Avaliação II - Individual

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<p>Prova Impressa</p><p>GABARITO | Avaliação II - Individual (Cod.:990659)</p><p>Peso da Avaliação 2,00</p><p>Prova 88003045</p><p>Qtd. de Questões 10</p><p>Acertos/Erros 10/0</p><p>Nota 10,00</p><p>[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com Transistor] Através da</p><p>prática virtual, o canal 1 da fonte será ajustado para 9 V. Conecte o multímetro ao transistor para</p><p>realizar a medição da corrente, basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e</p><p>selecionando a opção “Medir Corrente”. Ajuste o potenciômetro em 10 kohms. Com o sistema</p><p>montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão, é possível realizar</p><p>alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor.</p><p>Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRETA:</p><p>A Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado.</p><p>Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar.</p><p>B Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso.</p><p>Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar.</p><p>C Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, a corrente apresentada no</p><p>multímetro será de 69,43 mA.</p><p>D Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso.</p><p>Sendo que a corrente apresentada no multímetro permanecerá a mesma.</p><p>Os transistores podem atuar como amplificadores ou interruptores em circuitos eletrônicos. Seu</p><p>uso mais comum está nos processadores de computador, nos quais são requeridos graças a sua</p><p>capacidade de emular os bits por meio do aumento ou queda de tensão, de forma rápida e precisa.</p><p>Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:</p><p>I- O transistor é um componente semicondutor composto por três camadas, podendo ser constituídas</p><p>de dois modos distintos: duas camadas de material semicondutor do tipo n e uma camada de material</p><p>semicondutor do tipo p (sendo chamado de transistor npn) ou duas camadas de material semicondutor</p><p>do tipo p e uma camada de material semicondutor do tipo n (sendo chamado de transistor pnp).</p><p>II- Os transistores bipolares de junção são semelhantes aos diodos de junção, embora eles contenham</p><p>uma junção adicional, o transistor é dito bipolar pois possui tanto lacunas (+) quanto elétrons (-)</p><p>constituindo o fluxo de corrente através do dispositivo.</p><p>III- Os TBJs - do inglês "tripolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores</p><p>tripolares de junção pois têm três pernas.</p><p>Assinale a alternativa CORRETA:</p><p>A As sentenças I e II estão corretas.</p><p>B Somente a sentença II está correta.</p><p>C As sentenças II e III estão corretas.</p><p>VOLTAR</p><p>A+ Alterar modo de visualização</p><p>1</p><p>2</p><p>D As sentenças I e III estão corretas.</p><p>Para o estudo das operações básicas de um transistor bipolar de junção foi utilizado um</p><p>transistor pnp. Com relação à operação de um transistor npn, as características são equivalentes,</p><p>sendo somente necessário a troca das funções das lacunas e dos elétrons. O transistor pnp não possui a</p><p>polarização base-emissor e o transistor pnp não possui a polarização base-emissor. Com base nesse</p><p>contexto, analise as sentenças a seguir:</p><p>I- Muitos portadores minoritários atravessam para a região do tipo n (base) através da junção pn</p><p>(emissor-base) que está diretamente polarizada.</p><p>II- Devido a ser muito fina a camada do tipo n e pouco condutiva, poucos portadores contribuíram</p><p>para a corrente de base, sendo essa corrente normalmente na ordem de microampères, enquanto a</p><p>corrente do coletor e do emissor é na ordem de miliampères.</p><p>III- A maior parte dos portadores majoritários entrará através da junção polarizada reversamente no</p><p>material do tipo p conectado ao terminal do coletor.</p><p>Assinale a alternativa CORRETA:</p><p>A As sentenças I e III estão corretas.</p><p>B As sentenças II e III estão corretas.</p><p>C As sentenças I e II estão corretas.</p><p>D Somente a sentença II está correta.</p><p>O nome MOSFET significa transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor. Nos</p><p>Transistores de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico, MOSFET, é como um transistor</p><p>FET, porém o terminal Porta isolado demais por uma fina camada de óxido de silício, o que faz com</p><p>que os transistores MOSFET tenham uma alta impedância (resistência) na entrada. Os transistores</p><p>MOSFET são largamente utilizados em fontes de alimentação como chaveadores, pois sua alta</p><p>resistência na entrada e seu baixo consumo facilitam tal operação. Com base nesse contexto,</p><p>classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:</p><p>( ) A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para</p><p>de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos</p><p>terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos.</p><p>( ) A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC.</p><p>( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD.</p><p>( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma situação descrita</p><p>para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos.</p><p>Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:</p><p>A V - F - F - V.</p><p>B V - V - F - F.</p><p>C F - V - F - V.</p><p>D F - V - V - F.</p><p>3</p><p>4</p><p>O transistor é um dispositivo feito de material semicondutor que é largamente utilizado em</p><p>circuitos eletrônicos e em chips de computador. Com base nesse contexto, analise as sentenças a</p><p>seguir:</p><p>I- A adequada polarização do transistor é extremamente importante e necessária, de modo que a troca</p><p>de um transistor npn por um pnp não é possível em circuitos eletrônicos, pois cada um dos tipos</p><p>possui uma polarização característica.</p><p>II- Para que o transistor opere corretamente, a junção coletor-base deve ser mantida reversamente</p><p>polarizada, deste modo tem-se que o coletor em um transistor npn deve ser positivo em relação à base</p><p>e em um transistor pnp o coletor deve ser negativo em relação à base.</p><p>III- Os TBJs - do inglês "tetrapolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores</p><p>tetrapolares de junção pois têm quatro pernas.</p><p>Assinale a alternativa CORRETA:</p><p>A As sentenças I e III estão corretas.</p><p>B As sentenças II e III estão corretas.</p><p>C As sentenças I e II estão corretas.</p><p>D Somente a sentença II está correta.</p><p>Na prática, a tecnologia MOSFET é utilizada em equipamentos eletrônicos para amplificar o</p><p>sinal enviado pela unidade principal para alimentar os alto-falantes. Resulta assim em maior potência</p><p>do som produzido. o MOSFET também é constituído de camadas P e N, sendo caracterizados de duas</p><p>formas: transistores MOSFET de canal-N e de canal-P. Os dois tipos são similares, mas o canal-P</p><p>possui a polaridade de tensão e o sentido de corrente invertidos com relação ao transistor de canal-N.</p><p>Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:</p><p>( ) O nome MOSFET significa transistor de junção de campo metal-boro-semicondutor.</p><p>( ) O MOSFET não apresenta características muito parecidas com o JFET.</p><p>( ) É possível notar que sua construção é obtida através de uma base de silício (sob a qual é</p><p>construído o dispositivo), é adicionado uma camada grossa de material do tipo p chamada substrato,</p><p>os terminais da fonte e do dreno são conectados ao material do tipo n por meio de contatos metálicos,</p><p>a porta é isolada do material do tipo n por uma camada de dielétrico (SiO2) responsável pela alta</p><p>impedância de entrada do dispositivo.</p><p>( ) O nome agora faz sentido, metal se referindo às conexões do dreno, fonte e porta; óxido</p><p>referindo-se à camada isolante de dióxido de silício e semicondutor se relaciona à estrutura básica na</p><p>qual as regiões do tipo p e n são difundidas.</p><p>Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:</p><p>A V - F - V - F.</p><p>B F - V - F - V.</p><p>C V - V - F - F.</p><p>5</p><p>6</p><p>D F - F - V - V.</p><p>Um MESFET (transistor de efeito de campo semicondutor de metal) é</p><p>um dispositivo</p><p>semicondutor de transistor de efeito de campo semelhante a um JFET com uma junção Schottky</p><p>(metal - semicondutor) em vez de uma junção p-n para uma porta. Os MESFETs são construídos em</p><p>tecnologias de semicondutores compostos que necessitam de superfície de alta qualidade, como</p><p>arseneto de gálio, fosfeto de índio ou carboneto de silício, e são mais rápidos, e mais caros do que</p><p>JFETs ou MOSFETs baseados em silício. Os MESFETs de produção são operados até</p><p>aproximadamente 45 GHz, e são comumente usados para radares e comunicações de frequência de</p><p>microondas. Os primeiros MESFETs foram desenvolvidos em 1966 e, um ano depois, seu</p><p>desempenho de microondas RF de frequência extremamente alta foi demonstrado. Com base nesse</p><p>contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:</p><p>( ) Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal</p><p>como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n,</p><p>resultando em níveis menores de capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências que</p><p>suporta ainda mais a grande mobilidade dos portadores no material de GaAs.</p><p>( ) A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome de transistor de efeito de</p><p>campo metal-semicondutor (MESFETs).</p><p>( ) Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante à observada no</p><p>MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.</p><p>( ) Existe também o MESFET tipo junção, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo</p><p>depleção, porém sem o de canal p.</p><p>Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:</p><p>A V - F - V - F.</p><p>B V - V - F - F.</p><p>C F - V - V - F.</p><p>D F - V - F - V.</p><p>[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com Transistor] Através da</p><p>prática virtual, o canal 1 da fonte será ajustado para 9 V. Conecte o multímetro ao transistor para</p><p>realizar a medição da corrente, basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e</p><p>selecionando a opção “Medir Corrente”. Ajuste o potenciômetro em 50 kohms. Com o sistema</p><p>montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão, é possível realizar</p><p>alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor.</p><p>Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRETA:</p><p>A Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá acender. Visto que</p><p>o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência aumentada.</p><p>B Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado.</p><p>Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência diminuída.</p><p>C Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado.</p><p>Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência aumentada.</p><p>7</p><p>8</p><p>D Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá acender. Visto que</p><p>o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência diminuída.</p><p>O transistor de efeito de campo (FET) também é formado por três camadas semicondutoras.</p><p>Diferentemente dos transistores de junção, que são ativados por uma corrente elétrica, os FETs são</p><p>ativados por tensões elétricas e, por isso, podem amplificar ou anular a tensão elétrica de um circuito.</p><p>Esses transistores são mais baratos e mais fáceis de serem fabricados que os demais transistores,</p><p>sendo largamente utilizados em chips eletrônicos. Com base nesse contexto, analise as sentenças a</p><p>seguir:</p><p>I- Os FETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como</p><p>tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n.</p><p>II- O Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um</p><p>campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores</p><p>(operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controle de corrente sobre</p><p>uma carga.</p><p>III- Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o que permite seu</p><p>uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações,</p><p>além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores</p><p>bipolares.</p><p>Assinale a alternativa CORRETA:</p><p>A As sentenças I e II estão corretas.</p><p>B As sentenças I e III estão corretas.</p><p>C Somente a sentença II está correta.</p><p>D As sentenças II e III estão corretas.</p><p>Existem vários tipos de transistor e cada um deles possui um funcionamento e aplicação</p><p>específica. Iremos descrever neste artigo sobre como funciona um transistor TBJ (transistor de junção</p><p>bipolar). Um componente bipolar é chamado assim devido a serem constituídos de materiais do tipo P</p><p>e do tipo N. Isso significa que para sua correta operação o material tipo P depende de portadores de</p><p>carga positiva (lacunas) e o material de tipo N depende de portadores de carga negativa (elétrons). Os</p><p>materiais semicondutores (tipo P ou tipo N) conseguem conduzir uma corrente elétrica, porém não</p><p>conseguem conduzir tão bem quanto um material condutor. Como exemplo, podemos citar o silício e</p><p>o germânio. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:</p><p>( ) O transistor consiste em três camadas de material, sendo que duas delas são feitas de material</p><p>igual.</p><p>( ) O princípio de operação do transistor é que uma pequena quantidade de corrente na base irá</p><p>provocar o fluxo de uma grande quantidade de corrente no coletor.</p><p>( ) O transistor pode ter apenas duas configurações: base-comum e emissor-comum.</p><p>( ) O transistor pode ter apenas duas configurações: base-emissor e emissor-comum.</p><p>Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:</p><p>A V - F - V - F.</p><p>B F - V - F - V.</p><p>9</p><p>10</p><p>C F - V - V - F.</p><p>D V - V - F - F.</p><p>Imprimir</p>