Projeto de fontes chaveadas UF SC

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Projeto de Fontes Chaveadas
Universidade Federal de Santa CatarinaUniversidade Federal de Santa Catarina
Departamento de Engenharia ElétricaDepartamento de Engenharia Elétrica
Instituto de Eletrônica de PotênciaInstituto de Eletrônica de Potência
Prof. AlexandreProf. Alexandre FerrariFerrari de Souza, Dr.de Souza, Dr.
ProgramaPrograma
1a Semana:
• Introdução
• Capítulo I – Retificador e Filtro de Entrada
• Capítulo II – Fontes Chaveadas do Tipo Flyback
• Capítulo III – Fontes Chaveadas do Tipo Forward
• Capítulo IV – Fontes Chaveadas do Tipo Half-Bridge, Full Bridge e 
Push-Pull
• Capítulo V – Transistores de Potência
ProgramaPrograma
2a Semana:
• Capítulo VI – Circuitos de Comando para Transistores de Potência
• Capítulo VII – Circuitos de Comando para Fontes Chaveadas
• Capítulo VIII – Resposta Transitória e Estabilidade
• Capítulo IX – Interferência Eletromagnética em Fontes Chaveadas
• Capítulo X – Considerações de Projeto
Introdução a FontesIntrodução a Fontes ChaveadasChaveadas
Fonte de
Alimentação
Rede CA
- Computadores e microcomputadores;
- Periféricos (impressoras, terminais, ...);
CC
- Telecomunicações;
- Equipamentos médicos e militares;
- Aviões e satélites;
- Fontes de alimentação para circuitos de
comando de conversores.
Fonte de Alimentação: - Linear
- Chaveada
Introdução a FontesIntrodução a Fontes ChaveadasChaveadas
Fonte Linear: Transformador de baixa freqüência, ponte retificadora, 
filtro capacitivo e regulador linear série.
• Elevada robustez e confiabilidade. 
• Baixo custo.
• Simplicidade de projeto e operação.
• Elevado peso e volume.
• Baixo rendimento (reguladores lineares).
• Limitação na regulação.
• Geração de componentes harmônicas na corrente de entrada, 
resultando um baixo fator de potência.
• Atualmente limitam-se à aplicações de baixa potência (simplicidade 
e baixo custo).
• Início do desenvolvimento: década de 60 em programas 
espaciais.
• Avanço da microeletrônica e a necessidade de compactação dos 
equipamentos aliado a baixo consumo difundiu o uso das fontes
chaveadas.
• Substituiu as Fontes Lineares.
Introdução a Fontes Chaveadas
Fontes Chaveadas : Utilizam interruptores de potência na região de saturação 
(chave com estados aberto e fechado).
Introdução a Fontes Chaveadas
• Características das Fontes Chaveadas:
- Maior rendimento; !
- Elevada densidade de potência: menor volume e peso; !
- Grande capacidade de regulação; !
- Possibilidade de operar com fator de potência unitário; !
- Menos robusta e resposta transitória lenta; "
- Ondulação na tensão de saída; "
- Interferência radioelétrica e eletromagnética; "
- Maior número de componentes; "
- Componentes mais sofisticados. "
Introdução a Fontes Chaveadas
• Esforços dos pesquisadores para diminuir as desvantagens das Fontes Chaveadas:
- Nível teórico (topologias, comutação, controle, modulação, ...);
- Otimização dos projetos;
- Fabricantes de componentes (circuitos integrados dedicados, semicondutores, ...).
• Avanço dos semicondutores:
- Década de 70: Transistor Bipolar com freqüências de até 20kHz;
- Década de 80: MOSFET (baixa potência) e diodo ultra-rápido com freqüências de até 
100kHz;
- Recentemente: Fontes com comutação suave podendo operar na faixa dos MHz, 
rendimento próximo a 90%, e pouco ruído radioelétrico.
Introdução a Fontes Chaveadas
• Configuração usual de uma Fonte Chaveada:
Filtro de 
Rádio Freqüência
- Retificador
- Filtro
- Proteções
Interruptor
IGBT/ MOSFET
Transformador de
Isolamento
- Retificadores
- Filtros
Circuitos de
Controle
- Comando
- Proteção
- Fonte Auxiliar
Rede AC
Introdução a Fontes Chaveadas
• Desenvolvimento de uma Fonte Chaveada:
- Técnicas p/ redução da interferência eletromagnética gerada;
- Métodos p/ a correção do fator de potência;
- Conversores CC-CC;
- Teoria de controle e modelagem de conversores estáticos;
- Projeto de indutores e transformadores de alta freqüência;
- Semicondutores de potência e circuitos integrados dedicados;
- Projeto térmico;
- Circuitos de comando e proteção;
- Simulação de conversores estáticos.
Introdução a Fontes Chaveadas
• Etapas de Projeto
1. Especificar: - Tensão de entrada e saída;
- Freqüência da rede;
- Tensões nominais, máxima e mínima da rede;
- Ondulação de 120Hz na saída;
- Ondulação da saída na freqüência de comutação;
- Hold-Up time;
- Temperatura ambiente;
- Proteções exigidas;
- Rendimento;
- Regulação de carga;
- Regulação de linha;
- Resposta transitória;
- Tensão de isolamento;
- Nível de interferência radioelétrica e eletromagnética;
- Normas aplicáveis (IEC 61000-3-2, CISPR 22, IEC950).
Introdução a Fontes Chaveadas
• Etapas de Projeto
2. Definir: - Topologia do conversor;
- Freqüência de comutação;
- Interruptor principal (IGBT, MOSFET, etc.);
- Isolamento (transformador de comando de base/gatilho, 
isolador ótico ou sensor hall no laço de realimentação);
3. Cálculo de Estágio de Entrada: - Retificador;
- Capacitor de filtragem;
- Limitação de corrente de pré-carga do
capacitor de filtragem.
4. Projeto do Conversor
5. Cálculo do Transformador de Isolamento de Alta Freqüência
6. Cálculo de Estágio de Saída
Introdução a Fontes Chaveadas
• Etapas de Projeto
7. Circuito de comando de base ou gate
8. Projeto do circuito de compensação (estabilidade e resposta transitória)
9. Escolha do CI-PWM e cálculo dos componentes externos
10. Projeto dos circuitos de proteção
11. Cálculo da fonte auxiliar
12. Cálculo do filtro de rádio freqüência
Introdução a Fontes Chaveadas
1. Retificadores não Controlados (baixo FP)
1.1 Monofásico
i
vC
2i
1C
Conversor
110VS
220V
2 1
2
D
vAC
1D
3D D4 2C
VCmin
ππππ 2π2π2π2π0
Vpk
t t1 2
i Ip
vC
tc
tωωωω
tωωωω
3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 2931 333537 394143 4547 49 51
0.0%
9.2%
18.5%
27.7%
37.0%
46.2%
55.5%
64.7%
74.0%
83.2%
92.5%
TDH = 148%
Desl. = 1,48o
FP = 0,553
Introdução a Fontes Chaveadas
1. Retificadores não Controlados (baixo FP)
1.2 Trifásico
-
D2D1
D6
V1
V2
D3
V3
D4 D5
C RVC
+
_
VC
i1
V1
π tω
Introdução a Fontes Chaveadas
2. Retificadores Controlados (FP elevado)
2.1 Monofásicos: BOOST, BUCK, ...
Vs
CONVERSOR carga
controle
retificador
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
Retificador Monofásico com Filtro Capacitivo
i
vC
2i
1C
Conversor
110VS
220V
2 1
2
D
vAC
1D
3D D4 2C
•• Operação em Operação em 220 V e 110 V (220 V e 110 V (dobrador dobrador de de tensãotensão))
C
C C
C C
=
+
1 2
1 2
••220 V220 V
( )2minC2pkin VVC212W −= W Pfin in=
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
V V f tC pk cmin cos( )= 2π
VCmin
π 2π0
Vpk
t t1 2
i Ip
vC
t c
tω
tω
( )
f2
VVcosarc
t pkminCc
π
=
ttcc = intervalo de condu= intervalo de conduçãção dos diodos ou tempo de recarga de C (equivalente)o dos diodos ou tempo de recarga de C (equivalente)
•• Carga transferida para CCarga transferida para C
VCtIQ cp ∆==∆
c
Cpk
c
p t
VVC
t
VCI
)(. min−
=
∆
=
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
C V V
P
fpk C
in( )min2 2− = C
P
f V V
in
pk C
=
−( )min2 2
Seja Seja 
IIC1efC1ef -- valor eficaz da componente alternada da corrente ivalor eficaz da componente alternada da corrente i
IImedmed -- valor mvalor méédio da corrente idio da corrente i
IIefef --valor eficaz da corrente ivalor eficaz da corrente i
2
1
22
efCmedef III += 221 medefefC III −= I I
t
Tmed p
c
=
2
TtII cpef
2
=
2
22
1
22 


−=
T
tI
T
tII cpcpefC 21 )2(2 ftftII ccpefC −=
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
••EstEstáágio de entrada gio de entrada éé ligado ao conversor CCligado ao conversor CC--CC operando em alta CC operando em alta 
freqfreqüêüênciancia
2pkI
T
T
i
ωt
on
2
s
DVIP Cpkin min2=
D
T
T
on
=
DV
PI
C
in
pk
min
2 =
Onde:Onde:
Para Para DDmaxmax=0,5=0,5
min
2
2
C
in
pk V
PI =
min
2
2 2 C
inpk
ef V
PII == P
P
in
out
= η
Logo:Logo: 2
1
2
2 efCefC III ef +=
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
••Grandezas ElGrandezas Eléétricas nos Diodos das Pontes Retificadorastricas nos Diodos das Pontes Retificadoras
I
P
VDmed
in
C
=
2 min
I I
t
TDef p
c
=
pkD VV =max
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
••Exemplo NumExemplo Numééricorico
VVACAC = 117V ; = 117V ; VVACminACmin = 99V ; = 99V ; VVACmaxACmax = 135V= 135V
f = 60Hz ; f = 60Hz ; VVCminCmin = 100V ; = 100V ; ηηηηηηηη = 0,7 ; = 0,7 ; PPoutout = 70W= 70W
P
P
Win
out
= = =η
70
0 7
100
,
C
P
f V V
in
pk C
=
−( )min2 2
V V Vpk AC= = ⋅ =2 2 99 140min
a)a)
b)b)
VVpk 135=
∆V V V Vpk C= − = − =min 135 100 35
C F=
⋅ −
≅
100
60 135 100
2032 2( )
µ
FCC µ40621 ==
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
c)c)
d)d)
( ) ( )
t
arc V V
f
arc
msc
C pk
= =
⋅ ⋅
=
cos cos
,
min
2
100 135
2 60
1 954
π π
I
C V
t
Ap
c
= =
⋅ ⋅
⋅
=
−
−
∆ 203 10 35
1 954 10
3 64
6
3,
,
e)e) 2 2 1 954 10 60 0,23453t fc = ⋅ ⋅ ⋅ =
−,
AftftII ccpefC 54,12345,02345,064,3)2(2
22
1 =−⋅=−=
f)f) A1
100
100
V
PI
minC
in
ef2 =≅=
AIII efCefCef 84,154,11
222
1
2
2 =+=+=g)g)
h)h) I I
t
T
ADef p
c
= = ⋅
⋅
⋅
=
−
−
3 64
1 954 10
16 666 10
1 25
3
3,
,
,
,
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
i)i)
j)j)
k)k)
I
P
V
ADmed
in
C
= =
⋅
=
2
100
2 100
0 5
min
,
V V V VD pk ACmax max max= = = ⋅ ≅2 2 135 191
I I ADp p= = 3 64,
UFA !!UFA !!
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
••SimulaSimulaçãção Numo Numééricarica
R
Ri
vC
iC2D
i
1D
vAC
3D 4D
C
v t sen tAC( ) ( )= ⋅2 99 377
C = 203C = 203µµFF
R = 100R = 100ΩΩ
140V
130V
120V
110V
100V
v C
t
Vpk
VCmin
VVpkpk ≅≅≅≅≅≅≅≅ 140V140V
VVCminCmin ≅≅≅≅≅≅≅≅ 102V102V
ttcc = 2,1ms= 2,1ms
IIpicopico ≅≅≅≅≅≅≅≅ 8,0A8,0A
IImedmed ≅≅≅≅≅≅≅≅ 1,0A1,0A
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
••CorrenteCorrente CapacitorCapacitor + Carga+ Carga
��
��
��
��
��
��
��
��
10A
8A
6A
4A
2A
0A
-2A
i
t
Q∆
tc
1,4A
1,3A
1,2A
1,1A
1,0A
iR
t
••Corrente de CargaCorrente de Carga
10A
8A
6A
4A
2A
0A
-2A
iC
t
••Corrente noCorrente no CapacitorCapacitor
10A
5A
0A
-5A
-10A
i
t
vAC
••Corrente de EntradaCorrente de Entrada
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
•••••••• VVCminCmin, , VVpkpk, , ttcc, , ∆∆∆∆∆∆∆∆Q e Q e IImedmed possuem praticamente os mesmos valores;possuem praticamente os mesmos valores;
ppico II 2≅••••••••
••AnAnáálise Detalhadalise Detalhada
θ θ θ123
π
2
π 3π
2
Vpk
VCmín
iCα β γ
π
V1
VC
ωt
S1
S2S3
( ) θ⋅=θ senVV pkC
( ) ( )
θ
θ
⋅ω=θ
d
dV
Ci CC
( ) θω=θ cosCVi pkC
( ) ( )2R2C ii θ=θ
( ) 2pk2R senR
V
i θ−=θ
2
pk
2pk senR
V
cosCV θ−=θ⋅ω RCtg 2 ω−=θ ( )RCtg ωπθ 12 −−=
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
••AnAnáálise Detalhadalise Detalhada
θ θ θ123
π
2
π 3π
2
Vpk
VCmín
iCα β γ
π
V1
VC
ωt
S1
S2S3
( )π−θ= 1pkminC senVV
( )
pk
minC
1 V
V
sen =π−θ




+π=θ −
pk
minC1
1 V
V
sen
12
3 θ−π=α 22
π
−θ=β
π=γ+β+α321 SSS +=
( )∫ θ⋅θ=
π
α−
π
diS C
2
2
1
( )α−ω= cos1CVS pk1
( )∫ ⋅=
−
θθ
θθ
ο
d
R
VS C
21
2
( ) ( ) RCpkC ecosVV ω
θ
−β=θ



−
β⋅⋅ω
=
ω
θ−θ
−
RCpk
2
21
e1
R
cosVRC
S
( )
2
i
S 2C3
β⋅θ
=
R2
cosV
S pk3
β⋅⋅β
=
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
••AnAnáálise Detalhadalise Detalhada
θ θ θ123
π
2
π 3π
2
Vpk
VCmín
iCα β γ
π
V1
VC
ωt
S1
S2S3 321 SSS +=
0.2 0.28 0.36 0.44 0.52 0.6 0.68 0.76 0.84 0.92 1
0
8
16
24
32
40
48
56
64
72
80
RC
VCmin p/ V
ω
k
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
••AnAnáálise Detalhadalise Detalhada
θ θ θ123
π
2
π 3π
2
Vpk
VCmín
iCα β γ
π
V1
VC
ωt
S1
S2S3 321 SSS +=
0 10 20 30 40 50 60 70
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
3.6
4
I CefR
V pk
ω R C
.
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
•• DobradorDobrador de de TensãoTensão (110 V)(110 V)
i +
Conversor
vC1
-
+
vC2
-
1C2D
vAC
1D
3D D4 2C
+
vC
-
+ _
i +
Conversor
vC1
-
+
C2
-
1C2D
vAC
1D
3D D4 2C
+
vC
-v
+_
π 2π0
VC2
vC1
tω
pk
VC2min
vC2VC1pk
VC1min
tω
VCpk
VCmin
Cv
vAC
2
VV
VV pkmin
min
2C2C
1CminC
+
+=
minmin 2C1C VV = pkpk 2C1C VV =
3
VV2
V pk
min
1CminC
1C
−
= )( 21
2
1
21
minCC
in
VVf
PCC
pk
−
==
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
•• DobradorDobrador de de TensãoTensão (110 V)(110 V)
)tf2(cosVV c1C1C pkmin π=
( )
f2
VVcosarc
t pkmin 1C1Cc
π
=
c
1C1C1
c
11
1p t
)VV(C
t
VCI minpk
−
=
∆
=
ftII c1p1med =
T
t
IdtI
T
1I c21p
t
0
2
1p
2
1ef
c
== ∫
IIef1ef1 = valor eficaz da corrente i= valor eficaz da corrente i
ftII c1p1ef =
IICef1Cef1 = valor eficaz da corrente (alternada) em um= valor eficaz da corrente (alternada) em um capacitorcapacitor
2
1med
2
1efC III ef1 −=
2
cc1pC )ft(ftII ef1 −=
2
ef2
2
1CiefCef III +=
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
•• DobradorDobrador de de TensãoTensão (110 V) (110 V) -- ProjetoProjeto
VVACAC = 117V ; = 117V ; VVACminACmin = 99V ; = 99V ; VVACmaxACmax = 135V= 135V
f = 60Hz ; f = 60Hz ; VVCminCmin = 100V ; = 100V ; ηηηηηηηη = 0,7 ; = 0,7 ; PPoutout = 70W= 70W
a)a) V140992V
minpk1C =⋅=
V135V
minpk1C =
V33,88
3
1352002
3
VV2
V pk
min
1CminC
1C =
−⋅
=
−
=
J667,1
60
100
f
P
W inin ===b)b) F16033,88135
667,1
)VV(f
PCC 222
1C
2
1C
in
21
minpk
µ≅
−
=
−
==
F80C µ≅
( ) ( ) ms275,2
602
13533,88cosarc
f2
VVcosarc
t pkmin
1C1C
c =
⋅π⋅
=
π
=c)c)
d)d) A28,3
10275,2
)33,88135(10160
t
)VV(C
I 3
6
c
1C1C1
1p
minpk
=
⋅
−⋅
=
−
=
−
−
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
•• DobradorDobrador de de TensãoTensão (110 V) (110 V) -- ProjetoProjeto
e)e)
f)f)
g)g)
h)h)
1365,06010275,2ft 3c =⋅⋅=
−
A126,1)1365,0(1365,028,3)ft(ftII 22cc1pC ef1 =−⋅=−=
A5,0
200
100
V
P
I
minC
in
ef2 ===
A23,15,0126,1III 222ef2
2
ef1CCef =+=+=
V38213522V22V maxCAmaxDp ≅⋅⋅==
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
•• Resultados ExperimentaisResultados Experimentais
100V/100V/divdiv e 500mA/e 500mA/divdiv
Tensão Tensão e e Corrente Corrente de de EntradaEntrada Transitório Transitório de de PartidaPartida
100V/100V/divdive 10 A/e 10 A/divdiv
100V/100V/divdiv e 5 A/e 5 A/divdiv -- com resistor de 22 com resistor de 22 ΩΩΩΩΩΩΩΩ em sem séérierie..
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
••ProteProteçãção de Ino de In--rushrush
S
R1
Rii
vC
iC
- +vAC
C Carga
I
V
Rp
pk
<
1
ττττττττ = 25ms = 25ms 
ττττττττ11 = R= R11 C = 10C = 10⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅10001000⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅1010--66 = 10ms= 10ms
ττττττττ = 3= 3ττττττττ11 = 3R= 3R11CC
CRA ..15.5 1≅= τ
0ms 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms
100A
50A
0A
400V
200V
0V
vC
i C
R = 2R = 2ΩΩΩΩΩΩΩΩ
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro 
de Entrada
••Circuito de disparo para um TriacCircuito de disparo para um Triac
R1
NT
+
C
-ACv
T D
Cv
Capítulo II - Fontes Chaveadas do Tipo 
FLYBACK
S
D
R
L
+
-
Vin
Vce
C
+ -
+
-
iL L
is
Vout
+
-
+
-
1
P
R
+
-
Vin
P
i
C
V
N
CE D
RT
SN
+ -
T Vout
Di
Ci
1
1 +
-
+
-
BUCK-BOOST
FLYBACK
Funções do Transformador: - isolamento entre a fonte e a carga
- acumulação de energia quando T está fechada
- adaptar a tensão necessária no secundário
Capítulo II - Fontes Chaveadas do Tipo 
FLYBACK
• Conversor CC-CC do Tipo Buck-Boost
VL
VCE
iD
is
( Vin+Vout )
( Vin )
T
T1 T2
To
( Vin )
( Ip )
 iL
( Vout )
S
D
R
L
+
-
Vin
Vce
C
+ -
+
-
iL L
is
Vout
+
-
+
-
1
S
D
R
L
+
-
Vin
Vce
C
+ -
+
-
iL L
is
Vout
+
-
+
-
1
1a Etapa
2a Etapa
Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Básicas para Condução Descontínua: 
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento 
a) Corrente de Pico na entrada
dt
diLVL =
T D 
L
VI inp =
 
T
TD 1=
 D 
Lf
VI inp .
=
 D 
Lf
VI maxinp .max
=
VL
VCE
iD
i s
( Vin+Vout )
( Vin )
T
T1 T2
To
( Vin )
( Ip )
 iL
( Vout )
 450D max ,=
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
b) Tensão de Carga
T2
TI
VIVP 1pinmd1in1
.
.. ==
L
2
out
2
2
1
2
in
1 R
VP
TL2
TVP ===
..
.
L2
fRTV
TL2
TVRV L1in
2
1
2
inL
out .
...
..
..
==
L2
fRDV
L2
fR
f
DVV LinLinout .
...
.
... ==
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
c) Indutor
fIL
2
1PPP 2poutLin ...=== η
22
22
inout
Lf
DVfL
2
1P
.
.... max=
η
fP
DV
2
1L
out
22
in
.
... max η=
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Conversor CC-CC do Tipo Flyback 
Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Básicas para Condução Descontínua: 
P
R
+
Vin P
i
C
V
L
CE D
SV
+ -
T Vout
+-
- +
-
Ti
L
1
P
R
+
-
Vin V
C
VCE D
SL
+ -
T Vout
Di
CV
-
+
Si L
+
-
1
VP
VCE
iP
( Vin )
( Vin )
Ip 
 Vout .
ToT1
T2
NP
NS
 Vin .
NS
NP
( Vout )
VS
( Vin+Vout ) .
NP
NS
( Vin )
iT=
iS iD= I .
NP
NS
P
T1
T1 To
To
1a Etapa
2a Etapa
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Conversor CC-CC do Tipo Flyback 
Flyback com Múltiplas Saídas 
T
+
-
Vin
N
S1
D1
C1
L1R
D2
P S2
C2
L2R
D3
S3
C3
L3R
N
N
N
V2
V1
V3
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Conversor CC-CC do Tipo Flyback 
Características gerais: - baixo custo
- saídas múltiplas
- aceita grande variação da resistência de carga
- isolamento entre a entrada e a saída
- boa regulação cruzada
- dispensa indutor de filtragem
- permite uso de diodos lentos na saída (cond. desc.)
- resposta rápida
- fácil de ser estabilizada
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento 
a) Corrente de Pico no Primário
T1=DT T2
T
Ip
iL
VL
Vin
-Vo
t
t
dt
diLVL =
T D 
L
VI inp =
maxin
out
p D V
P 2I
η
=
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento 
b) Tensão na Carga Vin
Ip
T1
Ts
t∫ ==
T1
0
s
1p
1
p
s T 2
T I
dt 
T
t I 
T
I md
1
1
s
1in
md1in T L 
T VI VP
2
22
1 ==
L
out
o R
VP P
2
1 ==η s
L
inout f L 2
 R D VV η=
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento 
c) Cálculo da Indutância
η
==
∆
∆
==
out
spL
Pf I L 
t
w
dt
dwP 2
2
1
sout
2
max
2
in
f P
 D V 
2
1L η=
d) Razão Cíclica Crítica
( )inout
inout
crit
VV1
VVD
+
=
� para DCM D ≤≤≤≤ Dcrit
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento 
e) Esforços nos Semicondutores




−
+=+=−=
max
max
inoinDce D
D VVVVV
1
1
out
2
in
mdD VL f 
D VI
2
2
=
3
1
2 3
in
T
0
1
p
Tef
D 
L f
Vdt t 
T
I
 
T
I =



= ∫
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
RV
C
LC Vo
+
-
RV
C
LC Vo
+
-
I o
iS
• Equacionamento 
f) Capacitor de Saída
dt
dV Ci cc =
cs
maxo
V f
D IC
∆
=
s
c
SE I
VR ∆<
2
22
2 



−=−=
s
os
s
o
sosefC T 
T I
T 3
T IIII ef
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
�����
�����
�����
A
A
e
w
δ 
2
swp
4
out
we f B J k k
10 P , AA
∆
=
11
• Equacionamento 
g) Transformador
Kp - fator de utilização do primário (0,5)
kw - fator de utilização da área do enrolamento (0,4 )
J - densidade de corrente ( 250 - 400A/cm2)
∆∆∆∆B - variação de fluxo eletromagnético (0,2-0,3T)
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento 
g) Transformador
e
o
 AB
W 
2
2
∆
∆µ
=δ
δδδδ - entreferro (metros)
µµµµo - 4ππππ 10-7
Ae - área da secção transversal do núcleo (metros2)
∆∆∆∆W - energia (joule)
∆∆∆∆B - variação de fluxo eletromagnético (0,2-0,3T)
p
p I ,
 BN
π
δ∆
=
40
Np - número de espiras do primário
δδδδ - entreferro (centímetros)
∆∆∆∆B - variação de fluxo eletromagnético (Gauss=104T)
( ) ( )
nom
nom
in
Fnout
psn D
D-1 
V
VV
 NN
+
=
Ns - número de espiras do secundário
VF - queda de tensão no diodo
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Característica de Saída em CCM e DCM
 
I
D
f L 2
 R D 
V
V
os
L
in
out
′
=
η
=
Condução Descontínua
Condução Contínua
 
D-1
D 
V
V
in
out
=
0.2 0.4 0.6 0.8 1
0
1
2
3
4
D=0.2
0.4
0.6
0.7
Vout____
Vin
Io´
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Procedimento de Projeto para o Buck-Boost em Cond. Desc. 
2. Calcular a razão cíclica crítica e definir a nominal. 
( )inout
inout
crit
VV1
VVD
+
=
� para DCM Dnom ≤ Dcrit
3. Calcular a indutância. 
sout
maxin
f P
 D V L η=
22
2
1
� tempo de condução chave =Dnom Ts
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, ∆∆∆∆Vo, ηηηη.
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Procedimento de Projeto para o Buck-Boost em Cond. Desc. 
4. Calcular a corrente de pico máxima. 
nom
s
in
p D L f
VI =
5. Calcular a resistência de carga. 
6. Calcular a capacitância. 
out
out
o P
VR
2
=
cs
maxo
V f
D IC
∆
=
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Procedimento de Projeto para o Flyback em Cond. Desc. 
2. Calcular o produto AeAw e definir o núcleo. 
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, ∆∆∆∆Vo, ηηηη. 
swp
4
out
we f B J k k
10 P 1,1 AA
∆
=
3. Calcular a corrente de pico no primário.
4. Calcular a energia acumulada no transformador.
maxin
out
p D V
P 2I
η
=
s
out
f 
PW
η
=∆
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Procedimento de Projeto para o Flyback em Cond. Desc. 
5. Calcular o entreferro.
e
2
o
 ABW 2
∆
∆µ
=δ
6. Calcular o número de espiras do primário e secundário (s). 
p
p I 4,0
 BN
π
δ∆
=
( ) ( )
nom
nom
in
Fnout
psn D
D-1 
V
VV
 NN
+
=
7. Calcular a indutância magnetizante do primário e secundário. 
sout
2
max
2
in
f P
 D V 
2
1L η=
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Procedimento de Projeto para o Flyback em Cond. Desc. 
8. Calcular a(s) corrente(s) de pico no(s) secundário(s). 
npns a II =
9. Calcular a(s) resistência(s) de carga(s). 
nout
2
nout
no P
V
R =
10. Calcular a(s) capacitância(s). 
nouts
nomnout
no V f
D I
C
∆
=
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
i
T
L
+
-
Ein C
V
Vo
T
iD
+
-
i L
VC
iC
RL
iR
VR
+
-
+
-
+
-
Vin
DD
T
1D L
RC
DN
PN SN
VP VS
2D
V1
L
Vout
VF
+ -
BUCK
FORWARD
NP - enrolamento primário
NS - enrolamento secundário
ND - enrolamento de desmagnetização
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Buck
i
T
L
+
-
Ein
T
D
iL
C
RL
+
-
T
L
+
-
Ein D
iL
C
RL
+
-
VCE+ -
VD
VCE
T
T1 T2
(E )
L
 in
iL
iT iD iT
(E ) in
(E ) inVD
VC
0 T1 T
VC
i
1a Etapa
2a Etapa
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Buck
a) Tensão Média na Carga 
mdDoutmdL VVV =⇒= 0 D VT
T VV in1inout ==
b) Corrente no Indutor e Cálculo da Indutância 
( )
L f
D D-1 Vi
s
in
L =∆ 5,0Di maxL =→∆ L f 4
 Vi
s
in
maxL =∆
maxLs
in
i f 4
VL
∆
=
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Buck
c) Corrente de Pico
( )
L f 2
D D-1 V
R
ViII
s
in
L
outL
op +=
∆
+=
2
d) Tensão no Capacitor 
( )t.fsenii LC π∆≅ 22 ( )t f 2 cos C 2 f 
idt.i
C
V s
s
L
CCA π
π
∆
==
2
1
 
C f 
iV
s
LC
π
∆
=
∆
42
 
V f 
iC
cs
L
∆π
∆
=
2 i RV LSERSE ∆=
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Buck
e) Esforços nos Semicondutores 
inCE VV = inD VV −=
( )
L f 
D DV
R
VII
s
in
L
out
PDTp 2
1−
+==
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Buck
Procedimento de Projeto p/ o Buck em Cond. Contínua: 
2. Calcular a razão cíclica nominal. 
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, ∆∆∆∆Vo, ∆∆∆∆iL . 
 
V
VD
in
out
nom =
3. Calcular a indutância. 
maxLs
in
i f 4
VL
∆
=
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Buck
Procedimento de Projeto p/ o Buck em Cond. Contínua: 
4. Definir o capacitor. 
 
V f 
iC
cs
L
∆π
∆
=
2
 
i
VR
L
SE ∆
∆
=
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Forward 
+
-
Vin
DD
T
1D L
RC
DN
PN SN
VP VS
2D
i
1
L
Vout
L
iT
VD
VCE
T
T1
T2
iT
iT
iL
(V ) in
TD
iM
(I )M
I M +
V inV in + .
NP
ND
1a Etapa
2a Etapa
+
-
Vin
DD
T
1D L
RC
DN
PN SN
2D
i
L
L
iT
iM
VCE
+
-
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Forward 
a) Tensão Média na Carga 
mdDoutmdL VVV =⇒= 0 D N
N V
T
T 
N
N VV
p
s
in
1
p
s
inout ==
b) Corrente no Indutor e Cálculo da Indutância 
( )( )
L f
D D-1 aVi
s
in
L =∆ 5,0Di maxL =→∆ L f 4
 aVi
s
in
maxL =∆
a i f 4
VL
maxLs
in
∆
=
s
p
N
 N
a =
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Forward 
c) Corrente de Pico no Secundário e Primário 
2
L
oS
iII p
∆
+=
d) Cálculo da Capacitância
 
V f 
iC
cs
L
∆π
∆
=
2
 i RV LSERSE ∆=


 ∆
+=
2
1 L
oP
iI 
a
I p
�����
�����
�����
A
A
e
w
δ 
2
η∆
=
 f B J k k
10 P 2 AA
swp
4
out
we
e) Transformador
Kp - fator de utilização do primário (0,5)
kw - fator de utilização da área do enrolamento (0,4 )
J - densidade de corrente ( 250 - 400A/cm2)
∆∆∆∆B - variação de fluxo eletromagnético (0,2-0,3T)
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Forward 
e) Transformador
se
in
p f B A
VN
∆
=
2
Np - número de espiras do primário
Ae – área efetiva da perna central do núcleo (metros)
∆∆∆∆B - variação de fluxo eletromagnético (Tesla)
( )
 
D V
D VV
 1,1 NN
nomin
nomFnout
psn
+
=
Ns - número de espiras do secundário
VF - queda de tensão no diodo
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Forward 
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
Procedimento de Projeto p/ o Forward em Cond. Contínua: 
2. Definir a razão cíclica nominal, lembrando que Dmáx=0,5.
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, ∆∆∆∆Vo, ∆∆∆∆iL, ηηηη.
3. Calcular a(s) corrente(s) de carga, a(s) corrente(s) de pico no(s) secundário(s) e 
a(s) resistência(s) de carga. 
n
n
out
o
o V
PI =
• Conversor CC-CC do Tipo Forward 
2
n
np
o
nos
I
II
∆
+=
n
n
n
out
out
o I
V
R =
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
Procedimento de Projeto p/ o Forward em Cond. Contínua: 
• Conversor CC-CC do Tipo Forward 
4. Calcular a(s) capacitância(s). 
 
V f 
iC
cs
L
∆π
∆
=
2
 
i
VR
L
SE ∆
∆
=
5. Calcular o produto AeAw e definir o núcleo do transformador.
η∆
=
 f B J k k
10 P AA
swp
4
out
we
2
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
• Conversor CC-CC do Tipo Forward 
6. Calcular o número de espiras do primário e secundário(s). 
se
in
p f B A
VN
∆
=
2
( )
 
D V
D VV
 1,1 NN
nomin
nomFnout
psn
+
=
7. Calcular as relações de transformação. 
ns
p
n N
N
a =
8. Calcular a(s) indutância(s).
nmaxLs
in
n a i f 4
VL
∆
=
Conversores Half Bridge, Bridge e Push-Pull
TR
+
- V
i
CE2
2D
VP
C
i
L
LR
1
TR2
1D
+
-
+
-
TR1
NP
VS
NS
NS
3D
4D
Va
L
VoutVin/2
Vin/2
6D
5D
C
L
LR
RT
1D
inV
1 RT 3
RT 2 RT 4
3D
2D 4D
C
4D
3D
C
L
LR
inV
RT 1 RT 2
1D 2D
SN
SNPN
Li
1V
Half Bridge (Meia Ponte)
Full Bridge (Ponte Completa)
Push Pull
• Conversor Half Bridge (Meia Ponte) 
TRVin/2
i
1
1D
+
-
3D
4D
L
Vin
+
-
+
-
+
-
C
i
L
LR
NP
3D
4D
L
+
- 2D
C
i
L
LR
TR2
Vin/2
3D
4D
L
+
-
+
-
+
-
 
VP
T
T1
2T
L
iT
Vout
i
VCE
VC
i
in
TR1
TR2
V
NS
NP
.
Va
Vin/2
iL
TR1
Vin
Vin/2
1a Etapa
2a Etapa
3a Etapa
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
T
T
D 1=
T = período da tensão de entrada do filtro de saída
TS = 2T = período de funcionamento do conversor
• Conversor Half Bridge (Meia Ponte) 
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
D 
N
N 
2
VV
P
Sin
out = inCE
VV máx =
in
out
TR V
.
T
T.Pi 1
1η
=
C
Capacitor série: impede a circulação de corrente contínua no trafo
VC
TS
TSTS
4 2
NS
NP
I0.
0
iC
L 
N
N f 
C
S
P
s
2
22
4




π
≥
CSS
P
V f 
I 
N
NC
∆
×≥
2
0
η
out1
TRin
P
T
Ti
2
EP == .
• Conversor Full Bridge (Ponte Completa) 
6D
5D
C
L
LR
RT
1D
inV
1 RT 3
RT 2 RT 4
3D
2D 4D
C
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
inCE VV máx =
• Conversor Push-Pull
4D
3D
C
L
LR
inV
RT 1 R
T 2
1D 2D
SN
SNPN
Li
1V
V1
T
T1
T3
TR(2V ) in
VCE1 (V ) in
2
TR1
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
inCE V V máx 2=
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
• Transformador 
B f J k k
10 P . AA
spw
3
out
we ∆
=
51
• onde: kw=0.4 e kp=0.41 
• para as mesmas condições, o transformador é menor que o do conversor Forward.
se
in
p f B A
VN
∆
=
2
( )
 
D V
D VV
 1,1 NN
nomin
nomFnout
psn
+
=
ns
p
n N
N
a =
nmaxLs
in
n a i f 4
VL
∆
=
• Filtro de Saída 
 
V f 
iC
cs
L
n ∆π
∆
=
2
 
i
VR
L
SEn ∆
∆
=
Aspectos de Comutação
MOSFET
• Tempos de comutação curtos,
• Alta impedância de entrada entre GS (potência de comando baixa),
• Fácil de ser associado em paralelo (coef. de temperatura positivo). 
Características em Condução: 
• RDSon,
• ID e IDM,
• VGS, 
• VGS(th),
• VDS(on)=RDSon x ID.
I
D
iD
DSV
+
-
G
S
GSV
D
+
-
Características Estáticas
MOSFET 
• A = Região de resistência constante
• B = Região de corrente constante
Características Estáticas
MOSFET 
• Parâmetros importantes
a) RDson – O MOSFET “saturado” comporta-se como uma resistência;
b) ID – máxima corrente contínua que o componente pode conduzir;
c) IDM – máxima corrente pulsada de dreno que o MOSFET pode conduzir;
d) VGS – máxima tensão entre gate e source que pode ser aplicada (positiva ou 
negativa);
e) VGS(th) – a tensão de gate suficiente para iniciar a condução (≈≈≈≈ 4,0 V);
f) VDC(on) = RDS(on).ID – tensão dreno-source com o MOSFET conduzindo;
g) O MOSFET bloqueado é caracterizado pela tensão de avalanche entre dreno e
source – V(BR)DS
Aspectos de Comutação
MOSFET 
Características Dinâmicas:
• Ciss=Cgd+Cgs (carregado e descarregado pelo circ. gatilho),
• Coss=Cgd+Cds (capacitância de saída),
• Crss=Cgd (capacitância de transferência).
gd
Cgs
C
dsCG
D
S
Aspectos de Comutação
MOSFET 
Comutação com Carga Indutiva:
50
S
G
DD
R
V
DI RL
D
ttd(on)d(on) = 30 ns= 30 ns
ttrr(on)(on) = 50 ns= 50 ns
ttd(off)d(off) = 10 ns= 10 ns
ttff = 50 ns= 50 ns
Perdas em um MOSFET
comcond PPP +=
2
efdonds
2
ondonds
2
ondonds
on
cond irDirirT
tP )()()()()()( ..... ===
)()( .)..( offdsondfrcom Vitt2
fP +=
onf tt ≅ offr tt ≅
Perdas na Comutação
VCE
i
out
+
-
V
C
E
!L
+
PN
E
L
D
+
-
EV
-
!L
T T
SN
outV = E( )
a) Conversor Flyback
( )VCE iC
Ip
Entrada em condução
Perdas na Comutação
Conversor Flyback - Bloqueio
( I )
V
E
t
+
I
-
1
iC
E
E EI
iC
CE VCE
+
-
+
-
(a) (b)
iC
t2
tf
trv tfI
(c)
( E )
t1(0 < t < ) t1( < t < )t2
iC = I
≤0 < E´VCE
VCE = E´
≤I < iC 0 
• Lllll= 0
fS tEI2
1E
1
.. ´=
fIrvf ttt +=
fE1P 1S .=
ftEI50P f1 ....,
´
=
Perdas na Comutação
Conversor Flyback - Bloqueio
• Ll l l l ≠≠≠≠ 0
+
-
E
VCE
L !
+
-
VL
Aspectos de Comutação
Snubber RCD
• Comutação com carga indutiva e com Snubber.
E
L
SC
Q5
!
I
RS
CS
DS
IC
I
∫= fIt0 CS
S
dtti
C
1toffv )()(
fIS t
tItCi
.)( =
S
fI
C2
tI
offV
.
=




−=
fIt
t1ItCi )( C24
ftI
1P
2
fI
2 ..
=
2
CEmáxS
2 VC
2
1IlL2
1 .. = I
C
LV
S
l
CEmáx .=
Snubber RCD
off
fiP
s V2
t IC =
s
on
s C 3
t
R min≤
tfi – tempo de decrescimento da corrente (fabricante),
trv – tempo de crescimento da tensão (fabricante),
Voff – arbitrado,
tonmin – tempo mínimo de condução da chave.
Aspectos de Comutação
• Flyback (Cond. Desc.):
pCs
in
s I
VR ≥
fEC
2
1P 2SR ..=
Snubber RCD
Aspectos de Comutação
• Forward (Cond. Contínua):
EI
2
1E
2S .= ftEI2
1P r2 ...= ( )frin ttfIV50P += ...,
( )
1n
rvfiP
s V
tt IC +=
s
on
s C 3
t
R min≤
pCs
in
s I
VR ≥
fVC
2
1P 2in...=
Perdas em um Diodo
• Perdas de Condução:
comcond PPP += FmdF
2
efcond iVirP .. += ftiVP onFFcond ...=
• Perdas de Comutação:
bRMRMcom tiV2
1E ..= ftiV50P bRMRMcom ...,=
Perdas em um Diodo
• Efeito da Recuperação Reversa do Diodo no Transistor
(E)
CEV
RMI
t tarI
Ti
EIt50W RMa ...,=∆ fEIt50P RMa ....,=
3
t2t rra
.
=
3
fEItP RMrr ...=
Cálculo Térmico
R
a
Da
TDTCT
RCD
jT
RjC
••TTjj –– temperatura da juntemperatura da junçãção (o (°°C)C)
••TTCC –– temperatura do encapsulamento (temperatura do encapsulamento (°°C)C)
••TTDD –– temperatura do dissipador (temperatura do dissipador (°°C)C)
••RRjcjc –– resistresistêência tncia téérmica junrmica junçãçãoo--ccáápsula (psula (°°C/W)C/W)
••RRCDCD –– resistresistêência tncia téérmica de contato entre o componente e o dissipador (rmica de contato entre o componente e o dissipador (°°C/W) = C/W) = 
0,2 0,2 °°C/W.C/W.
••RRDaDa –– resistresistêência tncia téérmica dissipador ambientermica dissipador ambiente
••TTaa –– temperatura ambiente (temperatura ambiente (°°C)C)
).( dacdjcaj RRRPTT ++=− CDjc
aj
Da RRP
TT
R −−
−
=
Circuitos de Comando de MOSFETs
• Princípio Básico
•Ciss = 700 pF
•VC = 15 V
•∆∆∆∆t = 40 ns
+
-
CV
gR
issCS
S
2
1
S
D
G
gI
t
V.CI issg ∆
∆
=
A,
x
.xIg 2601040
1510700
9
12
==
−
−
issgrf C.R,tt 22==
12
9
1070022
1040
22 −
−
==
x.,
x
C.,
tR
iss
f
g
Ω≅ 25gR
Circuitos de Comando de MOSFETs
• Circuitos de Comando não-isolado
gR
T1
D
2R
3RT2
+VC
G
S
D
D = 1N914 R2 = 4,8 kΩ Rg = 50 Ω
T2 = MPS 2907 R3 = 10 kΩ
1R
gR
2R
+V
T2
T3
C
T1
Tp
Circuitos de Comando de MOSFETs
• Circuito de Comando Isolado
1R =100
RT
VS
2D
1D
VP
S
D
G
+VC
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• A questão do isolamento
VSAÍDARede
2
RETIFICADOR 
T
CONVERSOR
1T
3T
CIRCUITOS
DE
COMANDO
FONTE
AUXILIAR
FILTRO DE ENTRADA
E
RETIFICADORES 
FILTRO DE SAÍDA
E
•Massa de alta tensão (chaves) e massa de baixa tensão (saída, comando, fonte 
auxiliar).
• Isolamento: T1 (transformado principal), T2 (transformador p/ comando), T3 
(transformador da fonte auxiliar).
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• A questão do isolamento
VSAÍDARede RETIFICADOR 
CONVERSOR
1T
CIRCUITOS
DE
COMANDO
FONTE
AUXILIAR
FILTRO DE ENTRADA
E
RETIFICADOR 
FILTRO DE SAÍDA
E
ISOLAMENTO
ÓTICO
CIRCUITO
DE
CONTROLE
• Massa de alta tensão (chaves, comando, fonte auxiliar) e massa de baixa tensão 
(saída, controle).
• Isolamento: T1 (transformado principal) e isolador ótico.
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Fonte Auxiliar
Rede
Carga
+
-
Fonte Convencional com Isolamento
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Fonte Auxiliar
3C
+
Circuito
M
3D
de
Comando
1C
-
Carga
Rede
Z
1R
1T
1D 2D
2C NS
Conversor Flyback com Fonte Auxiliar sem Isolamento
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Circuitos Integrados PWM Dedicados
+
-
A
+
-
V QT
1
Comparador
S
2S
OSC.
VC
F/F
Q
Verro
VRef
VReal
Conversores CC-CC: UC3524
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Circuitos Integrados PWM Dedicados
V
erro
C
Q
Q
S
S1
2
T
T1
V
T
V
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Circuitos Integrados PWM Dedicados
1S
FF
OSC
TC
-
+
C
+
-
V
1
C
L
+
-
COMP
TR
7
10
5
4
9
2
115
16
12
11
13
14
36
8
2S
6R
5R RCD LR
PT
in 3R
1R
2R
4R A1
A2
+
-
ShR
UC3524
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Controlador de tensão
Vin
VRef
Z1
Z2
+
-
A1
1
2
9 Vout
( )REFinout VVZ
ZV −= .
1
2
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Soft-Start (Partida Progressiva)
•Quando se energiza a fonte chaveada a razão cíclica deve progredir 
lentamente, evitando a destruição do interruptor, saturação do 
transformador e overshoot de saída.
-
C
COMP
+
1Z
+
-
2Z
1
2
+V
R1
D1
D2
Vout
VRef
V9
OSC.
A
+
-
1 9
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Circuitos para Limitação de Corrente
• Curto-circuito na carga: desativar a fonte e reativar após o 
desligamento e religamento do equipamento.
T
UC3524
R
Th
1
6
C
R1
9
10
R5
R4
T2
R3
R2
R1
TP
IE
+10V +5V
N
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Utilização de Isolador Ótico
470 k
R1
4N26
V1
R2
V9
V2
Rg
1 2 4 5 8 6 7
14
13
1516
9
UC3524
+12V
I1
I2
0,6 V
4 V
2229 .IRVV −=
1
1
1
1
R
VI −=
12 II β=
( )1.. 1
1
2
21229 −−=−= VR
RVIRVV ββ
ββ ..
1
2
1
1
2
29 R
RV
R
RVV +−=
β.
1
2
1
9
R
R
V
V
G −=
∂
∂
=Se R2 = R1 ⇒⇒⇒⇒ β=G
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Utilização de Isolador Ótico
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Utilização de Isolador Ótico
1C
-
+
A
1D
1R
2R
LR
outV
4R
3C5R
3R
6R
2C 1Z
RefV
PN
+VCC
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Proteção contra Sobretensão na Saída
CR
V
Z
out
C
SCR
+
A
A
R
G
-
VZ
VGK
+
-
+
-
• Sobretensão: a fonte é colocada em curto e o circuito de proteção contra sobre-
corrente é acionado e desativa a fonte.
• Isolação da tensão de saída quando o comando do transistor não é 
isolado: Isolador ótico (após o controlador de tensão) ou sensor hall
de tensão.
Resposta Transitória e Estabilidade
• Estrutura Simplificada de uma Fonte Chaveada
• Supõe-se que L seja suficientemente grande para que não ocorra 
variação significativa em IL, quando do fechamento de S2
1.D = V
V
I
L
1R
in
C 2R
2SL
C
V
Vout
V
I 1RC 2R
2S
L
C Vout
IC
Resposta Transitória e Estabilidade
• Antes do transitório
21
21
RR
R.RR
+
=
LC I.RV 10 =
• Após o transitório LCf I.RV =
• Transitório ( )[ ]RC/tRC/tLC eReRIV −− −+= 11
Resposta Transitória e Estabilidade
• Corrente no Capacitor durante o transitório
RC/tC
C e.R
Vi −−=
2
0
RC/t
LC e.I.R
Ri −−=
2
1
• Sem RSE
Resposta Transitória e Estabilidade
• Com RSE
I 1R
C
2R
2S
RSE
RSECout VVV +=
RC/t
LCRSE e.I.R
R.RSEi.RSEV −−==
2
1
( )[ ] RC/tLRC/tLout e.I.RR.RSEe.RRRIV −− −−+= 211
Resposta Transitória e Estabilidade
I
1R
C
2R
2S
RSE
H(s)
2
+VREF
1 – A amplitude do desvio de tensão depende somente da RSE do capacitor.
2 – A natureza da resposta (tipo de amortecimento e tempo de recuperação) 
dependem somente do tipo de controlador empregado.
Resposta Transitória e Estabilidade
• Equação Característica e função de transferência
H(s)
G(s)
O(s)I(s) +
-
(s)ε
)().()( ssGsO ε=
)(
)().(1
)(
)(
)( sF
sHsG
sG
sI
sO
=
+
=
Resposta Transitória e Estabilidade
• Critérios de Estabilidade
H(s)
G(s)
O(s)I(s) +
-
(s)ε
0)().(1 =+ sHsG Instabilidade
1)().( −=sHsG
( ) [ ] 020 == )(H).(Glog.)(H).(G dB ωωωω
o180−=Φ
Resposta Transitória e Estabilidade
• Critérios de Estabilidade
• Margem de fase entre 45o e 90o
Resposta Transitória e Estabilidade
• Critérios de Estabilidade
• Margem de fase entre 45o e 90o
Resposta Transitória e Estabilidade
• Para erro estático pequeno - Ganhos elevados em baixa 
freqüência
• Pólo na origem
• Freqüência de cruzamento por zero o mais alta possível
4
s
c
ff ≅
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Forward
P
VST
L
N
LRC
SN
V2 Vout
Vin
T1
T
VC
VS( )
D
N
NVDVV
P
S
inSTmd ..2 ==
S
C
V
V
T
TD == 1
S
C
P
S
inmd V
V
N
NVV ..2 =
P
S
S
in
C
md
N
N
V
V
V
V .2 =
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Forward
P
VST
L
N
LRC
SN
V2 Vout
Vin
1
1
)(
)(
2
2 +
=
LCssV
sV
md
out




+
=
1
1
)(
)(
2
0
2
2
w
ssV
sV
md
out
1
1
)(
)(
2
0
2
+


=
w
jwsV
sV
md
out 4
0 )/(1log20)( wwdBwG +−=
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Forward
P
VST
L
N
LRC
SN
V2 Vout
Vin
)(
)(
)(
)(
.
)(
)( 2
2 sV
sV
sV
sV
sV
sV
C
out
C
md
md
out
=
)1/(
1..
)(
)(
2
0
2 +
=
wsN
N
V
V
sV
sV
P
S
S
in
C
out
• Com RSE:
)/1(
)..1(
)(
)(
2
0
2
2 ws
RSECs
sV
sV
md
out
+
+
=
)/1(
)/1(
)(
)(
2
0
2
2 ws
ws
sV
sV Z
md
out
+
+
=
)/1(
)/1(..
)(
)(
2
0
2 ws
ws
N
N
V
V
sV
sV Z
P
S
S
in
C
out
+
+
=
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Forward
P
VST
L
N
LRC
SN
V2 Vout
Vin
2 pólos
-40 dB/dec
-20 dB/dec
zero
dB
0
fp fz f
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Flyback
2RC
Vout
Vin
I1 I2md I2
2
222 . mdmd IRP =
T
TI
VIVP pinmdinmd 2
.
.. 111 ==
TL
TVP inmd .2
. 21
2
1 =
mdmd PP 12 =
TL
TVIR inmd .2
. 21
2
2
2 =
2
2
1
2
2
2
2
1
2
2
2
2 ...2
.
.2 T
T
fRL
V
T
TT
RL
VI ininmd == DfRL
V
I inmd ...2 2
2 =
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Flyback
2RC
Vout
IRIC
I2md2
2 R
V
dt
dVCI outoutmd +=
CR
V
dt
dVD
fRLC
V outoutin
.
.
..2 22
+=
S
C
V
VD = CRfL
VA in
...2 2
=
S
Coutout
V
VA
CR
V
dt
dV .
2
=+
)(.
)(
)(.
2
sV
V
A
CR
sV
sVS C
S
out
out =+ [ ] )(..1.)( 22 sVV
CRACRssV C
S
out =+
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Flyback
2RC
Vout
IRIC
I2md
[ ] )(..1.)( 22 sVV
CRACRssV C
S
out =+
).1(
1..
)(
)(
2
2
CRsV
CRA
sV
sV
SC
out
+
=
).1(
1.
...2
.
)(
22
2
CRsCfRL
CRVsG in
+
=
• Sistema de 1a ordem
• Ganho depende da Resistência de carga
).1(
1.
.2
)(
2
2
CRs
R
fL
VsG in
+
=
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Flyback
Com RSE: ).1(
)..1(.
.2
)(
2
2
CRs
CRSEs
R
fL
VsG in
+
+
=
 pólo
-20 dB/dec
zero
G (jw)dB
0 dB
fp fz f
Resposta Transitória e Estabilidade
• Circuitos de Compensação
-V
i
R
fC
fR
+
A
0
refV
R
ref
VC
• Compensador de 1 pólo
i
fC
Z
Z
V
V
=
0
ii RZ =
sCR
sCR
Z
ff
ff
f ./1
./
+
=
)..1(
1.
)./1(.)(
)(
0 ffi
f
ifff
fC
RCsR
R
RsCRsC
R
sV
sV
+
=
+
=
-20 dB/dec
+90°
-90°
0
+20
-20
0
-40
0,1f f 10f 100fp p p p
dB
fi
fi
ref RR
RR
R
+
=
.
Resposta Transitória e Estabilidade
• Circuitos de Compensação
• Compensador de 2 pólos
-V
fz
R
fC
izR
+A
0
refV
R
ref
VC
Rip
iC
f
fzf Cs
RZ
.
1
+=
ip
i
iz
i
iz
i
iz
iiz
ipi R
Cs
RCs
R
Cs
R
CsRRZ +
+
=
+
+=
)
.
1(
1.
.
.
1
./








+
++
++
=
ipiz
izip
iizipf
fzfiizC
RR
R.R
.sC).RR.(s.C
)s.R.C)(s.C.R(
)s(V
)s(V
1
11
0
fz1 = fz2 izifzf R.CR.C =
80
60
40
20
0
-20
1 10 100 1k 10k 100kf2f1
fp2
fz1= fz2
(dB)
Resposta Transitória e Estabilidade
• Método prático p/ cálculo do compensador para conversor Forward
1o) Traçar o diagrama G(s) em dB.
2o) Escolher a topologia do controlador. Recomenda-se o controlador de 2
pólos estudado neste capítulo.
3o) Definir a freqüência fc, na qual a curva da função G(s).H(s) passa por 0 
dB. Recomenda-se sendo fs a freqüência de chaveamento .
4o) Determinar o ganho de H(s) para f = fc.
5o) Situar os dois zeros de H(s) na freqüência f0 do filtro.
6o) Situar o 1o pólo de H(s) na origem (0 Hz). Assim fp1 = 0 Hz.
7o) Situar o 2o pólo de H(s), destinado a compensar o zero da RSE, numa 
freqüência igual a 5 vezes a freqüência de ressonância do filtro.
8o) Calcular H1 e H2 empregando o procedimento descrito a seguir
9o) Calcular os valores dos resistores e capacitores do circuito de 
compensação
4
s
c
ff ≤
Resposta Transitória e Estabilidade
• Método prático p/ cálculo do compensador para conversor Forward
30
20
10
0
-10
-20
10 f0
G(s)
-30
dB
-40 dB/dec
-20 dB/dec +20 dB/dec
+1
-1
-1
A
(H )2
H 2
fp2fcf00,1 fcfp1
2
2
2 log20log20 Af
f
AH
c
p
=+= 1
0
1 log20log20 Af
fAH c =−=
Resposta Transitória e Estabilidade
• Exemplo de Projeto – Conversor Forward
Vout = 12 V Pout = 240 W fs = 40 kHz → T = 25 µs Vin = 60 V
I = 2 A a 20 A R1 = 6 Ω a 0,6 Ω C = 4000 µF D = 0,2 a 0,4 L = 60 µH
RSE = 25 mΩ = 1,0 VS = 5,0 V
P
S
N
N
a) Diagrama de G(s)
G
V
V
V
V
S
in
C
out
== dB,G 62112
5
60
===
Hz
C.L..
f 325
2
1
0 ==
π
Hz
C.RSE..
fz 15902
1
==
π
Resposta Transitória e Estabilidade
• Exemplo de Projeto – Conversor Forward
0
90
HdB_ f( )
1 106.1 f
1 10 100 1 103 1 104 1 105 1 106
80
60
40
20
0
10
0
-10
20
Ganho (dB)
100
-20 dB/dec
f (Hz)325 1k = 10k
1590 
-40 dB/dec
-20
21,5 dB
21,5 dB
(H )2
fcfp2
fz1= fz2 = f0
kHzfsfc 104
==
Para f = 10 kHz, o ganho de G(s) 
é de –21 dB
fz1 = fz2 = f0 = 325 Hz
fp1 = 0 Hz
fp2 = 5.f0 = 1625 Hz 
H2 = 21,5 dB⇒⇒⇒⇒ H2 = 20log A2
0751
20
2
2 ,
HAlog == 9,112 =A
0
2
21 log20 f
f
HH p−= H1 = 21,5 – 13,8 = 7,68 dB = 20log A1 20
6,7log 1 =A
4,21 =A
Resposta Transitória e Estabilidade
• Exemplo de Projeto – Conversor Forward
0
90
HdB_ f( )
1 106.1 f
1 10 100 1 103 1 104 1 105 1 106
80
60
40
20
0
10
0
-10
20
Ganho (dB)
100
-20 dB/dec
f (Hz)325 1k = 10k
1590 
-40 dB/dec
-20
21,5 dB
21,5 dB
(H )2
fcfp2
fz1= fz2 = f0
ip
fz
R
R
A =2 = 2,4
izi
zz RC
ff
...2
1
21
π
== = 326 Hz 
fzf RC ...2
1
π
= 326 Hz 




+
=
ipfz
fzip
i
p
RR
RR
C
f
.
...2
1
2
π
= 1600 Hz
kRiz 47=
1...2
1
ziz
i fR
C
π
= FCi µ01,0=
Resposta Transitória e Estabilidade
• Exemplo de Projeto – Conversor Forward
0
90
HdB_ f( )
1 106.1 f
1 10 100 1 103 1 104 1 105 1 106
80
60
40
20
0
10
0
-10
20
Ganho (dB)
100
-20 dB/dec
f (Hz)325 1k = 10k
1590 
-40 dB/dec
-20
21,5 dB
21,5 dB
(H )2
fcfp2
fz1= fz2 = f0
= 11,9 
ip
fz
R
R
izip
fz
RR
R
+
= 2,4 
Ω= kRip 87,11
Ci.Riz = Cf .Rfz
fz
izi
f R
RC
C
.
=
nFC f 33,3=
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Interferências por radiofreqüência podem ser transmitidas por radiação direta 
ou por condução através dos terminais de entrada.
• Interferências que a fonte produz nos terminais de entrada se propagam para 
outros equipamentos, podendo provocar ruídos e mau funcionamento.
1C
2L
1R
2C
2R
1L
Rede
AC
Fonte
Chaveada
• MEDIÇÃO DA INTERFERÊNCIA CONDUZIDA.
L1 = L2 = 500 µH
C1 = C2 = 0,1 µF
R1 = R2 = 150 Ω
LISN – Line Impedance Stabilization Network
Faixa de medição – 150 kHz a 30 MHz
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Causas da Interferência
Rede
+
V
-
C
+
-
E
Terra
Comutação do transistor
( )E
2
T/2
ζ
VC
( -E/2 )
( )ζππζπ ..f.nsen.nsen..f.n.
EVn 

 


=
2
1
2
2
22
T
f 1=
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Se:
f = 50 kHz
ζ = 500 ns
E = 150 V
n = 1 a 1000
dB
150 dB -20 dB/dec
-40 dB/dec
0
1 10 13 100 1000
n = 3
f3 = 150 kHz
V3 = 31,537 V
V
V,log
V
VlogV dB µµ 1
5373120
1
20 33 ==
V/dB,V dB µ571503 =
Amplitudes das tensões parasitas dependem:
• Da tensão E
• Da freqüência de comutação da fonte
• Dos tempos de comutação
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Propagação das tensões parasitas:
9,023202,0Cerâmica
4,296930,2Plástico
3,51601550,1Mica
εRC medido
(pF)
C calculado
(pF)
Espessura
(mm)
Isolante
Espessura
ÁreaC R ..0 εε= mpF /855,80 =ε
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Correntes parasitas simétricas – tensões de modo comum
C
R
F
N
T
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Correntes parasitas assimétricas – tensões de modo diferencial
C
R
F
N
T
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Exemplo
C = 150 pF ∴∴∴∴
f3 = 150 kHz (freqüência de harmônica)
V3 = 31,537 V
150.10150..2
10
..2
1
3
12
xfC
XC
ππ
== Ω=== 7073
15,0..2
10
1015,0.15,0.10..2
10
2
3
63
12
ππ x
XC
mA,,
X
Vi
C
464
7073
537313
3 ===
mV,mA,.i.RV 5334464
2
150
2 33
===∆
dB,
V
mV,logV dB 51701
5334203 ≅=∆ µ
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
a) Redução da capacitância de acoplamento entre o encapsulamento e o dissipador
b) Isolamento do dissipador em relação à massa
Cx = 80 pF para x = 1 mm
Cx = 4 pF para x = 2 cm
Dissipador afastado de uma distância x em relação à massa
C = 150 pF Capacitância entre dissipador e interruptor
Assim:
x
x
TC CC
CC
C
+
=
.
Assim, para x = 2 cm
pFCTC 9,34150
4.150
≅
+
=
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
b) Isolamento do dissipador em relação à massa
33 2 V.C.f..i TCπ= A,,.x,.x..i µπ 92115537311093101502 1233 == −
VA,.V µµ 869492115
2
150
3 == dB,V dB 78783 =∆
c) Placa condutora entre o interruptor e o dissipador
1C 2C
Dissipador
Placa
F
N
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
d) Emprego do filtro de rede
d.1) para correntes simétricas
F
T
N
XC
R
2L
3L
a
b
Cx é baixa impedância para as correntes simétricas
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
d) Emprego do filtro de rede
d.1) para correntes simétricas
R 3
L
XC
2L
R
a
b
c
d
X
X
C
C
cd
C
jR
CRj
jXR
RXjZ
ω
ω
−
−
=
−
−
=
2
/2
2
2
C
cd XRj
RZ
ω21
2
+
=
Interferência Radioelétrica(RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
d) Emprego do filtro de rede
d.1) para correntes assimétricas
1
CyR
1L
R Cy
C
F
N
T
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
d) Emprego do filtro de rede
4,7nF
µ
2
CX
5mH
N
L
0,1 F
F
3L
Cy
Cy
4,7nF
5mH
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Influência da capacitância entre enrolamentos
CT
F
N
Primário Secundário
• Grades condutoras
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Exemplo de cálculo do filtro de rede
VCA = 220 V (tensão da rede).
f = 60 Hz (freqüência de rede).
P = 150 W (potência de entrada da fonte).
E = 300 V (tensão mo estágio de corrente contínua, após o retificador de
entrada).
fs = 50 kHz (freqüência de chaveamento).
τ = 500 ns (tempo de subida da tensão de coletor do transistor).
C = 50 pF (capacitância entre o transistor e a carcaça).
VRdB= 54 dB/µV (nível da tensão máxima permitida nos resistores da rede 
artificial, para 150 kHz).
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
1) Primeiro passo
f3 =150 kHz V3 = 15,8 dB
2) Segundo passo – verificação do nivel de interferência de modo comum sem o 
filtro de rede.
Ω≅==
−
k
xxCW
XC 211050.10150..2
11
123
3
3 π
mA
k
V
X
V
i
C
C 752,021
8,15
3
3
3
=
Ω
==
Queda de tensão nos resistores da rede artificial.
mVmAiRV CR 4,56..752,0.752 33
=Ω==
V
mV,log
V
VlogV dBR µµ 1
45620
1
20 33 ==
V/dB,logV dBR µ95754203 == ∆V3dB = 95 – 54 = 41 dB/µV
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
3) Terceiro passo – escolha dos capacitores Cy, de modo comum
Cy = 5 nF
4) Quarto passo – escolha do indutor Lo para filtrar correntes de modo comum
1
R = 4,5M 1/8W
F
D
2L = 4,28 mH 
yC
C = 5nF/250VL
L = 4,28 mH L = 6,25 mH 
y
C = 0,1 F/250Vx µ
1 3N
T
Ω= kXC 213 Ω=== − 106105.2.10150..2
1
.2.
1
93
3 xxCW
X
y
Cy π
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
4) Quarto passo – escolha do indutor Lo para filtrar correntes de modo comum
1
R = 4,5M 1/8W
F
D
2L = 4,28 mH 
yC
C = 5nF/250VL
L = 4,28 mH L = 6,25 mH 
y
C = 0,1 F/250Vx µ
1 3N
T
Para V0dB = 54 db/µV, obtém-se
V
V
µ1
log2054 0= V0 = 500 µV mA
V
R
V
i 0067,0
75
500
0
0
0 =Ω
==
µ
Como i0 << , a tensão V0b é dada por
V,,.i.XV CCob y 08075201063 ===
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
5) Quinto passo – Escolha de Cx
1
R = 4,5M 1/8W
F
D
2L = 4,28 mH 
yC
C = 5nF/250VL
L = 4,28 mH L = 6,25 mH 
y
C = 0,1 F/250Vx µ
1 3N
T
A
V
Pi 68,0
220
150
=== ICx= 0,001.i = 0,0068A
F
Vf
i
C XCX µ
ππ
084,0
220.60..2
0068,0
...2
=== CX = 0,1 µF
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
6) Sexto passo – Escolha de L2 e L3
1
R = 4,5M 1/8W
F
D
2L = 4,28 mH 
yC
C = 5nF/250VL
L = 4,28 mH L = 6,25 mH 
y
C = 0,1 F/250Vx µ
1 3N
T
∆VL = 0,01% V = 220V ∆VL = 2,2 V
ω(L2 + L3).i = ∆VL mHi
VLL L 58,8
68,0.60..2
2,2
.0
32 ==
∆
=+
πω
mH
LL
LL 28,4
2
32
32 =
+
==
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
7) Sétimo passo – Escolha do resistor de descarga
1
R = 4,5M 1/8W
F
D
2L = 4,28 mH 
yC
C = 5nF/250VL
L = 4,28 mH L = 6,25 mH 
y
C = 0,1 F/250Vx µ
1 3N
T
X
D C
tR
.21,2
= t = 1 s
Ω≅= MRD 5,41,0.21,2
106
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
Ensaios de Interferência conduzida numa fonte para telecomunicações
#IF BW 9. 0 kHz AVG BW 3 0 kHz SWP 1.4 0 sec
 ATN
 10dB
REF 85. 0 dB V
LOG
10
 dB/
START 15 0 kHz STOP 3 0 . 0 0 MHz
 36. 0 7 dB V
MKR 15.1 0 MHz
ACTV DET: PEAK
WA SB
 SC FC
CORR
PASS LIMIT
A
MEAS DET: PEAK QP AVG
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
Ensaios de Interferência conduzida numa fonte para telecomunicações
#IF BW 9. 0 kHz AVG BW 3 0 kHz SWP 1.4 0 sec
REF 85. 0 dB V
START 15 0 kHz STOP 3 0 . 0 0 MHz
 29.98 dB V
MKR 15.1 0 MHz
ACTV DET: PEAK
PASS LIMIT
MEAS DET: PEAK QP AVG
 ATN
 10dB
LOG
10
 dB/
WA SB
 SC FC
CORR
A
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
Ensaios de Interferência conduzida numa fonte para telecomunicações