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Afirmação I: "Sua fabricação é simples e ocupa menos espaço, pois, quando integrados, ocupam menos espaço na pastilha do que o bipolar. São amplamente utilizados para a integração em larga escala." Esta afirmação está correta. A tecnologia de fabricação dos FETs (especialmente MOSFETs) permite uma maior densidade de componentes em um chip, tornando-os ideais para circuitos integrados em larga escala. Afirmação II: "Em algumas configurações dos MOSFET, esses atuam como elementos resistivos controlados por tensão e com a diferença de ocuparem menor espaço físico do que seus iguais." Esta afirmação está incorreta. Embora os MOSFETs possam ser usados como resistores controlados por tensão, a afirmação de que ocupam menos espaço físico do que seus "iguais" (que seriam os transistores bipolares) é imprecisa, pois a comparação direta de espaço não se aplica da mesma forma. Além disso, a principal diferença é o controle por tensão, não a resistência. Afirmação III: "Zin (impedância de entrada alta), possibilitando que a carga armazenada permaneça por tempo suficiente para que o dispositivo seja utilizável como elemento de memória em circuitos digitais É correto o que se afirme em: A) II e III apenas B) III apenas C) I e II apenas D) I, II e III E) I apenas
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Walmir conceição

há 2 meses

Respostas

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há 2 meses

Vamos analisar cada afirmação: Afirmação I: "Sua fabricação é simples e ocupa menos espaço, pois, quando integrados, ocupam menos espaço na pastilha do que o bipolar. São amplamente utilizados para a integração em larga escala." - Esta afirmação está correta. Os FETs, especialmente os MOSFETs, têm uma fabricação que permite uma maior densidade de componentes em um chip, tornando-os ideais para circuitos integrados. Afirmação II: "Em algumas configurações dos MOSFET, esses atuam como elementos resistivos controlados por tensão e com a diferença de ocuparem menor espaço físico do que seus iguais." - Esta afirmação está incorreta. Embora os MOSFETs possam atuar como resistores controlados por tensão, a comparação de espaço físico com transistores bipolares não é precisa, e a principal diferença é o controle por tensão. Afirmação III: "Zin (impedância de entrada alta), possibilitando que a carga armazenada permaneça por tempo suficiente para que o dispositivo seja utilizável como elemento de memória em circuitos digitais." - Esta afirmação é verdadeira. Os MOSFETs têm alta impedância de entrada, o que é uma característica importante para sua utilização em circuitos digitais, especialmente em aplicações de memória. Agora, vamos verificar as alternativas: A) II e III apenas - Incorreta, pois a II é falsa. B) III apenas - Correta, pois a III é verdadeira. C) I e II apenas - Incorreta, pois a II é falsa. D) I, II e III - Incorreta, pois a II é falsa. E) I apenas - Incorreta, pois a III também é verdadeira. Portanto, a alternativa correta que contém todas as afirmações verdadeiras é: B) III apenas.

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