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Avaliação II - Individual de Eletrônica Analógica I

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17/04/2021 UNIASSELVI - Centro Universitário Leonardo Da Vinci - Portal do Aluno - Portal do Aluno - Grupo UNIASSELVI
https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/avaliacao/avaliacao_lista.php 1/3
Nota da Prova: 10,00
Legenda: Resposta Certa Sua Resposta Errada 
1. O Transistor Bipolar de Junção (TBJ ou BJT, do inglês: bipolar junction transistor) é formado por duas junções pn. Há duas possibilidades básicas de T
que são: NPN e PNP. O terminal central, denominado base, "controla" a corrente que circula pelos dois terminais principais, emissor e coletor. O TBJ p
ser empregado como um dispositivo amplificador de modo que o sinal senoidal de saída é maior que o sinal senoidal de entrada em amplitude. Com b
exposto, assinale a alternativa CORRETA:
 a) Como a amplitude do sinal de saída é menor, podemos dizer também que a potência de saída é maior que a potência de entrada.
 b) Como a amplitude do sinal de saída é menor, podemos dizer também que a potência de entrada é maior que a potência de saída.
 c) Como a amplitude do sinal de saída é maior, podemos dizer também que a potência de saída é maior que a potência de entrada.
 d) Como a amplitude do sinal de entrada é maior, podemos dizer também que a potência de saída é maior que a potência de entrada.
2. Os transistores podem atuar como amplificadores ou interruptores em circuitos eletrônicos. Seu uso mais comum está nos processadores de computad
nos quais são requeridos graças a sua capacidade de emular os bits por meio do aumento ou queda de tensão, de forma rápida e precisa. Com base n
contexto, analise as sentenças a seguir:
 
I- O transistor é um componente semicondutor composto por três camadas, podendo ser constituídas de dois modos distintos: duas camadas de mate
semicondutor do tipo n e uma camada de material semicondutor do tipo p (sendo chamado de transistor npn) ou duas camadas de material semicondu
tipo p e uma camada de material semicondutor do tipo n (sendo chamado de transistor pnp).
 II- Os transistores bipolares de junção são semelhantes aos diodos de junção, embora eles contenham uma junção adicional, o transistor é dito bipolar
possui tanto lacunas (+) quanto elétrons (-) constituindo o fluxo de corrente através do dispositivo.
 III- Os TBJs - do inglês "tripolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores tripolares de junção pois têm três pernas.
 
Assinale a alternativa CORRETA:
 a) As sentenças II e III estão corretas.
 b) Somente a sentença II está correta.
 c) As sentenças I e II estão corretas.
 d) As sentenças I e III estão corretas.
3. Para o estudo das operações básicas de um transistor bipolar de junção foi utilizado um transistor pnp. Com relação à operação de um transistor npn, 
características são equivalentes, sendo somente necessário a troca das funções das lacunas e dos elétrons. O transistor pnp não possui a polarização
emissor e o transistor pnp não possui a polarização base-emissor. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
 
I- Muitos portadores minoritários atravessam para a região do tipo n (base) através da junção pn (emissor-base) que está diretamente polarizada.
 II- Devido a ser muito fina a camada do tipo n e pouco condutiva, poucos portadores contribuíram para a corrente de base, sendo essa corrente norma
na ordem de microampères, enquanto a corrente do coletor e do emissor é na ordem de miliampères.
 III- A maior parte dos portadores majoritários entrará através da junção polarizada reversamente no material do tipo p conectado ao terminal do coletor
Assinale a alternativa CORRETA:
 a) As sentenças I e II estão corretas.
 b) Somente a sentença II está correta.
 c) As sentenças II e III estão corretas.
 d) As sentenças I e III estão corretas.
4. O transistor FET, do inglês "Field Effect Transistor", ou, em português Transistor de Efeito de Campo, funciona através do efeito de um campo elétrico 
junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores, em chaves ou em controle de corrente sobre uma carga. Com base ne
contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
 
( ) Os transistores de efeito de campo (FET - field-effect transistor, do inglês) é um dispositivo semelhante ao TBJ, sendo a principal diferença o TBJ 
dispositivo controlado por corrente enquanto o JFET é um dispositivo controlado por tensão.
 ( ) O nome "efeito de campo" é derivado da característica de que para os dispositivos MOSFET é estabelecido um campo magnético pelas cargas
presentes que controlaram o caminho de condução do circuito de entrada sem necessidade de contato direto entre as grandezas controladas e
controladoras.
 ( ) Uma das principais características do FET é sua baixa impedância, os ganhos de tensão CC são muito menores que o TBJ e são mais estáveis e
termos de temperatura, sendo um dos principais motivos de seu uso em circuitos integrados.
 ( ) Assim como os TBJs podem ser npn e pnp, os JFETs podem ser de canal n e de canal p, porém os transistores bipolares de junção, assim como 
nome diz, são bipolares (condução por dois portadores de carga: elétrons ou lacunas) e os transistores de efeito de campo são dispositivos unipolares
(dependem unicamente da condução de elétrons - canal n - ou de lacunas - canal p).
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) V - F - F - V.
 b) F - V - F - V.
 c) F - V - V - F.
 d) V - V - F - F.
5. O transistor é um dispositivo feito de material semicondutor que é largamente utilizado em circuitos eletrônicos e em chips de computador. Com base n
contexto, analise as sentenças a seguir:
 
I- A adequada polarização do transistor é extremamente importante e necessária, de modo que a troca de um transistor npn por um pnp não é possíve
circuitos eletrônicos, pois cada um dos tipos possui uma polarização característica. 
 II- Para que o transistor opere corretamente, a junção coletor-base deve ser mantida reversamente polarizada, deste modo tem-se que o coletor em um
transistor npn deve ser positivo em relação à base e em um transistor pnp o coletor deve ser negativo em relação à base.
 III- Os TBJs - do inglês "tetrapolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores tetrapolares de junção pois têm quatro pernas.
 
Assinale a alternativa CORRETA:
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https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/notas/request_gabarito_n2.php?action1=RUVBMDAzNQ==&action2=RUVBMTIz&action3=NjcwNjc3&action4=MjAyMS8x&prova=MzAxNjY1NjU=#questao_3%20aria-label=
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17/04/2021 UNIASSELVI - Centro Universitário Leonardo Da Vinci - Portal do Aluno - Portal do Aluno - Grupo UNIASSELVI
https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/avaliacao/avaliacao_lista.php 2/3
 a) As sentenças I e II estão corretas.
 b) As sentenças I e III estão corretas.
 c) Somente a sentença II está correta.
 d) As sentenças II e III estão corretas.
6. Os transistores estão presentes nos circuitos integrados, que compõem as portas lógicas utilizadas em circuitos elétricos de diversas máquinas,
eletrodomésticos, computadores, celulares etc. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
 
I- Os transistores têm três regiões que são: o emissor (E), a base (B) e o coletor (C). 
 II- O coletor é fortemente dopado, uma vez que deveenviar portadores de corrente para a base e posteriormente ao emissor, a base e emissor possue
dopagem leve. 
 III- O coletor reúne os portadores, o emissor envia os portadores e a base funciona como uma válvula de controle de portadores do emissor para o col
Assinale a alternativa CORRETA:
 a) As sentenças I e II estão corretas.
 b) As sentenças II e III estão corretas.
 c) As sentenças I e III estão corretas.
 d) Somente a sentença II está correta.
7. Na prática, a tecnologia MOSFET é utilizada em equipamentos eletrônicos para amplificar o sinal enviado pela unidade principal para alimentar os alto
falantes. Resulta assim em maior potência do som produzido. o MOSFET também é constituído de camadas P e N, sendo caracterizados de duas form
transistores MOSFET de canal-N e de canal-P. Os dois tipos são similares, mas o canal-P possui a polaridade de tensão e o sentido de corrente invert
com relação ao transistor de canal-N. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
 
( ) O nome MOSFET significa transistor de junção de campo metal-boro-semicondutor.
 ( ) O MOSFET não apresenta características muito parecidas com o JFET. 
 ( ) É possível notar que sua construção é obtida através de uma base de silício (sob a qual é construído o dispositivo), é adicionado uma camada gro
material do tipo p chamada substrato, os terminais da fonte e do dreno são conectados ao material do tipo n por meio de contatos metálicos, a porta é
isolada do material do tipo n por uma camada de dielétrico (SiO2) responsável pela alta impedância de entrada do dispositivo.
 ( ) O nome agora faz sentido, metal se referindo às conexões do dreno, fonte e porta; óxido referindo-se à camada isolante de dióxido de silício e
semicondutor se relaciona à estrutura básica na qual as regiões do tipo p e n são difundidas.
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) V - F - V - F.
 b) F - V - F - V.
 c) F - F - V - V.
 d) V - V - F - F.
8. O nome MOSFET significa transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor. Nos Transistores de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Met
MOSFET, é como um transistor FET, porém o terminal Porta isolado demais por uma fina camada de óxido de silício, o que faz com que os transistores
MOSFET tenham uma alta impedância (resistência) na entrada. Os transistores MOSFET são largamente utilizados em fontes de alimentação como
chaveadores, pois sua alta resistência na entrada e seu baixo consumo facilitam tal operação. Com base nesse contexto, classifique V para as senten
verdadeiras e F para as falsas:
 
( ) A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n
canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos.
 ( ) A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC.
 ( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD.
 ( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os ma
tensão e corrente são invertidos.
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) V - F - F - V.
 b) F - V - F - V.
 c) V - V - F - F.
 d) F - V - V - F.
9. Um MESFET (transistor de efeito de campo semicondutor de metal) é um dispositivo semicondutor de transistor de efeito de campo semelhante a um J
com uma junção Schottky (metal - semicondutor) em vez de uma junção p-n para uma porta. Os MESFETs são construídos em tecnologias de
semicondutores compostos que necessitam de superfície de alta qualidade, como arseneto de gálio, fosfeto de índio ou carboneto de silício, e são ma
rápidos, e mais caros do que JFETs ou MOSFETs baseados em silício. Os MESFETs de produção são operados até aproximadamente 45 GHz, e são
comumente usados para radares e comunicações de frequência de microondas. Os primeiros MESFETs foram desenvolvidos em 1966 e, um ano depo
seu desempenho de microondas RF de frequência extremamente alta foi demonstrado. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças
verdadeiras e F para as falsas:
 
( ) Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é
principal diferença para os MOSFETs tipo n, resultando em níveis menores de capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências que suporta
mais a grande mobilidade dos portadores no material de GaAs.
 ( ) A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome de transistor de efeito de campo metal-semicondutor (MESFETs).
 ( ) Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
 ( ) Existe também o MESFET tipo junção, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) F - V - V - F.
 b) F - V - F - V.
 c) V - V - F - F.
 d) V - F - V - F.
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17/04/2021 UNIASSELVI - Centro Universitário Leonardo Da Vinci - Portal do Aluno - Portal do Aluno - Grupo UNIASSELVI
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10.A sigla JFET significa Junction Field Effect Transistor (transistor de junção com efeito de campo). E um tipo unipolar de transistor. Este nome deriva do
de que a maioria dos portadores de cargas fluindo através do Transistor são somente elétrons (como no caso do transistor JFET com canal N) ou ape
lacunas (como no caso do transistor JFET com canal P). Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
 
( ) Como qualquer outro componente eletrônico, a folha de dados de um JFET é de grande importância na hora da escolha e utilização de um compo
em um projeto. 
 ( ) Muitas características como especificações máximas (normalmente apresentados no início da folha de especificações de um JFET e para um bom
projeto é recomendado não ultrapassar, podendo danificar de forma definitiva o componente), características térmicas (apresenta variações das
características do componente pela variação da temperatura de uso), características elétricas (características de estado "ligado", "desligado" e pequen
sinais) e características usuais (variedade de curvas que demonstram como parâmetros importantes se comportam de acordo com variação de tensão
corrente, temperatura e frequência).
 ( ) Existe uma forma mais rápida para se obter a curva de um JFET através da curva de Schockley, onde podemos pré-determinar quatro valores
relacionas entre Vd E ID.
 ( ) O número de pontos deve ser dois, é possível melhorar a precisão da curva determinando mais pontos.
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) V - F - V - F.
 b) F - V - F - V.
 c) F - V - V - F.
 d) V - V - F - F.
Prova finalizada com 10 acertos e 0 questõ
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