Avaliação II - Individual ANALO

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GABARITO | Avaliação II - Individual (Cod.:954993)
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Prova 77047505
Qtd. de Questões 10
Acertos/Erros 10/0
Nota 10,00
O transistor PNP possui suas junções PN uma voltada contra a outra, com o cristal N (negativo) 
para as costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é 
acionado com carga negativa em relação ao emissor. Com base nesse contexto, analise as sentenças a 
seguir:
I- A análise dos transistores pnp segue o mesmo padrão estabelecido para o transistor npn. 
Primeiramente o valor de IB é determinado e, em seguida, aplicamos as relações apropriadas ao 
transistor e obtemos os restantes das incógnitas necessárias. 
II- Ao se observar as equações resultantes é possível perceber que a diferença entre a utilização de um 
transistor npn por um pnp será o sinal associado a algumas quantidades específicas.
III- O transistor PNP possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) 
para as costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é 
acionado com carga positiva em relação ao emissor.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças I e II estão corretas.
B As sentenças II e III estão corretas.
C As sentenças I e III estão corretas.
D Somente a sentença II está correta.
O transistor de efeito de campo (FET) também é formado por três camadas semicondutoras. 
Diferentemente dos transistores de junção, que são ativados por uma corrente elétrica, os FETs são 
ativados por tensões elétricas e, por isso, podem amplificar ou anular a tensão elétrica de um circuito. 
Esses transistores são mais baratos e mais fáceis de serem fabricados que os demais transistores, 
sendo largamente utilizados em chips eletrônicos. Com base nesse contexto, analise as sentenças a 
seguir:
I- Os FETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como 
tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n.
II- O Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um 
campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores 
(operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controle de corrente sobre 
uma carga.
III- Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o que permite seu 
uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações, 
além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores 
bipolares.
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Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças I e III estão corretas.
B As sentenças I e II estão corretas.
C As sentenças II e III estão corretas.
D Somente a sentença II está correta.
O Silício se tornou tão importante que modificou toda uma região da Califórnia nos Estados 
Unidos na década de 1950, tornando-a uma das mais promissoras do mundo até hoje. Essa região 
abrigou e abriga as mais importantes empresas do ramo de projeto de computadores, como Intel, 
AMD, Dell, IBM e Apple, e depois de softwares que iriam executar nesses computadores, como 
Microsoft, Oracle e Google. Essa região é chamada de Vale do Silício. O silício possui várias 
aplicações nos componentes semicondutores em eletrônica, uma das suas aplicações se dá nos 
diversos tipos de transistores. Um dos TBJs mais utilizados em eletrônica é a configuração base-
comum. Com base nessa configuração base-comum dos TBJs, analise as sentenças a seguir:
I- O nome base-comum é proveniente da base estar conectada na entrada e na saída (ser comum a 
ambas), além disso, normalmente possui o menor potencial, próximo ao terra, quando não está 
efetivamente conectada ao terra. 
II- Por convenção, o sentido da corrente refere-se ao fluxo convencional de elétrons, e não ao fluxo de 
lacunas, deste modo, para um TBJ, a seta define a direção da corrente de emissor (fluxo 
convencional).
III- Para uma correta descrição do TBJ, dispositivo com três terminais, é necessário dois conjuntos de 
curvas características, um que represente a saída e um que represente a entrada (ou o acionamento).
Assinale a alternativa CORRETA:
A Somente a sentença II está correta.
B As sentenças I e III estão corretas.
C As sentenças II e III estão corretas.
D As sentenças I e II estão corretas.
O nome MOSFET significa transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor. Nos 
Transistores de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico, MOSFET, é como um transistor 
FET, porém o terminal Porta isolado demais por uma fina camada de óxido de silício, o que faz com 
que os transistores MOSFET tenham uma alta impedância (resistência) na entrada. Os transistores 
MOSFET são largamente utilizados em fontes de alimentação como chaveadores, pois sua alta 
resistência na entrada e seu baixo consumo facilitam tal operação. Com base nesse contexto, 
classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para 
de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos 
terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos.
( ) A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC.
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( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD.
( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma situação descrita 
para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - F - V.
B F - V - V - F.
C V - F - F - V.
D V - V - F - F.
[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com Transistor] Através da 
prática virtual, o canal 1 da fonte será ajustado para 9 V. Conecte o multímetro ao transistor para 
realizar a medição da corrente, basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e 
selecionando a opção “Medir Corrente”. Ajuste o potenciômetro em 10 kohms. Com o sistema 
montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão, é possível realizar 
alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor.
Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso.
Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar.
B Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso.
Sendo que a corrente apresentada no multímetro permanecerá a mesma.
C Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado.
Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar.
D Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, a corrente apresentada no
multímetro será de 69,43 mA.
Existem vários tipos de transistor e cada um deles possui um funcionamento e aplicação 
específica. Iremos descrever neste artigo sobre como funciona um transistor TBJ (transistor de junção 
bipolar). Um componente bipolar é chamado assim devido a serem constituídos de materiais do tipo P 
e do tipo N. Isso significa que para sua correta operação o material tipo P depende de portadores de 
carga positiva (lacunas) e o material de tipo N depende de portadores de carga negativa (elétrons). Os 
materiais semicondutores (tipo P ou tipo N) conseguem conduzir uma corrente elétrica, porém não 
conseguem conduzir tão bem quanto um material condutor. Como exemplo, podemos citar o silício e 
o germânio. Com base nesse contexto, classifiqueV para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) O transistor consiste em três camadas de material, sendo que duas delas são feitas de material 
igual.
( ) O princípio de operação do transistor é que uma pequena quantidade de corrente na base irá 
provocar o fluxo de uma grande quantidade de corrente no coletor.
( ) O transistor pode ter apenas duas configurações: base-comum e emissor-comum.
( ) O transistor pode ter apenas duas configurações: base-emissor e emissor-comum.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - V - F.
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B V - V - F - F.
C F - V - F - V.
D V - F - V - F.
Um MESFET (transistor de efeito de campo semicondutor de metal) é um dispositivo 
semicondutor de transistor de efeito de campo semelhante a um JFET com uma junção Schottky 
(metal - semicondutor) em vez de uma junção p-n para uma porta. Os MESFETs são construídos em 
tecnologias de semicondutores compostos que necessitam de superfície de alta qualidade, como 
arseneto de gálio, fosfeto de índio ou carboneto de silício, e são mais rápidos, e mais caros do que 
JFETs ou MOSFETs baseados em silício. Os MESFETs de produção são operados até 
aproximadamente 45 GHz, e são comumente usados para radares e comunicações de frequência de 
microondas. Os primeiros MESFETs foram desenvolvidos em 1966 e, um ano depois, seu 
desempenho de microondas RF de frequência extremamente alta foi demonstrado. Com base nesse 
contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal 
como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n, 
resultando em níveis menores de capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências que 
suporta ainda mais a grande mobilidade dos portadores no material de GaAs.
( ) A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome de transistor de efeito de 
campo metal-semicondutor (MESFETs).
( ) Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante à observada no 
MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
( ) Existe também o MESFET tipo junção, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo 
depleção, porém sem o de canal p.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - V - F.
B F - V - F - V.
C V - F - V - F.
D V - V - F - F.
O transistor FET, do inglês "Field Effect Transistor", ou, em português Transistor de Efeito de 
Campo, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas 
aplicações na área de amplificadores, em chaves ou em controle de corrente sobre uma carga. Com 
base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Os transistores de efeito de campo (FET - field-effect transistor, do inglês) é um dispositivo 
semelhante ao TBJ, sendo a principal diferença o TBJ um dispositivo controlado por corrente 
enquanto o JFET é um dispositivo controlado por tensão.
( ) O nome "efeito de campo" é derivado da característica de que para os dispositivos MOSFET é 
estabelecido um campo magnético pelas cargas presentes que controlaram o caminho de condução do 
circuito de entrada sem necessidade de contato direto entre as grandezas controladas e controladoras.
( ) Uma das principais características do FET é sua baixa impedância, os ganhos de tensão CC são 
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muito menores que o TBJ e são mais estáveis em termos de temperatura, sendo um dos principais 
motivos de seu uso em circuitos integrados.
( ) Assim como os TBJs podem ser npn e pnp, os JFETs podem ser de canal n e de canal p, porém os 
transistores bipolares de junção, assim como o nome diz, são bipolares (condução por dois portadores 
de carga: elétrons ou lacunas) e os transistores de efeito de campo são dispositivos unipolares 
(dependem unicamente da condução de elétrons - canal n - ou de lacunas - canal p).
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - V - F.
B F - V - F - V.
C V - V - F - F.
D V - F - F - V.
[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com Transistor] Através da 
prática virtual, o canal 1 da fonte será ajustado para 9 V. Conecte o multímetro ao transistor para 
realizar a medição da corrente, basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e 
selecionando a opção “Medir Corrente”. Ajuste o potenciômetro em 50 kohms. Com o sistema 
montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão, é possível realizar 
alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor.
Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá acender. Visto que
o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência diminuída.
B Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá acender. Visto que
o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência aumentada.
C Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado.
Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência diminuída.
D Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado.
Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência aumentada.
Os transistores podem atuar como amplificadores ou interruptores em circuitos eletrônicos. Seu 
uso mais comum está nos processadores de computador, nos quais são requeridos graças a sua 
capacidade de emular os bits por meio do aumento ou queda de tensão, de forma rápida e precisa. 
Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- O transistor é um componente semicondutor composto por três camadas, podendo ser constituídas 
de dois modos distintos: duas camadas de material semicondutor do tipo n e uma camada de material 
semicondutor do tipo p (sendo chamado de transistor npn) ou duas camadas de material semicondutor 
do tipo p e uma camada de material semicondutor do tipo n (sendo chamado de transistor pnp).
II- Os transistores bipolares de junção são semelhantes aos diodos de junção, embora eles contenham 
uma junção adicional, o transistor é dito bipolar pois possui tanto lacunas (+) quanto elétrons (-) 
constituindo o fluxo de corrente através do dispositivo.
III- Os TBJs - do inglês "tripolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores 
tripolares de junção pois têm três pernas.
Assinale a alternativa CORRETA:
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A As sentenças II e III estão corretas.
B Somente a sentença II está correta.
C As sentenças I e II estão corretas.
D As sentenças I e III estão corretas.
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