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Questionário 07_ 2023A

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Q07 - Questionário 07
Entrega 12 mar em 23:59 Pontos 0,4 Perguntas 4
Disponível 20 fev em 19:00 - 12 mar em 23:59 Limite de tempo Nenhum
Tentativas permitidas 2
Instruções
Histórico de tentativas
Tentativa Tempo Pontuação
MAIS RECENTE Tentativa 1 4 minutos 0,4 de 0,4
 As respostas serão mostradas após a última tentativa
Instruções do Questionário!
 
Antes de responder ao Questionário, assista as videoaulas e leia os capítulos correspondentes
do livro.
Abra o questionário somente quando for respondê-lo.
Ao abrir o questionário você terá 4 questões para responder.
Leia com calma todas as questões e entenda o que pede cada uma: se pede a incorreta, a
correta e qual o tema da questão.
Lembre de clicar no botão "Enviar Teste".
Você tem duas tentativas para fazer o teste, a segunda tentativa é opcional.
Lembre-se que as respostas mudam de lugar em cada tentativa.
As respostas corretas só aparecem após o envio da segunda tentativa.
O sistema considera a maior nota entre as duas tentativas.
Lembre-se que a segunda tentativa vai zerar TODAS as questões, inclusive as que você acertou
na primeira tentativa.
Caso queira ter o questionário para arquivo pessoal, basta selecionar a impressão do
questionário e escolher a opção de "salvar em PDF".
 
Bons estudos!
Fazer o teste novamente
https://ucaead.instructure.com/courses/61057/quizzes/133123/history?version=1
https://ucaead.instructure.com/courses/61057/quizzes/133123/take?user_id=19186
Pontuação desta tentativa: 0,4 de 0,4
Enviado 9 mar em 21:44
Esta tentativa levou 4 minutos.
0,1 / 0,1 ptsPergunta 1
O transistor é um componente eletrônico que revolucionou a indústria
eletrônica a partir da década de 60. Ele é produzido através da
dopagem de um semicondutor. O coeficiente de difusão do fósforo no
silício é de 6,5×10-13cm2/s na temperatura de 1100 ℃. A fonte de
fósforo fornece uma concentração de 10 átomos/cm3 e o tempo de
difusão é 2 horas. Em qual profundidade a concentração do wafer de
silício será de 10 átomos/cm3, considerando que inicialmente o
silício não contém fósforo. Dados: erf(z) = 0,9; quando z = 1,2.
20
19
 3,28 µm 
 2,74 µm 
 1,64 µm 
 5,19 µm 
0,1 / 0,1 ptsPergunta 2
Para uma certa liga, foi determinado que um tratamento térmico
carbonetante com 10 h de duração, com atmosfera contendo 1,12%p,
irá elevar a concentração de 0,0%p 0,45%p em um ponto a 2,5 mm da
superfície. Estime o coeficiente de difusão do carbono nessa liga.
Dado: erf(0,60)=0,60
 7,3×10-7 m²/s 
 0,4×10-7 m²/s 
 8,6×10-7 m²/s 
 4,3×10-7 m²/s 
0,1 / 0,1 ptsPergunta 3
Porque os contornos de grão são caminhos de alta difusividade?
 
Devido a maior entropia do contorno de grão, a temperatura nesta
região é maior do que na rede cristalina, facilitando o movimento
atômico
 
Por que no contorno de grão a energia de ativação para difusão é
maior.
 
Por que ocorre a difusão de impurezas para o contorno de grão. As
impurezas agem como agentes facilitadores do movimento atômico.
 
No contorno de grão ocorre o desencontro entre as redes cristalinas
dos grãos adjacentes. Desta forma, há uma alta disponibilidade de
espaços vazios para ocorrer a difusão dos átomos.
0,1 / 0,1 ptsPergunta 4
Um tratamento térmico de cementação é realizado na temperatura
de 900 ℃ por 8 horas para obter uma camada cementada de 0,5 mm.
Se aumentar a temperatura de cementação para 1100 ℃, em quanto
tempo, aproximadamente, pode ser realizado esse tratamento térmico
para obter a mesma espessura de camada? Dados: D900=5,9×10-
12 m2/s; D1100=5,3×10-11 m²/s
 4300 min 
 23 min 
 534 min 
 53 min 
Pontuação do teste: 0,4 de 0,4

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