Prova de AV1 Materiais elétricos?

1^a Questão (Ref.: 201707409712)

Acerto: 1,0  / 1,0

Determine a resistência de um condutor de cobre com seção reta circular, 32 metros de comprimento e raio de 1,2 mm. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 10⁷ S/m.

120 Ω

34 Ω

3,4 Ω

0,12 Ω

12,0 Ω

 2^a Questão (Ref.: 201707471598)

Acerto: 1,0  / 1,0

Com relação a facilidade do transporte de carga elétrica, os materiais são classificados em condutores, semicondutores ou isolantes, ou seja, todos possuem uma maior ou menor facilidade resistência a passagem de corrente elétrica. Esta propriedade é denominada resistência elétrica e é designada por R.

Considerando um condutor cilíndrico com uma diferença de potencial aplicada em sua extremidade, pode-se enunciar que a resistência elétrica varia com o comprimento e com a área do objeto em questão. Considerando as idéias enunciadas anteriormente, assinale a opção que contém a expressão correta comumente utilizada no cálculo de parâmetros e variáveis elétricas de um material.

V=R i.A/l

F=m.a.l

V=N.i.E.l

R=V/i

P=U.i³

 3^a Questão (Ref.: 201707410970)

Acerto: 1,0  / 1,0

Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10^-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm². Determine o valor do comprimento deste fio.

4,33 cm

7,33 cm

6,33cm

8,33 cm

5,33 cm

 4^a Questão (Ref.: 201707410963)

Acerto: 1,0  / 1,0

Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 44 x 10^-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico.  Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,38 mm².

384,2 mili ohms

354,6 mili ohms

347,4 mili ohms

376,38 mili ohms

399,9 mili ohms

 5^a Questão (Ref.: 201707552514)

Acerto: 1,0  / 1,0

A grande maioria dos metais são materiais cristalinos, ou seja, possuem seus átomos ¿dispostos¿ de forma periódica em uma rede tridimensional que se repete através de seu volume. Quando submetemos este tipo de material a um campo elétrico, os elétrons livres iniciam movimento orientado pela força elétrica que os compele. Baseado nestas informações, como denomina-se a velocidade desenvolvida essas partículas.

Velocidade elétrica.

velocidade de deslocamento.

Velocidade hiperstática.

Velocidade de arraste.

Velocidade quântica.

 6^a Questão (Ref.: 201707471634)

Acerto: 1,0  / 1,0

Uma das maneiras de inserir Fósforo e o Boro na rede cristalina do Silício de alta pureza é através da evaporação dos elementos de interesse em adequadas câmaras de vácuo, técnica de fabricação utilizada primeiramente em 1955. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).

Com relação aos semicondutores é correto afirmar que:

A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro.

Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema.

Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material.

Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas.

A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem.

 7^a Questão (Ref.: 201707410953)

Acerto: 1,0  / 1,0

Mediu-se um valor de resistência igual a 5,66 mΩ na temperatura de 70^oC. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material utilizado é igual a 0,0036 ^oC^-1, determine o valor da resistência esperada na temperatura de 25^oC.

5,43 ohms

7,46 ohms

6,57 ohms

5,41miliohms

4,87 ohms

 8^a Questão (Ref.: 201708092323)

Acerto: 1,0  / 1,0

Assinale a alternativa correta:

No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao material tipo P, é 0,3V.

No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo P e a polaridade negativa conectada ao material tipo N, é 0,3V.

No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao material tipo P, é 0,7V.

No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao material tipo P, é 1V.

No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo P e a polaridade negativa conectada ao material tipo N, é 0,7V.

 9^a Questão (Ref.: 201707410976)

Acerto: 1,0  / 1,0

Deseja-se construir um capacitor de 18 nF utilizando-se duas placas paralelas com 240 cm² de área cada uma e espaçadas de 0,02 mm. Determine o valor da constante dielétrica do material a ser utilizado.

1,5

1,3

1,7

2,1

1,9

 10^a Questão (Ref.: 201707471711)

Acerto: 1,0  / 1,0

Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material dielétrico, como mostrado na figura a seguir. Considerando-se que  a capacitância, C, de um capacitor é a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V, assinale a opção correta que fornece a capacitância do capacitor mostrado na figura.

(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).

0.

C=(Q₀ + Q´) / V

C=Q₀ / V

Q₀ = C. V

C=Q´/V.