Avaliando 1 a 5

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Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,5 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
		
	 
	0,53 cm2
	
	0,65 cm2
	
	0,72 cm2
	
	0,84 cm2
	
	0,97 cm2
	
	
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201402406088)
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	Na temperatura de 25oC mediu-se o valor da resistência de um resistor e obteve-se 12,2 Ω. O material do qual é feito o resistor apresenta um coeficiente de temperatura igual a 0,0042 oC-1. Determine o valor da nova resistência na temperatura de 60oC.
		
	
	11,65 ohms
	
	9,23 ohms
	 
	13,99 ohms
	
	15,82 ohms
	
	4,36 ohms
	
	 Gabarito Comentado
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201402404850)
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	Determine a resistência de um condutor de cobre com seção reta circular, 32 metros de comprimento e raio de 1,2 mm. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
		
	 
	0,12 Ω
	
	34 Ω
	
	3,4 Ω
	
	120 Ω
	
	12,0 Ω
	
	 Gabarito Comentado
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201402466733)
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	Nas instalações, é comum vermos operários com vestimentas especiais, são os Equipamentos de Proteção Individual (EPI), que devem ser utilizados em diversas ocasiões, cada qual com sua especificidade.. No EPI de quem mexe com eletricidade, é fundamental a utilização de luvas de borracha de boa qualidade para promover o isolamento das mãos do operador em relação a um possível meio eletricamente carregado, pois se sabe que correntes da ordem de 20mA já podem causar parada respiratória. Entre os materiais que podem ser classificados quanto ao seu comportamento elétrico semelhante ao da borracha, podemos citar:
 
		
	 
	Madeira, borracha, vidro e isopor.
	
	Silício, Ferro, água pura salgada.
	
	Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Cloreto de Sódio.
	 
	Isopor, madeira e água destilada e deionizada.
	
	Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
	
	
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201402466735)
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	Em 1827, Georg Simon Ohm (1787-1854), professor da Universidade de Munique, publicou em artigo a relação que mais tarde levaria seu nome, a Lei de Ohm. Contudo, foi somente nas décadas seguintes que o estudo adquiriu relevância e gerou outros conceitos como a condutividade e a resistividade (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 4).
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa o conceito de resistividade:
		
	 
	V=R.i
	
	P=U.i
	
	V=N.i.E
	
	F=m.a
	 
	V=R i.A/l
	
	
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201402466726)
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	Alunos do curso de Engenharia da UNESA realizaram um experimento básico representado na figura a seguir.
 
  
  
Entre os pontos A e B estabeleceram diversas diferenças de potencial, V, no condutor ôhmico designado por R, obtendo os valores de corrente, i, expressos na tabela a seguir.
 
	i (Ampère)
	2,60
	2,10
	2,00
	6,30
	V (volt)
	5,00
	4,30
	4,20
	12,60
 
Baseado nas informações anteriores, podemos concluir que a resistência do resistor ôhmico é melhor quantificada por.
 
 
		
	 
	2,0 ohms
	
	0,5 ohms
	
	0,75 ohms
	
	2,5 ohms
	
	1,6 ohms
	
	
	Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P+5, diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento quepoderia substituir o Fósforo no processo de dopagem.
		
	
	Ba+2
	
	O-2
	
	Al+3
 
	 
	As+5
 
	
	 
B+3
 
	
	
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201402466751)
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	O Silício é o elemento chave na indústria voltada a microeletrônica. Em substratos de Silício são montados microcircuitos com uma infinidade de componentes, observáveis as vezes somente em microscópios eletrônicos. Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa somente conceitos corretos.
		
	 
	Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas; já os semicondutores extrínsecos são aqueles que apresentam impurezas.
 
	
	Os semicondutores do tipo-n são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de maior valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Boro (B+3) na matriz de Silício (Si+4).
	
	Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema.
	
	 
 Os semicondutores do tipo-p são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de menor valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Fósforo (P+5) na matriz de Silício (Si+4).
	
	A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem.
 
	
	
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201402407564)
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	Um pedaço de fio de alumínio tem resistência de 2   Se pedaço de fio de cobre tem a mesmas dimensões do fio de alumínio, qual será sua resistência?
 alunínio = 2,825 x 10 -6 cm   à  20 ºC
 cobre = 1,723 x 10 -6 cm   à  20 ºC
		
	
	a) R = 3,28 Ω
	
	d) R = 0,122 Ω
	
	e) R = 2,83 Ω
	 
	b) R = 1,22 Ω
	
	c) R = 0,328 Ω
	
	
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201402406102)
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	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
		
	
	5,21 x 10-6 Ω.cm
	
	6,13 x 10-6 Ω.cm
	
	7,12 x 10-6 Ω.cm
	 
	3,65 x 10-6 Ω.cm
	
	4,12 x 10-6 Ω.cm
	
	
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201402406710)
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	Considere as seguintes afirmações:
I.       Resistividade de um condutor é a resistência deste condutor na temperatura de 20ºC
II.       Os materiais considerados isolantes têm um valor de condutividade grande.
III.       A condutividade é o inverso da resistividade.
IV.       A unidade da resistividade no SI é o Ω/m.
V.       Resistividade é a resistência específica de um material.
Das afirmações acima podemos dizer que são verdadeiras as:
		
	
	As afirmações III e IV.
	
	As afirmações I, II e IV.
	
	As afirmações I, IV e V.
	
	Somente a afirmação III.
	 
	As afirmações III e V.
	
	
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201402466737)
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	Os metais apresentam em sua microestrutura uma periodicidade na disposição dos átomos que os classifica como materiais cristalinos. Contudo, esta organização a nível atômico tem suas falhas, o que influencia na velocidade de transporte dos eletros, ou seja, quanto maior o número de falhas na estrutura cristalina, maior a dificuldade de deslocamento dos elétrons. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas (elétrons livres), criou-se o conceito de velocidade de deslocamento (drift velocity, em Inglês), dada por vd=E.e, onde E é a intensidade do campo elétrico e e éa mobilidade elétrica do elétron.
Sabendo-se que em um experimento, utilizou-se um campo elétrico igual a E=600V/m e condutor elétrico de alumínio cuja mobilidade elétrica é igual a e=0,0012m2/V.s, escolha a opção que melhor reflete o valor da velocidade de deslocamento dos elétrons.
		
	 
	0,72 m/s.
	
	50 m/s
	
	5 m/s
	
	7,2 m/s
	
	500.000 m/s
	Polarização, como mostra a figura a seguir, é o alinhamento de momentos dipolares atômicos ou moleculares, permanentes ou induzidos, com um campo elétrico aplicado externamente. Das opções abaixo, indique aquela que não representa um tipo de polarização:
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
		
	
	Eletrônica + iônica
	
	Iônica.
	 
	Magnética.
	
	Eletrônica.
	
	De orientação.
	
	 Gabarito Comentado
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201403033273)
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	Semicondutores, como a palavra sugere, podem apresentar comportamento condutor ou isolante, dependendo da temperatura de utilização, no caso de condutores intrínsecos. Entre os materiais mais utilizados com estas características, encontram-se o germânio, o silício e o arseneto de gálio. No intuito de entender o comportamento destes materiais, diversas teorias físicas foram criadas, introduzindo conceitos novos, como a mobilidade elétrica de elétrons, e, e de buracos, b.
Com relação ao conceito de mobilidade elétrica, assinale a opção CORRETA:
		
	
	e =2 b
	 
	e < b
	
	e = b
	
	e =1/2 b
	 
	e > b
	
	
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201402467194)
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	Materiais cristalinos possuem seus átomos ¿dispostos¿ de forma periódica em uma rede tridimensional que se repete através de seu volume. Esta estrutura, aliada aos defeitos microestruturais que porventura se originam no processo de fabricação, não permitem o deslocamento retilíneo dos elétrons livres quando submetidos a um campo elétrico. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas (elétrons livres), criou-se o conceito de velocidade de deslocamento (drift velocity, em Inglês), dada por vd=E.e, ondeE é a intensidade do campo elétrico e e é a mobilidade elétrica do elétron.
Uma conseqüência da interação entre os defeitos da rede cristalina e os elétrons é:
		
	
	Deformação mecânica do material.
	
	Diminuição da resistência elétrica do material
	
	Aumento da resistividade elétrica do material.
	
	Aumento da aceleração eletrônica.
	 
	Geração de calor.
	
	 Gabarito Comentado
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201402902423)
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	As resistências de aquecimento são fabricadas em fios ou fitas e empregadas em fornos para siderúrgicas, ferros de passar e de soldar, eletrodomésticos,estufas entre outras. Um resistor com coeficiente de variação de temperatura positivo de 4.10-3 ºC-1 apresenta o valor de 5KΩ a 25 C º. Qual sua resistência na temperatura de 75 C º?
		
	
	1KΩ
	
	3KΩ
	 
	6KΩ
	
	4,25KΩ
	
	25KΩ
	
	 Gabarito Comentado
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201402466771)
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	Do ponto de vista tecnológico,  a fabricação de transistores a partir de semicondutores dopados, foi estrategicamente decisivo para a evolução da eletrônica moderna. Os primeiros transistores apresentavam desempenho insatisfatório devido a impurezas como o Ouro e o Cobre, devido às precárias técnicas de refinamento da década de 1950. Foi somente em 1954, que um pesquisador da Bell Laboratories, William G. Pfann, engenheiro metalúrgico, desenvolveu um método adequado para a requerida purificação destes materiais (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores, é possível afirmar que:
		
	
	A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-n ou extrínseco do tipo-p.
	
	Os semicondutores intrínsecos possuem impurezas que acrescentam portadores de carga negativas ou portadores de carga positivas.
	 
	A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas.
	
	A temperatura não altera as propriedades elétricas dos semicondutores.
	
	Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores.
	
	
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201402466769)
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	A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a mesma obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode assumir a forma  =0+ T+T2 , onde 0 , b e são constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura no último caso citado.
		
	 
	Parábola.
	
	Elipse.
	
	Círculo.
	
	Reta.
	
	Hipérbole.
	A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a seguir, aquela que identifica um fenômeno físico que pode fornecer esta informação. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
		
	 
	Efeito Hall.
	
	Lei de Ohm.
	
	Efeito Tcherenkov.
	
	Efeito Joule.
	
	Efeito Fischer.
	
	
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201402466790)
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	O Germânio foi um dos elementos testados no início da microeletrônica para ser utilizado como semicondutor; porém, o mesmo possui algumas características diferentes com relação ao Silício; por exemplo, é muito comum em projetos de microcircuitos, utilizar como condutividade elétrica máxima para o Germânio o valor de 100 (ohm.m) -1.
Considerando-se o exposto anteriormente e sabendo-se que a condutividade elétrica do semicondutor de Germânio em função da temperatura é dada por ln  = 14 - 4.000. T-1aproximadamente, onde T é a temperatura de trabalho em Kelvin, marque a opção correta abaixo:
		
	 
	O componente não apresentará limitações quanto a temperatura de trabalho.
	
	O componente poderá trabalhar até a temperatura de 200oC, que corresponde a 473K.
	
	O componente possui temperatura limite de trabalho igual a 170oC, que corresponde a 443K na escala Kelvin.
	
	O componente só poderá trabalhar a temperatura ambiente de 25oC, que corresponde a 298K na escala Kelvin.
	 
	O componente poderá trabalhar a temperatura de 150oC, que corresponde a temperatura de 423K na escala Kelvin.
	
	
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201402552908)
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	O século XX foi marcado por inúmeros avanços tecnológicos, entre os quais os advento dos semicondutores extrínsecos, essenciais na fabricação de microcomponentes eletrônicos. Uma das técnicas de produção desses semicondutores é a eletro inserção de átomos de valências diferentes de +4 na matriz do Silício.
Considerando a exposição anterior, PODEMOS afirmar que.
		
	 
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo p.
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco com "buracos".
	
	a inserção de átomos de Boro na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício não origina um condutor extrínseco.
	
	 Gabarito Comentado4a Questão (Ref.: 201402888750)
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	Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 280 (Ω.m)-1. Sabendo que a concentração de buracos é de 2 x 1020 m-3 e que a mobilidade de buracos e elétrons nesse material são respectivamente 0,09 m2/V.S e 0,28 m2/V.S, a concentração de elétrons é:
		
	
	140,25 x 1019 m-3
	 
	618,57 x 1019 m-3
	
	715,78 x 1019 m-3
	
	412,88 x 1019 m-3
	
	541,05 x 1019 m-3
	
	 Gabarito Comentado
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201402466793)
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	Dos componentes eletrônicos que sugiram entre 1940 e 1950, talvez o transistor seja o mais utilizado; consiste de um componente microeletrônico fabricado com semicondutores intrínsecos e extrínsecos e utilizado na amplificação de sinais, substituindo o seu precursor da era das válvulas, o triodo. Nos primeiros anos da década de 50, os transistores eram fabricados com Silício, Gálio e Germânio, sendo este último abandonado em decorrência do melhor desempenho atingido com os transistores de Silício.
Considerando que a mobilidade elétrica dos portadores de carga e a condutividade elétrica de um semicondutor estão relacionadas por =n.l e l.e, calcule a condutividade de um semicondutor de Silício dopado com 1023 átomos por m3 de Fósforo, sabendo-se que l e l =1,6.10 -19C e .e = 0,14m2/V.s.
		
	
	1.500 (ohm.m) -1
	
	11,43 (ohm.m) -1
	
	2.500 (ohm.m) -1
	 
	2.240 (ohm.m) -1
	
	2.000 (ohm.m) -1
	
	
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201402466814)
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	A técnica mais utilizada para obtenção de semicondutores extrínsecos é a inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n.
 (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
		
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	Em uma experiência típica envolvendo eletricidade, consideram-se dois corpos, 1 e 2, suspensos por fios isolantes, aos quais foram fornecidas cargas elétricas iguais. Observa-se que o corpo 1 adquire carga em toda a sua superfície, enquanto o corpo 2 mantém a carga concentrada no ponto de carregamento. Considerando as informações, escolha a alternativa correta:
		
	
	Provavelmente 1 e 2 são semicondutores.
	 
	Uma explicação para tal fenômeno é que no corpo 1, as cargas possuem liberdade de movimentação, enquanto no corpo 2, isso não ocorre.
	
	O corpo 1 trata-se de um isolante elétrico, enquanto o corpo 2 é um condutor elétrico.
	
	A diferença entre um condutor e um isolante é que o primeiro pode ser carregado
	
	Provavelmente tanto o material 1 como o 2 são cerâmicos.
	
	
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201403033293)
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	Alguns materiais apresentam uma grande resistência ao trânsito de elétrons, sendo denominados de isolantes. Estes materiais encontram grande aplicação, quando desejamos isolar o operador de máquinas que apresentam força eletromotriz do perigo de choques elétricos.
Entre os materiais a seguir relacionados, qual o que MELHOR poderia ser utilizado como isolante, considerando aspectos elétricos.  
	Material
	Condutividade (Ohm.m-1)
	Alumina
	5,5 x 10-13
	Concreto
	6,7 x 10-9
	Porcelana
	7,5 x 10-10
	Sílica fundida
	9,0 x 10-18
	Poliestireno
	8,4 x 10-14
		
	 
	Sílica fundida
	
	Concreto
	
	Alumina
	
	Porcelana
	
	Poliestireno
	
	 Gabarito Comentado
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201403033294)
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	Ao projetarmos aparatos elétricos, devemos prever que existirão partes deste equipamento em que a condução elétrica é essencial e outras partes nas quais a condução não só é desnecessária, mas altamente inconveniente devido ao perigo de choque elétrico. Para excluir ou minimizar as possibilidades de descargas elétricas deletérias a vida, utilizam-se materiais isolantes como os polímeros e os cerâmicos, que possuem algumas propriedades características, entre as quais só NÃOpodemos citar:
		
	
	Os polímeros apresentam grande facilidade de se ajustar aos formatos solicitados, devido a grande ductilidade.
	 
	Os cerâmicos são materiais capazes de absorver energia sem fragmentação fácil, apresentando baixa fragilidade.
	
	Os cerâmicos possuem não só baixa condutividade elétrica, mas também baixa condutividade térmica.
	 
	Os polímeros são compostos de grandes cadeias moleculares, apresentando baixo ponto de fusão.
	
	Os cerâmicos existem em grande abundância na natureza, tendo como exemplos os nitretos e silicatos.
	
	
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201402466817)
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	A resistividade de um material expressa a resistência que este apresenta a passagem de correta elétrica. Apesar de estar relacionada a resistência elétrica R através da expressão=R.A/l, é uma constante do material e não varia com A (área da seção reta do condutor no formato cilíndrico) e nem l (comprimento do condutor), ou seja, quando aumentamos o comprimento, a resistência aumenta e quando aumentamos a área da seção reta, a resistência diminui, mantendo, desta forma, a resistividade constante. A resistividade varia, no entanto, com a temperatura do condutor. Considerando o exposto, marque a opção correta.
		
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	 
	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende à zero.
	
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade tende à zero.
	
	A resistividade elétrica de um material isolante é a mesma na terra, a 30oC,ou no Pólo Norte, a -30oC, pois é uma constante e depende apenas da natureza do mesmo.
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	
	
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201402902427)
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	Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando os itens abaixo, assinale a opção com exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO:
		
	
	No filme de carbono o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de carbono sobre um substrato ou base.
	
	A composição de carbono produz um potenciômetro relativamente barato.
	
	No fio enrolado há limitação quanto a resolução e desempenho de ruído.
	 
	No filme de metal o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de metal sobre um substrato cerâmico, sendo o filme de metal o mais barato dos processos.
	
	No CERMET o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme composto de metal precioso e materiais cerâmicos.
	
	 Gabarito Comentado
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201403033287)
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	Um material dielétrico é aquele que apresenta (ou pode ser projetado de modo a apresentar) uma estrutura de dipolos a nível molecular ou atômico, que assume uma configuração orientada sob a ação de um campo elétrico. Estes materiaissão comumente utilizados em capacitores para aumentar a capacidade de armazenamento de cargas, modificando a permissividade relativa fornecida por:r=/o.
Com relação a permissividade relativa, PODEMOS afirmar:
		
	
	r está entre 2 e 5.
	
	r é menor que 1.
	
	r é menor que 0,5.
	 
	r é igual a 1.
	 
	r é maior que 1.