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1a Questão (Ref.: 201307340213) Pontos: 0,5 / 0,5 Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar: Somente resistência elétrica varia com a temperatura. Somente resistividade elétrica varia com a temperatura. Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor. Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor. A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear. 2a Questão (Ref.: 201307193407) Pontos: 0,5 / 0,5 Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,5 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 mm2. 1,11 ohms 3,33 ohms 2,22 ohms 4,44 ohms 0,99 ohms 3a Questão (Ref.: 201307254064) Pontos: 0,0 / 0,5 Na Física, distingue-se entre propriedades extensivas e propriedades intensivas. As primeiras são uma função da geometria e da quantidade de massa do corpo, enquanto as outras, não. A resistividade e a condutividade elétricas são propriedades físicas intensivas da matéria, ou seja, não dependem da quantidade e da geometria do material em questão; porem, são afetadas por alguns fatores. Entre as opções a seguir, determine que fatores influenciam a resistividade e a condutividade elétrica de um condutor: Volume, comprimento do condutor e impurezas. Deformação mecânica, volume e pressão atmosférica. Temperatura, pressão e impurezas. Temperatura, comprimento do condutor e pressão. Temperatura, impureza e deformação mecânica. 4a Questão (Ref.: 201307254048) Pontos: 0,0 / 0,5 Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos. A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por =p.I e I.h, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo da carga do elétron, dado por 1,6.10-19C, e .h é mobilidade dos buracos. Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor de Silício resultante da dopagem com 5.1022/m3átomos de Boro, considerando h = 0,05m2/V.s 400 (ohm.m) -1 50 (ohm.m) -1 4 (ohm.m) -1 100 (ohm.m) -1 200 (ohm.m) -1 5a Questão (Ref.: 201307102141) Pontos: 0,0 / 1,0 A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm2. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20oC e que a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10-8 Ω.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma temperatura de 80oC (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10-3 oC-1). 4,35 Ω 3,89 Ω 4,19 Ω 6,8 Ω 3,4 Ω 6a Questão (Ref.: 201307180386) Pontos: 0,0 / 1,0 Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm? Condutividade Indutância Condutância Resistência Resistividade 7a Questão (Ref.: 201307180389) Pontos: 1,0 / 1,0 Qual é a principal característica dos materiais semicondutores? São somente supercondutores. São condutores e isolantes. Não são condutores e isolantes. São somente isolantes São somente condutores 8a Questão (Ref.: 201307254083) Pontos: 0,0 / 1,0 A quantidade de buracos e elétrons em um semicondutor é uma função da temperatura a que este é submetido. Baseado no gráfico a seguir, no qual no eixo horizontal tem-se temperatura (oC e K) e no eixo vertical tem-se a condutividade elétrica (ohm.m) -1, podem-se observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor intrínseco de Silício, denominado no gráfico deintrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013% (CALLISTER, WILLIAM D. Jr.Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Baseado no gráfico, podemos afirmar que: As condutividades elétricas dos semicondutores extrínsecos e intrínsecos nunca se igualam. A uma dada temperatura, quanto menor a concentração de Boro, maior será a condutividade do semicondutor. A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco aumenta acentuadamente com o aumento da temperatura. A 400oC aproximadamente, as condutividades elétricas dos semicondutores extrínsecos se igualam. A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco diminui acentuadamente com o aumento da temperatura.
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