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1 Formação de um sólido • Átomos livres • Configuração eletrônica dos átomos • Aproximação dos átomos • Diferentes tipos de forças interatômicas: coulômbica, repulsão, covalente • Formação de bandas de energia • Formação de sólidos • Diferentes tipos de sólidos: metal, isolante, semicondutor Diferentes tipos de interações 2 Orbitais atômicos s p d 3 4 Diferentes tipos de forças interatômicas Eletrostática ~ 20 kJ/mol van der Waals 0.4 – 4 kJ/mol 5 Diferentes tipos de forças interatômicas Hidrogênica 12 – 30 kJ/mol Covalente ~ 350 kJ/mol Outras forças fracas ou desprezíveis: magnética e gravitacional Materiais duros, alto ponto de fusão, diamante, silício, quartzo dispoptic-2013 6 Principais tipos de ligações • Van der Waals • Iônica • Metálica • Covalente E / k J / m o l r/Å -0.5 0 +0.5 1 2 3 4 5 repulsão soma atração Argon xstal: http://www.webelements.com/argon/crystal_structure_pdb.html Sodium xstal: http://www.webelements.com/sodium/crystal_structure_pdb.html Carbon xstal; http://www.webelements.com/carbon/crystal_structure_pdb.html 7 Alguns tipos de ligações Na+ Cl- Ligação Iônica Cl : Cl Ligação covalente não-polar [H : Cl] Ligação covalente polar http://www.chemistry.mcmaster.ca/esam/intro.html 8 Num sólido iônico Notar a variação de raio iônico 9 10 Formação de bandas 11 Átomo de hidrogênio dispoptic-2013 http://www.webelements.com/webelements/scholar/elements/hydrogen/electronic.html 12 Molécula de hidrogênio 13 Distribuição de elétrons e energias de OM dispoptic-2013 14 Distribuição de carga homo-heteropolar (ligante) 15 Distribuição de carga e distribuição de ligação (anti- ligante) 16 Lítio 1s22s dispoptic-2013 17 Formação de bandas de energia, número de estados Átomos de Na (1s22s22p63s) Número atômico 11 2 átomos 3 átomos N átomos (1023 átomos/cm3) 18 Bandas de energia do Na com N átomos 2(2l+1)elétrons 2 = fator de orientação do spin 2l+1 = número de possíveis orientações do momento angular orbital 2(2l+1)N = capacidade de cada banda para N átomos Átomos de Na (1s22s22p63s) Número atômico 11 19 Classificação de sólidos • Metal • Semicondutor • Isolante 22 Em termos de bandas 23 Outra representação Schematic band diagrams for an insulator, a semiconductor, and a metal. 24 Formação de bandas de energia a partir dos níveis de energia dos átomos constituintes dispoptic-2013 25 Exemplo configuração banda de energia do Li dispoptic-2013 Lítio 1s22s 26 Estrutura de banda de isolante e semicondutor (cristal molecular) dispoptic-2013 27 Bandas de energia de níveis permitidos no diamante dispoptic-2013 1s22s22p2 29 Teoria de Bandas : duas maneiras • Duas aproximações para encontrar as energias dos elétrons associados com os átomos numa rede periódica. • 1.- Aproximação de elétron ligado (energia de átomos singulares) – Os átomos isolados são reunidos para formar um sólido. • 2.- Aproximação de elétron livre (não ligado) (E = p2/2m) – Elétrons livres modificado por um potencial periódico, i.e. rede de íons. • Ambas as aproximações resultam em níveis de energia agrupados com regiões de energia permitida e proibidas. – Bandas de energia se sobrepõem em metais. – Bandas de energia não se sobrepõem (ou possuem região proibida) para semicondutores e isolantes. Ver Charles Kittel – Introduction to Solid State Physics 30 dispoptic-2013 A wide range of energies can cause electrons to be excited from the valence band to the conduction band (absorption; figure shows electronic transitions, A, and corresponding absorption spectrum, B). electronic transitions, A absorption spectrum, B electronic transitions, A absorption spectrum, B 31 dispoptic-2013 Excited electrons will drop from the bottom of the conduction band into the top of the valence band with the emission of light with a very narrow band width (emission; figure shows an electronic transition, A, and corresponding emission spectrum, B) electronic transitions, A absorption spectrum, B 32 Diagrama de Banda: Isolante com Egap grande EF EC EV Banda de condução (vazio) Banda de valência (cheio) Egap T > 0 dispoptic-2013 • Em T = 0, a banda de valência inferior é preenchida com elétrons e a banda de condução está vazia, conseqüentemente condutividade zero. – A energia de Fermi EF está no meio da banda proibida (2-10 eV) entre as bandas de condução e valência. • Em T > 0, os elétrons não são termicamente excitados da banda de valência à banda de condução, conseqüentemente também condutividade zero. 33 • Em T = 0 K, elétrons tem 100% probabilidade de estar abaixo da energia de Fermi EF e 0% probabilidade de estar acima de EF. Em T > 0 K, probabilidade diminui abaixo de EF e aumenta acima de EF, provocando que a função degrau passe a ser mais suave (escorregadia?). 1 1 F FD E k E T f E e Diagrama de Bandas: Função de preenchimento de Fermi-Dirac • Probabilidade dos elétrons (férmions) serem encontrados em vários níveis de energia. • Em TA, E – EF = 0.05 eV f(E) = 0.12 E – EF = 7.5 eV f(E) = 10 –129 • Efeito enorme da dependência exponencial T > 0 T >> 0 T = 0 K dispoptic-2013 Fermi : http://jas.eng.buffalo.edu/education/semicon/fermi/functionAndStates/functionAndStates.html 34 Diagrama de Banda: Metal EF EC,V EF EC,V Função de preenchimento Banda de energia a ser preenchida T > 0 T = 0 K preenchimento da banda. dispoptic-2013 • Em T = 0, níveis de energia abaixo de EF são preenchidos com elétrons, entretanto todos os níveis acima de EF estão vazios. • Os elétrons são livres para se movimentar dentro dos estados vazios da banda de condução com somente um pequeno campo elétrico aplicado E, teremos alta condutividade elétrica. • Em T > 0, os elétrons tem uma probabilidade de serem termicamente excitados a partir de níveis abaixo do nível de energia de Fermi para acima.
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