Questoes de Prova AV1 Mat Eletricos

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1a Questão(Cód.: 86563)
	5a sem.: Propriedade dos Materiais Elétricos
	Pontos:0,0  / 0,5
	O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura. De que modo esta dependência é explicitada?
	
	
	Quadrática
	
	Logarítmica
	
	Linear
	
	Trigonométrica
	
	Exponencial
	�
	 2a Questão(Cód.: 160235)
	2a sem.: Propriedades dos Materiais Elétricos e Semicondutividade
	Pontos:0,0  / 1,0
	A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá-lo através do método científico, cuja linguagem principal é a Matemática.
Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no entendimento das propriedades elétricas dos materiais.
	
	
	Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade da luz em um processo de condução de carga. 
	
	Velocidade de deslocamento do elétron no processo de transporte de carga é a velocidade obtida a partir do deslocamento retilíneo do elétron. 
	
	Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da temperatura do material. 
	
	Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material. 
	
	A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-p ou extrínseco do tipo-n. 
	�
	 3a Questão(Cód.: 160286)
	4a sem.: Semicondutividade (parte 2)
	Pontos:0,0  / 1,0
	Os semicondutores extrínsecos são essenciais para a fabricação de microcomponentes utilizados na eletrônica moderna. O semicondutores extrínsecos de Silício podem ser obtidos a partir da dopagem do mesmo com átomos de Boro ou de Fósforo, dependendo da intenção de se "produzirem" buracos ou elétrons como portadores de carga.
Entre as expressões a seguir, qual está relacionada a um experimento que determine a concentração de cargas por m3.
	
	
	V=R.i
	
	VH=(RH.Ix.Bz) / d
	
	V=N.i.IeI.e
	
	i=N.IeI.e + PIeI.P
	
	
=R A/l
	
	�
	 4a Questão(Cód.: 8310)
	3a sem.: Segunda Lei de Ohm
	Pontos:0,0  / 0,5
	A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm2. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20oC e que a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10-8Ω.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma temperatura de 80oC (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10-3  oC-1).
	
	
	6,8 Ω
	
	4,35 Ω
	
	4,19 Ω
	
	3,89 Ω
	
	3,4 Ω
	�
	 5a Questão(Cód.: 99583)
	1a sem.: Condutores
	Pontos:0,0  / 1,0
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
	
	
	0,19 cm2
	
	0,27 cm2
	
	0,23 cm2
	
	0,21 cm2
	
	0,25 cm2
	�
	 6a Questão(Cód.: 160245)
	3a sem.: Semicondutividade (parte 1)
	Pontos:0,5  / 0,5
	A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a mesma obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode assumir a forma =0+ T+T2 , onde 0 , b e são constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura no último caso citado.
	
	
	Elipse. 
	
	Círculo. 
	
	Hipérbole. 
	
	Reta. 
	
	Parábola.
	�
	 7a Questão(Cód.: 98327)
	5a sem.: Condutores
	Pontos:0,0  / 1,0
	Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
	
	
	6,4 V
	
	1,2 V
	
	640 mV
	
	64 mV
	
	120 mV
	�
	 8a Questão(Cód.: 160210)
	1a sem.: Propriedades dos Materiais Elétricos
	Pontos:1,0  / 1,0
	Georg Simon Ohm (1787-1854) foi um pesquisador e professor de origem germânica. Integrante do corpo docente da Universidade de Munique, publicou em 1827 um artigo no qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metálicos. Entre as informações relevantes, havia uma relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor e a corrente gerada que, décadas mais tarde, seria conhecida como Lei de Ohm. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3) 
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa esta relação:
	
	
	V=N.i.E
	
	V=R i.A/l 
	
	V=R.i
	
	P=U.i
	
	F=m.a
	�
	 9a Questão(Cód.: 160288)
	4a sem.: Semicondutividade (parte 2)
	Pontos:1,0  / 1,0
	Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 
	
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. 
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n. 
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. 
	
	�
	 10a Questão(Cód.: 160239)
	3a sem.: Semicondutividade (parte 1)
	Pontos:0,5  / 0,5
	Semicondutores modernos são constituídos de substratos de Silício nos quais são inseridos elementos com valências diferentes do próprio Silício, criando-se as variações conhecidas como semicondutores do tipo-p e semicondutores do tipo-n. A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh fornece a condutividade em função da carga do elétron (1,6 x 10 -19 C), onde N e P são as densidades de cargas negativas e positivas por volume (Número de cargas/m3) e de µeeµh , que são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos (m2/V m), respectivamente. Considerando- se um semicondutor extrínseco de Silício, no qual a concentração de portadores de cargas positivas é muito maior que a concentração de portadores de cargas negativas, podemos simplificar a expressão anterior para:
	
	
	σ = 2 P ІeІ µh
	
	σ = N ІeІ µh.
	
	σ = P ІeІ µh.
	
	A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh é imutável e nunca deve ser aproximada para uma forma mais simplificada sob pena de alterar-se gravemente a precisão da condutividade.
	
	σ = N ІeІ (µe + µh).
	
	
 4a Questão (Cód.: 99576)
Pontos: 0,0  / 1,0
Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico.  Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,5 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 mm2.
 
2,22 ohms
4,44 ohms
 
1,11 ohms
0,99 ohms
3,33 ohms
 5a Questão (Cód.: 86556)
Pontos:0,5  / 0,5
Por que a resistividade elétrica é um parâmetro importante para a descrição dos materiais elétricos nos dispositivos elétricos e eletrônicos?
 
A resistividade só pode ser determinada em dispositivos não elétricos.
 
Inclui as dimensões físicas dos dispositivos
Pode ser considerado equivalente à resistência elétrica
Leva em consideração a presença de elétrons livres
A resistividade só pode ser determinada em dispositivos elétricos.
�
 6a Questão (Cód.: 99579)
Pontos: 1,0  / 1,0
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 0,33 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
1,22x 10-6 Ω.cm
0,99 x 10-6 Ω.cm
1,11 x 10-6 Ω.cm
1,88x 10-6 Ω.cm
 
1,44 x 10-6 Ω.cm
 7a Questão (Cód.: 86555)
Pontos: 0,5  / 0,5
Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm?
Condutância
Indutância
 Resistividade
Condutividade
 
Resistência
 8a Questão (Cód.: 99581)
Pontos: 1,0  / 1,0
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
2,09 cm2
3,09 cm2
 
0,09 cm2
4,09 cm2
1,09 cm2
�
 10a Questão (Cód.: 99586)
Pontos: 0,0  / 1,0
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.
0,01cm
0,41 cm
 
0,31 cm
0,21 cm
 
0,11 cm
 1a Questão (Ref.: 201201586242)
Pontos: 0,0  / 0,5
Na temperatura de 25oC mediu-se o valor da resistência de um resistor e obteve-se 12,2 Ω. O material do qual é feito o resistor apresenta um coeficiente de temperatura igual a 0,0042 oC-1. Determine o valor da nova resistência na temperatura de 60oC.
9,23 ohms
11,65 ohms
 
13,99 ohms
4,36 ohms
 
15,82 ohms
 2a Questão (Ref.: 201201646905)
Pontos: 0,5  / 0,5
O Silício é o elemento chave na indústria voltada a microeletrônica. Em substratos de Silício são montados microcircuitos com uma infinidade de componentes, observáveis as vezes somente em microscópios eletrônicos. Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa somente conceitos corretos.
 Os semicondutores do tipo-p são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de menor valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Fósforo (P+5) na matriz de Silício (Si+4).
Os semicondutores do tipo-n são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de maior valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Boro (B+3) na matriz de Silício (Si+4).
 
Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas; já os semicondutores extrínsecos são aqueles que apresentam impurezas.
 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema.
A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem.
 
 3a Questão (Ref.: 201201646922)
Pontos: 0,0  / 1,0
A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
 
Reta.
Círculo.
Parábola.
Hipérbole.
	 5a Questão (Ref.: 
	5a Questão  Pontos: 0,0  / 1,0
	Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta-se um pedaço de 1 m de fio, e elevando-se a temperatura do fio restante para 75 graus Celsius, verifica-se que a resistência ôhmica do mesmo é de 100 W. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material é de 4x10- 3 1/C , determine o comprimento inicial l do fio.
	
	 
	13,5 m
	
	15 m
	 
	10 m
	
	5 m
	
	12 m
	
	 7a Questão (Ref.: 201201586262)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.
	
	 
	5,33 cm
	
	6,33cm
	
	8,33 cm
	 
	4,33 cm
	
	7,33 cm
	 10a Questão (Ref.: 201201647002)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	Capacitância é uma grandeza física associada a dispositivos denominados de capacitores e que possuem a finalidade de armazenar carga. Do ponto de vista quantitativo, define-se capacitância, C, de um capacitor como a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V. No sistema internacional de unidades (SI), a capacitância é medida em Farad (F). Considerando o exposto, determine a opção correta.
	
	
	A capacitância do capacitor sempre varia com a corrente elétrica do circuito, como mostra a expressão C=Q/V.
	 
	Um capacitor submetido a 120V e que tenha acumulado uma carga de 0,008C possui capacitância igual a 0,00007 F.
	
	Dois capacitores idênticos submetidos respectivamente a diferenças de potencial iguais a 2V e V/2 terão 2C e 1C de carga respectivamente.
	
	Um capacitor que possui capacitância igual a 0,06F e está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 2V acumula uma carga de 0,003C.
	 
	Um capacitor que tenha acumulado uma carga de 0,010C e que possui capacitância igual a 2F está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 0,05V