-se que o coletor em um transistor npn deve ser positivo em relação à base e 
em um transistor pnp o coletor deve ser negativo em relação à base. 
III- Os TBJs - do inglês "tetrapolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores 
tetrapolares de junção pois têm quatro pernas. 
 
Assinale a alternativa CORRETA: 
 a) Somente a sentença II está correta.b) As sentenças I e III estão corretas. 
 c) As sentenças II e III estão corretas. 
 d) As sentenças I e II estão corretas. 
 
7. Os materiais semicondutores são elementos cuja resistência situa-se entre a dos condutores e a dos 
isolantes. Dependendo de sua estrutura, qualquer elemento pode ser classificado como isolante, 
semicondutor ou condutor. Atualmente, os principais componentes dos equipamentos eletrônicos são 
dispositivos semicondutores tais como: diodos, transistores e circuitos integrados. Seu emprego deve-se à 
habilidade de controlar o fluxo de corrente, executando as mesmas funções das válvulas eletrônicas, 
porém com grandes vantagens como tamanho, peso e durabilidade. Por estas razões o emprego dos 
dispositivos semicondutores trouxe um grande desenvolvimento à eletrônica. Os primeiros conceitos de 
dispositivos semicondutores datam do início do século. Com base no exposto, assinale a alternativa 
CORRETA: 
 a) O primeiro LED (um dispositivo de estado sólido que contém 2 terminais) apresentava diversas 
vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar 
perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar 
pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor. 
 b) O primeiro tiristor (um dispositivo de estado sólido que contém 3 terminais) apresentava diversas 
vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar 
perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar 
pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor. 
 c) O primeiro diodo (um dispositivo de estado sólido que contém 2 terminais) apresentava diversas 
vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar 
perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar 
pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor. 
 d) O primeiro transistor (um dispositivo de estado sólido que contém 3 terminais) apresentava diversas 
vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar 
perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar 
pronto para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor. 
 
8. A sigla JFET significa Junction Field Effect Transistor (transistor de junção com efeito de campo). E um 
tipo unipolar de transistor. Este nome deriva do fato de que a maioria dos portadores de cargas fluindo 
através do Transistor são somente elétrons (como no caso do transistor JFET com canal N) ou apenas 
lacunas (como no caso do transistor JFET com canal P). Com base nesse contexto, classifique V para as 
sentenças verdadeiras e F para as falsas: 
 
( ) Como qualquer outro componente eletrônico, a folha de dados de um JFET é de grande importância 
na hora da escolha e utilização de um componente em um projeto. 
( ) Muitas características como especificações máximas (normalmente apresentados no início da folha 
de especificações de um JFET e para um bom projeto é recomendado não ultrapassar, podendo danificar 
de forma definitiva o componente), características térmicas (apresenta variações das características do 
componente pela variação da temperatura de uso), características elétricas (características de estado 
"ligado", "desligado" e pequenos sinais) e características usuais (variedade de curvas que demonstram 
como parâmetros importantes se comportam de acordo com variação de tensão, corrente, temperatura e 
frequência). 
( ) Existe uma forma mais rápida para se obter a curva de um JFET através da curva de Schockley, 
onde podemos pré-determinar quatro valores relacionas entre Vd E ID. 
( ) O número de pontos deve ser dois, é possível melhorar a precisão da curva determinando mais 
pontos. 
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: 
 a) V - V - F - F.
 b) F - V - F - V.
 c) V - F - V - F.
 d) F - V - V - F.
 
9. O JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga 
colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem 
de corrente elétrica. Em dispositivos JFET canal N, a corrente de dreno (Id) é controlada aplicando-se 
uma tensão reversa em sua porta-fonte (GATE-SOURCE). Deste modo uma barreira é formada na 
camada tipo P, expandindo-a e estreitando a passagem da corrente no canal N. Com base nesse contexto, 
classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: 
 
( ) Na construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte 
é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p. 
( ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno 
(D - drain) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos a fonte (S - source). 
( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate). 
( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain). 
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA: 
 a) V - F - V - F. 
 b) F - V - V - F. 
 c) F - V - F - V. 
 d) V - V - V - F.
 
10.O transistor de efeito de campo (FET) também é formado por três camadas semicondutoras. 
Diferentemente dos transistores de junção, que são ativados por uma corrente elétrica, os FETs são 
ativados por tensões elétricas e, por isso, podem amplificar ou anular a tensão elétrica de um circuito. 
Esses transistores são mais baratos e mais fáceis de serem fabricados que os demais transistores, sendo 
largamente utilizados em chips eletrônicos. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir: 
 
I- Os FETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como 
tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n. 
II- O Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um 
campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores 
(operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controle de corrente sobre uma 
carga. 
III- Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso 
como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações, além 
disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores bipolares. 
 
Assinale a alternativa CORRETA: 
 a) As sentenças I e II estão corretas. 
 b) Somente a sentença II está correta. 
 c) As sentenças I e III estão corretas. 
 d) As sentenças II e III estão corretas.

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