Baixe o app para aproveitar ainda mais
Prévia do material em texto
Q07 - Questionário 07 Entrega 12 mar em 23:59 Pontos 0,4 Perguntas 4 Disponível 20 fev em 19:00 - 12 mar em 23:59 Limite de tempo Nenhum Tentativas permitidas 2 Instruções Histórico de tentativas Tentativa Tempo Pontuação MAIS RECENTE Tentativa 1 4 minutos 0,4 de 0,4 As respostas serão mostradas após a última tentativa Instruções do Questionário! Antes de responder ao Questionário, assista as videoaulas e leia os capítulos correspondentes do livro. Abra o questionário somente quando for respondê-lo. Ao abrir o questionário você terá 4 questões para responder. Leia com calma todas as questões e entenda o que pede cada uma: se pede a incorreta, a correta e qual o tema da questão. Lembre de clicar no botão "Enviar Teste". Você tem duas tentativas para fazer o teste, a segunda tentativa é opcional. Lembre-se que as respostas mudam de lugar em cada tentativa. As respostas corretas só aparecem após o envio da segunda tentativa. O sistema considera a maior nota entre as duas tentativas. Lembre-se que a segunda tentativa vai zerar TODAS as questões, inclusive as que você acertou na primeira tentativa. Caso queira ter o questionário para arquivo pessoal, basta selecionar a impressão do questionário e escolher a opção de "salvar em PDF". Bons estudos! Fazer o teste novamente https://ucaead.instructure.com/courses/61057/quizzes/133123/history?version=1 https://ucaead.instructure.com/courses/61057/quizzes/133123/take?user_id=19186 Pontuação desta tentativa: 0,4 de 0,4 Enviado 9 mar em 21:44 Esta tentativa levou 4 minutos. 0,1 / 0,1 ptsPergunta 1 O transistor é um componente eletrônico que revolucionou a indústria eletrônica a partir da década de 60. Ele é produzido através da dopagem de um semicondutor. O coeficiente de difusão do fósforo no silício é de 6,5×10-13cm2/s na temperatura de 1100 ℃. A fonte de fósforo fornece uma concentração de 10 átomos/cm3 e o tempo de difusão é 2 horas. Em qual profundidade a concentração do wafer de silício será de 10 átomos/cm3, considerando que inicialmente o silício não contém fósforo. Dados: erf(z) = 0,9; quando z = 1,2. 20 19 3,28 µm 2,74 µm 1,64 µm 5,19 µm 0,1 / 0,1 ptsPergunta 2 Para uma certa liga, foi determinado que um tratamento térmico carbonetante com 10 h de duração, com atmosfera contendo 1,12%p, irá elevar a concentração de 0,0%p 0,45%p em um ponto a 2,5 mm da superfície. Estime o coeficiente de difusão do carbono nessa liga. Dado: erf(0,60)=0,60 7,3×10-7 m²/s 0,4×10-7 m²/s 8,6×10-7 m²/s 4,3×10-7 m²/s 0,1 / 0,1 ptsPergunta 3 Porque os contornos de grão são caminhos de alta difusividade? Devido a maior entropia do contorno de grão, a temperatura nesta região é maior do que na rede cristalina, facilitando o movimento atômico Por que no contorno de grão a energia de ativação para difusão é maior. Por que ocorre a difusão de impurezas para o contorno de grão. As impurezas agem como agentes facilitadores do movimento atômico. No contorno de grão ocorre o desencontro entre as redes cristalinas dos grãos adjacentes. Desta forma, há uma alta disponibilidade de espaços vazios para ocorrer a difusão dos átomos. 0,1 / 0,1 ptsPergunta 4 Um tratamento térmico de cementação é realizado na temperatura de 900 ℃ por 8 horas para obter uma camada cementada de 0,5 mm. Se aumentar a temperatura de cementação para 1100 ℃, em quanto tempo, aproximadamente, pode ser realizado esse tratamento térmico para obter a mesma espessura de camada? Dados: D900=5,9×10- 12 m2/s; D1100=5,3×10-11 m²/s 4300 min 23 min 534 min 53 min Pontuação do teste: 0,4 de 0,4
Compartilhar