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AV2 Materias
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 m? Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 1,3 metros. Deter mine o valor da resistividade do material a ser utilizado. 
R: 3,65 x 10^-6 .cm
? As resistências de aquecimento são fabricadas em fios ou fitas e empregadas em fornos para siderúrgicas, ferros de passar e de soldar, eletrodomésticos, estufas entre outras. Um resistor com coeficiente de variação de temperatura positivo de 4.10-3 ºC-1 apresenta o valor de 5K? a 25 C º. Qual sua resistência na temperatura de 75 C º?
R: 6K?
Qual é a principal característica dos materiais semicondutores?
R: São condutores e isolantes. 
Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando os itens abaixo, assinale a opção que contem exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO: 
R: filme de madeira (wood film) e filme de metal 
Os cabos telefônicos possuem diversas classificações, entre as quais a de cabo externo e cabo interno às instalações prediais. Com relação a estas classificações, NÃO podemos afirmar que:
R: Os fios interno e externo devem ser isolados do meio exterior, o que é feito de forma idêntica para ambos. 
Os filmes utilizados na fabricação dos resistores têm uma espessura de aproximadamente 500 microns. Com a utilização de máscaras que permitem alterar as larguras e espaçamentos dos filmes uma ampla gama de valores ôhmicos pode ser obtida. Como regra geral, tanto mais baixa a resistividade da folha, melhor será a performance elétrica. Considerando os itens abaixo, assinale o item INCORRETO com relação a opção de material usado na fabricação dos resistores
R: Sulfato de Bário (BaSO4) Trata-se de uma liga que reúne as vantagens do Nitreto de Tântalo e do Crometo de Silício. Os compostos do Bário também são usados em pequenas quantidades para a produção de tintas e vidros e usados em foguetes pirotécnicos. 
Após completar a disciplina Materiais Elétricos, você compreende os parâmetros que determinam a resistência elétrica de um material. Desta forma, desejando aumentar a resistência elétrica de uma bobina em 20% através da diminuição da seção reta do condutor que a compõe (mantendo-se o comprimento do fio), expresse a diminuição porcentual da nova seção reta em relação a seção reta original.
R: 16,7%
A figura a seguir m ostra uma reprodução artística d e uma fibra ótica no momento da transmissão de da dos em seu interior através d e feixe fotônico. Percebe -se que o feixe permanece confinado entre o núcleo da fibra e suas parede s, garantindo que a informação não se perca ao longo do caminho.
(Imagem) 
 (CALLISTER, W ILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ A n Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 22). Entre os itens abaixo, podemos apontar como correto:
R: O feixe fotônico não se perde devido a diferença entre os índices de refração do núcleo da fibra e as paredes
A utilização de fibras óticas na transmissão de da dos apresenta diversas vantagens, como por exemplo, o menor peso em relação ao material metálico que normalmente era utilizado, o Cobre. O gráfico a seguir contém informações quanto às bandas de frequência utilizadas. 
(imagem) 
R: Na frequência média de 0,85 µ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8 
Georg Simon Ohm (1787 -1854) foi um pesquisador e professor de origem germânica. Integrante do corpo docente da Universidade de Munique, publicou em 1827 um artigo n o qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metálicos. Entre as informações relevantes, havia uma relação entre a diferença de potencial a plicada a um condutor e a corrente gerada que, décadas mais tarde, seria conhecida como Lei de Ohm. (MEYER HERBERT W . A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3) Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa esta relação:
R: V=R.i 
Nas instalações, é comum vermos operários com vestimentas especiais, são os Equipamentos de Proteção Individual (EPI), que devem ser utilizados em diversas ocasiões, cada qual com sua especificidade.. No EPI de quem mexe com eletricidade, é fundamental a utilização de luvas de borracha de boa qualidade para promover o isolamento das mãos do operador em relação a um possível meio eletricamente carregado, pois se sabe que correntes da ordem de 20mA já podem causar parada respiratória. Entre os materiais que podem ser classificados quanto ao seu comportamento elétrico semelhante ao da borracha, podemos citar: 
R: Isopor, madeira e água destilada e deionizada.
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 m?. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 ?.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio. 
R: 0,27 cm^2 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 m?. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 ?.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.
R: 0,11 cm 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 m?. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 ?.cm e comprimento igual a 1,5 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
R: 0,53 cm^2
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 m?. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 ?.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
R: 0,09 cm^2
Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 1,6 x 10 -6?. cm na forma de um fio cilíndrico. Deter mine o valor do resistor par a um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 mm2.
R: 12 mili ohms
Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos. A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por ?=p.I e I.?h, on de p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo da carga do elétron, d ado por 1,6.10-19C, e .?h é mobilidade dos buracos. Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor d e Silício resultante da dopagem com 5.1022/m 3átomos de Boro, considerando ?h = 0,05m 2/V.s
R: 400 (ohm.m) ^-1
Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 ?.cm na forma de um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,38 mm2.
R: 347,4 mili ohms
Na Física, distingue-se entre propriedades extensivas e propriedades intensivas. As primeiras são uma função da geometria e da quantidade de massa do corpo, enquanto as outras, não. A resistividade e a condutividade elétricas são propriedades físicas intensivas da matéria, ou seja, não dependem d a quantidade e da geometria do material em questão; porém, são afetadas por alguns fatores. Entre as opções a seguir, determine que fatores influenciam a resistividade e a condutividade elétrica de um condutor:
R: Temperatura, impureza e deformação mecânica.
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 m?. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 ?.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio. 
R: 18,27 cm 
Deseja-se construir um resistor
com resistência igual 125 m?. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
R: 3,65 x 10-6 ?.cm
A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidrelétricas esp alhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumi dores, a energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, recebe a mis são para calcular a resistência de uma li nha de transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm 2. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20 oC e q ue a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x 10-8 O.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma temperatura de 80 oC (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10-3 oC-1). 
R: 4,19 O
Uma das maneiras de inserir Fósforo e o Boro na rede cristalina do Silício de alta pureza é através da e vaporação dos elementos d e interesse em adequadas câmaras de vácuo, técnica de fabricação utilizada primeiramente em 1955. (MEYER HERBERT W. A History of Electricity and Magnetism, Burnby Library, Connecticu t, Norwalk, 1972, Chapter 17). Com relação aos semicondutores é correto afirmar que:
R: Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas.
A microeletrônica surgiu nas décadas de 40 e 50, com as técnicas de fabricação de semicondutores de altíssima pureza e dopados com elementos como o Fósforo e o Boro. Atualmente, percebe -se que o processo de miniaturização de componentes eletrônicos tem seus limites; partes dos semicondutores estão se tornando tão finas que estão perdendo as características previstas em projeto, ou seja, aquilo que deveria apresentar maior resistência elétrica, não está se comportando desta forma. A atual expectativa é que a incipiente nanotecnologia venha a suprir às necessidades de maior miniaturização. Com relação aos semicondutores, é correto afirmar que:
R: O Efeito Hall é utilizado para se determinar o portador de carga majoritário e a sua mobilidade em um semicondutor extrínseco.
Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 280 (?.m)^(-1). Sabendo que a concentração de buracos é de 2 x 10^20 m^(-3) e que a mobilidade de buracos e elétrons nesse material são respectivamente 0,09 m^2/V.S e 0,28 m^2/V.S, a concentração de elétrons é: 
R: 618,57 x 10^19 m^-3
Do ponto de vista tecnológico, a fabricação de transistores a partir de semicondutores dopados, f oi estrategicamente decisivo para a evolução da eletrônica moderna. Os primeiros transistores apresentavam desempenho insatisfatório devido a impurezas como o Ouro e o Cobre, devido às precárias técnicas de refinamento da década de 1950. Foi somente em 1954, que um pesquisador da Bell Laboratories, William G. Pfann, engenheiro metalúrgico, desenvolveu um método adequado para a requerida purificação destes materiais (MEYER HERBERT W. A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 19 72, Chapter 17). Com relação aos semicondutores, é possível afirmar que: 
R: A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas
A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a expressão?=?0+?T, onde ?0 e ? ao constantes. Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
R: Reta.
 A técnica mais utilizada para obtenção de semicondutores extrínsecos é a inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes no s condutores tipo -p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ A n Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta. 
(imagem)
R: A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
2. A quantidade de buracos e elétrons em um semicondutor é uma função da temperatura a que este é submetido. Baseado no gráfico a seguir, n o qual no eixo horizontal tem -se temperatura (oC e K) e no eixo vertical tem -se a condutividade elétrica (ohm.m) -1, podem -se observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor intrínseco d e Silício, denominado no gráfico de intrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013% (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
R: A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco aumenta acentuadamente com o aumento da temperatura. 
O tipo de carga predominante e a concentração das mesmas em um semicondutor (elétrons ou buracos) pode ser de terminada através de um experimento chamado E feito Hall. Deste experimento, obtém-se a constante de Hall, RH, que, por sua vez, está relacionada a n, quantidade de elétrons por m 3 do semicondutor, por n=(RH I e I) -1, onde l e l =1,6.10 -19C. Considerando-se um corpo de prova feito de Alumínio, com R H=-3,16 . 10 -11, determine a quantidade aproximada de portadores de carga (em módulo) por m3. 
R: 2,0 10^29.
4. Alguns componentes eletrônicos fazem uso de semicondutores extrínsecos e intrínsecos conjuntamente, sendo necessário que na temperatura de trabalho, o semicondutor intrínseco possua condutividade inferior a condutividade do extrínseco. No gráfico a seguir, no qual n o eixo horizontal tem -se temperatura ( °C e K) e no eixo vertical tem-se a condutividade elétrica (ohm.m) -1, podem-se observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor intrínseco de Silício, de nominado no gráfico de intrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013%. Baseado nestas informações, marque a opção correta.(CALLISTER, W ILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Baseado no gráfico, podemos afirmar que:
(imagem)
R: A temperatura de 100oC, o componente eletrônico montado com os condutores intrínseco e extrínseco provavelmente funcionará sem problemas referentes a condutividade.
Pode-se dizer se m medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as décadas de 40 e 50 d o século XX, quando foram criados os semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
R: A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. 
Em uma experiência típica envolvendo eletricidade, consideram -se dois corpos, 1 e 2, suspensos por fios isolantes , aos quais foram fornecidas cargas elétricas iguais. Observa -se que o corpo 1 adquire carga
em toda a sua superfície, enquanto o corpo 2 mantém a carga concentrada no ponto de carregamento. Considerando as informações, escolha a alternativa correta:
R: Uma explicação para tal fenômeno é que no corpo 1, as cargas possuem liberdade de movimentação, enquanto no corpo 2, isso não ocorre.
Capacitor é um sistema composto por dois condutores (chamados de armaduras ou de placas) separados por um dielétrico (isolante). Considera -se, de forma simplificada, que a carga deste sistema quando submetido a uma diferença de potencial é a carga e m módulo de uma das placas, ou seja, se uma placa tem carga +Q e a outra possui carga ¿Q , dizemos que o capacitor tem carga Q. Considerando o exposto, indique a opção correta
R: Em um sistema constituído de uma pessoa (o corpo é um condutor) sobre uma prancha de madeira que se encontra sobre um terreno (condutor), podemos dizer que se poderia formar um capacitor onde a pessoa e a terra seriam as armaduras do capacitor e a prancha seria o dielétrico.
Capacitores são dispositivos projetados para arma zenar carga elétrica e que tem esta capacidade ampliada quando inse rimos entre suas placa s um material dielétrico, como mostrado na f igura a seguir. Con siderando-se que a capacitância, C, de um capacitor é a razão entre a sua ca rga, Q, e a dife rença de potencial, V, ao qual o m esmo está submetido, ou seja, C=Q/V, assinale a opçãocorreta que fornece a capacitância do capacitor mostrado na figura. (CALLISTER, W ILLIAM D. Jr. Mate rials Science and Engineering ¿ An Introduction, John W iley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
(imagem)
R: C=(Q0 + Q´) / V
Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando os itens abaixo, assinale a opção com exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO:
R: No filme de metal o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de metal sobre um substrato cerâmico, sendo o filme de metal o mais barato dos processos. 
A resistividade de um material expressa a resistência que este apresenta a passagem de correta elétrica. Apesar de estar relacionada a resistência elétrica R através da expressão ?=R.A/l, é uma constante do material e não varia com A (área d a seção reta do condutor no formato cilíndrico) e nem l (comprimento do condutor), ou seja, quando aumentamos o comprimento, a resistência aumenta e quando aumentamos a área da seção reta, a resistência diminui, mantendo, desta forma, a resistividade constante. A resistividade varia, no entanto, com a temperatura do condutor. Considerando o exposto, marque a opção correta.
R: À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende à zero. Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
Está provado que correntes superiores a 20mA são capazes de causar paradas respiratórias, conduzindo algumas vezes a morte. Um dos objetivos de se utilizar equipamento de proteção individual composto de materiais isolantes elétricos é evitar este tipo de acidente. Considerando o exposto, determine a opção que provavelmente só a presenta materiais isolantes elétricos.
R: Borracha, isopor, madeira e cerâmica genérica.
As aplicações de telecomunicações, equipamentos médicos e controle, instrumentação e sensoriamento de grandezas físicas são críticas e exigem resistores de alta precisão. A escolha de um resistor de precisão para uma aplicação não envolve apenas a observação de sua tolerância. Pode-se afirmar que vários fatores podem influenciar o valor de um resistor de precisão. Considerando os itens abaixo, assinale a opção com fator INCORRETO: 
R: Indutância
Existem materiais que apresentam polarização elétrica espontânea a nível microestrutural, ou seja, mesmo na ausência de campos elétricos externos, estes materiais apresentam dipolos elétricos. Isto ocorre em consequência da combinação de cargas elétricas pertencentes a íons de sinais contrários e a assimetria geométrica da rede cristalina que compõem a substância, como mostrado na figura a seguir. Existem materiais que apresentam polarização elétrica espontânea a nível microestrutural, ou seja, mesmo na ausência de campos elétricos externos, estes materiais apresentam dipolos elétricos. Isto ocorre em consequência da combinação de cargas elétricas pertencentes a íons de sinais contrários e a assimetria geométrica da rede cristalina que compõem a substância, como mostrado na figura a seguir.
(imagem)
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Com relação a este tipo material, podemos afirmar: 
R: A assimetria microestrutural pode ser observada nas medidas dos lados da célula unitária que compõem o material mostrado na figura anterior. 
A característica básica dos materiais isolantes é a péssima capacidade de conduzircorrente elétrica. Devido a esta característica, são utilizados como dielétricos de capacitores e constituintes de equipamentos de proteção individual. Assinale o item que contenha informações corretas sobre esses materiais:
R: Os cerâmicos representam os materiais mais abundantes na natureza. Possuem condutividade elétrica e térmica baixas, além de apresentarem fragilidade a choques mecânicos. 
Contrariando o que se julgava definido, a partir de 1970, diversas linhas de pesquisa apresentaram como produto polímeros condutores, que chegavam a apresentar condutividade comparável a do Cobre. Considerando os itens abaixo, assinale a opção correta: 
R: Nos casos em que o peso do condutor é relevante, é interessante ter a opção de substituir o metal condutor por polímeros condutores.
Nas figuras a seguir, têm-se representado um capacitor com vácuo entre as placas, um meio dielétrico e o capacito r com o meio dielétrico inserido. (CALLISTER, W ILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Entre as opções a seguir, determine a opção correta que se aplica a ilustração anterior:
(imagem)
R: Com a inserção do dielétrico e manutenção da diferença de potencial, tem-se o aumento da carga armazenada no capacitor.
Considerando um capacitor de placas paralelas com as seguintes características: Área = 8 .10-4 mm2, l = 3.10-3 m, ?r=5 (constante dielétrica do meio) e ?0= 9.10-12 F/m, como mostra a figura a seguir, pode-se afirmar que o deslocamento dielétrico dado por D= ??(V/L) é igual a:
R: 25,0 . 10-8 C/m2 
Capacitores ou condensadores são componentes eletrônicos que armazenam energia quando submetidos a um campo elétrico. Define -se, então, a grandeza denominada capacitância, dada por C=?0( A/l), onde A representa a área das placas, l a distância entre elas e ?o é a permissividade do vácuo. Considerando-se as informações anteriores, calcule o novo espaçamento que deve assumir as placas de um capacitor com ?r =2 el=1mm quando for utilizado u m dielétrico de ?r =4, considerando-se que a capacitância não deve ser alterada.
R: 2 mm 
A população das redes locais de transmissão de dados (LAN), houve a necessidade de evolução tecnológicas em diversos nichos da eletro-eletrônica, originando diversos produtos tecnológicos. Entre estes produtos, encontram-se os cabos UTP. Com relação a estes cabos, só NÂO podemos afirmar que:
R: Só admitem transmissão até 10Mbts.
Uma fibra ótica é um dispositivo na forma de fio com densidade diferenciada ao longo de sua seção reta, o que confere a fibra propriedades de confinamento
da luz. (CALLISTER, W ILLIAM D. Jr. Materials Science and En gineering : An Introduction, J ohn Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 22). Entre os itens abaixo, PODEMOS apontar como correto: 
R: A diferença entre os índices de refração é essencial para confinar o feixe de luz.
Existem diversas formas de energia que percorrem a rede cristalina de um condutor metálico. Em um condutor que possui sua temperatura elevada, por exemplo, seus átomos apre sentam alta energia térmica, o que aumenta amplitude de vibração dos mesmos. Quando estabelecemos um campo elétrico atr avés do mes mo, os elétrons livres colidem com a estrutura atômica provocando ainda mais o aumento da amplitude vibracional. Como todos os átomos estão conectados através de ligações atômicas, o aumento da amplitude de vibração se transfere de um átomo para o outro, provocando o surgimento de uma onda de alta frequência e energia quantizada denominada de fônon. (CALLISTER, WILLIAM D. J r. Mat erials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 20). Com relação ao exposto, PODEMOS afirmar que: 
R: Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material condutor campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura
A polarização é o alinhamento de momentos dipolares atômicos o u moleculares, permanentes ou induzidos, com um campo elétrico aplicado externamente. Existem três tipos ou fontes de polarização: eletrônica, iônica o u de orientação. Baseado nestas informações e na figura a seguir, o s dois tipos de polarização mostrado s na figura (a) e figura (b) são respectivamente: 
(imagem)
R: Eletrônica e iônica.
Alguns materiais, como o zirconato de chumbo, ao serem submetidos a uma tensão mecânica ?, geram eletricidade, como mostrado na figura a seguir. Este tipo de material é utilizado como transdutor, ou seja, dispo sitivo que é capa z de converter ene rgia elétrica em deformações mecânicas e vice-versa.
(imagem)
R: São denominados de piezoelétricos. 
O titanato de bário, mostrado na figura a seguir, é um material que apresenta polarização espontânea a nível microestrutural, ou seja, mesmo na ausência de campos elétricos externos, este material apresenta dipolos elétricos. 
(imagem)
(CALLISTER, W ILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An In troduction, John W iley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Com relação a este tipo material, podemos afirmar: 
R: São denominados de ferroelétricos. 
Diversos materiais exibem a propriedade de manter a polarização elétrica a nível microsestrutural na ausência de campos elétricos externos, tais como o sal de Rochelle, o 
di-hidrogeno fosfato de potássio, o niobato de potássio entre outros. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Com relação a estes materiais, podemos afirmar:
R: São denominados ferroelétricos.
Considerando-se as propriedades elétricas e a simetria da rede cristalina da f igura a seguir. Pode-se dizer que a mesma pode pertencer a um material com que tipo de magnetização?
(Imagem)
 (CALLISTER, W ILLIAM D. Jr. Mate rials Science and Engineering - An Introduction, John W iley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
R: ferroelétrico. 
Indutores são dispositivos que se utilizam das propriedades das bobinas de fios condutores e que possuem a função de armazenar energia através de campo magnético. Com relação a este dispositivo, identifique a resposta INCORRETA.
R: Nos indutores de núcleo de ferro, não há corrente passando pela bobina, mas somente pelo núcleo de ferro.
As formas de comunicação sofreram recentem ente uma revolução com o desenvolvimento da tecnologia das fibras ó ticas. Enquanto os meios, outrora convencionais, se utilizam de sinais eletrônicos para a transmissão de informação, as fibras óticas se utilizam de sinais fotônicos, ou seja, fótons de radiações eletromagnéticas. Com relação a este meio de transmissão de dados (fibras óticas), representado na figura a seguir, podemos afirmar que:
(imagem)
R: A transmissão de fótons pelo núcleo da fibra ótica se deve a diferença do índice de refração entre o núcleo e casa da fibra.
A popularização dos aparelhos de televisão tornou premente a intensificação dos meios de transmissão com frequências moduladas em GHz, que deveriam então se estender por quilômetros. Para tanto, projetou-se o cabo coaxial mostrado na figura a seguir. Com relação a estrutura do mesmo, somente uma opção não está correta, assinale-a
(imagem)
R: O elemento (5) , interface entre os elementos (3) e (4) é uma cola condutora. 
Os diversos tipos de capacitores têm as seguintes características: I. Os capacitores de mica são encontrados com valores altos de capacitância. II. O capacitor de cerâmica suporta tensões elevadas até 3 kV. III. O capacitor eletrolítico de alumínio é utilizado em fontes de alimentação. IV. Os capacitores de polyester são capacitores caros que podem funcionar em altas frequências. V. O capacitor eletrolítico de alumínio é um capacitor de alta capacitância e não suporta tensões elevadas. Das afirmações acima podemos dizer que são verdadeiras as: 
R: e. As afirmações II, III e V.
Deseja-se construir um capacitor de 220 pF utilizando-se duas placas paralelas com área de 230 cm2 cada uma. O valor da constante dielétrica do material utilizado é 2,6. Determine o afastamento entre as placas para atender-se a esta especificação.
R: 2,4 mm 
Deseja-se construir um capacitor de 180 nF utilizando-se duas placas paralelas com 250 cm2 de área cada uma e espaçadas de 0,01 mm. Determine o valor da constante dielétrica do material a ser utilizado.
R: 8,14 
Georg Simon Ohm (1787 -1854) lecionou Física na Universidade de Munique e em 1827 e foi um dos pioneiros na investigação de propriedades dos resistores, o que lhe conferiu a imortalidade científica através da associação de seu nome, Ohm, a quantificação da característica resistividade de um material. Entre as informações referentes a um resisto r, não podemos afirmar que: (MEYER HERBERT W ., A History of Electricity and Magnetism . Conn ecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3) 
R: Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores. 
Indutores são componentes eletrônicos capazes de armazenar energia em um campo magnético. Para tanto, a característica magnética do núcleo do indutor é essencial na eficiência do dispositivo. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 21). Com relação a magnetização dos materiais, podemos os materiais em, com exceção de:
R: Materiais amagnéticos. 
A utilização de fibras óticas para a transferência de dados e a evolução da eletrônica representaram um salto tecnológico na indústria da informática, promovendo a democratização do acesso a internet e aos hardwares necessários. Considerando as figuras a seguir, podemos identificá-las como: 
R: (1) Fibra ótica e (2) Cabo Coaxial.
 Um material é denominado dia magnético quando apresenta uma forma muito fraca de magnetismo, que persiste somente durante a aplicação de um campo magnético externo, H. Do ponto de vista microestrutural, os materiais diamagnético s funcionam como ilustrado na figura a seguir. Na figura, percebe-se que o s dipolos magnéticos induzidos são contrários ao campo magnético
e de pouca intensidade. 
(imagem)
R: Paragmagnetismo é um tipo de magnetismo que ocorre em alguns materiais onde não há cancelamento total dos spin eletrônicos e dos momentos atômicos dispostos aleatoriamente. Ao se aplicar um campo magnético externo, há o ordenamento destes momentos magnéticos, aumentando a densidade do fluxo magnético no interior do material (ocorrendo a aproximação das linhas do fluxo magnético). Os materiais paramagnéticos apresentam permeabilidade magnética positiva. 
Considerando o elemento de transmissão de dados exposto a seguir, identifique -o e diga qual a função da parte assinalada por "3". (imagem)
R: Cabo coaxial. O elemento (3) é uma malha condutora metálica que blinda a transmissão de interferências eletromagnéticas.
Os semicondutores intrínsecos são aqueles que:
R: Possuem carga elétrica neutra 
Os resistores são componentes que possuem a função básica de conversão de energia elétrica em energia térmica na forma de calor. A resistência é o parâmetro que descreve o comportamento dos resistores, medido em Ohm (O). Com relação a estes componentes elétricos, é INCORRETO afirmar:
R: Os resistores são denominados de variáveis quando possuem uma variação desconhecida no valor da resistência durante a operação.
Sem realizar nenhum cálculo determine qual dos condutores abaixo deverá ter maior resistência, explicando como chegou à conclusão.?prata 20ºC = 1,645 x 10-6 ?.cm comprimento = 1 pé diâmetro = 1 mm???? cobre 2 0 ºC = 1,723 x 10-6 ??cm comprimento = 10 pés diâmetro = 10 mm ?alumínio 20ºC = 2,825 x 10-6 ??cm comprimento = 50 pés diâmetro = 50 mm1 ft (pé) = 30,24 cm
R: Resp. O condutor de prata terá maior resistência, pois quando o comprimento do condutor é aumentado em 10 vezes o diâmetro também é aumentado em 10 vezes o que faz a área aumentar em 100 vezes e então a resistência diminui em 10 vezes. Esta é a proporção entre o condutor de prata e o de cobre, mas o mesmo ocorre entre os condutores de cobre e de alumínio cuja proporção é de 5 vezes
Explique sucintamente o que é diamagnetismo.
R: Diamagnetismo: é uma forma muito fraca de magnetismo que persiste somente durante a aplicação de um campo magnético externo, H. Os dipolos magnéticos induzidos são contrários ao campo magnético e estritamente pequenos. A permeabilidade magnética é ligeiramente inferior a 1 e a susceptibilidade magnética é negativa.
A Agência Espacial Americana, NASA, responsável pela administração nacional da Aeronáutica e do Espaço, desenvolve pesquisas na área de Ciência dos Materiais. As condições severas do espaço sideral, como grandes amplitudes térmicas (diferença entre a temperatura máxima e mínina) e a exposição a radiação, exigem ligas metálicas de grande tenacidade, materiais cerâmicos com alta resistência a abrasão e polímeros de alta leveza e grande resistência mecânica. Para obter materiais com estas propriedades, muitas vezes são combinados elementos e substâncias com propriedades semicondutoras, condutoras e isolantes.Entre as opções a seguir, escolha aquela que contenha somente materiais semicondutores e isolantes.
R: Arseneto de Gálio, madeira e borracha
Devemos atentar para o fato de que resistividade elétrica e resistência elétrica são conceitos relacionados porém diferentes. O primeiro revela uma propriedade intensiva do material, não variando com a quantidade de massa e nem com a geometria do material em questão. Já a resistência elétrica de um material varia com a sua geometria e consequentemente com a quantidade do mesmo. Considerando o exposto, marque a opção CORRETA.
R: À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade pode ser considerada infinita.
A "Bell Telephone Laboratories" passou a dé cada de 1940 tentando criar dispositivos eletrônicos comutadores que fossem mais eficientes e baratos que as válvulas utilizadas. Finalmente, em 1947, dois de seus pesquisadores, Walter H. Brittain e John Bardeen tiveram sucesso na criação de um dispositivo amplificador a partir de uma placa de si lício imersa em solução salina; iniciava-se a era dos semicondutores. A modelagem física referente a estes materiais se desenvolveu bastante nos a nos seguintes, originando conceitos como condutividade intrínseca, cuja expressão podemos descrever como ????p | e | ?b ???n | e | ?e.Com relação aos termos presentes na expressão anterior, podemos identificá-los como nos i tens a seguir, com EXCEÇÂO de.
R: n - número de átomos por metro cúbico.
Ao projetarmos aparatos elétricos, devemos prever que existirão partes de ste equipamento em que a condução elétrica é essencial e outras partes nas quais a condução não só é desnecessária, mas altamente inconveniente devido ao perigo de choque elétrico. Para excluir ou minimizar as possibilidades de descargas elétricas deletérias a vida, utilizam-se materiais isolantes como os polímeros e os cerâmicos, que possuem algumas propriedades características, entre as quais só NÃO podemos citar:
R: Os cerâmicos são materiais capazes de absorver energia sem fragmentação fácil, apresentando baixa fragilidade.
A Engenharia d e Cabos p ara Rede Telefônica recomenda o uso da família CIT. Das alte rnativas abaixo qual aquela q ue está totalmente correta qu anto a especificação de um cabo CIT para os padrões dos modernos serviços?
R: Recomendado para instalações internas em centrais telefônica, edifícios comerciais, residenciais e industriais, ou aplicações que exijam segurança contra a propagação de fogo; • Fabricado com isolamento em termoplástico especial, este cabo apresenta características elétricas estáveis quando da variação de temperatura, conferindo ao produto ótimo rendimento na transmissão de sinais analógicos e digitais; • Certificado de homologação ANATEL 0582-02-0256; • Blindagem em fita de poliéster metalizada.
Com relação a facilidade d o transporte de carga elétrica, os mate riais são classificados em condutores, semicondutores ou isolantes, ou seja, todos possuem uma maior ou menor facilidade resistência a passagem de corrente elétrica. Esta propriedade é denominada resistência elétrica e é designada por R. Considerando um condutor cilíndrico com uma diferença de potencial aplicada em sua extremidade, pode-se enunciar que a resistência elétrica varia com o comprimento e com a área do objeto em questão. Considerando as idéias enunciadas anteriormente, assinale a opção que contém a expressão correta comumente utilizada no cálculo de parâmetros e variáveis elétricas de um material. 
 R: R=V/i
Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 ?.cm na forma de um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,5 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 mm2. 
R: 1,11 ohms 
Na temperatura de 25oC mediu-se o valor da resistência de um resistor e obteve-se 12,2 ?. O material do qual é feito o resistor apresenta um coeficiente de temperatura igual a 0,0042 oC-1. Determine o valor da nova resistência na temperatura de 60oC. 
R: 13,99 ohms 
A Física é a ciência que ¿olha o mun do¿ e tenta explicá -lo através d o método científico, cuja linguagem principal é a Matemática. Entre a s opções a seguir, marque aquela que m elhor d efine um conceito físico utilizado no entendimento das propriedades elétricas dos materiais. 
R: Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material.
Deseja-se construir
um resistor com resistência igual 125 m?. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 ?.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio. 
R: 5,33 cm
Considere as seguintes a firmações: 
I. Resistividade de um condutor é a resistência deste condutor na temperatura de 20º C 
II. Os materiais considerados isolantes têm um valor de condutividade grande. I
II. A condutividade é o inverso da resistividade. 
IV. A unidade da resistividade no SI é o ?/m. 
V. Resistividade é a resistência específica de um material. Das afirmações acima podemos dizer que são verdade iras as: 
 
R: As afirmações III e V 
Um campo elétrico aplicado a um material condutor, motiva os elétrons a se movimentarem d e forma ordenada, criando o que conhecemos como corrente elétrico. Contudo, este deslocamento não é ordenado e muito menos retilíneo, m as sim com os elétrons sofrendo espalhamento em imperfeições microscópicas e na própria rede cristalina do condutor. O conceito que melhor descreve este fenômeno é: 
R: Mobilidade elétrica.
Os metais apresentam em sua microestrutura uma periodicidade na disposição dos átomos que os classifica como materiais cristalinos. Contudo, esta organização a nível atômico tem suas falhas, o que influencia na velocidade de transporte dos eletros, ou seja, quanto maior o número de falha s na estrutura cristalina, maior a dificuldade de deslocamento dos elétrons. Para descrever a velocidade desenvolvida por est as partículas (elétrons livres), criou -se o conceito de velocidade de deslocamento ( drift velocity, em Inglês), dada por vd=E.?e, onde E é a intensidade do campo elétrico e ?e é a mobilidade elétrica do elétron. Sabendo-se que em um experimento, utilizou -se um campo elétrico igual a E=600V/m e condutor elétrico de alumínio cuja mobilidade elétrica é igual a ?e=0,0012m2/V.s, escolha a opção que melhor reflete o valor da velocidade de deslocamento dos elétrons. 
R: 0,72 m/s
Com o ad vento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a miniaturização dos componentes eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica denominado Microeletrônica. Com relação aos semicondutores, podemos afirmar : 
R: A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ de difícil execução denominadas dopagem.
A quantidade de buracos e elétrons em um semicondutor é uma função da temperatura a que este é submetido. Baseado no gráfico a seguir, no qual no eixo horizontal tem -se temperatura (oC e K) e no eixo vertical te m -se a condutividade elétrica (ohm.m ) -1, podem-se observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor intrínseco de Silício, denominado no gráfico de intrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013% (CALLISTER, W ILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
(imagem)
Baseado no gráfico, podemos afirmar que: 
R: A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco aumenta acentuadamente com o aumento da temperatura
Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As+5, em uma matriz de Silício, cuja valência é 4, Si+4, promovemos o surgimento de "buracos" na estrutura cristalina. Baseado nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste processo. 
R: P+5
Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta-se um pedaço de 1 m de fio, e elevando-se a temperatura do fio restante para 75 graus Celsius, verifica-se que a resistência ôhmica do mesmo é de 100 W. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material é de 4x10- 3 1/C , determine o comprimento inicial l do fio. 
R: 13,5 m
O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura. De que modo esta dependência é explicitada? 
R: Linear 
Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 10 7 S/m. 
R: 64 mV
A Itália também teve seu expoente científico n os primórdios d a pesquisa com eletricidade, seu nome era Luigi Galvani (1737 -1798). Embora atuasse na área hoje conhecida como biomédica, como professor de anatomia da Universidade de Bolonha, foi u m dos primeiros cientistas a relatar o efeito de correntes elétricas na musculatura de um ser vivo, quando acidentalmente durante a dissecação de um sapo o aproximou de um instrumento elétrico. Considerando o exposto, determine a opção que provavelmente só apresenta materiais isolantes elétricos. 
R: Isopor, madeira e cerâmica
Entre as diversas propriedades dos materiais elétricos, há duas que merecem especial relevância devido a aplicação das mesmas nos dispositivos elétricos do dia a dia: a ferroeletricidade e a piezoeletricidade. Com relação a estes dois tipos de propriedade, NÂO podemos afirmar: 
R: Os materiais piezoelétricos são aqueles que transformam luz em energia elétrica.
Capacitores ou condensadores são componentes eletrônicos que armazenam energia quando submetidos a um campo elétrico. Define -se, então, a grandeza denominada capacitância, dada por C=?0(A/l), onde A representa a área das placas, l a distância entre elas e ?o é a permissividade do vácuo. Considerando-se as informações anteriores, calcule o novo espaçamento que deve assumir as placas de um capacitor com ?r =2 e l=1mm quando for utilizado um dielétrico de ?r =4, considerando-se que a capacitância não deve ser alterada. 
R: 2mm
Algumas substâncias, com o o n iobato de potássio e o titanato de chumbo, são capazes de transformar deformações me cânicas em energia elétrica e também de realizar o contrário, transformar energia elétrica em d eformações mecânicas. E sta propriedade lhes garante aplicações em diversos utensíli os da vida moderna, tais como em microfones, em alarmes sonoros e em agulhas de toca discos (resgatadas a pouco tempo de uma quase obsolescência). (CALLISTER, W ILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John W iley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Com relação a este tipo de substância, podemos dizer que :
R: Geralmente possuem estruturas cristalinas complexas e com baixo grau de simetria. 
 Os Cabos Coaxiais se aplicam às características das linhas de transmissão voltadas ao mercado de telecomunicações, controle de processos industriais, automação predial e comercial, no que se refere a interligação dos vários equipamentos utilizados nestes sistemas se considerando os parâmetros que devem ser observados na aquisição dos mesmos visando a compra de produtos de qualidade. Das alternativas abaixo, qual aquela que se apresenta na forma totalmente correta quanto ao cabo coaxial? 
R: O termo cabo coaxial se refere a condutores de seção circular dispostos no mesmo eixo geométrico. São formados por um condutor interno geralmente de cobre nú ou aço cobreado, uma isolação de polietileno sólido
ou expandido, uma blindagem sobre esta isolação e finalmente a capa externa de polietileno ou PVC.
Considerando-se as propriedades elétricas e a simetria da rede cristalina da f igura a seguir. Pode-se dizer que a mesma pode pertencer a um material com que tipo de magnetização? 
(imagem)
(CALLISTER, W ILLIAM D. Jr. Mate rials Science and Engineering - An Introduction, Jo hn W iley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
R: ferroelétrico.
Determine a resistência de um condutor de cobre com seção reta circular, 32 metros de comprimento e raio de 
1,2 mm. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
R: 0,12 ?
Deseja-se construie um resistencia igual 12,5 m ohm. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm^2 e comprimento igual a 0,33 metros. determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
R: 1,44 x 10^-6 ohm . cm
Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua m icroestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabe lecido através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para d escreve r a velocidade desenvolvida por esta s partículas no condutor, criou -
R: v= E.ue																			
Em conjunto de materiais, pode -se co nsiderar p ara pequenas variações de temperatura, existe uma variação linear entre resistividade e temperatura ?=?0+?T, onde ?0 e ? ao constantes. Porém, para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode assumir a forma ?=?0+ ?T+?T2 , onde ?0 , b e ??são constantes. Que forma geométrica está associada a esta forma de variação? Justifique a
 sua resposta.
R: Parábola, pois segue o padrão y= ax2+bx+c, onde a, b e c são constantes.
Um capacitor é constituído por duas placas paralelas e alinhadas, cada uma com 560 cm 2 de área e afastadas de 0,01 mm por um dielétri co cuja constante dielétrica é igual a 1,6. Determine a capacitância deste dispositivo em nF. Despreze o efeito das bordas.
R: Gabarito: 79,2 nF
O Germânio foi um dos e lementos testados no início da microeletrônica para ser utilizado como semicondutor; p orém, o mesmo possui alguma s características diferentes com relação ao Silício; por e xemplo, é muito co mum em projetos de microcircuitos, utilizar como condutividade elétrica máxima para o Germânio o valor de 100 (ohm.m) -1. Considerando-se o exposto anteriormente e sa bendo -se que a condutividade elétrica do semicondutor de Germânio em f unção da temperatura é dada por ln ? = 14 - 4.000. T-1 aproximadamente, onde T é a temperatura de trabalho em Kelvin, m arque a opção correta abaixo
R: O componente poderá trabalhar a temperatura de 150oC, que corresponde a temperatura de 423K na escala Kelvin.
A Engenharia de Cabos para Rede Telefônica recomenda o uso da família CIT. Das alternativas abaixo qual aquela que está total mente correta quanto a especificação de um cabo CIT para os padrões dos modernos serviços?
R: Recomendado para instalações in ternas em centrais telefônica, edifícios comerciais , residenciais e industriais, ou aplicações que exijam segurança contra a propagação de fogo; • Fabricado com isolamento em termoplástico especial , este cabo apresenta características elétricas estáveis quando da variação de temperatura, conferindo ao produto ótimo rendimento na transmissão de sinais analógicos e digitais; • Certificado de homologação ANAT EL 0582- 02-0256; • Blindagem em fita de poliéster metalizada.
Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durente a década de 40, o transistor não só substitui os inteiramente novo................... Podemos afirmar:
R: A obtenção de um semicondutor extrinseco exige técnicas de insenção de impurezas de difícil execução denominadas dopagem.
Determine a variação da resistencia de um material condutor de L= 40 cm de comprimento resistividade p= 10 ohm m e área de seçãp reta do condutor A=1m^2, quando a área se dilata 0,003 m^2.
R: Gabarito:Temos que R=?.lA e (deltaR)/(deltaA) = - ( rho*l)/(A²) = - (10.0,4)/1 = - (4 Omega) /(m²).Como a variação é de 0,003 m², tem os que a variação da resistência foi de :-4(0,003) =0,012 O
Explique sucintamente as formas de magnetismo apresentadas pelos materiais.
R: Gabarito:Diamagnetismo: é uma forma muito fraca de magnetismo que persiste somente durante a aplicação de um campmagnético externo, H. Os di polos magnéticos induzidos são contrários ao campo magnético e estritamentpequenos. A permeabilidade magnética é ligeiramente inferior a 1 e a susceptibilidade magnética é negativa.Paragmagnetismo, por sua vez, é um tipo de magnetismo que ocorre em alguns materiais on de não hcancelamento total dos spin eletrônicos e dos momentos atômicos dispostos aleatoriamente. Ao se aplicar umcampo magnético externo, há o ordenamento destes momentos magnéticos, aumentando a densidade do fluxmagnético no interior do material (ocorrendo a aproximação das linhas do fluxo magnético). Os materiaparamagnéticos apresentam permeabilidade magnética positiva.Finalmente, o ferromagnetismo é o magnetismo que se ma nifesta em a lguns metais que possuem momentmagnético permanente na ausência de campos magnéticos externos, ou seja, existe um acoplamento de spins doátomos adjacentes gerando momento magnético resultante mesmo na ausência de campos magnéticos externoEste alinhamento de spins existe em um volume relativamente grande do material e é denominado de DOMÍNIO
Considere que você tenha c omprado um forno para tratamento térmico em metais e deseja instalá-lo. Sabendo que você não podalterar o comprimento do fio a ser utilizado, considere a opção mais adequada ao contexto descrito anteriormente
R: Deverá ser comprado o fio de maior área de seção reta, uma vez que este apresentará menor resistência apassagem de elétrons e, portanto, apresentará menor perda energia por Efeito Joule (geração de calor).
Para satisfazer a Taxa de Transmissão e Ocupação dos Pares, os projetos de Engenharia em Cabos Telefônicos internos e externos devem considerar os parâmetros elétricos e as condições físicas da rede. Das alternativas abaixo, assinale a única verdadeira.
R: Os parâmetros elétricos podem ser Resistência elétrica, Atenuação, Perda de Retorno, outros Sinais e Crosstalk Next/Fext 
O Silício é o elemento chave na indústria voltada a microeletrônica. Em substratos de Silício são montados m icrocircuitos com uma infinidade d e componentes, observáveis as vezes som ente em microscópios eletrônicos. En tre as opções a seguir, determine a que melhor representa somente conceitos corretos
R: Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas; já os semicondutores extrínsecos são aqueles que apresentam impurezas.
Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam -se semicondutores d e Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a e ste processo chamamos d e dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P +5, diz-se que esta inse rção p romove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem.
R: As^+5
Semicondutores modernos são constitu ídos de substratos de Silício nos quais são inseridos elementos
com valências diferentes do próprio Silício, criando -se as variações conhecidas como semicondutores do tipo -p e semicondutores do tipo -n. A e xpressão s = N ?e? µe + P ?e ? µh fornece a condutividade em f unção da ca rga d o elétron (1,6 x 10 -19 C), onde N e P são as densidades de cargas negativas e positivas po r volume (Número de cargas/m3) e de µe e µh , que são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos bu rac os (m2/V m), respectivamente. Considerando - se um semicondutor extrínseco de Silício, no qual a con centração de portadores de cargas po sitivas é muito maior que a concentração de portadores de cargas negativas, podemos simplificar a expressão anterior para 
R: s = P ?e? µh
Considerando o grafico a seguir, que mostra a relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor a quele pode ser denominado de ôhmico. Justifique a sua resposta
R: O condutor A é ôhm ico, pois a relaçã o entre V e i é lin ear. 
Explique sucintamente o que é diamagnetismo.
R: Diamagnetismo é uma forma muito fraca de magnetismo que persiste somente durente a aplicação de um magnetismo externo. H Os dipolos magnéticos induzidos são contrários oa campo e estriamente os. A permeabilidade magnética é ligeiramente inferior a 1 e a susceptibilidade magnética é negativa.
O Silício é o elem ento chave na indústria v oltada a m icroeletrônica. Em substratos de Silício sã o montados microcircuitos com uma infinidade de com ponentes, obs erváveis as ve zes somente em m icroscópios eletrônicos . Entre as opções a seg uir, determ ine a que melhor repr esenta soment e conceitos c orretos
R: Semicondutores intrí nsecos s ão aqueles que não p ossuem impurezas; já os semicondutores extrínsecos são aque les que aprese ntam im purezas.
Resistores são disp ositivos eletrônicos que dissipam energia na form a de calor e c ujas características seguem um padrão de cores determ inado na tabela a s eguir. (GUSSOW , Milton. Eletricidade básica. 2. ed. SÃO PAULO: Mak ron-Books , 1996).
R: Quanto menor a constante dielétrica do resistor maior sua capacidade de armazenar carga.
Os semicondutores intrínsecos são aqueles que
R: Possuem carga elétrica neutra
Dos co mponentes eletrônicos que sugiram entre 1940 e 1950, talvez o transistor seja o mais utilizado; consiste d e um componente microeletrônico fabricado com semicondutores intrínsecos e extrínsecos e utilizado na amplificação de sinais, substit uindo o seu precursor da era das válvulas, o triodo . Nos p rimeiros anos da década d e 50, os transistores eram fabricados com Silício, Gálio e Germânio, sendo este último abandonado em decorrência do melhor desempenho atingido com os transistores de Silício . Considerando que a mobilidade elétrica dos portadores de carga e a condutividade elétrica de um semicondutor estão relacionadas por ?=n.l e l. ?e, calcule a c ondutividade de um semicondutor de Silício dopado com 10 23 átomos por m3 de Fósforo, sabendo-se que l e l =1,6.10 -19C e .?e = 0,14m2/V.s
R: 2.240 (ohm.m)^-1
Sem reali zar nenhum cálculo determin e qual dos condu tores abaixo deverá ter mai or resistênci a, expli cando como chegou à concl usão. ? prata 20ºC = 1,64 5 x 10-6 ?.cm co mprimento = 1 p é diâmetro = 1 mm ??cobre20ºC= 1,723x 10 -6??cmcomprimento = 10 pés d iâmetro = 1 0 mm ?alumínio20ºC= 2,825 x 10-6??cm comprimento= 50 p és diâmetro = 50 mm 1 ft (pé) = 30,2 4 cm
R: Gabarito: Resp. O condutor de p rata terá maior resistênci a, pois quando o compriment o do condutor é aumentado em 10 vezes o diâmetr o também é aumentado em 10 vezes o que faz a área aumentar em 100 vezes e então a resistên cia diminui em 10 vezes. Esta é a proporção entre o condutor d e prata e o de cobre, mas o mesmo ocorre entre os condu tores de cobre e de alumíni o cuja proporção é de 5 vezes. 
O século XX foi marcado por inúmeros avanços tecnológicos, entre os quais os advento dos semicondutores extrínsecos, essenciais n a fabricação d e microcomponentes eletrônicos. Uma d as técnicas de produção desses semicondutores é a el etro inserção de átomos de valências difer entes de +4 na matriz do Silício. Considerando a exposição anterior, PODEMOS afirmar que.
R: a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
Assinale a alternativa que contém apenas resistores ajustáveis
R: Trimpot, potenciômetro
O resistor de aquecimento de um forno é constituído por um fio de 2m de comprimento e 1mm2 de seção. Quando ligado a uma tensão de 220V dissipa uma potência de 4,4 kW. A resistividade do material do fio em Ohmxm. é de:
R: 5,5 x 10-6
Deseja-se construir um capacitor de 120 pF utilizando-se duas placas paralelas espaçadas de 0,1 mm. O valor da constante dielétrica do material utilizado é 2,26. Determine a área de cada uma das placas a serem utilizadas.
R: 6,01 cm^2
Além da forma vibracional que se propaga através da rede cristalina interligada, o calor pode também se manifestar através da vibração de elétrons. Isto ocorre, contudo, somente em relação aos elétrons livres e não relação aos e letros da banda de valência, uma vez que estes últimos encontram -se fortem ente ligados aos átomos. Esta vibração dos elétrons (também é uma forma ca lor) contribu i de maneira menos significativa para o aumento da capacidade térmica, mas pode alte rar a corrente e létrica prod uzida por u ma diferença de potencial, tornando a condução mais difícil. Com relação a produção de calor, selecione a opção corre ta: 
R: A presença de defeitos na rede atômica que compõe o material colabora para a produção de calor
Entre as diversas propriedades f ísicas associad as ao comportamento elétrico d e um 
material, existe a resistividade, que é uma propriedade física intensiva, ou seja, não depende da geometria e nem da quantidade de massa apresentada pelo mate rial. Matematicamente, a resistividade, ?, está relacionada a resistência R d o mate rial através da relação ?? = R.A/l, onde A é a área da seção reta e l é o comprimento do material condutor, como ilustrado na figura a seguir.
R: 12R
Deseja-se co?struir u? resistor co? resist??cia igual ?,?5 ??. Para isso será utilizado u? co?dutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado. 
R: 4,75 x 10-6 ?.c?
Deseja-se construir um capacitor de 120 pF utilizando-se duas placas paralelas espaçadas de 0,1 mm. O 
valor da constante dielétrica do material utilizado é 2,26. Determine a área de cada uma das placas a serem 
utilizadas.
Capacitores são dispositivos capazes de armazenar energia elétrica através do acúmulo de cargas elétricas em, p or ex emplo, placas paralelas. A capacitância de um capacit or desse tipo é dada por C =?o A/l, onde A representa a área das placas, l a distância entre elas e ?o= 9. 10-12 C2N-1m-2 é a permissividade do vácuo. Considerando um capacitor de placas quadradas e paralelas, cuja distância entre as mesmas é igual ao trip lo do lado das placas, que por sua vez é igual a 50mm, obtenha a capacitância do capacitor
R: 0,15 pF
Um capacitor é constituído por duas placas paralelas com 120 cm2 de área cada uma, espaçadas de 0,01 mm por um material cuja constante dielétrica é igual a 2,26. Determine o valor da capacitância assim obtida.
R: 24 nF
Deseja-se construir um capacitor de 12 nF utilizando-se duas placas paralelas espaçadas de 0,2 mm. O valor da constante dielétrica do material utilizado é 2,26. Determine a área de cada uma das placas a serem utilizadas.
R: d) ?r = 3,2.
 A resistência de um m aterial é uma propriedade f ísica que depende da geometria e da quantidade em que o material se encontra. Matematicamente, a resistência, R, está relacionada a resistividade ? do mate rial através da relaç ão R = ?? l ??A, onde A é a área da seção reta e l é o comprimento do material condutor, como ilustrado na figura a seguir.
(imagem)
Considerando-se que houve necessidade de estirar (esticar) o condutor, o que duplicou o se u comprimento e reduziu a metade a sua á rea, assinale entre as respostas a seguir aquela que melhor representa a nova resistência do condutor em função da resistência anterior R
R: 4R
Os cabos telefônicos atualm ente devem atende r necessidades que permitem tran smitir altataxas de informaçõ es pelos pare s metálicos usados na r ede de telefonia, daí a s inovaçõe s daespecifica ções e m rece ntes projetos dos f abricaantes destes cabos. Para o atendimento aoserviços d e voz e banda la rga, assina le a laternativa co rreta.
R: O sinal analó gico composto p ara transmitir dados deve es tar em uma fa ixa de frequê nciade 40kHz a 1, 1MHz
 
Um pedaço d e fio d e alumínio tem resistência de 2 ?? Se p edaço de fio de cobre tem a mesm as dimensõe s do fio dalumínio, qual será sua resistênci a??alunínio = 2,8 25 x 10 -6 ??c m à 20 ºC?cobre = 1,723 x 10 -6 ??cm à 20 ºC
R: R = 1,22 ?
Um momento d e dipolo é um vetor que está di recionado da carga negativa para a carga posi tiva, como mostra a fig ura a seguir. Na presença de um ca mp o el étrico E, o dipolo se orienta e m re lação ao campo a plicado.
R: Polarização. 
Alumínio, Al, na rede cristalina do Silício ; a este processo chamamos de dopagem. Como o Al umíni o po ssui valência igu al a 3, Al +3, di z-se que esta inserção promove o sur gimen to de b uracos. Baseado nestas i nformações, escol ha a opção que apresenta um el e mento que poderia substituir o Alumínio no processo de dopagem.
R: B^+3
Considere que você tenha comprado um forno para tratamento térmico em metais e deseja instalá-lo. Sabendo que você não pode alterar o comprimento do f io a ser utilizado, considere a opção mais adequada ao contexto descrito anteriormente.
R: Deverá ser comprado o fio de maior área de seção reta, uma vez que este apresentará menor resistência a passagem de elétrons e, portanto, apresentará menor perda energia por Efeito Joule (geração de calor).
Um campo elétrico aplicado a um material condutor, motiva os elétrons a se movimentarem de forma ordenada, criando o que conhecemos como corrente elétrico. Contudo, este deslocamento não é ordenado e muito menos retilíneo, mas sim com os e létrons sofrendo espalhamento em i mperfeições microscópicas e n a própria rede cristalina do condutor. O conceito que melhor descreve este fenômeno é:
R: Mobilidade elétrica.