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Avaliação: CCE0252_AV1_201308183054 » MATERIAIS ELÉTRICOS Tipo de Avaliação: AV1 Aluno: 201308183054 - JORGE LUIS MOURA PESSOA Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Turma: 9004/D Nota da Prova: 8,0 de 8,0 Nota do Trab.: 0 Nota de Partic.: 0 Data: 09/10/2014 15:21:25 1a Questão (Ref.: 201308300923) Pontos: 0,5 / 0,5 Na temperatura de 25oC mediu-se o valor da resistência de um resistor e obteve-se 12,2 Ω. O material do qual é feito o resistor apresenta um coeficiente de temperatura igual a 0,0042 oC-1. Determine o valor da nova resistência na temperatura de 60oC. 15,82 ohms 11,65 ohms 4,36 ohms 13,99 ohms 9,23 ohms 2a Questão (Ref.: 201308300941) Pontos: 0,5 / 0,5 Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,5 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio. 0,53 cm2 0,97 cm2 0,72 cm2 0,65 cm2 0,84 cm2 3a Questão (Ref.: 201308300943) Pontos: 0,5 / 0,5 Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio. 5,33 cm 7,33 cm 4,33 cm 6,33cm 8,33 cm 4a Questão (Ref.: 201308300944) Pontos: 0,5 / 0,5 Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio. 16,24 cm 19,12 cm 20,15 cm 15,26 cm 18,27 cm 5a Questão (Ref.: 201308361603) Pontos: 1,0 / 1,0 A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a expressão =0+T, onde 0 e ao constantes. Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura. Círculo. Elipse. Hipérbole. Reta. Parábola. 6a Questão (Ref.: 201308361608) Pontos: 1,0 / 1,0 Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a miniaturização dos componentes eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica denominado Microeletrônica. Com relação aos semicondutores, podemos afirmar: A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for intrínseco, ou seja, puro. A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ de difícil execução denominadas dopagem. Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade de 20m/s aproximadamente em um processo de condução de carga no interior de um condutor tipo-p. Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente nas junções P-N. Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores extrínsecos. 7a Questão (Ref.: 201308361649) Pontos: 1,0 / 1,0 A técnica mais utilizada para obtenção de semicondutores extrínsecos é a inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio. 8a Questão (Ref.: 201308361630) Pontos: 1,0 / 1,0 O tipo de carga predominante e a concentração das mesmas em um semicondutor (elétrons ou buracos) pode ser determinada através de um experimento chamado Efeito Hall. Deste experimento, obtém-se a constante de Hall, RH, que, por sua vez, está relacionada a n, quantidade de elétrons por m3 do semicondutor, por n=(RH I e I)-1, onde l e l =1,6.10 -19C. Considerando-se um corpo de prova feito de Alumínio, com RH=-3,16 . 10 -11, determine a quantidade aproximada de portadores de carga (em módulo) por m3. 1,5 . 1026 2,0 1029. 20 . 1030 20 . 1015 1,5 . 1025 9a Questão (Ref.: 201308214871) Pontos: 1,0 / 1,0 Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta-se um pedaço de 1 m de fio, e elevando-se a temperatura do fio restante para 75 graus Celsius, verifica-se que a resistência ôhmica do mesmo é de 100 W. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material é de 4x10- 3 1/C , determine o comprimento inicial l do fio. 15 m 13,5 m 5 m 12 m 10 m 10a Questão (Ref.: 201308287922) Pontos: 1,0 / 1,0 O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura. De que modo esta dependência é explicitada? Quadrática Logarítmica Linear Exponencial Trigonométrica
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