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Livro Texto: A Física de Materiais e Dispositivos Eletrônicos Sérgio M. Rezende Respostas dos exercícios propostos 2.7) a) W = 1.88 eV b) V0 = 1.66 Volts 2.8) a) c = 1015 Hz b) V0 = 2.68 Volts c) Tmax = 2.68 eV d) E~0 (quando a energia do fóton incidente for aproximadamente a função trabalho) 2.9) a) E = 2.26 eV b) n = 2.7 1012 fótons/s 2.10 a) V0 = 2.3 Volts b) I = 21.6 mA 2.12 pel = pf = 2.2 10-24 Js/m Eel = 2.7 10-18 J Ef = 6.62 10-16 J 2.13 E = 1.5 eV 2.15 x (raios ) = 400 Å x (raios x) = 0.4 mm x (visível ) = 40 cm 3.1 k2h2/m42 +2 V0 = w h/ 3.2 A1 = A2 = (2/L)1/2 3.3 a) E = 125 meV b) E = 113 10-16 eV 3.6 a) [ 1 + sen2(kIId)/(4(E/V0 )((E/V0)-1)))]-1 b) (2m(E-V0))1/2 = (nh)/(2d) c) 13.6 Å d) 0.4 % 3.7 21% 3.8 1-2 = 2.5 1015 Hz 2-3 = 0.46 1015 Hz 1-3 = 2.95 1015 Hz 3.9 b) = 6559 Å (vermelho) 4.1) 5.86 1022 elétrons livres /cm3 4.2) EF = 5.5 eV 4.3) a) vF = 13.91 105 m/s b) = 5.2 Å c) T = 550 K 4.6) a) EF = 5.1 eV Obs. A massa efetiva do cobre é 1.38 m0 b) vF = 11.4 105 m/s c) vd = 7.3 10-4 m/s 4.7) a) = 0.22 10-13s b) l = 495 Å 5.4) [EF - (Eg/2)] (Si) = - 0.012 eV [EF - (Eg/2)] (GaAs) = 0.037 eV Porque as massas efetivas do buraco e do elétron são diferentes. 5.5) Ed = 25.4 meV 5.7) EF - Ei (1016) = 340 meV EF - Ei (1017) = 390 meV EF - Ei (5 x 1018) = 490 meV 5.10) Nd = Nc No caso de GaAs = 4.7 x 1017cm-3 No caso de Si = 2.8 x 1019cm-3 5.11) a) p = 2 x 1014cm-3, n = 1.125 x 106cm-3, extrínseco b) p = 3.2 x 1015cm-3, n = 3.2 x 1015cm-3 intrínseco 5.14) a) R = 4.3 Kohm b) Nd = 1.6 x 1016cm-3 5.15) a) 1.25 mV 6.1) a) EFn = (Ec - 0.1) eV; EFp = 57 meV b) V0 = 0.96 eV 6.2) E0 = 1.92 10-6 V/m d = 0.5 m C = 1.47 nF 6.7) IS(Si) = 0.9 10-8 A IS(Ge) = 0.05 A 6.11) a) E0 = 0.64 106 V/m b) d = .96 m c) C(0 Volts) = 0.14 nF; C(0.4 Volts) = 0.42 nF Dalven 1.1) c) k = 0 d) sim e) buracos pesados 1.2) a) ni = 1.5 1010cm-3 b) pi = , material intrínseco ni = pi 1.3) a) 63 meV abaixo da banda de condução 2.1) d = 1.0 m 2.4) np = 5.9 1013 cm-3 2.7) JS = 22 pA/cm2
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