MOSFET [Cap 5]_250818_113925

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MOSFET Unipotar e controlado por Modo enriquecimento on deplecão U Typos - NMOS ( dveno e tensão de entrada D vgs > G corrente de saída = depende de VDS S 21 módulo em tudo S G D > Vt (tensão conduz Estrangulamento do canal - = saturado FixoiD Triodo Saturação â ≥ A curva "entorta" porque a resistência do canal au- A corrente satura porque o menta com o valor de UDS canal é estrangulado no amplificador icador terminal de dreno, e o valor de UDS não mais afeta o crescimento da corrente. Quase uma linha reta com inclinação propor- como cional a Vov UGS = + Vov resistor 0 = UDS aberto Vov = VGs Vt de C/m2 1 W = C L Saturação iD = µₙ VDS 2 1 DS 2 iD W L VDS Triodo do -1 III = VDS pequeno Triodo Modelo de pl grandes SiMais= 0 iD Go Cox + + W L - - ≥ UDS Mas, na = 2 1 µₙ W (VGS 2 (1 + AVDS) Onde a é um parâmetro tecnológico de processo com dimensão V⁻¹ Tambem há VA da curva iD VDS VA = = L 1, ro = 1 = VA ID ID sem modulagao do comprimento ID = W 2 L do canalMOSFET em grandes (*) Pela LKT no circuito dreno-fonte: (*) Circuito denominado Fonte-Comum (FC), visto que terminal fonte (S) "participa" tanto do circuito de saída (dreno-fonte) quanto do de entrada (porta - fonte). (eq. da reta de carga) Curva Característica de transferência VDD Triodo Saturação Corte Saturação Triodo A C Q Q IDQ Reta de carga inclinação = = C 0 0 = v₁ Corte Corte ≤ Na amplificador inversor Que também pode ser escrito na forma: = Sendo = - NoVDD v₀ = µₙ W (v₁ eno fonte próximo a origem 1 = µₙ W (v₁ de pontos VI = VIB = + de polarização VGS Fixo poole ter divisor de ID Fica muito dependente da temperatura - Fixo + Rs resistência de VG + VG e > Rs Mais estávelCC CA VDD RD 0 Vas - Resistor de dreno - porta amplifica Se botan e capacitor 0 + + VDS Vas - Fante de corrente constanteTo source of R transistor e in Fig. 4.33 (a) ID = + Vss - VGS 0 R + Operação iD = 2 1 k'ₙ W + W VT + Corrente proporcional a gm = Vgs id = L - Av = Vds = - Modelos equivalentes -Go D G D + + Ugs ro S S (a) (b) Modelo Simplificado Modelo incluindo o efeito da modulação do comprimento do canal D D G G ro + 1 1 Ugs 8m 8m - S S Modelo T-a Modelo T-b de estágio simplesAmplificador fonte comum FC Observe que este amplificador é unilateral: Rin não depende de logo Rin = Rout não depende de logo Rout = Analisando, temos: Rin RG RG = Rᵢₙ + RG + Normalmente RG é escolhido muito grande RG Rsig) para que vsig ≈ vᵢ (a) ganho de tensão: D - Ganho total RG = R Rᵢₙ + RG + Resistência de saída: + Rs) D Modelo T Rₗ 0 G + + RD + / RG S + RG Lembrar gm = Vov Máxima excursão negativa do = Vs + VOT = -