Avaliação II - Eletrônica Analógica I

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GABARITO | Avaliação II - Individual (Cod.:1632911)
Peso da Avaliação 1,50
Prova 123731965
Qtd. de Questões 10
Acertos/Erros 10/0
Nota 10,00
O surgimento do transistor abriu caminho para o surgimento de diversas outras invenções importantes, por exemplo os CIs (Circuitos Integrados), que nada 
mais é que um dispositivo pequeno que contém milhares de transistores. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Com o advento deste pequeno componente temos lâmpadas incandescentes e outros milagres eletrônicos em nosso cotidiano.
B Com o advento deste pequeno componente temos lustres e outros milagres eletrônicos em nosso cotidiano.
C Com o advento deste pequeno componente temos TVs a válvulas e outros milagres eletrônicos em nosso cotidiano.
D Com o advento deste pequeno componente temos computadores e outros milagres eletrônicos em nosso cotidiano.
Na prática, a tecnologia MOSFET é utilizada em equipamentos eletrônicos para amplificar o sinal enviado pela unidade principal para alimentar os alto-
falantes. Resulta assim em maior potência do som produzido. o MOSFET também é constituído de camadas P e N, sendo caracterizados de duas formas: transistores 
MOSFET de canal-N e de canal-P. Os dois tipos são similares, mas o canal-P possui a polaridade de tensão e o sentido de corrente invertidos com relação ao 
transistor de canal-N. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) O nome MOSFET significa transistor de junção de campo metal-boro-semicondutor.
( ) O MOSFET não apresenta características muito parecidas com o JFET. 
( ) É possível notar que sua construção é obtida através de uma base de silício (sob a qual é construído o dispositivo), é adicionado uma camada grossa de material 
do tipo p chamada substrato, os terminais da fonte e do dreno são conectados ao material do tipo n por meio de contatos metálicos, a porta é isolada do material do 
tipo n por uma camada de dielétrico (SiO2) responsável pela alta impedância de entrada do dispositivo.
( ) O nome agora faz sentido, metal se referindo às conexões do dreno, fonte e porta; óxido referindo-se à camada isolante de dióxido de silício e semicondutor se 
relaciona à estrutura básica na qual as regiões do tipo p e n são difundidas.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - F - V - F.
B F - F - V - V.
C V - V - F - F.
D F - V - F - V.
O JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato direto com seu 
canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica. Em dispositivos JFET canal N, a corrente de dreno (Id) é controlada aplicando-se uma tensão 
reversa em sua porta-fonte (GATE-SOURCE). Deste modo uma barreira é formada na camada tipo P, expandindo-a e estreitando a passagem da corrente no canal N. 
Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Na construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de 
material do tipo p. 
( ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno (D - drain) e na parte inferior do mesmo através de outro 
contato ôhmico temos a fonte (S - source). 
( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate).
( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain).
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - F - V - F.
B V - V - V - F.
C F - V - F - V.
D F - V - V - F.
[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com Transistor] Através da prática virtual, o canal 1 da fonte será ajustado para 9 V. 
Conecte o multímetro ao transistor para realizar a medição da corrente, basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e selecionando a opção “Medir 
Corrente”. Ajuste o potenciômetro em 50 kohms. Com o sistema montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão, é possível 
realizar alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor.
Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRETA:
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A+ Alterar modo de visualização
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4
A Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá acender. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência
diminuída.
B Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a
resistência aumentada.
C Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá acender. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência
aumentada.
D Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a
resistência diminuída.
Os materiais semicondutores são elementos cuja resistência situa-se entre a dos condutores e a dos isolantes. Dependendo de sua estrutura, qualquer elemento 
pode ser classificado como isolante, semicondutor ou condutor. Atualmente, os principais componentes dos equipamentos eletrônicos são dispositivos 
semicondutores tais como: diodos, transistores e circuitos integrados. Seu emprego deve-se à habilidade de controlar o fluxo de corrente, executando as mesmas 
funções das válvulas eletrônicas, porém com grandes vantagens como tamanho, peso e durabilidade. Por estas razões o emprego dos dispositivos semicondutores 
trouxe um grande desenvolvimento à eletrônica. Os primeiros conceitos de dispositivos semicondutores datam do início do século. Com base no exposto, assinale a 
alternativa CORRETA:
A
O primeiro tiristor (um dispositivo de estado sólido que contém 3 terminais) apresentava diversas vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento,
ser menor e mais leve, não apresentar perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar pronto para uso
imediata e trabalhar com uma tensão menor.
B
O primeiro LED (um dispositivo de estado sólido que contém 2 terminais) apresentava diversas vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento, ser
menor e mais leve, não apresentar perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar pronto para uso imediata e
trabalhar com uma tensão menor.
C
O primeiro diodo (um dispositivo de estado sólido que contém 2 terminais) apresentava diversas vantagens dentre elas não haver necessidade de aquecimento,
ser menor e mais leve, não apresentar perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar pronto para uso
imediata e trabalhar com uma tensão menor.
D
O primeiro transistor (um dispositivo de estado sólido que contém 3 terminais) apresentava diversas vantagens dentre elas não haver necessidade de
aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar perdas por aquecimento, ser mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar pronto
para uso imediata e trabalhar com uma tensão menor.
O dispositivo eletrônico mais desenvolvido e recrutado grande interesse entre 1904 e 1947 foi a válvula (diodo criada por J. A. Fleming em 1904). Algo 
importante a ser citado é que impulsionado pelo rádio e a televisão, tendo uma ampliação de aproximadamente 1 milhão de válvulas em 1922 para cerca de 10 
milhões de válvulas em 1937. Este setor ao passar dos anos apresentou grandes avanços em diversos setores, sendo projeto, técnica de fabricação, miniaturização 
além de aplicações em alta potência e alta frequência. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Em 25 de novembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificaçãodo primeiro transistor.
B Em 23 de dezembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação
do primeiro transistor.
C Em 27 de janeiro de 1948, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do
primeiro transistor.
D Em 23 de dezembro de 1948, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação
do primeiro transistor.
O nome MOSFET significa transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor. Nos Transistores de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico, 
MOSFET, é como um transistor FET, porém o terminal Porta isolado demais por uma fina camada de óxido de silício, o que faz com que os transistores MOSFET 
tenham uma alta impedância (resistência) na entrada. Os transistores MOSFET são largamente utilizados em fontes de alimentação como chaveadores, pois sua alta 
resistência na entrada e seu baixo consumo facilitam tal operação. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do 
tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos.
( ) A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC.
( ) A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD.
( ) Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e 
corrente são invertidos.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - V - F - F.
B V - F - F - V.
C F - V - F - V.
D F - V - V - F.
O transistor NPN possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) para as costas da outra junção, formando, então, o transistor de 
junção bipolar (TJB) NPN. Esse é acionado com carga positiva em relação ao emissor. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para 
as falsas:
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( ) A aplicação de transistores não se limita somente à amplificação de sinais, realizando um projeto apropriado, podem ser utilizados como chaves de 
computadores e aplicações de controle.
( ) Os transistores PNP operam com valores positivo - negativo - positivo, o transistor PNP possui duas junções PN, acomodadas uma voltada para outra, os 
cristais negativos ficam um em contato com o outro, sendo assim, temos a formação do transistor de junção bipolar (TJB) PNP.
( ) Um projeto apropriado para o transistor atuar como um PNP exige que o ponto de operação alterne do ponto de corte ao ponto de saturação sobre a mesma reta 
tangente do coletor e do emissor.
( ) O transistor PNP possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) para as costas da outra junção, formando, então, o transistor de 
junção bipolar (TJB) PNP. Esse é acionado com carga positiva em relação ao emissor.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - F - V.
B F - V - V - F.
C V - F - V - F.
D V - V - F - F.
Os transistores estão presentes nos circuitos integrados, que compõem as portas lógicas utilizadas em circuitos elétricos de diversas máquinas, 
eletrodomésticos, computadores, celulares etc. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Os transistores têm três regiões que são: o emissor (E), a base (B) e o coletor (C). 
II- O coletor é fortemente dopado, uma vez que deve enviar portadores de corrente para a base e posteriormente ao emissor, a base e emissor possuem dopagem leve. 
III- O coletor reúne os portadores, o emissor envia os portadores e a base funciona como uma válvula de controle de portadores do emissor para o coletor.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças II e III estão corretas.
B Somente a sentença II está correta.
C As sentenças I e III estão corretas.
D As sentenças I e II estão corretas.
[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com Transistor] Através da prática virtual, o canal 1 da fonte será ajustado para 9 V. 
Conecte o multímetro ao transistor para realizar a medição da corrente, basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e selecionando a opção “Medir 
Corrente”. Ajuste o potenciômetro em 10 kohms. Com o sistema montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão, é possível 
realizar alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor.
Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso. Sendo que a corrente apresentada no multímetro permanecerá a
mesma.
B Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso. Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar.
C Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, a corrente apresentada no multímetro será de 69,43 mA.
D Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado. Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar.
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