PRATICAS DE ELETRÔNICA_LINEAR-2012-2

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1
 
 
UNIVERSIDADE ESTÁCIO DE SÁ 
 
APOSTILA DO LABORATÓRIO DE 
ELETRÔNICA 
2012-2 
 
 
 
 
 
Prof. Antonio Carlos Santos Figueiredo 
Prof. Ivan da Cunha dos Santos 
Prof. Odair da Silva Xavier 
Prof. Ricardo Falbo 
Prof. Washington Bomfim 
Prof. Wagner Zanco 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 2
PRÁTICA N° 1 - RESISTORES E CODIGOS DE CORES 
 
 
GRUPO_____ 
 
 
 
ALUNOS: 
 
1-__________________________________________________________ 
 
 
2-__________________________________________________________ 
 
 
3-__________________________________________________________ 
 
 
4-__________________________________________________________ 
5- 
6- 
7- 
RESISTORES E CÓDIGO DE CORES 
 
Objetivos: 
• Ler o valor nominal de cada resistor através do código de cores 
• Determinar a máxima potência dissipada pelo resistor através de suas dimensões físicas. 
 
Teoria: 
 Resistores são componentes que têm pôr finalidade de oferecer uma oposição à passagem de corrente 
elétrica, através de seu material. A essa oposição damos o nome de resistência elétrica, que possui como 
unidade o ohm (Ω), onde encontramos como múltiplos mais usuais: 
 Kilo – ohm (KΩ) → 1 KΩ = 103Ω 
 Mega – ohm (MΩ) →1MΩ= 106Ω 
 
Classificamos os resistores em dois tipos: fixos e variáveis. Os resistores fixos são aqueles que cujo 
valor da resistência não pode ser alterado, enquanto que as variáveis têm a sua resistência modificada, dentro de 
uma faixa de valores através de um cursor móvel. 
 Os resistores fixos são comumente especificados pôr três parâmetros: o valor nominal da resistência 
elétrica; a tolerância, ou seja, a máxima variação em porcentagem do valor nominal; e a máxima potência 
elétrica dissipada. 
 
EXEMPLO: 
 Tomemos um resistor de 100Ω ± 5% - 0,33W, isso significa que possui um valor nominal de 100 Ω, 
uma tolerância de mais ou menos 5% e pode dissipar no máximo 0,33Watts. 
 Dentre os tipos de resistores fixos, destacamos os de fio, de filme de carbono e de filme metálico. 
 3
 
 
 
 
RESISTOR DE FIO: 
 Consiste basicamente em um tubo cerâmico, que servirá de suporte para enrolarmos um determinado 
comprimento de fio, de liga especial para obter-se o valor de resistência desejado. Os terminais desse fio são 
conectados às braçadeiras presas ao tubo. Além desse, existem outros tipos construtivos esquematizados 
conforme mostra a figura. 
 
 
 
Os resistores de fio são encontrados com valores de resistência de alguns ohms até Kilo-ohms, e são aplicados 
onde se exige altos valores de potência, acima de 5W, sendo suas especificações impressas no próprio corpo. 
 
Resistores de filme metálico de Carbono 
 Consiste em um cilindro de porcelana recoberto pôr um filme (película) de carbono. O valor da 
resistência é obtido mediante a formação de um sulco, transformando a película em uma fita helicoidal. Esse 
valor pode variar conforme a espessura do filme ou a largura da fita. Como revestimento, encontramos uma 
resina protetora sobre a qual será impresso um código de cores, identificando seu valor nominal e tolerância. 
 
 
 
 Os resistores de filme de carbono são destinados ao uso geral e suas dimensões físicas determinam a 
máxima potência que pode dissipar. 
 
 
Resistor de filme metálico 
 
 Sua estrutura é idêntica ao de filme de carbono, somente que, utilizamos uma liga metálica (níquel-
 4
cromo) para formarmos a película, obtendo valores mais precisos de resistência, com tolerâncias de 1% e 2%. 
 
 O código de cores, utilizado nos resistores de película, é visto na figura abaixo. 
 
 
Observações 
 
1- A ausência de faixa de tolerância indica que esta é de ±20%. 
2- Para os resistores de precisão encontramos cinco faixas onde as três primeiras representam o primeiro, o 
segundo e o terceiro algarismo significativo e as demais, respectivamente, fator multiplicativo e 
tolerância. 
 
A figura abaixo mostra a especificação de potencia com dimensões, em tamanho natural. 
 
 
 
Valores padronizados para resistores de película 
 
1 –SERIE: 5%, 10% E 20% de tolerância. 
10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82 
 
 
2 – SÉRIE: 2% e 5% de tolerância 
10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 75 82 91 
 
 5
 
 
 
 
 
 
3 – SERIE: 1% DE TOLERANCIA 
 
100 102 105 107 110 113 115 118 
121 124 127 130 133 137 140 143 
147 150 154 158 162 165 169 174 
178 182 187 191 196 200 205 210 
215 221 226 232 237 243 249 255 
261 267 274 280 287 294 301 309 
316 324 332 340 348 357 365 374 
383 392 402 412 422 432 442 453 
464 475 487 499 511 523 536 549 
562 576 590 604 619 634 649 665 
681 698 715 732 750 768 787 806 
825 845 866 887 909 931 953 976 
 
A seguir, mostramos alguns exemplos de leitura, utilizando o código de cores: 
 
 6
 
 
 
MATERIAL EXPERIMENTAL 
 
10 resistores de valores diversos 
 
Simbologia: 
 
 
PARTE PRÁTICA: 
 
 7
1- Faça a leitura de cada resistor e anote no quadro 1.1 o valor nominal, a tolerância e a potência: 
 
RESISTOR VALOR 
NOMINAL 
TOLERANCIA POTENCIA (W) 
R1 
R2 
R3 
R4 
R5 
R6 
R7 
R8 
R9 
R10 
 
 
Quadro 1.1 
 
QUESTÕES: 
 
1- Determine a seqüência de cores para os resistores abaixo 
a) 10 KΩ± 5% 
b) 390 KΩ± 10% 
c) 5,6Ω ± 2% 
d) 715Ω ± 1% 
e) 0,82Ω ± 2% 
 
2- O que determina o valor ôhmico em um resistor de filme de carbono? 
 
3- Qual é o parâmetro que é definido através das dimensões físicas de um resistor? 
 
4- Cite um exemplo de aplicação que você conhece dos resistores de fio 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 8
PRÁTICA N° 2 – O OHMIMETRO 
 
GRUPO_____ 
 
 
 
ALUNOS: 
 
1-__________________________________________________________ 
 
 
2-__________________________________________________________ 
 
 
3-__________________________________________________________ 
 
 
4-__________________________________________________________ 
 
O OHMIMETRO 
 
OBJETIVO: 
• Utilizar o ohmimetro para medidas de resistência elétrica 
• Familiarizar com as escalas do instrumento. 
 
TEORIA: 
 
 O ohmimetro é um instrumento utilizado para fins de medidas de resistência elétrica. Faz, juntamente 
com o voltímetro e o amperímetro, parte do aparelho de medidas, denominado multímetro ou multiteste. 
 A chave seletora do ohmimetro, dependendo do modelo, apresenta uma chave seletora com posições de 
200, 2K, 20K, 200K, 2M, 20M, isso significa o maior valor que a escala poderá medir. A medida é dada de 
forma direta, e tem que ser empregado o bom senso para fazer uma medição com precisão. Para medir um 
determinado resistor partindo do pressuposto que seu valor seja conhecido, e importante utilizar uma escala 
onde haja máxima acuracidade da medida, pôr exemplo, um resistor de 120KΩ deve ser medido numa escala 
que no máximo meça 200K. Ele pode ser medido também em qualquer escala superior, mas há o risco de perder 
a precisão para tal medida. 
MATERIAL EXPERIMENTAL 
 
Multímetro 
Resistores: 4,7KΩ, 56Ω, 330Ω, 2,2KΩ, 8,2KΩ, 18KΩ, 68KΩ, 270KΩ, 390KΩ e 1,2MΩ 
 
PARTE PRÁTICA 
1- Meça cada resistor e anote os valores no quadro abaixo. Em cada medida coloque a chave seletora em 
todas as posições, escolhendo uma de melhor conveniência para leitura. 
2- -Leia e anote para cada resistor sua tolerância. 
 
 
 9
 
 
 
VALOR 
NOMINAL(Vn) 
TOLERANCIA VALOR 
MEDIDO (Vm) 
POSIÇÃO DA 
ESCALA 
∆R % 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
QUESTÕES: 
 
1- Compare os valores medidos com os valores nominais. Calculeo desvio percentual e anote no quadro. 
 
%100.%
Vn
VmVn
R
−
=∆ 
 
 
2- Compare ∆R % com a tolerância do resistor e tire conclusões quanto à coerência dos resultados obtidos. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 10 
PRÁTICA N° 3 – O VOLTÍMETRO E O AMPERÍMETRO 
 
GRUPO_____ 
 
 
 
ALUNOS: 
 
1-__________________________________________________________ 
 
 
2-__________________________________________________________ 
 
 
3-__________________________________________________________ 
 
 
4-__________________________________________________________ 
 
VOLTIMETRO E AMPERIMETRO 
 
OBJETIVOS: 
Aprender a utilizar um voltímetro e um amperímetro para medida de tensão e corrente contínua. 
 
 
TEORIA 
 
MEDIDA DE TENSÕES: 
 A medida de tensões é essencial em todos os trabalhos de Eletrônica. 
 
 Ela especifica o funcionamento e fornece as características de um circuito elétrico. O aparelho destinado 
a medir tensões é o voltímetro. 
 
 A tensão entre dois pontos de um circuito é a medida do desequilíbrio elétrico entre esses pontos. 
 Para medir a tensão entre dois pontos quaisquer de um circuito elétrico, liga-se um voltímetro em 
paralelo entre esses dois pontos. 
 
 Todos os instrumentos de medida para utilização em tensão ou corrente contínua, tem em seus terminais 
uma indicação de polaridade. Essa indicação normalmente é feita com os sinais “ + “ e “ - “ ou com as cores 
vermelha e preta respectivamente. Tal cuidado no entanto, não precisa ser tomado quando se mede tensões ou 
correntes alternadas, objeto de estudos posteriores. 
 
 Quando se mede tensão contínua, deve-se tomar cuidado em ligar o instrumento e conectá-lo 
corretamente, isto é, o terminal positivo deve ser ligado ao ponto de potencial mais alto e o negativo ao ponto de 
potencial mais baixo. 
 
 11 
Se o ponteiro do medidor se deslocar à direita, ele foi conectado corretamente; caso contrário, os 
terminais estão ligados invertidos. 
 Para medirmos a tensão no resistor R2 ou entre os pontos A e B, utilizaremos um voltímetro. Antes de 
ligarmos o medidor convém lembrar que, por convenção, nos geradores (bateria) a corrente sai do polo positivo 
e nos receptores (resistores) a corrente entra pelo polo positivo. 
 
 
 
 Portanto, no resistor R2 (figura 1) o ponto A é mais positivo do que o ponto B, pois a corrente entra no 
resistor pelo ponto A; obviamente o ponto B será negativo em relação ao ponto A. 
 Desta forma, devemos conectar o polo positivo do voltímetro no ponto A e o polo negativo no ponto B, 
conforme ilustra a figura 2. 
 
 
 
 Se quisermos medir a tensão da associação formada por R1 e R2, isto é, a tensão entre os pontos C e B, 
devemos ligar o voltímetro conforme mostra a figura 3. 
 
 
 
 Observe que nas três figuras apresentadas a chave interruptora (Sw1) encontra-se aberta. Logo, para que 
a corrente flua pelo circuito a mesma deverá ser fechada, caso contrário, o instrumento não acusará nenhuma 
medida. 
 Um voltímetro de boa qualidade deve apresentar uma resistência interna elevadíssima, pois assim a 
corrente que ele solicita é praticamente nula e não altera o circuito original. 
 
MEDIDA DE CORRENTES: 
 12 
 O aparelho destinado a medir corrente é o amperímetro. Quando o valor da intensidade da corrente a ser 
medida é muito pequena, utiliza-se um miliamperímetro ou mesmo ou microamparímetro. 
 
 A intensidade da corrente que flui em um circuito depende da tensão aplicada e da natureza do circuito, 
como por exemplo, os resistores nele inseridos. 
 
 Para se medir corrente contínua em um circuito, deve-se colocar o medidor em série, observando-se a 
polaridade, a exemplo do voltímetro, onde são obedecidas as mesmas convenções: sinais ou cores. 
 
 A figura 4 mostra um circuito contendo uma bateria e dois resistores. Para medirmos a corrente no ponto 
A ou no resistor R1 ou R2, devemos seguir o seguinte critério: 
 a) desligamos a alimentação 
 b) interrompemos o circuito no ponto A, conforme mostra a figura 5. 
 c) intercalamos o amperímetro, observando a polaridade, conforme mostra a figura 6. 
 
 
 
 
 
 Um bom amperímetro deve ter uma resistência interna bastante baixa, para não interferir no circuito. 
 
 
PARTE PRÁTICA 
MATERIAIS NECESSÁRIOS 
1- Protoboard 
1- Multímetro analógico ou digital 
 
I- MEDIDA DE TENSÃO CONTÍNUA: 
 
OBS: Ajustar a fonte regulável em 10V 
 
 1- Monte o circuito da figura 7. Meça e anote na tabela 1 as tensões nos resistores R12 e R17. 
 13 
 
 
 2- Monte o circuito da figura 8. Meça e anote na tabela 2 as tensões nos resistores R12, R17 e R20. 
 
 
II- MEDIDA DE CORRENTE CONTÍNUA: 
 
 1- Monte o circuito da figura 9. Meça e anote na tabela 3 a corrente nos pontos A, B, C e D. 
 
Tabela 1 
Figura 7 R12 R17 
Tensão (V) 
 
Tabela 2 
Figura 8 R12 R17 R20 
Tensão (V) 
 
Tabela 3 
Figura 9 Ponto A Ponto B Ponto C Ponto D 
Corrente (mA) 
 
QUESTÕES: 
 
1- Como se mede a corrente em um circuito? 
 14 
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
__________ 
 
2- O ponto onde se intercala o amperímetro influi na medida da corrente em um circuito série? Por quê? 
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
__________ 
 
 
 
3- O que acontece com a corrente se aumentarmos o número dos resistores em um circuito série? Por quê? 
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
______________________________ 
 
4- A resistência interna de um medidor de corrente deve ser alta ou baixa? Por quê? 
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________ 
 
5- Como se procede para medir tensão entre dois pontos de um circuito? 
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________ 
 
6- O que acontece se invertermos a polaridade do voltímetro na medida de uma tensão contínua? 
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________ 
 
7- Na figura 7, qual é a relação entre a tensão total e as tensões nos resistores R12 e R17? 
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________ 
 
8- Na figura 9, qual é a relação entre as correntes no ponto A e no ponto D? Justifique. 
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________ 
 
9- Na figura 9, qual é a relação entre as correntes no ponto A e nos pontos B e C? Justifique. 
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
 15 
__________________________________________________________________________________________
__________ 
 
10- Indique no circuito a seguir (figura 10), a polaridade correta de cada medidor. 
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________
__________ 
 
 
 
11- Assinale no esquema a seguir (figura 11), onde devemos interromper para medirmos a corrente que passa 
pelo conjunto R3 e R4. 
 
 
12- De quais resistores o amperímetro esquematizado na figura 11, mede a corrente? 
__________________________________________________________________________________________
__________________________________________________ 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 16 
PRÁTICA N° 4 – RETIFICADORES E FILTRAGEM CAPACITIVA 
 
GRUPO_____ 
 
 
 
ALUNOS: 
 
1-__________________________________________________________ 
 
 
2-__________________________________________________________ 
 
 
3-__________________________________________________________ 
 
 
4-__________________________________________________________ 
 
CIRCUITOS RETIFICADORES 
 
Retificador de meia onda 
 
1- Montar o circuito da figura abaixo e conectar as saídas do transformador 0-12 aos pontos A e B 
2- Medir a tensão média CC e a corrente média cc na carga de 100 ohms 
3- Desenhar em folha de papel milimetrado as formas de onda sincronizadas de V1, VD e VRL. Prestar 
especial atenção ao valor de pico de VRL e aos valores positivos de Vd, selecionando o modo DC no 
osciloscópio. 
 
 
 
 
 
 
 17 
 
 
 
 
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA 
 
1- Montar o circuito da figura abaixo e conectar o secundário do transformador 12-0-12 aos pontos A,C e B 
respectivamente. 
2- Meça note em quadro os valores de VAB ,VAC , VBC , VD1 , VD2 e VRL 
3- Desenhar em papel milimetrado as formas de onda de VAB ,VAC , VBC , VD1 , VD2 e VRL 
 
 
 
 
VAB VAC VBC VD1 VD2 VRL 
 
 
RETIFICADOR DE PONTE GRAETZ 
 
1- Montar o circuito da figura abaixo e ligar as tomadas do secundário do transformador 0-12 
2- Anotar em tabela abaixo os valores de VI , VD1, VD2 , VRL . Note que VD1=Vd4 e VD2=VD3 
3- Desenhar em papel milimetrado as formas de ondas sincronizadas em VI , VD1,VD2,VRL
 
 
RETIFICADORES UTILIZANDO FILTROS 
 
1 - Montar o circuito da figura 1 
 18 
2 – Observar e desenhar em papel milimetrado a forma de onda de VRL e compará-la com a obtida na prática 5 
(sem filtro) 
3 – Medir o valor de Vc. Comutar o osciloscópio no modo CA e medir VR. Desenhar em papel milimetrado a 
forma de onde de VR. 
4- Calcular e anotar o valor de Fr 
5- Repetir o processo para a figura 2 (filtro em π) 
6- Repetir o processo para o retificador em ponte 
 
Obs.: Fr = (Vr(pp) . 100)/ Vc.2√2 
 
 
Figura 1 
 
 
 
Figura 2 
 
 
 
 
 
 
 
 
 19 
PRÁTICA N° 5 – CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO FIXA DO TBJ 
 
GRUPO_____ 
 
 
 
ALUNOS: 
 
1-__________________________________________________________ 
 
 
2-__________________________________________________________ 
 
 
3-__________________________________________________________ 
 
 
4-__________________________________________________________ 
 
 
 
 
CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO FIXA 
 
 
 
 
Título: Circuito de Polarização Fixa 
 
Objetivo: 
 
- Capacitar o aluno a simular circuitos que utilizam transistor 
- Entender o funcionamento dos circuitos de polarização de transistores 
- Calcular as grandezas elétricas em circuitos de polarização de transistor 
- Experimentar o efeito de amplificação 
 
Teoria: 
 
 Os transistores bipolares devem ser previamente alimentados por uma fonte de tensão e polarizados 
corretamente para funcionarem. Existem os seguintes métodos de polarização de transistor comumente 
utilizados: 
• Polarização Fixa 
• Polarização Estável de Emissor 
• Polarização por Realimentação de Tensão 
• Polarização por Divisor de Tensão 
 
 20 
Nessa prática, examina remos a polarização fixa. 
 
 
 
Polarização fixa: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Prática: 
 
1 – Para o circuito abaixo, calcule a corrente de base (Ib), corrente de coletor (Ic), tensão coletor-emissor (Vce), 
e tensão no resistor de coletor (VRc) em cada circuito (considere transistor com β=300). 
 
4,7kΩ
2,2MΩ
12V
2N2222
 
 
 
 
 
 
 
2 Montar o circuito acima. Medir e anotar os valores das correntes e tensões calculadas no item 1 em cada 
circuito. 
 
3 – Comparar os valores calculados e medidos nos itens 1 e 2. Justificar as discrepâncias. 
 
4 – Conecte capacitores de acoplamento à base (entrada) e ao coletor (saída). 
 
5 – Com o gerador de funções, aplique na entrada um sinal senoidal de 1kHz com 100mVpp. 
 
6 – Com o osciloscópio, meça o valor da tensão amplificada obtida na saída e calcule o ganho de tensão. 
 
7 – Conclusões: 
 
 
 
Rc 
Vcc 
Rb 
Q 
 21 
PRÁTICA N° 6 – POLARIZAÇÃO ESTÁVEL DE EMISSOR 
 
GRUPO_____ 
 
 
 
ALUNOS: 
 
1-__________________________________________________________ 
 
 
2-__________________________________________________________ 
 
 
3-__________________________________________________________ 
 
 
4-__________________________________________________________ 
 
 
 
 
 
CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO ESTÁVEL DE EMISSOR 
 
 
 
 
Título: Circuito de Polarização Estável de Emissor 
 
Objetivo: 
 
- Capacitar o aluno a simular circuitos que utilizam transistor 
- Entender o funcionamento dos circuitos de polarização de transistores 
- Calcular as grandezas elétricas em circuitos de polarização de transistor 
- Experimentar o efeito de amplificação 
 
Teoria: 
 
 Os transistores bipolares devem ser previamente alimentados por uma fonte de tensão e polarizados 
corretamente para funcionarem. Existem os seguintes métodos de polarização de transistor comumente 
utilizados: 
• Polarização Fixa 
• Polarização Estável de Emissor 
• Polarização por Realimentação de Tensão 
• Polarização por Divisor de Tensão 
 22 
 
Nessa prática, examina remos a polarização estável de emissor. 
 
 
 
Polarização estável de emissor: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Prática: 
 
1 – Para o circuito abaixo, calcule a corrente de base (Ib), corrente de coletor (Ic), tensão coletor-emissor (Vce), 
e tensão no resistor de coletor (VRc) em cadacircuito (considere transistor com β=300). 
2,2MΩ 4,7kΩ
1kΩ
12V
2N2222
 
 
2 Montar o circuito acima. Medir e anotar os valores das correntes e tensões calculadas no item 1 em cada 
circuito. 
 
3 – Comparar os valores calculados e medidos nos itens 1 e 2. Justificar as discrepâncias. 
 
4 – Conecte capacitores de acoplamento à base (entrada) e ao coletor (saída) e, também, um capacitor de bypass 
em paralelo com Re. 
 
5 – Com o gerador de funções, aplique na entrada um sinal senoidal de 1kHz com 100mVpp. 
 
6 – Com o osciloscópio, meça o valor da tensão amplificada obtida na saída com e sem o capacitor de bypass do 
emissor e calcule os ganhos de tensão. 
 
Rc 
Vcc 
Rb 
Q 
Re 
 23 
 
7 – Conclusões: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 24 
 25 
PRÁTICA N° 7 – CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO POR 
REALIMENTAÇÃO DE TENSÃO 
 
GRUPO_____ 
 
 
 
ALUNOS: 
 
1-__________________________________________________________ 
 
 
2-__________________________________________________________ 
 
 
3-__________________________________________________________ 
 
 
4-__________________________________________________________ 
 
 
 
 
CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO POR REALIMENTAÇÃO DE TENSÃO 
 
 
 
 
Título: Circuito de Polarização por Realimentação de Tensão 
 
Objetivo: 
 
- Capacitar o aluno a simular circuitos que utilizam transistor 
- Entender o funcionamento dos circuitos de polarização de transistores 
- Calcular as grandezas elétricas em circuitos de polarização de transistor 
- Experimentar o efeito de amplificação 
 
Teoria: 
 
 Os transistores bipolares devem ser previamente alimentados por uma fonte de tensão e polarizados 
corretamente para funcionarem. Existem os seguintes métodos de polarização de transistor comumente 
utilizados: 
• Polarização Fixa 
• Polarização Estável de Emissor 
• Polarização por Realimentação de Tensão 
• Polarização por Divisor de Tensão 
 26 
 
Nessa prática, examinaremos a polarização por realimentação de tensão 
 
 
 
Polarização por realimentação de tensão: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Prática: 
 
1 – Para o circuito abaixo, calcule a corrente de base (Ib), corrente de coletor (Ic), tensão coletor-emissor (Vce), 
e tensão no resistor de coletor (VRc) em cada circuito (considere transistor com β=300). 
 
1MΩ 4,7kΩ
12V
2N2222
 
 
 
 
 
 
 
2 Montar o circuito acima. Medir e anotar os valores das correntes e tensões calculadas no item 1 em cada 
circuito. 
 
3 – Comparar os valores calculados e medidos nos itens 1 e 2. Justificar as discrepâncias. 
 
4 – Conecte capacitores de acoplamento à base (entrada) e ao coletor (saída). 
 
5 – Com o gerador de funções, aplique na entrada um sinal senoidal de 1kHz com 100mVpp. 
 
6 – Com o osciloscópio, meça o valor da tensão amplificada obtida na saída e calcule o ganho de tensão. 
 
7 – Conclusões: 
 
 
 
Rc 
Vcc 
Rb 
Q 
 27 
PRÁTICA N° 8 – CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE 
TENSÃO 
 
GRUPO_____ 
 
 
 
ALUNOS: 
 
1-__________________________________________________________ 
 
 
2-__________________________________________________________ 
 
 
3-__________________________________________________________ 
 
 
4-__________________________________________________________ 
 
 
 
 
CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO 
 
 
 
 
Título: Circuito de Polarização por Divisor de Tensão 
 
Objetivo: 
 
- Capacitar o aluno a simular circuitos que utilizam transistor 
- Entender o funcionamento dos circuitos de polarização de transistores 
- Calcular as grandezas elétricas em circuitos de polarização de transistor 
- Experimentar o efeito de amplificação 
 
Teoria: 
 
 Os transistores bipolares devem ser previamente alimentados por uma fonte de tensão e polarizados 
corretamente para funcionarem. Existem os seguintes métodos de polarização de transistor comumente 
utilizados: 
• Polarização Fixa 
• Polarização Estável de Emissor 
• Polarização por Realimentação de Tensão 
• Polarização por Divisor de Tensão 
 28 
 
Nessa prática, examinaremos a polarização por divisor de tensão 
 
 
Polarização por divisor de tensão: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Prática: 
 
1 – Para o circuito abaixo, calcule a corrente de base (Ib), corrente de coletor (Ic), tensão coletor-emissor (Vce), 
e tensão no resistor de coletor (VRc) em cada circuito (considere transistor com β=300). 
 
 
10kΩ 4,7kΩ
1kΩ
12V
2,2kΩ
2N2222
 
2 Montar o circuito acima. Medir e anotar os valores das correntes e tensões calculadas no item 1 em cada 
circuito. 
 
3 – Comparar os valores calculados e medidos nos itens 1 e 2. Justificar as discrepâncias. 
 
4 – Conecte capacitores de acoplamento à base (entrada) e ao coletor (saída). 
 
5 – Com o gerador de funções, aplique na entrada um sinal senoidal de 1kHz com 100mVpp. 
 
6 – Com o osciloscópio, meça o valor da tensão amplificada obtida na saída e calcule o ganho de tensão. 
 
7 – Conclusões: 
 
Rc 
Vcc 
Rb1 
Q 
Re 
Rb2 
 29 
 
 
PRÁTICA N° 9 – O TBJ COMO CHAVE 
 
GRUPO_____ 
 
 
 
ALUNOS: 
 
1-__________________________________________________________ 
 
 
2-__________________________________________________________ 
 
 
3-__________________________________________________________ 
 
 
4-__________________________________________________________ 
 
 
 
 
O TBJ COMO CHAVE 
 
OBJETIVO: 
 
• Verificar, experimentalmente, o funcionamento de um transistor como chave. 
 
 
TEORIA: 
 
 Conforme a polarização, um transistor pode operar em três regiões distintas, a de corte, a ativa e a de 
saturação. Na região ativa, o transistor é utilizado, com a devida polarização, como amplificador. Nas regiões de 
corte e saturação, é utilizado como chave, ou seja, serve apenas para comutação, conduzindo ou não. Nesta 
situação, o transistor é utilizado, principalmente, no campo da eletrônica digital, sendo célula básica de uma 
série de dispositivos, normalmente agrupados dentro de circuitos integrados. 
 Na figura abaixo, temos a curva da corrente de coletor em função da corrente de base, mostrando o 
corte, a saturação e a região ativa. 
 
 30 
 
 
Característica Ic=f(IB). 
 
Notamos que, se trabalharmos com uma corrente de base menor ou igual a zero, o transistor operará na 
região de corte, ou seja, a corrente de coletor será nula. Se trabalharmos com uma corrente de base entre zero e 
um valor limite (IBsat), operará na região ativa, ou seja, com uma corrente de coletor, conforme o valor de β ( Ic= 
βIb). Para uma corrente de base acima de IBsat, operará na região de saturação, ou seja, circulará pelo coletor 
uma corrente limite (ICsat ), imposta de acordo com a polarização. 
Estas mesmas condições podem ser observadas na característica IC=f(VCE) do transistor, onde também 
podemos representar a reta de carga de um circuito de polarização. A figura abaixo mostra essas característica, 
bem como a reta de carga. 
 
 
 
Característica IC = f(VCE) 
 
 A reta de carga é obtida a partir da equação da malha de saída do circuito de polarização, no caso para 
fins de chaveamento, utilizaremos o circuito de corrente de base constante. Escrevendo a equação da malha 
temos: 
VCC=RCIC + VCE 
 
Onde VCE= VCC - ICRC 
 
Fazendo: Ic=0, temos que VCE=VCC (10 Ponto na reta). 
Fazendo: VCE=0, temos 
C
CC
C R
VI = (20 Ponto na reta) 
 
Para fins de amplificação, o ponto de trabalho será localizado naregião ativa. Em operação como chave, 
o ponto será localizado na região de corte ou na região de saturação ( áreas hachuradas na característica 
IC=f(VCE) da figura acima). 
O circuito abaixo mostra a configuração básica de um transistor operando como uma chave. 
 
 31 
 
 
Transistor operando como chave 
 
Para o transistor operar na situação de corte, ou seja, como chave aberta é necessário que o potencia VE 
seja menor que VBE` ou nulo. Nesta situação, não circulará corrente de coletor, sendo VS igual a VCC. 
Para o transistor operar na situação de saturação, ou seja, como chave fechada é necessário que o 
potencial VE seja maior que VBE, dependendo do dimensionamento de RB. Nesta situação, a corrente de coletor 
será máxima possível, conforme o valor de RC, sendo VS igual a VCEsat ( no maximo 0,3V). 
Dimensionando RC e RB para a saturação do transistor, temos: 
 
1 – Calculo de RC 
C
CEsatCC
C I
VVR −= 
 
2- Calculo de IBsat: 
 
SAT
C
Bsat
II β= , onde 10=SATβ (pior caso possível de β para garantia de saturação) 
 
3- Calculo de RB 
 
Bsat
BEE
B I
VVR −= 
 
se VE = VCC 
Bsat
BECC
C I
VVR −= 
 
Para exemplificar melhor, vamos dimensionar RB e RC para que o circuito da figura abaixo, estando a 
chave S na posição 1 sature o transistor, “acendendo” o led (diodo emissor de luz) e na posição 2 corte o 
transistor, mantendo o led “apagado”. 
 
 
 
Transistor como chave acionando um led 
 
 32 
Dados do transistor 
 
βsat = 10 
VBE = 0,7V 
VCEsat= 0,3V 
 
Dados do Led 
VL= 1,7V 
IL= 20mA 
 
Dados do projeto: 
VCC = 12V 
 
1- Calculo de RC: 
 
C
LCEsatCC
C I
VVVR −−= = Ω=−−
−
500
10.20
7,13,012
3 
 
RC adotado = 470Ω 
 
2- Calculo de IBsat: 
 
mAII
sat
C
Bsat 210
10.20 3
===
−
β 
 
3- Calculo de RB 
 
Ω=−=−=
−
K
I
VVR
Bsat
BECC
B 6,510.2
0712
3 
RBadotado =5,6KΩ 
 
Material Experimental: 
 
Fonte variável 
Resistores : 470Ω e 5,6KΩ 
Transistor: BC 548 ou equivalente 
LED : FLV 110 ou equivalente 
Multímetro 
 
Simbologia 
 
 
 
 
 33 
 
 
 
 
 
 
Parte Prática: 
 
1 – Monte o circuito da figura abaixo: 
 
 
 
 
 
2- Com a chave na posição 1, meça e anote no quadro abaixo os valores de IB, VBE e VCE. Repita as medições 
com a chave na posição 2, anotando os valores no mesmo quadro. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
QUESTÕES 
 
1- No circuito da figura acima, modifique a posição do Led para “acender” quando a chave S forma 
comutada para a posição 2 e apagar na posição 1. 
2- No circuito da figura abaixo, sabendo que todos os resistores da base estão dimensionados para a 
saturação dos transistores, preencha o quadro abaixo, indicando a situação do led em função da posição 
das chaves S1 e S2 
 
Chave S IB IC VBE VCE 
Pos 1 
Pos 2 
 34 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3- Dimensione RC e RB para o circuito abaixo, de tal forma a saturar o transistor na mudança de nível, 
conforme a característica da tensão de entrada. 
 
 
 
 
Dados do transistor: 
VBE= 0,7V 
β=10 
VCEsat=0,3V 
 
Dados do projeto: 
IC=10mA 
 
 
 
 
 
 
S1 S2 LED 
1 1 
1 2 
2 1 
2 2 
 35 
PRÁTICA N° 10 – CIRCUITO REGULADOR SÉRIE COM TBJ 
 
 
GRUPO_____ 
 
 
 
ALUNOS: 
 
1-__________________________________________________________ 
 
 
2-__________________________________________________________ 
 
 
3-__________________________________________________________ 
 
 
4-__________________________________________________________ 
 
 
 
 
CIRCUITO REGULADOR SÉRIE COM TBJ 
 
OBJETIVO: 
 
• Verificar, experimentalmente, o funcionamento de um circuito regulador série com transistor bipolar de 
junção. 
 
 
TEORIA: 
 
O circuito regulador composto apenas por um diodo zener e um resistor não opera a contento quando a carga 
requer correntes elevadas ou quando o regime de consumo da carga é muito irregular. 
 
 
 
 
 36 
Para corrigir essa limitação adiciona-se um transistor bipolar ao esquema, conforme se vê na figura abaixo. 
 
Com a adição do transistor bipolar, a corrente consumida pela carga não atravessa mais o resistor R pois agora, 
o transistor bipolar é que passa a fornecer corrente à carga. 
 
Parte prática: 
 
1- Monte o circuito da figura abaixo. 
 
 
2- Calcule, a tensão de saída, a corrente de saída, a corrente em R1, a corrente de base e a corrente no 
diodo zener. Considere β=50. 
 
 
 
 
 
3- Meça todas as tensões e correntes calculadas no item 2. 
 
 
 
 
 
4- Compare os resultados das medições com os valores calculados tirando suas conclusões. 
 
 
 
 
Q1
TIP31A
D1
1N4474
R1
1.0kΩ
Vin=15V
RL
1.0kΩ
 37 
 38 
PRÁTICA N° 11 – CARACTERÍSTICAS DOS TRANSISTORES JFET 
 
 
GRUPO_____ 
 
 
 
ALUNOS: 
 
1-__________________________________________________________ 
 
 
2-__________________________________________________________ 
 
 
3-__________________________________________________________ 
 
 
4-__________________________________________________________ 
 
 
 
 
CARACTERISTICAS DOS TRANSISTORES JFET 
 
 
Universidade Estacio de Sá 
Universidade Politécnica 
 
12o Relatório de Prática de Eletrônica Linear 
 
CARACTERISTICAS DOS TRANSISTORES JFET 
 
OBJETIVO 
 
• Traçar as curvas características de dreno e de transferência a partir dos valores medidos 
• Determinar a resistência de canal 
• Ligar o JFET com uma resistência variável 
 
TEORIA: 
 O FET é conhecido como transistor unipolar porque a condução de corrente acontece por apenas um 
tipo de portador (elétron ou lacuna), dependendo do tipo de FET, de canal N ou de canal P. O nome “efeito de 
campo” decorre do fato que o mecanismo de controle do componente é baseado no campo elétrico estabelecido 
pela tensão aplicada no terminal de controle. O transistor JFET recebe este nome porque é um transistor FET de 
Junção. 
 39 
 
 
 
Figura 1 – O transistor JFET 
 
A figura 1 apresenta um JFET de canal N (existe também o JFET de canal P). Seu diagrama construtivo 
simplificado representa uma “barra” de silício semicondutor tipo N (semicondutor dopado com impurezas 
doadoras) e contendo incrustadas duas regiões tipo P. o JFET da figura 1 tem as seguintes partes constituintes: 
 
FONTE: (source) fornece os elétrons livres, 
DRENO: (drain) drena os elétrons, 
PORTA (gate) controla a largura do canal, controlando o fluxo dos elétrons entre a fonte e o dreno. As regiões P 
da porta são interligadas eletricamente. 
 Ainda observando a figura 1, a seta apontando para dentro representa uma junção PN de um diodo. 
 O JFET de canal P tem as mesmas partes constituintes de um JFET de canal N, porém seu símbolo 
apresenta a seta no sentido contrário, e as correntes e tensões são consideradas invertidas em relação ao JFET de 
canal N 
 
CARACTERISTICAS MAIS IMPORTANTES DO JFET 
 
Controle de tensão: A corrente entre o dreno e a fonte é controlada pela tensão aplicada na porta, em constraste 
com a do transistor BJT, cuja corrente de coletor é controlada pela corrente de base. 
Alta impedância de entrada: Para que seja possível o controle de corrente do canal N é necessário que se 
produza uma polarização reversa das junções da porta, provocando desta forma um aumento na região de 
depleção destas junções e em decorrência disto um estreitamento do canal; com isto, têm-se baixas correntes de 
porta, e consequentemente, alta impedância. 
Curvas características: O comportamentodo JFET pode ser sumarizado por suas curvas de dreno e de 
transcondutância. 
Outras características: Os transistores JFET apresentam menores ganhos em relação aos transistores BJT e em 
decorrência tem maior estabilidade térmica: geometricamente os JFET têm dimensões menores quando 
comparados com os transistores BJT. 
 
POLARIZAÇÃO DO JFET 
 
 
Figura 2 – Polarização do JFET 
 40 
 
A figura 2 apresenta o circuito de polarização de um transistor JFET de canal N. Observa-se que para que seja 
possível o controle da corrente de dreno são necessárias as seguintes condições: 
 
VDD > 0 
VGG < 0 
 
 O fluxo de elétrons da fonte para o dreno depende da largura do canal, isto é, polarização reversa na 
porta causa aumento das regiões de depleção, diminuindo a largura do canal e dificultando desta forma a 
passagem da corrente entre o dreno e a fonte (é uma região de íons, formada pela difusão pela junção). Desta 
forma temos as seguintes condições. 
 
a) LARGURA DO CANAL: Depende da tensão VGG, isto é, quanto mais negativa, maior será a região de 
depleção e, portanto, mais estreito o canal. 
b) TENSÃO DE CORTE (VGS): É a tensão suficiente para desaparecer o canal (VGScorte) também conhecida 
como Tensão de Deslocamento (pinch-off). 
c) CORRENTE DE FUGA DA PORTA: Como a junção da porta opera em polarização reversa, tem-se 
uma corrente baixa; desta forma, a CORRENTE DE DRENO (ID) é igual à CORRENTE DE FONTE 
(IS). Esta é a causa da alta impedância de entrada do JFET. 
Obs.: Como a polarização reversa entre a porta e a fonte (VGS) não consome corrente e a largura do canal 
depende de VGS, o controle de ID é efetivamente e feito pela tensão da porta. 
 
CURVAS DE DRENO 
 
 
Figura 3 – Curvas de dreno do JFET 
 
 A figura 3 apresenta as curvas de dreno de um JFET tipo N. Observa-se que estas características são 
semelhantes às características de um transistor BJT, apresentando as regiões de saturação , ruptura e região 
ativa.observa-se também que, nestas características, a região entre VDS=0 e VDS=4V apresenta um 
comportamento linear (região ôhmica) e que a partir de Vp a resistência aumenta. Para VGS =0 ( porta em curto) 
e uma tensão VDS=Vp a corrente de dreno assume o valor IDSS, que é a máxima corrente de dreno (drain-source 
short circuit current). 
 Observa-se que há uma semelhança entre as características de dreno do transistor JFET com as 
características de coletor de um transistor BJT. 
 Nota-se uma região de saturação, compreendida entre VDS=Vp. 
 
Há uma equivalente entre corrente de dreno no JFET e corrente de coletor do BJT, bem como entre a 
tensão dreno-fonte do JFET e a tensão coletor emissor do BJT. 
 A região de saturação do JFET também é conhecida como REGIÃO ÔHMICA, pois nesta região a 
resistência entre dreno e fonte é dependente da tensão de controle da porta. Daí o fato dos transistores FET 
poderem ser utilizados em circuitos onde se necessita o controle de resistência através de tensão. 
 41 
Uma característica importante do transistor FET é que esta apresenta uma tensão VGS de corte igual a tensão Vp 
(máxima na saturação). 
 
CURVAS DE TRANSCONDUTÂNCIA 
 
 A curva de transcondutância relaciona a corrente de saída com a tensão de entrada de um JFET. Através 
da Equação de Schokley relaciona-se a corrente ID com a tensão VGS, segundo uma relação quadrática: 
 
 
2
1 





−=
GScorte
GS
D V
V
I 
 
Obs.: Vp = VGScorte 
 
 
Como o JFET apresenta uma relação quadrática entre a corrente de dreno-fonte e a tensão de controle 
VGS, diz-se que este dispositivo é um dispositivo de Lei Quadrática. 
 
 
Figura 4 – Curva de transcondutância 
 
 Na região ôhmica, o JFET apresenta a seguinte relação para a sua resistência de canal: 
 






+
=
P
GS
o
V
V
r
rd
1
 
onde ro é a resistência do canal para VGS = 0 V 
 
Idmax= KV2, onde K é uma constante especificada pelo fabricante. 
 
MATERIAL EXPERIMENTAL 
 
• 2 Fontes variáveis 
• FET 
• Resistor: 1MΩ 
• Osciloscópio duplo traço 
• 1 Multímetro 
 
 
 
 
 
1- Monte o circuito de acordo com a figura 5 
 42 
 
 
 
CURVA DE DRENO 
 
2- Ajuste VGS= 0 através de PS-2. Varie ajustando PS-1 para obter tensões de acordo com a tabela 1. Meça e 
registre os valores das tensões e correntes para cada caso. 
PRESTE ATENÇÃO: Mudanças na escala do amperímetro afetam as medidas e ajustes! Se mudar a escala do 
amperímetro, refaça o, ajuste de VDS. Usar o osciloscópio no modo HF REJ. 
Levantar os dados para uma curva de VGS de cada vez. 
 
 
 
Tabela 1 
3- Repita o passo anterior para todos os valores de VGS da tabela e complete-a. 
4- Em seguida, trace as Curvas Características de Dreno (conforme sugestão da figura 6 ), a partir dos valores 
medidos e responda: 
 
Quais os valores de IDSS e Vp (quando VGS=0)? 
 
 
 
Figura 6 – Curvas Características de Dreno 
 
CARACTERÍSTICA DE TRANSFERÊNCIA 
 43 
 
5- Usando os resultados obtidos na tabela 1 registre as variações de corrente de dreno ID com a variação na 
tensão de porta VGS, para três tensões VDS diferentes, conforme indicado na tabela 2 
 
 
 
Tabela 2 – Curvas Características de Transferência 
 
6- Trace as Curvas Características de transferência conforme sugestão da figura 7 
 
 
 
Figura 7 – Curva Característica de Transferência 
 
 44 
 
PRÁTICA N° 11 - AMPLIFICADORES DE PEQUENOS SINAIS 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
GRUPO_____ 
 
 
 
ALUNOS: 
 
1-__________________________________________________________ 
 
 
2-__________________________________________________________ 
 
 
3-__________________________________________________________ 
 
 
4-__________________________________________________________ 
5- 
6- 
7- 
 45 
8- 
Universidade Estacio de Sá 
Universidade Politécnica 
 
11o Relatório de Prática de Eletrônica 
 
AMPLIFICADOR DE PEQUENOS SINAIS 
 
OBJETIVO: 
 
• Levantar a curva de resposta de um amplificador de pequenos sinais. 
 
 
TEORIA: 
 Utilizando-se de um transistor polarizado devidamente, podemos constituir um circuito denominado 
amplificador. Esse circuito deve apresentar na sua saída, um sinal com as mesmas características do sinal 
aplicado à sua entrada, porem amplificado, ou seja, com ganho em amplitude. Para a aplicação do sinal de 
entrada e como conseqüência a obtenção do mesmo na saída, utilizam-se capacitores de acoplamento, que alem 
disso, eliminam o nível DC, possibilitando que seja amplificada somente a variação de envoltória. Para melhor 
estabilidade utiliza-se o circuito de polarização com divisor de tensão na base, que conforme visto, fixa o ponto 
de operação do transistor. O amplificador de pequenos Sinai é visto na figura abaixo. 
 
 
 
Amplificador de pequenos sinais 
 
 O sinal de entrada (VE) é aplicado na base do transistor através do capacitor de acoplamento C1. Como 
este sinal é isento de nível DC, filtrado por C1, não irá alterar a polarização do transistor, mas fará com que haja 
uma variação na corrente de base em torno do ponto de operação, tendo esta variação as mesmas características, 
conforme VE. A corrente de coletor, por sua vez irá variar da mesma forma porem amplificada de acordo com o 
ganho β , pois IC= βIB. Essa variação irá provocar, analogamente, uma variação da tensão no resistor de coletor, 
fazendo aparecer na saída um sinal com as mesmas características do sinal de entrada, porem amplificado e 
defasado de 1800, pois a variação positiva do sinal de entrada representa um aumento da corrente de coletor e, 
conseqüentemente, um decréscimo da tensão de saída. O capacitor CE em paralelo com o resistor RE,serve para 
neutralizar a queda de sinal no resistor de emissor, pois, para fins de tensão continua de polarização (VRE) se 
carrega com esse valor e se comporta como um curto-circuito para o nível de entrada, fazendo com que toda 
variação seja aplicada entre base e emissor. A figura abaixo mostra as formas de onda nos principais pontos do 
circuito, supondo que o sinal de entrada seja uma tensão alternada senoidal. 
 
 
 46 
 
Formas de onda do amplificador de pequenos sinais 
 
 O ganho de tensão de um amplificador representa a relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada. 
Sendo assim, podemos escrever: 
 
E
S
V V
VA = 
 
 Para fins de dimensionamento da polarização, devemos utilizar a característica do transistor IC = f(VCE), 
traçar a reta de carga e localizar o ponto de trabalho, de tal forma que o sinal de entrada não atinja as regiões de 
corte ou de saturação, evitando distorções no sinal de saída. 
 A figura abaixo mostra a característica IC = f(Vce) com a reta de carga e sinais de entrada e saída. 
 
 
 
 
 47 
 
 A reta de carga passa pelos pontos ICC e VCC onde ICC = VCC/(RC +RE), pois, nesse tipo de polarização, 
na malha de saída encontramos, além de RC, o resistor RE. Como a escolha de ponto de operação (Q) é 
importante, pois, sua má localização acarreta em distorções do sinal de saída, devemos fazer com que a tensão 
VCEQ seja, aproximadamente, a metade do valor de VCC. Nessa situação as variações do sinal de entrada 
provocarão uma variação de VCE, de tal forma a ter um ciclo completo dentro da região ativa do transistor. Um 
outro fato a ser observado é que; o sinal de entrada não pode exceder a certos limites à nível de amplitude, pois, 
ultrapassaria a região ativa, distorcendo o sinal na saída, por isso, esse circuito é denominado amplificador de 
pequenos. Alem do problema da distorção, o amplificador possui resposta em freqüência, ou seja, conforme 
muda a freqüência, varia seu ganho. Um amplificador ideal é aquele que tem o mesmo ganho para qualquer 
freqüência, ou seja, possui respostas planas. Na prática, porem, normalmente os amplificadores apresentam 
resposta plana somente numa determinada faixa de freqüência. A figura abaixo mostra a curva de resposta 
A=f(f) de um amplificador. 
 
 
 
Curva de resposta de um amplificador 
 
 
 
 
Material Experimental: 
 
Fonte variável 
Gerador de sinais 
Osciloscópio 
Transistor BC 548 ou equivalente 
Resistores : 100Ω, 330Ω, 1,2KΩ e 5,6KΩ 
Capacitores: 100µF/100V e 1µF ( dois) 
 
Parte prática: 
 
5- Monte o circuito da figura abaixo. 
 
 
 
 48 
6- Ajuste a tensão do gerador de sinais para 100mVpp, onda senoidal. Varie a freqüência de acordo com o 
quadro abaixo, meça e anote para cada caso Vspp. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
7- Retire do circuito o capacitor de emissor (CE). Ajuste a tensão do gerador de sinais para 100mVpp, onda 
senoidal e freqüência 1KHz. Meça e anote no quadro abaixo as tensões VEPP e VSPP. 
 
 
 
VEPP 
VSPP 
AV 
 
Questões: 
 
1- Calcule os ganhos em tensão para o circuito da figura anterior, preenchendo o quadro 1. 
2- Com os valores obtidos na questão anterior, construa a curva de resposta do amplificador A=f(f). Utilize 
papel monolog. 
3- Determine na curva, a região onde a resposta é plana. 
4- Com os dados do quadro 2, calcule o ganho em tensão. Anote o resultado no mesmo quadro. 
5- Compare o ganho obtido na questão anterior como o obtido na questão 1, para a mesma freqüência. 
Explique o porquê da diferença. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
f(KHz) 1 2 4 6 8 10 20 30 40 50 
Vspp 
Av 
 49 
 
 
 
 
 
 
 
 
 50 
 
 
 
PRÁTICA N° 12 - CARACTERÍSTICAS DOS TRANSISTORES JFET 
 
 
 
 
 
 
 
GRUPO_____ 
 
ALUNOS: 
 
1-__________________________________________________________ 
 
 
2-__________________________________________________________ 
 
 
3-__________________________________________________________ 
 
 
4-__________________________________________________________ 
 
 51 
Universidade Estacio de Sá 
Universidade Politécnica 
 
12o Relatório de Prática de Eletrônica Linear 
 
CARACTERISTICAS DOS TRANSISTORES JFET 
 
OBJETIVO 
 
• Traçar as curvas características de dreno e de transferência a partir dos valores medidos 
• Determinar a resistência de canal 
• Ligar o JFET com uma resistência variável 
 
TEORIA: 
 O FET é conhecido como transistor unipolar porque a condução de corrente acontece por apenas um 
tipo de portador (elétron ou lacuna), dependendo do tipo de FET, de canal N ou de canal P. O nome “efeito de 
campo” decorre do fato que o mecanismo de controle do componente é baseado no campo elétrico estabelecido 
pela tensão aplicada no terminal de controle. O transistor JFET recebe este nome porque é um transistor FET de 
Junção. 
 
 
 
Figura 1 – O transistor JFET 
 
A figura 1 apresenta um JFET de canal N (existe também o JFET de canal P). Seu diagrama construtivo 
simplificado representa uma “barra” de silício semicondutor tipo N (semicondutor dopado com impurezas 
doadoras) e contendo incrustadas duas regiões tipo P. o JFET da figura 1 tem as seguintes partes constituintes: 
 
FONTE: (source) fornece os elétrons livres, 
DRENO: (drain) drena os elétrons, 
PORTA (gate) controla a largura do canal, controlando o fluxo dos elétrons entre a fonte e o dreno. As regiões P 
da porta são interligadas eletricamente. 
 Ainda observando a figura 1, a seta apontando para dentro representa uma junção PN de um diodo. 
 O JFET de canal P tem as mesmas partes constituintes de um JFET de canal N, porém seu símbolo 
apresenta a seta no sentido contrário, e as correntes e tensões são consideradas invertidas em relação ao JFET de 
canal N 
 
CARACTERISTICAS MAIS IMPORTANTES DO JFET 
 
Controle de tensão: A corrente entre o dreno e a fonte é controlada pela tensão aplicada na porta, em constraste 
com a do transistor BJT, cuja corrente de coletor é controlada pela corrente de base. 
Alta impedância de entrada: Para que seja possível o controle de corrente do canal N é necessário que se 
produza uma polarização reversa das junções da porta, provocando desta forma um aumento na região de 
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depleção destas junções e em decorrência disto um estreitamento do canal; com isto, têm-se baixas correntes de 
porta, e consequentemente, alta impedância. 
Curvas características: O comportamento do JFET pode ser sumarizado por suas curvas de dreno e de 
transcondutância. 
Outras características: Os transistores JFET apresentam menores ganhos em relação aos transistores BJT e em 
decorrência tem maior estabilidade térmica: geometricamente os JFET têm dimensões menores quando 
comparados com os transistores BJT. 
 
POLARIZAÇÃO DO JFET 
 
 
Figura 2 – Polarização do JFET 
 
A figura 2 apresenta o circuito de polarização de um transistor JFET de canal N. Observa-se que para que seja 
possível o controle da corrente de dreno são necessárias as seguintes condições: 
 
VDD > 0 
VGG < 0 
 
 O fluxo de elétrons da fonte para o dreno depende da largura do canal, isto é, polarização reversa na 
porta causa aumento das regiões de depleção, diminuindo a largura do canal e dificultando desta forma a 
passagem da corrente entre o dreno e a fonte (é uma região de íons, formada pela difusão pela junção). Desta 
forma temos as seguintes condições. 
 
d) LARGURA DO CANAL: Depende da tensão VGG, isto é, quanto mais negativa, maior será a região de 
depleção e, portanto, mais estreito o canal. 
e) TENSÃO DE CORTE (VGS): É a tensão suficiente para desaparecer o canal (VGScorte) também conhecida 
comoTensão de Deslocamento (pinch-off). 
f) CORRENTE DE FUGA DA PORTA: Como a junção da porta opera em polarização reversa, tem-se 
uma corrente baixa; desta forma, a CORRENTE DE DRENO (ID) é igual à CORRENTE DE FONTE 
(IS). Esta é a causa da alta impedância de entrada do JFET. 
Obs.: Como a polarização reversa entre a porta e a fonte (VGS) não consome corrente e a largura do canal 
depende de VGS, o controle de ID é efetivamente e feito pela tensão da porta. 
 
CURVAS DE DRENO 
 
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Figura 3 – Curvas de dreno do JFET 
 
 A figura 3 apresenta as curvas de dreno de um JFET tipo N. Observa-se que estas características são 
semelhantes às características de um transistor BJT, apresentando as regiões de saturação , ruptura e região 
ativa.observa-se também que, nestas características, a região entre VDS=0 e VDS=4V apresenta um 
comportamento linear (região ôhmica) e que a partir de Vp a resistência aumenta. Para VGS =0 ( porta em curto) 
e uma tensão VDS=Vp a corrente de dreno assume o valor IDSS, que é a máxima corrente de dreno (drain-source 
short circuit current). 
 Observa-se que há uma semelhança entre as características de dreno do transistor JFET com as 
características de coletor de um transistor BJT. 
 Nota-se uma região de saturação, compreendida entre VDS=Vp. 
 
Há uma equivalente entre corrente de dreno no JFET e corrente de coletor do BJT, bem como entre a 
tensão dreno-fonte do JFET e a tensão coletor emissor do BJT. 
 A região de saturação do JFET também é conhecida como REGIÃO ÔHMICA, pois nesta região a 
resistência entre dreno e fonte é dependente da tensão de controle da porta. Daí o fato dos transistores FET 
poderem ser utilizados em circuitos onde se necessita o controle de resistência através de tensão. 
Uma característica importante do transistor FET é que esta apresenta uma tensão VGS de corte igual a tensão Vp 
(máxima na saturação). 
 
CURVAS DE TRANSCONDUTÂNCIA 
 
 A curva de transcondutância relaciona a corrente de saída com a tensão de entrada de um JFET. Através 
da Equação de Schokley relaciona-se a corrente ID com a tensão VGS, segundo uma relação quadrática: 
 
 
2
1 





−=
GScorte
GS
D V
V
I 
 
Obs.: Vp = VGScorte 
 
 
Como o JFET apresenta uma relação quadrática entre a corrente de dreno-fonte e a tensão de controle 
VGS, diz-se que este dispositivo é um dispositivo de Lei Quadrática. 
 
 
 54 
Figura 4 – Curva de transcondutância 
 
 Na região ôhmica, o JFET apresenta a seguinte relação para a sua resistência de canal: 
 






+
=
P
GS
o
V
V
r
rd
1
 
onde ro é a resistência do canal para VGS = 0 V 
 
Idmax= KV2, onde K é uma constante especificada pelo fabricante. 
 
MATERIAL EXPERIMENTAL 
 
• 2 Fontes variáveis 
• FET 
• Resistor: 1MΩ 
• Osciloscópio duplo traço 
• 1 Multímetro 
 
 
 
 
 
1- Monte o circuito de acordo com a figura 5 
 
 
 
CURVA DE DRENO 
 
2- Ajuste VGS= 0 através de PS-2. Varie ajustando PS-1 para obter tensões de acordo com a tabela 1. Meça e 
registre os valores das tensões e correntes para cada caso. 
PRESTE ATENÇÃO: Mudanças na escala do amperímetro afetam as medidas e ajustes! Se mudar a escala do 
amperímetro, refaça o, ajuste de VDS. Usar o osciloscópio no modo HF REJ. 
Levantar os dados para uma curva de VGS de cada vez. 
 
 
 55 
 
Tabela 1 
3- Repita o passo anterior para todos os valores de VGS da tabela e complete-a. 
4- Em seguida, trace as Curvas Características de Dreno (conforme sugestão da figura 6 ), a partir dos valores 
medidos e responda: 
 
Quais os valores de IDSS e Vp (quando VGS=0)? 
 
 
 
Figura 6 – Curvas Características de Dreno 
 
CARACTERÍSTICA DE TRANSFERÊNCIA 
 
5- Usando os resultados obtidos na tabela 1 registre as variações de corrente de dreno ID com a variação na 
tensão de porta VGS, para três tensões VDS diferentes, conforme indicado na tabela 2 
 
 
 
Tabela 2 – Curvas Características de Transferência 
 
6- Trace as Curvas Características de transferência conforme sugestão da figura 7 
 
 
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Figura 7 – Curva Característica de Transferência