PRATICAS DE ELETRÔNICA_LINEAR-2012-2

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UNIVERSIDADE ESTÁCIO DE SÁ
APOSTILA DO LABORATÓRIO DE
ELETRÔNICA 2012-2
Prof. Antonio Carlos Santos Figueiredo
Prof. Ivan da Cunha dos Santos
Prof. Odair da Silva Xavier
Prof. Ricardo Falbo
Prof. Washington Bomfim
Prof. Wagner Zanco
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PRÁTICA N° 1 - RESISTORES E CODIGOS DE CORES
GRUPO_____
ALUNOS:
1-__________________________________________________________
2-__________________________________________________________
3-__________________________________________________________
4-__________________________________________________________
RESISTORES E CÓDIGO DE CORES
Objetivos:
	Ler o valor nominal de cada resistor através do código de cores 
	Determinar a máxima potência dissipada pelo resistor através de suas dimensões físicas. 
Teoria:
Resistores são componentes que têm pôr finalidade de oferecer uma oposição à passagem de corrente elétrica, através de seu material. A essa oposição damos o nome de resistência elétrica, que possui como
unidade o ohm (�), onde encontramos como múltiplos mais usuais: Kilo – ohm (K�) → 1 K� = 103�
Mega – ohm (M�) →1M�= 106�
Classificamos os resistores em dois tipos: fixos e variáveis. Os resistores fixos são aqueles que cujo valor da resistência não pode ser alterado, enquanto que as variáveis têm a sua resistência modificada, dentro de uma faixa de valores através de um cursor móvel.
Os resistores fixos são comumente especificados pôr três parâmetros: o valor nominal da resistência elétrica; a tolerância, ou seja, a máxima variação em porcentagem do valor nominal; e a máxima potência elétrica dissipada.
EXEMPLO:
Tomemos um resistor de 100� ± 5% - 0,33W, isso significa que possui um valor nominal de 100 �, uma tolerância de mais ou menos 5% e pode dissipar no máximo 0,33Watts.
Dentre os tipos de resistores fixos, destacamos os de fio, de filme de carbono e de filme metálico.
2
RESISTOR DE FIO:
Consiste basicamente em um tubo cerâmico, que servirá de suporte para enrolarmos um determinado comprimento de fio, de liga especial para obter-se o valor de resistência desejado. Os terminais desse fio são conectados às braçadeiras presas ao tubo. Além desse, existem outros tipos construtivos esquematizados conforme mostra a figura.
Os resistores de fio são encontrados com valores de resistência de alguns ohms até Kilo-ohms, e são aplicados onde se exige altos valores de potência, acima de 5W, sendo suas especificações impressas no próprio corpo.
Resistores de filme metálico de Carbono
Consiste em um cilindro de porcelana recoberto pôr um filme (película) de carbono. O valor da resistência é obtido mediante a formação de um sulco, transformando a película em uma fita helicoidal. Esse valor pode variar conforme a espessura do filme ou a largura da fita. Como revestimento, encontramos uma resina protetora sobre a qual será impresso um código de cores, identificando seu valor nominal e tolerância.
Os resistores de filme de carbono são destinados ao uso geral e suas dimensões físicas determinam a máxima potência que pode dissipar.
Resistor de filme metálico
Sua estrutura é idêntica ao de filme de carbono, somente que, utilizamos uma liga metálica (níquel-
3
cromo) para formarmos a película, obtendo valores mais precisos de resistência, com tolerâncias de 1% e 2%.
O código de cores, utilizado nos resistores de película, é visto na figura abaixo.
Observações
1- A ausência de faixa de tolerância indica que esta é de ±20%.
2- Para os resistores de precisão encontramos cinco faixas onde as três primeiras representam o primeiro, o segundo e o terceiro algarismo significativo e as demais, respectivamente, fator multiplicativo e tolerância.
A figura abaixo mostra a especificação de potencia com dimensões, em tamanho natural.
Valores padronizados para resistores de película
1 –SERIE: 5%, 10% E 20% de tolerância. 10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82
2 – SÉRIE: 2% e 5% de tolerância
10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 75 82 91
4
3 – SERIE: 1% DE TOLERANCIA
100
102
105
107
110
113
115
118
121
124
127
130
133
137
140
143
147
150
154
158
162
165
169
174
178
182
187
191
196
200
205
210
215
221
226
232
237
243
249
255
261
267
274
280
287
294
301
309
316
324
332
340
348
357
365
374
383
392
402
412
422
432
442
453
464
475
487
499
511
523
536
549
562
576
590
604
619
634
649
665
681
698
715
732
750
768
787
806
825
845
866
887
909
931
953
976
A seguir, mostramos alguns exemplos de leitura, utilizando o código de cores:
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MATERIAL EXPERIMENTAL
10 resistores de valores diversos
Simbologia:
PARTE PRÁTICA:
6
1- Faça a leitura de cada resistor e anote no quadro 1.1 o valor nominal, a tolerância e a potência:
RESISTOR
VALOR
TOLERANCIA
POTENCIA (W)
NOMINAL
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9
R10
Quadro 1.1
QUESTÕES:
1- Determine a seqüência de cores para os resistores abaixo
	10 K�± 5% 
	390 K�± 10% 
	5,6� ± 2% 
	715� ± 1% 
	0,82� ± 2% 
2- O que determina o valor ôhmico em um resistor de filme de carbono?
3- Qual é o parâmetro que é definido através das dimensões físicas de um resistor?
4- Cite um exemplo de aplicação que você conhece dos resistores de fio
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PRÁTICA N° 2 – O OHMIMETRO
GRUPO_____
ALUNOS:
1-__________________________________________________________
2-__________________________________________________________
3-__________________________________________________________
4-__________________________________________________________
O OHMIMETRO
OBJETIVO:
	Utilizar o ohmimetro para medidas de resistência elétrica 
	Familiarizar com as escalas do instrumento. 
TEORIA:
O ohmimetro é um instrumento utilizado para fins de medidas de resistência elétrica. Faz, juntamente com o voltímetro e o amperímetro, parte do aparelho de medidas, denominado multímetro ou multiteste.
A chave seletora do ohmimetro, dependendo do modelo, apresenta uma chave seletora com posições de 200, 2K, 20K, 200K, 2M, 20M, isso significa o maior valor que a escala poderá medir. A medida é dada de forma direta, e tem que ser empregado o bom senso para fazer uma medição com precisão. Para medir um determinado resistor partindo do pressuposto que seu valor seja conhecido, e importante utilizar uma escala onde haja máxima acuracidade da medida, pôr exemplo, um resistor de 120K� deve ser medido numa escala que no máximo meça 200K. Ele pode ser medido também em qualquer escala superior, mas há o risco de perder a precisão para tal medida.
MATERIAL EXPERIMENTAL
Multímetro
Resistores: 4,7K�, 56�, 330�, 2,2K�, 8,2K�, 18K�, 68K�, 270K�, 390K� e 1,2M�
PARTE PRÁTICA
1- Meça cada resistor e anote os valores no quadro abaixo. Em cada medida coloque a chave seletora em todas as posições, escolhendo uma de melhor conveniência para leitura.
2- -Leia e anote para cada resistor sua tolerância.
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VALOR
TOLERANCIA
VALOR
POSIÇÃO DA
R %
NOMINAL(Vn)
MEDIDO (Vm)
ESCALA
QUESTÕES:
1- Compare os valores medidos com os valores nominais. Calcule o desvio percentual e anote no quadro.
R% = Vn − Vm .100%
Vn
2- Compare R % com a tolerância do resistor e tire conclusões quanto à coerência dos resultados obtidos.
9
PRÁTICA N° 3 – O VOLTÍMETRO E O AMPERÍMETRO
GRUPO_____
ALUNOS:
1-__________________________________________________________
2-__________________________________________________________
3-__________________________________________________________
4-__________________________________________________________
VOLTIMETRO E AMPERIMETRO
OBJETIVOS:
Aprender a utilizar um voltímetro e um amperímetro para medida de tensão e corrente contínua.
TEORIA
MEDIDA DE TENSÕES:
A medida de tensões é essencial em todos os trabalhos de Eletrônica.
Ela especifica o funcionamento e fornece as características de um circuito elétrico. O aparelho destinado a medir tensões é o voltímetro.
A tensão entre dois pontos de um circuito é a medida do desequilíbrio elétrico entre esses pontos. Para medir a tensão entre dois pontosquaisquer de um circuito elétrico, liga-se um voltímetro em
paralelo entre esses dois pontos.
Todos os instrumentos de medida para utilização em tensão ou corrente contínua, tem em seus terminais uma indicação de polaridade. Essa indicação normalmente é feita com os sinais “ + “ e “ - “ ou com as cores vermelha e preta respectivamente. Tal cuidado no entanto, não precisa ser tomado quando se mede tensões ou correntes alternadas, objeto de estudos posteriores.
Quando se mede tensão contínua, deve-se tomar cuidado em ligar o instrumento e conectá-lo corretamente, isto é, o terminal positivo deve ser ligado ao ponto de potencial mais alto e o negativo ao ponto de potencial mais baixo.
10
Se o ponteiro do medidor se deslocar à direita, ele foi conectado corretamente; caso contrário, os terminais estão ligados invertidos.
Para medirmos a tensão no resistor R2 ou entre os pontos A e B, utilizaremos um voltímetro. Antes de ligarmos o medidor convém lembrar que, por convenção, nos geradores (bateria) a corrente sai do polo positivo e nos receptores (resistores) a corrente entra pelo polo positivo.
Portanto, no resistor R2 (figura 1) o ponto A é mais positivo do que o ponto B, pois a corrente entra no resistor pelo ponto A; obviamente o ponto B será negativo em relação ao ponto A.
Desta forma, devemos conectar o polo positivo do voltímetro no ponto A e o polo negativo no ponto B, conforme ilustra a figura 2.
Se quisermos medir a tensão da associação formada por R1 e R2, isto é, a tensão entre os pontos C e B, devemos ligar o voltímetro conforme mostra a figura 3.
Observe que nas três figuras apresentadas a chave interruptora (Sw1) encontra-se aberta. Logo, para que a corrente flua pelo circuito a mesma deverá ser fechada, caso contrário, o instrumento não acusará nenhuma medida.
Um voltímetro de boa qualidade deve apresentar uma resistência interna elevadíssima, pois assim a corrente que ele solicita é praticamente nula e não altera o circuito original.
MEDIDA DE CORRENTES:
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O aparelho destinado a medir corrente é o amperímetro. Quando o valor da intensidade da corrente a ser medida é muito pequena, utiliza-se um miliamperímetro ou mesmo ou microamparímetro.
A intensidade da corrente que flui em um circuito depende da tensão aplicada e da natureza do circuito, como por exemplo, os resistores nele inseridos.
Para se medir corrente contínua em um circuito, deve-se colocar o medidor em série, observando-se a polaridade, a exemplo do voltímetro, onde são obedecidas as mesmas convenções: sinais ou cores.
A figura 4 mostra um circuito contendo uma bateria e dois resistores. Para medirmos a corrente no ponto A ou no resistor R1 ou R2, devemos seguir o seguinte critério:
	desligamos a alimentação 
	interrompemos o circuito no ponto A, conforme mostra a figura 5. 
	intercalamos o amperímetro, observando a polaridade, conforme mostra a figura 6. 
Um bom amperímetro deve ter uma resistência interna bastante baixa, para não interferir no circuito.
PARTE PRÁTICA
MATERIAIS NECESSÁRIOS
1- Protoboard
1- Multímetro analógico ou digital
I- MEDIDA DE TENSÃO CONTÍNUA:
OBS: Ajustar a fonte regulável em 10V
1- Monte o circuito da figura 7. Meça e anote na tabela 1 as tensões nos resistores R12 e R17.
12
2- Monte o circuito da figura 8. Meça e anote na tabela 2 as tensões nos resistores R12, R17 e R20.
II- MEDIDA DE CORRENTE CONTÍNUA:
1- Monte o circuito da figura 9. Meça e anote na tabela 3 a corrente nos pontos A, B, C e D.
Tabela 1
Figura 7
R12
R17
Tensão (V)
Tabela 2
Figura 8
R12
R17
R20
Tensão (V)
Tabela 3
Figura 9
Ponto A
Ponto B
Ponto C
Ponto D
Corrente (mA)
QUESTÕES:
1- Como se mede a corrente em um circuito?
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2- O ponto onde se intercala o amperímetro influi na medida da corrente em um circuito série? Por quê?
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3- O que acontece com a corrente se aumentarmos o número dos resistores em um circuito série? Por quê?
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4- A resistência interna de um medidor de corrente deve ser alta ou baixa? Por quê?
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5- Como se procede para medir tensão entre dois pontos de um circuito?
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6- O que acontece se invertermos a polaridade do voltímetro na medida de uma tensão contínua?
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7- Na figura 7, qual é a relação entre a tensão total e as tensões nos resistores R12 e R17?
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8- Na figura 9, qual é a relação entre as correntes no ponto A e no ponto D? Justifique.
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9- Na figura 9, qual é a relação entre as correntes no ponto A e nos pontos B e C? Justifique.
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10- Indique no circuito a seguir (figura 10), a polaridade correta de cada medidor.
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11- Assinale no esquema a seguir (figura 11), onde devemos interromper para medirmos a corrente que passa pelo conjunto R3 e R4.
12- De quais resistores o amperímetro esquematizado na figura 11, mede a corrente?
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PRÁTICA N° 4 – RETIFICADORES E FILTRAGEM CAPACITIVA
GRUPO_____
ALUNOS:
1-__________________________________________________________
2-__________________________________________________________
3-__________________________________________________________
4-__________________________________________________________
CIRCUITOS RETIFICADORES
Retificador de meia onda
1- Montar o circuito da figura abaixo e conectar as saídas do transformador 0-12 aos pontos A e B 2- Medir a tensão média CC e a corrente média cc na carga de 100 ohms
3- Desenhar em folha de papel milimetrado as formas de onda sincronizadas de V1, VD e VRL. Prestar especial atenção ao valor de pico de VRL e aos valores positivos de Vd, selecionando o modo DC no osciloscópio.
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RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA
1- Montar o circuito da figura abaixo e conectar o secundário do transformador 12-0-12 aos pontos A,C e B respectivamente.
2- Meça note em quadro os valores de VAB ,VAC , VBC , VD1 , VD2 e VRL
3- Desenhar em papel milimetrado as formas de onda de VAB ,VAC , VBC , VD1 , VD2 e VRL
VAB
VAC
VBC
VD1
VD2
VRL
RETIFICADOR DE PONTE GRAETZ
1- Montar o circuito da figura abaixo e ligar as tomadas do secundário do transformador 0-12
2- Anotar em tabela abaixo os valores de VI , VD1, VD2 , VRL . Note que VD1=Vd4 e VD2=VD3
3- Desenhar em papel milimetrado as formas de ondas sincronizadas em VI , VD1,VD2,VRL
RETIFICADORES UTILIZANDO FILTROS
1 - Montar o circuito da figura 1
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2 – Observar e desenhar em papel milimetrado a forma de onda de VRL e compará-la com a obtida na prática 5 (sem filtro)
3 – Medir o valor de Vc. Comutar o osciloscópio no modo CA e medir VR. Desenhar em papel milimetrado a forma de onde de VR.
4- Calcular e anotar o valor de Fr
5- Repetir o processo para a figura 2 (filtro em π) 6- Repetir o processo para o retificador em ponte
Obs.: Fr = (Vr(pp) . 100)/ Vc.2√2
Figura 1
Figura 2
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PRÁTICA N° 5 – CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO FIXA DO TBJ
GRUPO_____
ALUNOS: 1-__________________________________________________________
2-__________________________________________________________
3-__________________________________________________________
4-__________________________________________________________
CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO FIXA
Título:	Circuito de Polarização Fixa
Objetivo:
	Capacitar o aluno a simular circuitos que utilizam transistor 
	Entender o funcionamento dos circuitos de polarização de transistores 
	Calcular as grandezas elétricas em circuitos de polarização de transistor 
	Experimentar o efeito de amplificação 
Teoria:
Os transistores bipolares devem ser previamente alimentados por uma fonte de tensão e polarizados corretamente para funcionarem. Existem os seguintes métodos de polarização de transistor comumente utilizados:
	Polarização Fixa 
	Polarização Estável de Emissor 
	Polarização por Realimentação de Tensão 
	Polarização por Divisor de Tensão 
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Nessa prática, examina remos a polarização fixa.
Polarização fixa:
Rb
Rc
Vcc
Q
Prática:
1 – Para o circuito abaixo, calcule a corrente de base (Ib), corrente de coletor (Ic), tensão coletor-emissor (Vce), e tensão no resistor de coletor (VRc) em cada circuito (considere transistor com β=300).
2,2MΩ
4,7kΩ
 
12V
2N2222
2 Montar o circuito acima. Medir e anotar os valores das correntes e tensões calculadas no item 1 em cada circuito.
3 – Comparar os valores calculados e medidos nos itens 1 e 2. Justificar as discrepâncias.
4 – Conecte capacitores de acoplamento à base (entrada) e ao coletor (saída).
5 – Com o gerador de funções, aplique na entrada um sinal senoidal de 1kHz com 100mVpp.
6 – Com o osciloscópio, meça o valor da tensão amplificada obtida na saída e calcule o ganho de tensão.
7 – Conclusões:
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PRÁTICA N° 6 – POLARIZAÇÃO ESTÁVEL DE EMISSOR
GRUPO_____
ALUNOS: 1-__________________________________________________________
2-__________________________________________________________
3-__________________________________________________________
4-__________________________________________________________
CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO ESTÁVEL DE EMISSOR
Título:	Circuito de Polarização Estável de Emissor
Objetivo:
	Capacitar o aluno a simular circuitos que utilizam transistor 
	Entender o funcionamento dos circuitos de polarização de transistores 
	Calcular as grandezas elétricas em circuitos de polarização de transistor 
	Experimentar o efeito de amplificação 
Teoria:
Os transistores bipolares devem ser previamente alimentados por uma fonte de tensão e polarizados corretamente para funcionarem. Existem os seguintes métodos de polarização de transistor comumente utilizados:
	Polarização Fixa 
	Polarização Estável de Emissor 
	Polarização por Realimentação de Tensão 
	Polarização por Divisor de Tensão 
21
Nessa prática, examina remos a polarização estável de emissor.
Polarização estável de emissor:
Rb
Rc
Vcc
Q
Re
Prática:
1 – Para o circuito abaixo, calcule a corrente de base (Ib), corrente de coletor (Ic), tensão coletor-emissor (Vce), e tensão no resistor de coletor (VRc) em cada circuito (considere transistor com β=300).
2,2MΩ	4,7kΩ
 
12V
2N2222
1kΩ
2 Montar o circuito acima. Medir e anotar os valores das correntes e tensões calculadas no item 1 em cada circuito.
3 – Comparar os valores calculados e medidos nos itens 1 e 2. Justificar as discrepâncias.
4 – Conecte capacitores de acoplamento à base (entrada) e ao coletor (saída) e, também, um capacitor de bypass em paralelo com Re.
5 – Com o gerador de funções, aplique na entrada um sinal senoidal de 1kHz com 100mVpp.
6 – Com o osciloscópio, meça o valor da tensão amplificada obtida na saída com e sem o capacitor de bypass do emissor e calcule os ganhos de tensão.
22
7 – Conclusões:
23
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PRÁTICA N° 7 – CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO POR
REALIMENTAÇÃO DE TENSÃO
GRUPO_____
ALUNOS: 1-__________________________________________________________
2-__________________________________________________________
3-__________________________________________________________
4-__________________________________________________________
CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO POR REALIMENTAÇÃO DE TENSÃO
Título:	Circuito de Polarização por Realimentação de Tensão
Objetivo:
	Capacitar o aluno a simular circuitos que utilizam transistor 
	Entender o funcionamento dos circuitos de polarização de transistores 
	Calcular as grandezas elétricas em circuitos de polarização de transistor 
	Experimentar o efeito de amplificação 
Teoria:
Os transistores bipolares devem ser previamente alimentados por uma fonte de tensão e polarizados corretamente para funcionarem. Existem os seguintes métodos de polarização de transistor comumente utilizados:
	Polarização Fixa 
	Polarização Estável de Emissor 
	Polarização por Realimentação de Tensão 
	Polarização por Divisor de Tensão 
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Nessa prática, examinaremos a polarização por realimentação de tensão
Polarização por realimentação de tensão:
Rc
Rb
Q
Prática:
 
Vcc
1 – Para o circuito abaixo, calcule a corrente de base (Ib), corrente de coletor (Ic), tensão coletor-emissor (Vce), e tensão no resistor de coletor (VRc) em cada circuito (considere transistor com β=300).
1MΩ	4,7kΩ
 
12V
2N2222
2 Montar o circuito acima. Medir e anotar os valores das correntes e tensões calculadas no item 1 em cada circuito.
3 – Comparar os valores calculados e medidos nos itens 1 e 2. Justificar as discrepâncias.
4 – Conecte capacitores de acoplamento à base (entrada) e ao coletor (saída).
5 – Com o gerador de funções, aplique na entrada um sinal senoidal de 1kHz com 100mVpp.
6 – Com o osciloscópio, meça o valor da tensão amplificada obtida na saída e calcule o ganho de tensão.
7 – Conclusões:
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PRÁTICA N° 8 – CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO
GRUPO_____
ALUNOS: 1-__________________________________________________________
2-__________________________________________________________
3-__________________________________________________________4-__________________________________________________________
CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO
Título:	Circuito de Polarização por Divisor de Tensão
Objetivo:
	Capacitar o aluno a simular circuitos que utilizam transistor 
	Entender o funcionamento dos circuitos de polarização de transistores 
	Calcular as grandezas elétricas em circuitos de polarização de transistor 
	Experimentar o efeito de amplificação 
Teoria:
Os transistores bipolares devem ser previamente alimentados por uma fonte de tensão e polarizados corretamente para funcionarem. Existem os seguintes métodos de polarização de transistor comumente utilizados:
	Polarização Fixa 
	Polarização Estável de Emissor 
	Polarização por Realimentação de Tensão 
	Polarização por Divisor de Tensão 
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Nessa prática, examinaremos a polarização por divisor de tensão
Polarização por divisor de tensão:
Rb1
Rc
Vcc
Rb2
 
Q
Re
Prática:
1 – Para o circuito abaixo, calcule a corrente de base (Ib), corrente de coletor (Ic), tensão coletor-emissor (Vce), e tensão no resistor de coletor (VRc) em cada circuito (considere transistor com β=300).
10kΩ	4,7kΩ	12V
2N2222
2,2kΩ	1kΩ
2 Montar o circuito acima. Medir e anotar os valores das correntes e tensões calculadas no item 1 em cada circuito.
3 – Comparar os valores calculados e medidos nos itens 1 e 2. Justificar as discrepâncias.
4 – Conecte capacitores de acoplamento à base (entrada) e ao coletor (saída).
5 – Com o gerador de funções, aplique na entrada um sinal senoidal de 1kHz com 100mVpp.
6 – Com o osciloscópio, meça o valor da tensão amplificada obtida na saída e calcule o ganho de tensão.
7 – Conclusões:
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PRÁTICA N° 9 – O TBJ COMO CHAVE
GRUPO_____
ALUNOS:
1-__________________________________________________________
2-__________________________________________________________
3-__________________________________________________________
4-__________________________________________________________
O TBJ COMO CHAVE
OBJETIVO:
	Verificar, experimentalmente, o funcionamento de um transistor como chave. 
TEORIA:
Conforme a polarização, um transistor pode operar em três regiões distintas, a de corte, a ativa e a de saturação. Na região ativa, o transistor é utilizado, com a devida polarização, como amplificador. Nas regiões de corte e saturação, é utilizado como chave, ou seja, serve apenas para comutação, conduzindo ou não. Nesta situação, o transistor é utilizado, principalmente, no campo da eletrônica digital, sendo célula básica de uma série de dispositivos, normalmente agrupados dentro de circuitos integrados.
Na figura abaixo, temos a curva da corrente de coletor em função da corrente de base, mostrando o corte, a saturação e a região ativa.
29
Característica Ic=f(IB).
Notamos que, se trabalharmos com uma corrente de base menor ou igual a zero, o transistor operará na região de corte, ou seja, a corrente de coletor será nula. Se trabalharmos com uma corrente de base entre zero e um valor limite (IBsat), operará na região ativa, ou seja, com uma corrente de coletor, conforme o valor de β ( Ic=
βIb). Para uma corrente de base acima de IBsat, operará na região de saturação, ou seja, circulará pelo coletor uma corrente limite (ICsat ), imposta de acordo com a polarização.
Estas mesmas condições podem ser observadas na característica IC=f(VCE) do transistor, onde também podemos representar a reta de carga de um circuito de polarização. A figura abaixo mostra essas característica, bem como a reta de carga.
Característica IC = f(VCE)
A reta de carga é obtida a partir da equação da malha de saída do circuito de polarização, no caso para fins de chaveamento, utilizaremos o circuito de corrente de base constante. Escrevendo a equação da malha temos:
VCC=RCIC + VCE
Onde VCE= VCC - ICRC
Fazendo: Ic=0, temos que VCE=VCC
(10 Ponto na reta).
Fazendo: VCE=0, temos IC
=
VCC
(20 Ponto na reta)
RC
Para fins de amplificação, o ponto de trabalho será localizado na região ativa. Em operação como chave, o ponto será localizado na região de corte ou na região de saturação ( áreas hachuradas na característica IC=f(VCE) da figura acima).
O circuito abaixo mostra a configuração básica de um transistor operando como uma chave.
30
Transistor operando como chave
Para o transistor operar na situação de corte, ou seja, como chave aberta é necessário que o potencia VE seja menor que VBE` ou nulo. Nesta situação, não circulará corrente de coletor, sendo VS igual a VCC.
Para o transistor operar na situação de saturação, ou seja, como chave fechada é necessário que o potencial VE seja maior que VBE, dependendo do dimensionamento de RB. Nesta situação, a corrente de coletor
será máxima possível, conforme o valor de RC, sendo VS igual a VCEsat ( no maximo 0,3V). Dimensionando RC e RB para a saturação do transistor, temos:
1 – Calculo de RC
RC = VCC − VCEsat
IC
2- Calculo de IBsat:
I Bsat =
IC
, onde β SAT
= 10
(pior caso possível de β
para garantia de saturação)
β SAT
3- Calculo de RB
RB =
VE − VBE
I Bsat
se VE = VCC RC
=
VCC − VBE
I Bsat
Para exemplificar melhor, vamos dimensionar RB e RC para que o circuito da figura abaixo, estando a chave S na posição 1 sature o transistor, “acendendo” o led (diodo emissor de luz) e na posição 2 corte o transistor, mantendo o led “apagado”.
Transistor como chave acionando um led
31
Dados do transistor
βsat = 10
VBE = 0,7V VCEsat= 0,3V
Dados do Led
VL= 1,7V
IL= 20mA
Dados do projeto:
VCC = 12V
1- Calculo de RC:
R =
VCC − VCEsat − VL
=
12 − 0,3 − 1,7
= 500Ω
C
I
20.10− 3
C
RC adotado = 470�
2- Calculo de IBsat:
I Bsat
=
I
C
=
20.10−3
= 2mA
β sat
10
3-
Calculo de RB
R =
VCC − VBE
=
12 − 07
= 5,6KΩ
B
I
2.10− 3
Bsat
RBadotado =5,6K�
Material Experimental:
Fonte variável
Resistores : 470� e 5,6K�
Transistor: BC 548 ou equivalente
LED : FLV 110 ou equivalente
Multímetro
Simbologia
32
Parte Prática:
1 – Monte o circuito da figura abaixo:
2- Com a chave na posição 1, meça e anote no quadro abaixo os valores de IB, VBE e VCE. Repita as medições com a chave na posição 2, anotando os valores no mesmo quadro.
Chave S
IB
IC
VBE
VCE
Pos 1
Pos 2
QUESTÕES
1- No circuito da figura acima, modifique a posição do Led para “acender” quando a chave S forma comutada para a posição 2 e apagar na posição 1.
2- No circuito da figura abaixo, sabendo que todos os resistores da base estão dimensionados para a saturação dos transistores, preencha o quadro abaixo, indicando a situação do led em função da posição das chaves S1 e S2
33
S1
S2
LED
1
1
1
2
2
1
2
2
3- Dimensione RC e RB para o circuito abaixo, de tal forma a saturar o transistor na mudança de nível, conforme a característica da tensão de entrada.
Dados do transistor:
VBE= 0,7V β=10
VCEsat=0,3V
Dados do projeto:
IC=10mA
34
PRÁTICA N° 10 – CIRCUITO REGULADOR SÉRIE COM TBJ
GRUPO_____
ALUNOS:
1-__________________________________________________________
2-__________________________________________________________
3-__________________________________________________________
4-__________________________________________________________
CIRCUITO REGULADOR SÉRIE COM TBJ
OBJETIVO:
	Verificar, experimentalmente, o funcionamento de um circuito regulador série com transistor bipolar de junção. 
TEORIA:
O circuito regulador composto apenas por um diodo zener e um resistor não opera a contento quando a carga requer correntes elevadas ou quando o regime de consumo da carga é muito irregular.
35
Para corrigir essa limitação adiciona-se um transistor bipolar ao esquema, conforme se vê na figura abaixo.
Com a adição do transistor bipolar, a corrente consumida pela carga não atravessa mais o resistor R pois agora, o transistor bipolar é que passa a fornecer corrente à carga.
Parte prática:
1- Monte o circuito da figura abaixo.
Q1
TIP31A
R1
RL
1.0KΩ
1.0KΩ
VIN=15V
D1
1N4474
2- Calcule, a tensão de saída, a corrente de saída, a corrente em R1, a corrente de base e a correnteno diodo zener. Considere β=50.
3- Meça todas as tensões e correntes calculadas no item 2.
4- Compare os resultados das medições com os valores calculados tirando suas conclusões.
36
37
PRÁTICA N° 11 – CARACTERÍSTICAS DOS TRANSISTORES JFET
GRUPO_____
ALUNOS:
1-__________________________________________________________
2-__________________________________________________________
3-__________________________________________________________
4-__________________________________________________________
CARACTERISTICAS DOS TRANSISTORES JFET
Universidade Estacio de Sá
Universidade Politécnica
12o Relatório de Prática de Eletrônica Linear
CARACTERISTICAS DOS TRANSISTORES JFET
OBJETIVO
	Traçar as curvas características de dreno e de transferência a partir dos valores medidos 
	Determinar a resistência de canal 
	Ligar o JFET com uma resistência variável 
TEORIA:
O FET é conhecido como transistor unipolar porque a condução de corrente acontece por apenas um tipo de portador (elétron ou lacuna), dependendo do tipo de FET, de canal N ou de canal P. O nome “efeito de campo” decorre do fato que o mecanismo de controle do componente é baseado no campo elétrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controle. O transistor JFET recebe este nome porque é um transistor FET de Junção.
38
Figura 1 – O transistor JFET
A figura 1 apresenta um JFET de canal N (existe também o JFET de canal P). Seu diagrama construtivo simplificado representa uma “barra” de silício semicondutor tipo N (semicondutor dopado com impurezas doadoras) e contendo incrustadas duas regiões tipo P. o JFET da figura 1 tem as seguintes partes constituintes:
FONTE: (source) fornece os elétrons livres, DRENO: (drain) drena os elétrons,
PORTA (gate) controla a largura do canal, controlando o fluxo dos elétrons entre a fonte e o dreno. As regiões P da porta são interligadas eletricamente.
Ainda observando a figura 1, a seta apontando para dentro representa uma junção PN de um diodo.
O JFET de canal P tem as mesmas partes constituintes de um JFET de canal N, porém seu símbolo apresenta a seta no sentido contrário, e as correntes e tensões são consideradas invertidas em relação ao JFET de canal N
CARACTERISTICAS MAIS IMPORTANTES DO JFET
Controle de tensão: A corrente entre o dreno e a fonte é controlada pela tensão aplicada na porta, em constraste com a do transistor BJT, cuja corrente de coletor é controlada pela corrente de base.
Alta impedância de entrada: Para que seja possível o controle de corrente do canal N é necessário que se produza uma polarização reversa das junções da porta, provocando desta forma um aumento na região de depleção destas junções e em decorrência disto um estreitamento do canal; com isto, têm-se baixas correntes de porta, e consequentemente, alta impedância.
Curvas características: O comportamento do JFET pode ser sumarizado por suas curvas de dreno e de transcondutância.
Outras características: Os transistores JFET apresentam menores ganhos em relação aos transistores BJT e em decorrência tem maior estabilidade térmica: geometricamente os JFET têm dimensões menores quando comparados com os transistores BJT.
POLARIZAÇÃO DO JFET
Figura 2 – Polarização do JFET
39
A figura 2 apresenta o circuito de polarização de um transistor JFET de canal N. Observa-se que para que seja possível o controle da corrente de dreno são necessárias as seguintes condições:
VDD > 0
VGG < 0
O fluxo de elétrons da fonte para o dreno depende da largura do canal, isto é, polarização reversa na porta causa aumento das regiões de depleção, diminuindo a largura do canal e dificultando desta forma a passagem da corrente entre o dreno e a fonte (é uma região de íons, formada pela difusão pela junção). Desta forma temos as seguintes condições.
	LARGURA DO CANAL: Depende da tensão VGG, isto é, quanto mais negativa, maior será a região de depleção e, portanto, mais estreito o canal. 
	TENSÃO DE CORTE (VGS): É a tensão suficiente para desaparecer o canal (VGScorte) também conhecida como Tensão de Deslocamento (pinch-off). 
	CORRENTE DE FUGA DA PORTA: Como a junção da porta opera em polarização reversa, tem-se uma corrente baixa; desta forma, a CORRENTE DE DRENO (ID) é igual à CORRENTE DE FONTE (IS). Esta é a causa da alta impedância de entrada do JFET. 
Obs.: Como a polarização reversa entre a porta e a fonte (VGS) não consome corrente e a largura do canal depende de VGS, o controle de ID é efetivamente e feito pela tensão da porta.
CURVAS DE DRENO
Figura 3 – Curvas de dreno do JFET
A figura 3 apresenta as curvas de dreno de um JFET tipo N. Observa-se que estas características são semelhantes às características de um transistor BJT, apresentando as regiões de saturação , ruptura e região ativa.observa-se também que, nestas características, a região entre VDS=0 e VDS=4V apresenta um comportamento linear (região ôhmica) e que a partir de Vp a resistência aumenta. Para V GS =0 ( porta em curto) e uma tensão VDS=Vp a corrente de dreno assume o valor IDSS, que é a máxima corrente de dreno (drain-source short circuit current).
Observa-se que há uma semelhança entre as características de dreno do transistor JFET com as características de coletor de um transistor BJT.
Nota-se uma região de saturação, compreendida entre VDS=Vp.
Há uma equivalente entre corrente de dreno no JFET e corrente de coletor do BJT, bem como entre a tensão dreno-fonte do JFET e a tensão coletor emissor do BJT.
A região de saturação do JFET também é conhecida como REGIÃO ÔHMICA, pois nesta região a resistência entre dreno e fonte é dependente da tensão de controle da porta. Daí o fato dos transistores FET poderem ser utilizados em circuitos onde se necessita o controle de resistência através de tensão.
40
Uma característica importante do transistor FET é que esta apresenta uma tensão VGS de corte igual a tensão Vp (máxima na saturação).
CURVAS DE TRANSCONDUTÂNCIA
A curva de transcondutância relaciona a corrente de saída com a tensão de entrada de um JFET. Através da Equação de Schokley relaciona-se a corrente ID com a tensão VGS, segundo uma relação quadrática:
VGS
2
I D
= 1 −
VGScorte
Obs.: Vp = VGScorte
Como o JFET apresenta uma relação quadrática entre a corrente de dreno-fonte e a tensão de controle VGS, diz-se que este dispositivo é um dispositivo de Lei Quadrática.
Figura 4 – Curva de transcondutância
Na região ôhmica, o JFET apresenta a seguinte relação para a sua resistência de canal:
rd =
ro
VGS
1
+
VP
onde ro é a resistência do canal para VGS = 0 V
Idmax= KV2, onde K é uma constante especificada pelo fabricante.
MATERIAL EXPERIMENTAL
	2 Fontes variáveis 
	FET 
	Resistor: 1M� 
	Osciloscópio duplo traço 
	1 Multímetro 
1- Monte o circuito de acordo com a figura 5
41
CURVA DE DRENO
2- Ajuste VGS= 0 através de PS-2. Varie ajustando PS-1 para obter tensões de acordo com a tabela 1. Meça e registre os valores das tensões e correntes para cada caso.
PRESTE ATENÇÃO: Mudanças na escala do amperímetro afetam as medidas e ajustes! Se mudar a escala do amperímetro, refaça o, ajuste de VDS. Usar o osciloscópio no modo HF REJ.
Levantar os dados para uma curva de VGS de cada vez.
Tabela 1
3- Repita o passo anterior para todos os valores de VGS da tabela e complete-a.
4- Em seguida, trace as Curvas Características de Dreno (conforme sugestão da figura 6 ), a partir dos valores medidos e responda:
Quais os valores de IDSS e Vp (quando VGS=0)?
Figura 6 – Curvas Características de Dreno
CARACTERÍSTICA DE TRANSFERÊNCIA
42
5- Usando os resultados obtidos na tabela 1 registre as variações de corrente de dreno ID com a variação na tensão de porta VGS, para três tensões VDS diferentes, conforme indicado na tabela 2
Tabela 2 – Curvas Características de Transferência
6- Trace as Curvas Características de transferência conforme sugestão da figura 7
Figura 7 – Curva Característica de Transferência
43
PRÁTICA N° 11 - AMPLIFICADORES DE PEQUENOS SINAIS
GRUPO_____
ALUNOS:
1-__________________________________________________________2-__________________________________________________________
3-__________________________________________________________
4-__________________________________________________________
44
Universidade Estacio de Sá
Universidade Politécnica
11o Relatório de Prática de Eletrônica
AMPLIFICADOR DE PEQUENOS SINAIS
OBJETIVO:
	Levantar a curva de resposta de um amplificador de pequenos sinais. 
TEORIA:
Utilizando-se de um transistor polarizado devidamente, podemos constituir um circuito denominado amplificador. Esse circuito deve apresentar na sua saída, um sinal com as mesmas características do sinal aplicado à sua entrada, porem amplificado, ou seja, com ganho em amplitude. Para a aplicação do sinal de entrada e como conseqüência a obtenção do mesmo na saída, utilizam-se capacitores de acoplamento, que alem disso, eliminam o nível DC, possibilitando que seja amplificada somente a variação de envoltória. Para melhor estabilidade utiliza-se o circuito de polarização com divisor de tensão na base, que conforme visto, fixa o ponto de operação do transistor. O amplificador de pequenos Sinai é visto na figura abaixo.
Amplificador de pequenos sinais
O sinal de entrada (VE) é aplicado na base do transistor através do capacitor de acoplamento C1. Como este sinal é isento de nível DC, filtrado por C1, não irá alterar a polarização do transistor, mas fará com que haja uma variação na corrente de base em torno do ponto de operação, tendo esta variação as mesmas características, conforme VE. A corrente de coletor, por sua vez irá variar da mesma forma porem amplificada de acordo com o ganho β , pois IC= βI B. Essa variação irá provocar, analogamente, uma variação da tensão no resistor de coletor, fazendo aparecer na saída um sinal com as mesmas características do sinal de entrada, porem amplificado e defasado de 1800, pois a variação positiva do sinal de entrada representa um aumento da corrente de coletor e, conseqüentemente, um decréscimo da tensão de saída. O capacitor CE em paralelo com o resistor RE, serve para neutralizar a queda de sinal no resistor de emissor, pois, para fins de tensão continua de polarização (VRE) se carrega com esse valor e se comporta como um curto-circuito para o nível de entrada, fazendo com que toda variação seja aplicada entre base e emissor. A figura abaixo mostra as formas de onda nos principais pontos do circuito, supondo que o sinal de entrada seja uma tensão alternada senoidal.
45
Formas de onda do amplificador de pequenos sinais
O ganho de tensão de um amplificador representa a relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada. Sendo assim, podemos escrever:
AV = VS
VE
Para fins de dimensionamento da polarização, devemos utilizar a característica do transistor IC = f(VCE), traçar a reta de carga e localizar o ponto de trabalho, de tal forma que o sinal de entrada não atinja as regiões de corte ou de saturação, evitando distorções no sinal de saída.
A figura abaixo mostra a característica IC = f(Vce) com a reta de carga e sinais de entrada e saída.
46
A reta de carga passa pelos pontos ICC e VCC onde ICC = VCC/(RC +RE), pois, nesse tipo de polarização, na malha de saída encontramos, além de RC, o resistor RE. Como a escolha de ponto de operação (Q) é importante, pois, sua má localização acarreta em distorções do sinal de saída, devemos fazer com que a tensão VCEQ seja, aproximadamente, a metade do valor de VCC. Nessa situação as variações do sinal de entrada provocarão uma variação de VCE, de tal forma a ter um ciclo completo dentro da região ativa do transistor. Um outro fato a ser observado é que; o sinal de entrada não pode exceder a certos limites à nível de amplitude, pois, ultrapassaria a região ativa, distorcendo o sinal na saída, por isso, esse circuito é denominado amplificador de pequenos. Alem do problema da distorção, o amplificador possui resposta em freqüência, ou seja, conforme muda a freqüência, varia seu ganho. Um amplificador ideal é aquele que tem o mesmo ganho para qualquer freqüência, ou seja, possui respostas planas. Na prática, porem, normalmente os amplificadores apresentam resposta plana somente numa determinada faixa de freqüência. A figura abaixo mostra a curva de resposta A=f(f) de um amplificador.
Curva de resposta de um amplificador
Material Experimental:
Fonte variável
Gerador de sinais
Osciloscópio
Transistor BC 548 ou equivalente
Resistores : 100�, 330�, 1,2K� e 5,6K�
Capacitores: 100µF/100V e 1µF ( dois)
Parte prática:
5- Monte o circuito da figura abaixo.
47
6- Ajuste a tensão do gerador de sinais para 100mVpp, onda senoidal. Varie a freqüência de acordo com o quadro abaixo, meça e anote para cada caso Vspp.
f(KHz)
1
2
4
6
8
10
20
30
40
50
Vspp
Av
7- Retire do circuito o capacitor de emissor (CE). Ajuste a tensão do gerador de sinais para 100mVpp, onda senoidal e freqüência 1KHz. Meça e anote no quadro abaixo as tensões VEPP e VSPP.
VEPP
VSPP
AV
Questões:
1- Calcule os ganhos em tensão para o circuito da figura anterior, preenchendo o quadro 1.
2- Com os valores obtidos na questão anterior, construa a curva de resposta do amplificador A=f(f). Utilize papel monolog.
3- Determine na curva, a região onde a resposta é plana.
4- Com os dados do quadro 2, calcule o ganho em tensão. Anote o resultado no mesmo quadro.
5- Compare o ganho obtido na questão anterior como o obtido na questão 1, para a mesma freqüência. Explique o porquê da diferença.
48
49
PRÁTICA N° 12 - CARACTERÍSTICAS DOS TRANSISTORES JFET
GRUPO_____
ALUNOS:
1-__________________________________________________________
2-__________________________________________________________
3-__________________________________________________________
4-__________________________________________________________
50
Universidade Estacio de Sá
Universidade Politécnica
12o Relatório de Prática de Eletrônica Linear
CARACTERISTICAS DOS TRANSISTORES JFET
OBJETIVO
	Traçar as curvas características de dreno e de transferência a partir dos valores medidos 
	Determinar a resistência de canal 
	Ligar o JFET com uma resistência variável 
TEORIA:
O FET é conhecido como transistor unipolar porque a condução de corrente acontece por apenas um tipo de portador (elétron ou lacuna), dependendo do tipo de FET, de canal N ou de canal P. O nome “efeito de campo” decorre do fato que o mecanismo de controle do componente é baseado no campo elétrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controle. O transistor JFET recebe este nome porque é um transistor FET de Junção.
Figura 1 – O transistor JFET
A figura 1 apresenta um JFET de canal N (existe também o JFET de canal P). Seu diagrama construtivo simplificado representa uma “barra” de silício semicondutor tipo N (semicondutor dopado com impurezas doadoras) e contendo incrustadas duas regiões tipo P. o JFET da figura 1 tem as seguintes partes constituintes:
FONTE: (source) fornece os elétrons livres, DRENO: (drain) drena os elétrons,
PORTA (gate) controla a largura do canal, controlando o fluxo dos elétrons entre a fonte e o dreno. As regiões P da porta são interligadas eletricamente.
Ainda observando a figura 1, a seta apontando para dentro representa uma junção PN de um diodo.
O JFET de canal P tem as mesmas partes constituintes de um JFET de canal N, porém seu símbolo apresenta a seta no sentido contrário, e as correntes e tensões são consideradas invertidas em relação ao JFET de canal N
CARACTERISTICAS MAIS IMPORTANTES DO JFET
Controle de tensão: A corrente entre o dreno e a fonte é controlada pela tensão aplicada na porta, em constraste com a do transistor BJT, cuja corrente de coletor é controlada pela corrente de base.
Alta impedância de entrada: Para que seja possível o controle de corrente do canal N é necessário que se produza uma polarização reversa das junções da porta, provocando desta forma um aumento na região de
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depleção destas junções e em decorrência disto um estreitamento do canal; com isto, têm-se baixas correntes de porta, e consequentemente, altaimpedância.
Curvas características: O comportamento do JFET pode ser sumarizado por suas curvas de dreno e de transcondutância.
Outras características: Os transistores JFET apresentam menores ganhos em relação aos transistores BJT e em decorrência tem maior estabilidade térmica: geometricamente os JFET têm dimensões menores quando comparados com os transistores BJT.
POLARIZAÇÃO DO JFET
Figura 2 – Polarização do JFET
A figura 2 apresenta o circuito de polarização de um transistor JFET de canal N. Observa-se que para que seja possível o controle da corrente de dreno são necessárias as seguintes condições:
VDD > 0
VGG < 0
O fluxo de elétrons da fonte para o dreno depende da largura do canal, isto é, polarização reversa na porta causa aumento das regiões de depleção, diminuindo a largura do canal e dificultando desta forma a passagem da corrente entre o dreno e a fonte (é uma região de íons, formada pela difusão pela junção). Desta forma temos as seguintes condições.
	LARGURA DO CANAL: Depende da tensão VGG, isto é, quanto mais negativa, maior será a região de depleção e, portanto, mais estreito o canal. 
	TENSÃO DE CORTE (VGS): É a tensão suficiente para desaparecer o canal (VGScorte) também conhecida como Tensão de Deslocamento (pinch-off). 
	CORRENTE DE FUGA DA PORTA: Como a junção da porta opera em polarização reversa, tem-se uma corrente baixa; desta forma, a CORRENTE DE DRENO (ID) é igual à CORRENTE DE FONTE (IS). Esta é a causa da alta impedância de entrada do JFET. 
Obs.: Como a polarização reversa entre a porta e a fonte (VGS) não consome corrente e a largura do canal depende de VGS, o controle de ID é efetivamente e feito pela tensão da porta.
CURVAS DE DRENO
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Figura 3 – Curvas de dreno do JFET
A figura 3 apresenta as curvas de dreno de um JFET tipo N. Observa-se que estas características são semelhantes às características de um transistor BJT, apresentando as regiões de saturação , ruptura e região ativa.observa-se também que, nestas características, a região entre VDS=0 e VDS=4V apresenta um comportamento linear (região ôhmica) e que a partir de Vp a resistência aumenta. Para V GS =0 ( porta em curto) e uma tensão VDS=Vp a corrente de dreno assume o valor IDSS, que é a máxima corrente de dreno (drain-source short circuit current).
Observa-se que há uma semelhança entre as características de dreno do transistor JFET com as características de coletor de um transistor BJT.
Nota-se uma região de saturação, compreendida entre VDS=Vp.
Há uma equivalente entre corrente de dreno no JFET e corrente de coletor do BJT, bem como entre a tensão dreno-fonte do JFET e a tensão coletor emissor do BJT.
A região de saturação do JFET também é conhecida como REGIÃO ÔHMICA, pois nesta região a resistência entre dreno e fonte é dependente da tensão de controle da porta. Daí o fato dos transistores FET poderem ser utilizados em circuitos onde se necessita o controle de resistência através de tensão.
Uma característica importante do transistor FET é que esta apresenta uma tensão VGS de corte igual a tensão Vp (máxima na saturação).
CURVAS DE TRANSCONDUTÂNCIA
A curva de transcondutância relaciona a corrente de saída com a tensão de entrada de um JFET. Através da Equação de Schokley relaciona-se a corrente ID com a tensão VGS, segundo uma relação quadrática:
VGS
2
I D
= 1 −
VGScorte
Obs.: Vp = VGScorte
Como o JFET apresenta uma relação quadrática entre a corrente de dreno-fonte e a tensão de controle VGS, diz-se que este dispositivo é um dispositivo de Lei Quadrática.
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Figura 4 – Curva de transcondutância
Na região ôhmica, o JFET apresenta a seguinte relação para a sua resistência de canal:
rd =
ro
VGS
1
+
VP
onde ro é a resistência do canal para VGS = 0 V
Idmax= KV2, onde K é uma constante especificada pelo fabricante.
MATERIAL EXPERIMENTAL
	2 Fontes variáveis 
	FET 
	Resistor: 1M� 
	Osciloscópio duplo traço 
	1 Multímetro 
1- Monte o circuito de acordo com a figura 5
CURVA DE DRENO
2- Ajuste VGS= 0 através de PS-2. Varie ajustando PS-1 para obter tensões de acordo com a tabela 1. Meça e registre os valores das tensões e correntes para cada caso.
PRESTE ATENÇÃO: Mudanças na escala do amperímetro afetam as medidas e ajustes! Se mudar a escala do amperímetro, refaça o, ajuste de VDS. Usar o osciloscópio no modo HF REJ.
Levantar os dados para uma curva de VGS de cada vez.
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Tabela 1
3- Repita o passo anterior para todos os valores de VGS da tabela e complete-a.
4- Em seguida, trace as Curvas Características de Dreno (conforme sugestão da figura 6 ), a partir dos valores medidos e responda:
Quais os valores de IDSS e Vp (quando VGS=0)?
Figura 6 – Curvas Características de Dreno
CARACTERÍSTICA DE TRANSFERÊNCIA
5- Usando os resultados obtidos na tabela 1 registre as variações de corrente de dreno ID com a variação na tensão de porta VGS, para três tensões VDS diferentes, conforme indicado na tabela 2
Tabela 2 – Curvas Características de Transferência
6- Trace as Curvas Características de transferência conforme sugestão da figura 7
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Figura 7 – Curva Característica de Transferência
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