Avaliação I - Individual

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GABARITO | Avaliação I - Individual (Cod.:990538)
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Prova 86984266
Qtd. de Questões 10
Acertos/Erros 7/3
Nota 7,00
Os diodos são chaves eletrônicas, classificadas como não controladas, sua entrada em condução 
ocorre de acordo com o sentido da corrente elétrica, ou seja, não utiliza um terminal de disparo. São 
considerados como chave fechada quando estão em condução e chave aberta quando em bloqueio, e 
em análises ideais são desprezadas as perdas por comutação e condução.
Curva característica do diodo ideal
Dada a curva da figura, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( 
 )
É representada a tensão máxima reversa ou tensão máxima em bloqueio e seu valor pode ser
obtido diretamente da curva característica.
( 
 )
A queda de tensão no diodo pode ser representada por uma fonte V(TO) associada a uma
resistência em série rT.
( 
 ) A corrente em condução pode ser obtida diretamente da curva característica.
( 
 )
Quando o diodo é submetido a tensões superiores ao definido na tensão máxima reversa, ele
entra em condução mantendo a tensão elevada, gerando uma alta temperatura na junção,
ocasionado a queima do componente.
 Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - V - F.
B V - F - V - F.
C F - V - F - V.
D V - V - F - V.
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Uma fonte de corrente contínua de 350 volts está fornecendo energia para uma carga resistiva RL de 
25 ohms, conectada em série a um reostato R1. Todos os componentes do circuito estão ligados em 
série.
Considerando a resistência do reostato R1, ajustada para 12 ohms, o rendimento do sistema é dado 
por:
A 66,67%.
B 67,56%.
C 68,24%.
D 65,76%.
Circuitos com controle de potência podem ser úteis em determinadas aplicações. Para o controle de 
potência sobre uma carga resistiva (Rcg) existem algumas topologias de circuitos.
Dentre as topologias apresentadas, qual a que consegue fazer esse controle de potência média na 
carga?
A Reostato em paralelo com a carga Rcg.
B Transístor ligado em série com a carga Rcg.
C Diodo ligado em série com a carga Rcg.
D Reostato em série com a carga Rcg.
A eletrônica de potência, em função de suas características, também pode ser empregada nas 
estruturas e sistemas utilizados nos veículos elétricos. No que diz respeito à utilização da eletrônica de 
potência, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Atua no acionamento e controle de velocidade dos motores elétricos.
( ) Gerencia o carregamento das baterias. 
( ) Otimiza o desempenho dos motores elétricos existente no veículo.
( ) Administra, monitora e controla a utilização de baterias para a energização do painel, kit 
multimídia, sistemas de ar-condicionado e iluminação. 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - V - F - V.
B F - V - F - V.
C V - F - V - V.
D V - V - F - F.
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O uso da eletrônica de potência pode ser encontrado em diversos ramos da engenharia, desde as 
tecnologias emergentes, fontes de energias renováveis, os veículos elétricos, acionamento de 
máquinas e equipamentos de geração, transmissão e distribuição de energia elétrica. Sobre o exposto, 
analise as sentenças a seguir:
I- A invenção do IGBT pela GE representou um marco na eletrônica, pois apresentava características 
importantes para a manutenção de grandes potências.
II- A eletrônica de potência é responsável pela adequação das fontes não controláveis, como a energia 
solar para níveis de tensão admitidos pela concessionária local.
III- O IGBT representa, sem dúvida, a mudança na evolução da engenharia, em especial nas 
operações industriais até os dias atuais.
IV- Equipamentos de diversos tipos e áreas foram desenvolvidos desde a descoberta dos dispositivos 
e estado sólido e, juntamente com tais dispositivos, deu início a uma grande área da ciência, a 
Eletrônica de Potência.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças II e IV estão corretas.
B As sentenças I e III estão corretas.
C As sentenças III e IV estão corretas.
D As sentenças I e II estão corretas.
Ao longo dos anos, observa-se a evolução das buscas por melhores eficiências para os 
semicondutores, pela melhoria das suas características principais. Investimentos em novas tecnologias 
de manufatura são feitos com o intuito de se explorar melhor os processos de fabricação. Se tratando 
das características físicas dos semicondutores, de forma a observar a evolução ao longo de buscas por 
melhores eficiências, avalie as asserções a seguir e a relação proposta entre elas:
I- A redução da banda de energia Eg diminui a sensibilidade à temperatura.
PORQUE
II- Essa sensibilidade é devido ao aumento da energia necessária para o elétron sair da banda de 
valência para banda de condução.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As asserções I e II são proposições verdadeiras, e a II é uma justificativa da I.
B As asserções I e II são proposições verdadeiras, mas a II não é uma justificativa da I.
C A asserção I é uma proposição falsa, e a II é uma proposição verdadeira.
D As asserções I e II são proposições falsas.
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Em circuitos CA, há diversas perdas, todavia, conseguimos destacar três que ocorrem nos diodos. A 
perda por condução, a perda por bloqueio e a perda por comutação. Para se calcular os respectivos 
valores, é necessário compreender o que ocorre durante o bloqueio do diodo, em especial as perdas 
durante o tempo de recuperação reversa. A imagem a seguir representa os tempos na recuperação 
suave do diodo.
Dada a curva apresentada, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( 
)
Durante o bloqueio do diodo há uma continuação da condução por um período de tempo
chamada tempo de recuperação reversa (Reverse Recovery Time trr).
( 
)
O tempo de recuperação reversa é formado pelo tempo de armazenamento de carga na região de
depleção ta e o tempo de armazenamento de cargas no material semicondutor tb.
( 
)
O tempo de armazenamento de cargas no material semicondutor é representado pelo tempo que
leva para a corrente de pico reversa IRR chegar a 29%.
( 
)
O tempo de recuperação reversa é definido pelo tempo necessário para que as cargas possam se
recombinar com as cargas opostas e serem neutralizadas.
 Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - V - F.
B V - V - F - V.
C V - F - V - F.
D F - V - F - V.
Os semicondutores mudaram vastamente a área da eletrônica de potência. A demanda de 
semicondutores na indústria se tornou algo muito importante, pois várias áreas de tecnologia iriam ser 
afetadas se houvesse uma falta de semicondutores. Para atender a essa demanda, um Engenheiro 
Eletricista deve saber quais os dispositivos devem ser adquiridos. Com relação aos dispositivos 
semicondutores, associe os itens, utilizando o código a seguir:
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I- Diodos.
II- Tiristores.
III- Transistores.
( ) São chaves eletrônicas não controladas, sendo assim, não utilizam um terminal de disparo.
( ) Podemos classificar em algumas categorias, como BJT, MOSFET, IGBT. 
( ) Possui um pino que possui a função de colocar o dispositivo em condução ou em bloqueio, 
chamado de gatilho.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A III - II - I.
B II - I - III.
C I - II - III.
D I - III - II.
Dentre os componentes utilizados em eletrônica de potência, podemos citar o SCR Figura (a) e o 
TRIAC Figura (b), onde se pode observar que TRIAC é a junção de dois SCR em antiparalelo, ou 
seja, com o gatilho em comum e os terminais anodo e catado invertidos.
Considerando os dois componentes, SCR e TRIAC, classifique V para as sentenças verdadeiras e F 
para as falsas:
( 
 )
Na entrada em conduçãodo SCR há a necessidade de um pulso no gatilho por um curto período
e do TRIAC há necessidade da continuidade do sinal para mantê-lo em condução.
( 
 )
Para que seja mantida a condução, é necessário que a corrente elétrica que passa pelos
terminais, Anodo e Catodo do SCR ou MT1 e MT2 no caso do TRIAC, seja superior à corrente
de manutenção do componente eletrônico.
( 
 )
O corte ou bloqueio da condução ocorre através da remoção da corrente elétrica que passa pelo
dispositivo.
( 
 )
A diferença entre o TRIAC e o SCR é que enquanto o TRIAC permite a condução de corrente
elétrica somente em um sentido (unidirecional), o SCR permite a condução em ambos os
sentidos (bidirecional).
 Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - V - F - V.
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B V - F - V - F.
C F - V - V - F.
D F - V - F - V.
Existem dispositivos na eletrônica que são utilizados em chaveamento de alta frequência, de modo a 
controlar a potência sobre uma carga por meio do PWM (modulação por largura de pulso).
Assinale a alternativa CORRETA que referencia alguns desses dispositivos:
A Transistores de Porta Isolada: IGBTs e Tiristores de Efeito de Campo: JFETs, BI-FETs,
MOSFETs.
B Diodos e Transistores Bipolares de Junção: BJTs.
C Retificadores Controlados por Tensão.
D Transistores de Desligamento por Porta: GTOs.
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