Avaliando aprendizado

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CCE0252_EX_A1_201308129424 
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Aluno: ANDERSON DE CASTRO Matrícula: 201308129424 
Disciplina: CCE0252 - MAT.ELÉTRICOS Período Acad.: 2015.1 (G) / EX 
 
 
P rezado (a) A luno(a), 
 
Você fará agora seu EXERCÍCIO DE FIXAÇÃO! Lembre-se que es te exercíc io é opcional, mas não valerá 
ponto para sua avaliação. O mesmo será composto de ques tões de múltipla escolha (3). 
Após a finalização do exerc ício, você terá acesso ao gabarito. A proveite para se familiarizar com este modelo 
de ques tões que será usado na sua AV e AVS. 
 
 
1. 
 
 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado 
um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,5 
metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio. 
 
 
 
0,72 cm2 
 
0,65 cm2 
 
0,53 cm2 
 
0,97 cm2 
 
0,84 cm2 
 
 
 
 
2. 
 
 
Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 89,1 x 
10-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um 
comprimento de 0,5 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 mm2. 
 
 
 
3,33 ohms 
 
2,22 ohms 
 
1,11 ohms 
 
0,99 ohms 
 
4,44 ohms 
 
 
 
 
3. 
 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado 
 
um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 
metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio. 
 
 
0,09 cm2 
 
1,09 cm2 
 
2,09 cm2 
 
3,09 cm2 
 
4,09 cm2 
 
 
 
 
4. 
 
 
Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos 
diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos 
conceitos anteriores, PODEMOS afirmar: 
 
 
 
Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do 
condutor. 
 
Somente resistividade elétrica varia com a temperatura. 
 
A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear. 
 
Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do 
condutor. 
 
Somente resistência elétrica varia com a temperatura. 
 
 
 
 
5. 
 
 
Georg Simon Ohm (1787-1854) foi um pesquisador e professor de 
origem germânica. Integrante do corpo docente da Universidade de 
Munique, publicou em 1827 um artigo no qual divulgava o resultado de 
seu trabalho com condutores metálicos. Entre as informações 
relevantes, havia uma relação entre a diferença de potencial aplicada a 
um condutor e a corrente gerada que, décadas mais tarde, seria 
conhecida como Lei de Ohm. (MEYER HERBERT W., A History of 
Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3) 
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa esta 
relação: 
 
 
 
V=R i.A/l 
 
P=U.i 
 
V=R.i 
 
F=m.a 
 
V=N.i.E 
 
 
 
6. 
 
 
Em 1827, Georg Simon Ohm (1787-1854), professor da Universidade 
de Munique, publicou em artigo a relação que mais tarde levaria seu 
nome, a Lei de Ohm. Contudo, foi somente nas décadas seguintes que 
o estudo adquiriu relevância e gerou outros conceitos como a 
condutividade e a resistividade (MEYER HERBERT W., A History of 
Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 4). 
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa o 
conceito de resistividade: 
 
 
 
V=R i.A/l 
 
F=m.a 
 
V=R.i 
 
V=N.i.E 
 
P=U.i 
 
Avaliando 02.pdf
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Disciplina: CCE0252 - MAT.ELÉTRICOS Período Acad.: 2015.1 (G) / EX 
 
 
P rezado (a) A luno(a), 
 
Você fará agora seu EXERCÍCIO DE FIXAÇÃO! Lembre-se que es te exercíc io é opcional, mas não valerá 
ponto para sua avaliação. O mesmo será composto de ques tões de múltipla escolha (3). 
Após a finalização do exerc ício, você terá acesso ao gabarito. A proveite para se familiarizar com este modelo 
de ques tões que será usado na sua AV e AVS. 
 
 
1. 
 
 
Os metais apresentam em sua microestrutura uma periodicidade na 
disposição dos átomos que os classifica como materiais cristalinos. 
Contudo, esta organização a nível atômico tem suas falhas, o que 
influencia na velocidade de transporte dos eletros, ou seja, quanto 
maior o número de falhas na estrutura cristalina, maior a dificuldade de 
deslocamento dos elétrons. Para descrever a velocidade desenvolvida 
por estas partículas (elétrons livres), criou-se o conceito de velocidade 
de deslocamento (drift velocity, em Inglês), dada por vd=E.e, onde E é 
a intensidade do campo elétrico e e é a mobilidade elétrica do elétron. 
Sabendo-se que em um experimento, utilizou-se um campo elétrico 
igual a E=600V/m e condutor elétrico de alumínio cuja mobilidade 
elétrica é igual a e=0,0012m
2/V.s, escolha a opção que melhor reflete o 
valor da velocidade de deslocamento dos elétrons. 
 
 
 
500.000 m/s 
 
7,2 m/s 
 
50 m/s 
 
0,72 m/s. 
 
5 m/s 
 
 
 
2. 
 
 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um 
condutor de seção reta igual a 0,38 mm
2
 e comprimento igual a 0,33 metros. Determine o valor 
da resistividade do material a ser utilizado. 
 
 
 
1,22x 10
-6
 Ω.cm 
 
1,88x 10
-6
 Ω.cm 
 
1,11 x 10
-6
 Ω.cm 
 
0,99 x 10
-6
 Ω.cm 
 
1,44 x 10-6 Ω.cm 
 
 
 
3. 
 
 
A grande maioria dos metais são materiais cristalinos, ou seja, possuem seus átomos 
¿dispostos¿ de forma periódica em uma rede tridimensional que se repete através de seu 
volume. Quando submetemos este tipo de material a um campo elétrico, os elétrons 
livres iniciam movimento orientado pela força elétrica que os compele. Baseado nestas 
informações, como denomina-se a velocidade desenvolvida essas partículas. 
 
 
 
Velocidade de arraste. 
 
Velocidade quântica. 
 
Velocidade hiperstática. 
 
Velocidade elétrica. 
 
velocidade de deslocamento. 
 
 
 
 
4. 
 
 
Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua 
microestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos 
padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face 
centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido através de 
uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando 
movimentos não retilíneos. Para descrever a velocidade desenvolvida 
por estas partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de 
deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor expressão é dada 
por: 
 
 
 
V=N.i.IpI.h 
 
v=s/t 
 
v=E.e 
 
=W.A/l 
 
V=R.i 
 
 
 
 
5. 
 
Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores 
foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, permitindo uma 
enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios 
eletrodomésticos. 
A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação 
 
 
de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por =p.I e I.h, 
onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo 
da carga do elétron, dado por 1,6.10-19C,
e .h é mobilidade dos 
buracos. 
Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do 
semicondutor de Silício resultante da dopagem com 5.1022/m3 átomos 
de Boro, considerando h = 0,05m
2/V.s 
 
 
 
4 (ohm.m) -1 
 
400 (ohm.m) -1 
 
 
100 (ohm.m) -1 
 
 
50 (ohm.m) -1 
 
 
200 (ohm.m) -1 
 
 
 
 
 
6. 
 
 
Na Física, distingue-se entre propriedades extensivas e propriedades 
intensivas. As primeiras são uma função da geometria e da quantidade 
de massa do corpo, enquanto as outras, não. 
A resistividade e a condutividade elétricas são propriedades físicas 
intensivas da matéria, ou seja, não dependem da quantidade e da 
geometria do material em questão; porem, são afetadas por alguns 
fatores. Entre as opções a seguir, determine que fatores influenciam a 
resistividade e a condutividade elétrica de um condutor: 
 
 
 
Deformação mecânica, volume e pressão atmosférica. 
 
Volume, comprimento do condutor e impurezas. 
 
Temperatura, impureza e deformação mecânica. 
 
Temperatura, comprimento do condutor e pressão. 
 
Temperatura, pressão e impurezas. 
 
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Você fará agora seu EXERCÍCIO DE FIXAÇÃO! Lembre-se que es te exercíc io é opcional, mas não valerá 
ponto para sua avaliação. O mesmo será composto de ques tões de múltipla escolha (3). 
Após a finalização do exerc ício, você terá acesso ao gabarito. A proveite para se familiarizar com este modelo 
de ques tões que será usado na sua AV e AVS. 
 
 
1. 
 
 
A resistividade de um material varia com a temperatura e, para 
pequenas variações, podemos assumir que a mesma obedece a 
expressão =0+T, onde  0 e  ao constantes. Para variações maiores 
de temperatura, a expressão da resistividade pode assumir a 
forma =0+ T+T
2 , onde 0 , b e são constantes. 
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que 
melhor indica a variação da resistividade com a temperatura no último 
caso citado. 
 
 
 
Hipérbole. 
 
Círculo. 
 
Parábola. 
 
Elipse. 
 
Reta. 
 
 
 
 
2. 
 
 
Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 
40, o transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível 
a miniaturização dos componentes eletrônicos, originando um ramo 
inteiramente novo da Eletrônica denominado Microeletrônica. 
Com relação aos semicondutores, podemos afirmar: 
 
 
 
Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de 
cargas elétricas somente nas junções P-N. 
 
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de 
cargas elétricas somente se o semicondutor for intrínseco, ou seja, puro. 
 
A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ 
de difícil execução denominadas dopagem. 
 
Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade de 20m/s aproximadamente em 
um processo de condução de carga no interior de um condutor tipo-p. 
 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente 
semicondutores extrínsecos. 
 
 
 
 
3. 
 
 
A microeletrônica surgiu nas décadas de 40 e 50, com as técnicas de 
fabricação de semicondutores de altíssima pureza e dopados com 
elementos como o Fósforo e o Boro. Atualmente, percebe-se que o 
processo de miniaturização de componentes eletrônicos tem seus 
limites; partes dos semicondutores estão se tornando tão finas que 
estão perdendo as características previstas em projeto, ou seja, aquilo 
que deveria apresentar maior resistência elétrica, não está se 
comportando desta forma. A atual expectativa é que a incipiente 
nanotecnologia venha a suprir às necessidades de maior 
miniaturização. 
Com relação aos semicondutores, é correto afirmar que: 
 
 
 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente 
semicondutores intrínsecos de Silício 
 
Semicondutores intrínsecos são aqueles que possuem impurezas. 
 
Através do Efeito Hall determina-se que a mobilidade do elétron em um semicondutor 
submetido a uma diferença de potencial é próxima a velocidade da luz. 
 
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de 
cargas elétricas somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro. 
 
O Efeito Hall é utilizado para se determinar o portador de carga majoritário e a sua 
mobilidade em um semicondutor extrínseco. 
 
 
 
 
4. 
 
 
Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm? 
 
 
Resistência 
 
Indutância 
 
Condutividade 
 
 Resistividade 
 
Condutância 
 
 
 
 
5. 
 
A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, 
por usinas hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo 
Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem 
localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser 
transmitida através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, 
recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 
km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual 
 
 
a 500 mm
2
. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20
o
C e que a 
resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10
-8
 Ω.m, qual alternativa 
abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma temperatura de 
80
o
C (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 
3,9x10
-3 o
C
-1
). 
 
 
3,89 Ω 
 
4,19 Ω 
 
3,4 Ω 
 
4,35 Ω 
 
6,8 Ω 
 
 
 
 
6. 
 
 
As resistências de aquecimento são fabricadas em fios ou fitas e empregadas em fornos 
para siderúrgicas, ferros de passar e de soldar, eletrodomésticos,estufas entre outras. 
Um resistor com coeficiente de variação de temperatura positivo de 4.10-3 ºC-1 
apresenta o valor de 5KΩ a 25 C º. Qual sua resistência na temperatura de 75 C º? 
 
 
 
4,25KΩ 
 
6KΩ 
 
25KΩ 
 
3KΩ 
 
1KΩ 
 
Avaliando 04.pdf
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P rezado (a) A luno(a), 
 
Você fará agora seu EXERCÍCIO DE FIXAÇÃO! Lembre-se que es te exercíc io é opcional, mas não valerá 
ponto para sua avaliação. O mesmo será composto de ques tões de múltipla escolha (3). 
Após a finalização do exerc ício, você terá acesso ao gabarito. A proveite para se familiarizar com este modelo 
de ques tões que será usado na sua AV e AVS. 
 
 
1. 
 
 
Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 280 
(Ω.m)-1. Sabendo que a concentração de buracos é de 2 x 10 20 m-3 e que a mobilidade de buracos e 
elétrons nesse material são respectivamente 0 ,09 m2/V .S e 0 ,28 m2/V .S, a concentração de elétrons 
é: 
 
 
 
618,57 x 1019 m-3 
 
412,88 x 10 19 m-3 
 
140,25 x 10 19 m-3 
 
715,78 x 10 19 m-3 
 
541,05 x 10 19 m-3 
 
 Gabarito Comentado 
 
 
 
2. 
 
A técnica mais utilizada
para obtenção de semicondutores extrínsecos é 
a inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, 
originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos 
condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n. 
 (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An 
Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta. 
 
 
 
 
 
 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio. 
 
 
 
 
3. 
 
Alguns componentes eletrônicos fazem uso de semicondutores extrínsecos 
e intrínsecos conjuntamente, sendo necessário que na temperatura de 
trabalho, o semicondutor intrínseco possua condutividade inferior a 
condutividade do extrínseco. No gráfico a seguir, no qual no eixo horizontal 
tem-se temperatura (oC e K) e no eixo vertical tem-se a condutividade 
elétrica (ohm.m) -1, podem-se observar curvas de evolução da 
condutividade de um semicondutor intrínseco de Silício, denominado no 
gráfico de intrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com 
concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013%. Baseado nestas 
informações, marque a opção correta.(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. 
Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, 
USA, 1997, Chapter 19). 
Baseado no gráfico, podemos afirmar que: 
 
 
 
 
 
 
A temperatura de 100oC, o componente eletrônico montado com os condutores 
intrínseco e extrínseco provavelmente apresentará problemas referentes a 
condutividade. 
 
A temperatura de 100oC, o componente eletrônico terá que ser montado utilizando-se 
somente os condutores extrínsecos mostrados no gráfico. 
 
A temperatura de 100oC, o componente eletrônico montado com os condutores 
intrínseco e extrínseco provavelmente funcionará sem problemas referentes a 
condutividade. 
 
Em nenhuma temperatura exposta no gráfico, haverá problemas de inversão de 
condutividade elétrica. 
 
A partir das informações expostas no gráfico, percebe-se que em todas as 
temperaturas a condutividade elétrica do semicondutor intrínseco é superior a dos 
semicondutores extrínsecos. 
 
 
 
4. 
 
A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na 
fabricação de semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a 
seguir, aquela que identifica um fenômeno físico que pode fornecer esta 
informação. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and 
Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 
19). 
 
 
 
 
 
Efeito Hall. 
 
Efeito Tcherenkov. 
 
Lei de Ohm. 
 
Efeito Joule. 
 
Efeito Fischer. 
 
 
 
5. 
 
 
O Germânio foi um dos elementos testados no início da microeletrônica 
para ser utilizado como semicondutor; porém, o mesmo possui algumas 
características diferentes com relação ao Silício; por exemplo, é muito 
comum em projetos de microcircuitos, utilizar como condutividade 
elétrica máxima para o Germânio o valor de 100 (ohm.m) -1. 
Considerando-se o exposto anteriormente e sabendo-se que a 
condutividade elétrica do semicondutor de Germânio em função da 
temperatura é dada por ln  = 14 - 4.000. T-1 aproximadamente, 
onde T é a temperatura de trabalho em Kelvin, marque a opção correta 
abaixo: 
 
 
 
O componente poderá trabalhar a temperatura de 150oC, que corresponde a 
temperatura de 423K na escala Kelvin. 
 
O componente possui temperatura limite de trabalho igual a 170oC, que corresponde 
a 443K na escala Kelvin. 
 
O componente poderá trabalhar até a temperatura de 200oC, que corresponde a 
473K. 
 
O componente só poderá trabalhar a temperatura ambiente de 25oC, que corresponde 
a 298K na escala Kelvin. 
 
O componente não apresentará limitações quanto a temperatura de trabalho. 
 
 
 
 
6. 
 
 
Dos componentes eletrônicos que sugiram entre 1940 e 1950, talvez o 
transistor seja o mais utilizado; consiste de um componente 
microeletrônico fabricado com semicondutores intrínsecos e extrínsecos 
e utilizado na amplificação de sinais, substituindo o seu precursor da 
era das válvulas, o triodo. Nos primeiros anos da década de 50, os 
transistores eram fabricados com Silício, Gálio e Germânio, sendo este 
último abandonado em decorrência do melhor desempenho atingido 
com os transistores de Silício. 
Considerando que a mobilidade elétrica dos portadores de carga e a 
condutividade elétrica de um semicondutor estão relacionadas por=n.l 
e l.e, calcule a condutividade de um semicondutor de Silício dopado 
com 1023 átomos por m3 de Fósforo, sabendo-se que l e l =1,6.10 -19C e 
.e = 0,14m
2
/V.s. 
 
 
 
2.000 (ohm.m) -1 
 
1.500 (ohm.m) -1 
 
11,43 (ohm.m) -1 
 
2.240 (ohm.m) -1 
 
2.500 (ohm.m) -1 
 
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P rezado (a) A luno(a), 
 
Você fará agora seu EXERCÍCIO DE FIXAÇÃO! Lembre-se que es te exercíc io é opcional, mas não valerá 
ponto para sua avaliação. O mesmo será composto de ques tões de múltipla escolha (3). 
Após a finalização do exerc ício, você terá acesso ao gabarito. A proveite para se familiarizar com este modelo 
de ques tões que será usado na sua AV e AVS. 
 
 
1. 
 
 
Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência 
R = 90 Ohm; corta-se um pedaço de 1 m de fio, e elevando-se a temperatura do fio 
restante para 75 graus Celsius, verifica-se que a resistência ôhmica do mesmo é de 100 
W. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material é de 4x10- 3 1/C , 
determine o comprimento inicial l do fio. 
 
 
 
5 m 
 
12 m 
 
15 m 
 
13,5 m 
 
10 m 
 
 
 
 
2. 
 
 
Em uma experiência típica envolvendo eletricidade, consideram-se dois 
corpos, 1 e 2, suspensos por fios isolantes, aos quais foram fornecidas 
cargas elétricas iguais. Observa-se que o corpo 1 adquire carga em 
toda a sua superfície, enquanto o corpo 2 mantém a carga concentrada 
no ponto de carregamento. Considerando as informações, escolha a 
alternativa correta: 
 
 
 
A diferença entre um condutor e um isolante é que o primeiro pode ser carregado 
 
O corpo 1 trata-se de um isolante elétrico, enquanto o corpo 2 é um condutor elétrico. 
 
Uma explicação para tal fenômeno é que no corpo 1, as cargas possuem liberdade de 
movimentação, enquanto no corpo 2, isso não ocorre. 
 
Provavelmente tanto o material 1 como o 2 são cerâmicos. 
 
Provavelmente 1 e 2 são semicondutores. 
 
 
 
3. 
 
 
Capacitância é uma grandeza física associada a dispositivos 
denominados de capacitores e que possuem a finalidade de armazenar 
carga. Do ponto de vista quantitativo, define-se capacitância, C, de um 
capacitor como a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de 
potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V. No 
sistema internacional de unidades (SI), a capacitância é medida em 
Farad (F). Considerando
o exposto, determine a opção correta. 
 
 
 
Dois capacitores idênticos submetidos respectivamente a diferenças de potencial 
iguais a 2V e V/2 terão 2C e 1C de carga respectivamente. 
 
Um capacitor submetido a 120V e que tenha acumulado uma carga de 0,008C possui 
capacitância igual a 0,00007 F. 
 
A capacitância do capacitor sempre varia com a corrente elétrica do circuito, como 
mostra a expressão C=Q/V. 
 
Um capacitor que possui capacitância igual a 0,06F e está submetido a uma diferença 
de potencial igual a submetido a 2V acumula uma carga de 0,003C. 
 
Um capacitor que tenha acumulado uma carga de 0,010C e que possui capacitância 
igual a 2F está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 0,05V 
 
 
 
 
4. 
 
 
Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e 
raio de 1,5 mm é percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença 
de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 
5,8 x 107 S/m. 
 
 
 
1,2 V 
 
120 mV 
 
640 mV 
 
6,4 V 
 
64 mV 
 
 
 
 
5. 
 
 
Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um 
potenciômetro. Considerando os itens abaixo, assinale a opção com exemplo quanto à 
natureza do elemento resistivo INCORRETO: 
 
 
 
No filme de metal o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de 
metal sobre um substrato cerâmico, sendo o filme de metal o mais barato dos 
processos. 
 
No CERMET o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme composto de 
metal precioso e materiais cerâmicos. 
 
A composição de carbono produz um potenciômetro relativamente barato. 
 
No filme de carbono o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de 
carbono sobre um substrato ou base. 
 
No fio enrolado há limitação quanto a resolução e desempenho de ruído. 
 
 Gabarito Comentado 
 
 
 
6. 
 
 
Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e 
que tem esta capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas 
um material dielétrico, como mostrado na figura a seguir. Considerando-
se que a capacitância, C, de um capacitor é a razão entre a sua 
carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está 
submetido, ou seja, C=Q/V, assinale a opção correta que fornece a 
capacitância do capacitor mostrado na figura. 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An 
Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
 
 
 
 
 
C=(Q0 + Q´) / V 
 
0. 
 
C=Q´/V. 
 
C=Q0 / V 
 
Q0 = C. V 
 
Avaliando 06.pdf
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Disciplina: CCE0252 - MAT.ELÉTRICOS Período Acad.: 2015.1 (G) / EX 
 
 
P rezado (a) A luno(a), 
 
Você fará agora seu EXERCÍCIO DE FIXAÇÃO! Lembre-se que es te exercíc io é opcional, mas não valerá 
ponto para sua avaliação. O mesmo será composto de ques tões de múltipla escolha (3). 
Após a finalização do exerc ício, você terá acesso ao gabarito. A proveite para se familiarizar com este modelo 
de ques tões que será usado na sua AV e AVS. 
 
 
1. 
 
 
A característica básica dos materiais isolantes é a péssima capacidade 
de conduzir corrente elétrica. Devido a esta característica, são utilizados 
como dielétricos de capacitores e constituintes de equipamentos de 
proteção individual. 
Assinale o item que contenha informações corretas sobre esses 
materiais: 
 
 
 
Os polímeros são compostos de pequenas cadeias de carbono e são geralmente 
isolantes. Possuem boa ductilidade e alta temperatura de fusão. 
 
Os materiais isolantes, cerâmicos ou poliméricos, possuem muitos elétrons livres que 
não promovem condução elétrica por estarem presos a rede cristalina. 
 
Geralmente a carga elétrica cedida a um isolante espalha-se por todo sua extensão, 
não permitindo a sua condução. 
 
Os cerâmicos representam os materiais mais abundantes na natureza. Possuem 
condutividade elétrica e térmica baixas, além de apresentarem fragilidade a choques 
mecânicos. 
 
Os isolantes apresentam baixa resistividade elétrica e são raramente encontrados na 
natureza. 
 
 
 
 
2. 
 
 
A Itália também teve seu expoente científico nos primórdios da pesquisa 
com eletricidade, seu nome era Luigi Galvani (1737-1798). Embora 
atuasse na área hoje conhecida como biomédica, como professor de 
anatomia da Universidade de Bolonha, foi um dos primeiros cientistas a 
relatar o efeito de correntes elétricas na musculatura de um ser vivo, 
quando acidentalmente durante a dissecação de um sapo o aproximou 
de um instrumento elétrico. 
Considerando o exposto, determine a opção que provavelmente 
só apresenta materiais isolantes elétricos. 
 
 
 
Isopor, madeira e cerâmica. 
 
Silício, Prata, água salgada. 
 
Madeira, borracha, Platina e isopor. 
 
Cobre, Ouro, Ferro e Níquel. 
 
Nitrato de Prata, madeira porosa e borracha. 
 
 
 
 
3. 
 
 
Contrariando o que se julgava definido, a partir de 1970, diversas linhas 
de pesquisa apresentaram como produto polímeros condutores, que 
chegavam a apresentar condutividade comparável a do Cobre. 
Considerando os itens abaixo, assinale a opção correta: 
 
 
 
Todos os metais podem ser substituídos por polímeros condutores, nos casos que os 
primeiros atuam como condutores. 
 
Com o advento dos polímeros condutores, as luvas dos equipamentos de proteção 
individual poderão ser confeccionadas com este material. 
 
A condutividade de um polímero condutor nunca será comparável a de um condutor 
não polimérico. 
 
Nos casos em que o peso do condutor é relevante, é interessante ter a opção de 
substituir o metal condutor por polímeros condutores. 
 
No caso dos polímeros, a corrente elétrica gerada não depende da estrutura de 
elétrons presente. 
 
 
 
4. 
 
 
Entre as diversas propriedades dos materiais elétricos, há duas que merecem especial 
relevância devido a aplicação das mesmas nos dispositivos elétricos do dia a dia: a 
ferroeletricidade e a piezoeletricidade. Com relação a estes dois tipos de 
propriedade, NÂO podemos afirmar: 
 
 
 
O carbeto de silício é um exemplo de material transdutor muito utilizadi em 
micrifones. 
 
Materiais ferroelétricos são materiais que possuem a capacidade de formação natural 
de dipolos elétricos, apresentando magnetização permanente. 
 
O titanato de bário é o exemplo de um material ferroelétrico, que pode ser utilizado 
como material dielétrico em capacitores. 
 
Os materiais ferroelétricos possuem alto custo, limitando o seu uso em Engenharia. 
 
Os materiais piezoelétricos são aqueles que transformam luz em energia elétrica. 
 
 
 
 
5. 
 
 
Está provado que correntes superiores a 20mA são capazes de causar 
paradas respiratórias, conduzindo algumas vezes a morte. 
Um dos objetivos de se utilizar equipamento de proteção individual 
composto de materiais isolantes elétricos é evitar este tipo de acidente. 
Considerando o exposto, determine a opção que provavelmente 
só apresenta materiais isolantes elétricos. 
 
 
 
Ferro, madeira porosa e borracha. 
 
Borracha, isopor, madeira e cerâmica genérica. 
 
 
Silício, Prata, água pura salgada. 
 
Cobre, Ouro Níquel e Nitrato de Manganês.
Madeira, borracha, Platina e isopor. 
 
 
 
 
6. 
 
 
As aplicações de telecomunicações, equipamentos médicos e controle, instrumentação e 
sensoriamento de grandezas físicas são críticas e exigem resistores de alta precisão. A 
escolha de um resistor de precisão para uma aplicação não envolve apenas a observação 
de sua tolerância. Pode-se afirmar que vários fatores podem influenciar o valor de um 
resistor de precisão. Considerando os itens abaixo, assinale a opção com fator 
INCORRETO: 
 
 
 
umidade ambiente 
 
indutância 
 
temperatura ambiente 
 
alta frequência da corrente 
 
impurezas do ambiente 
 
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P rezado (a) A luno(a), 
 
Você fará agora seu EXERCÍCIO DE FIXAÇÃO! Lembre-se que es te exercíc io é opcional, mas não valerá 
ponto para sua avaliação. O mesmo será composto de ques tões de múltipla escolha (3). 
Após a finalização do exerc ício, você terá acesso ao gabarito. A proveite para se familiarizar com este modelo 
de ques tões que será usado na sua AV e AVS. 
 
 
1. 
 
 
Os semicondutores intrínsecos são aqueles que: 
 
 
Possuem carga elétrica negativa 
 
Não possuem resistividade 
 
Possuem carga elétrica neutra 
 
Possuem carga elétrica igual à zero 
 
Possuem carga elétrica positiva 
 
 
 
2. 
 
Nas figuras a seguir, têm-se representado um capacitor com vácuo 
entre as placas, um meio dielétrico e o capacitor com o meio dielétrico 
inserido. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and 
Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 
19). 
Entre as opções a seguir, determine a opção correta que se aplica a 
ilustração anterior: 
 
 
 
 
 
 
Com a inserção do dielétrico e manutenção da diferença de potencial, tem-se a 
diminuição da carga armazenada no capacitor. 
 
Com a inserção do dielétrico e manutenção da diferença de potencial, tem-se o 
aumento da carga armazenada no capacitor. 
 
Com a inserção do dielétrico e manutenção da diferença de potencial, tem-se que a 
carga armazenada no capacitor não se altera. 
 
Na situação descrita, não é possível manter a tensão aplicada no capacitor. 
 
O material inserido, denominado dielétrico, é condutor, permitindo a condução de 
mais cargas para o capacitor. 
 
 
 
 
3. 
 
Capacitores ou condensadores são componentes eletrônicos que 
armazenam energia quando submetidos a um campo elétrico. Define-
se, então, a grandeza denominada capacitância, dada por C= 0(A/l), 
onde A representa a área das placas, l a distância entre elas e  o é a 
permissividade do vácuo. 
Considerando-se as informações anteriores, calcule o novo 
espaçamento que deve assumir as placas de um capacitor 
com  r =2 el=1mm quando for utilizado um dielétrico de  r =4, 
considerando-se que a capacitância não deve ser alterada. 
 
 
 
 
 
1 mm 
 
2,5 mm 
 
2 mm 
 
4 mm 
 
0,5 mm 
 
 
 
4. 
 
 
A população das redes locais de transmissão de dados (LAN), houve a necessidade de 
evolução tecnológicas em diversos nichos da eletro-eletrônica, originando diversos 
produtos tecnológicos. Entre estes produtos, encontram-se os cabos UTP. Com relação a 
estes cabos, só NÂO podemos afirmar que: 
 
 
 
Só admitem transmissão até 10Mbts. 
 
Os cabos UTP podem ser aplicados em redes locais com distância total de até 100m. 
 
Nos cabos UTPs verifica-se também que quanto maior for a taxa de modulação, maior 
será o valor da atenuação do sinal com a distância percorrida. 
 
O acrônimo UTP significa Unshielded Twisted Pair ¿ UTP ou Par Trançado sem 
Blindagem. 
 
Admitem velocidade de transmissão de 10 MBits a 100MBits. 
 
 Gabarito Comentado 
 
 
5. 
 
 
Uma fibra ótica é um dispositivo na forma de fio com densidade diferenciada ao 
longo de sua seção reta, o que confere a fibra propriedades de confinamento da 
luz. 
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering : An 
Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 22). 
 
Entre os itens abaixo, PODEMOS apontar como correto: 
 
 
 
As fibras óticas devem ser mantidas afastadas de campos elétricos, sob pena de 
desvio e perda de informações. 
 
O feixe fotônico não se perde devido a igualdade entre os índices de refração do 
núcleo da fibra e as paredes. 
 
O feixe fotônico mantém sua trajetória contanto que não haja campo magnético 
externo. 
 
A diferença entre os índices de refração é essencial para confinar o feixe de luz. 
 
Embora a fibra contenha o feixe fotônico, se houver campo magnético presente, o 
campo é afetado. 
 
 
 
6. 
 
 
Existem diversas formas de energia que percorrem a rede cristalina de um 
condutor metálico. Em um condutor que possui sua temperatura elevada, por 
exemplo, seus átomos apresentam alta energia térmica, o que aumenta 
amplitude de vibração dos mesmos. Quando estabelecemos um campo elétrico 
através do mesmo, os elétrons livres colidem com a estrutura atômica 
provocando ainda mais o aumento da amplitude vibracional. Como todos os 
átomos estão conectados através de ligações atômicas, o aumento da amplitude 
de vibração se transfere de um átomo para o outro, provocando o surgimento de 
uma onda de alta frequência e energia quantizada denominada de 
fônon.(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An 
Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 20). 
 
Com relação ao exposto, PODEMOS afirmar que: 
 
 
 
Em um isolante a energia cinética dos elétrons tende ao infinito. 
 
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material condutor 
campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura. 
 
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material isolante sob 
campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura. 
 
Em um material condutor a energia cinética dos elétrons tende a zero. 
 
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será igual em material condutor e 
isolante quando submetidos a mesma diferença de potencial. 
 
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P rezado (a) A luno(a), 
 
Você fará agora seu EXERCÍCIO DE FIXAÇÃO! Lembre-se que es te exercíc io é opcional, mas não valerá 
ponto para sua avaliação. O mesmo será composto de ques tões de múltipla escolha (3). 
Após a finalização do exerc ício, você terá acesso ao gabarito. A proveite para se familiarizar com este modelo 
de ques tões que será usado na sua AV e AVS. 
 
 
1. 
 
 
Algumas substâncias, como o niobato de potássio e o titanato de 
chumbo, são capazes de transformar deformações mecânicas em 
energia elétrica e também de realizar o contrário, transformar energia 
elétrica em deformações mecânicas. Esta propriedade lhes garante 
aplicações em diversos utensílios da vida moderna, tais como em 
microfones, em alarmes sonoros e em agulhas de toca discos 
(resgatadas a pouco tempo de uma quase 
obsolescência). (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and 
Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 
19). 
 
Com relação a este
tipo de substância, podemos dizer que : 
 
 
 
Com o tempo e uso contínuo, alguns cristais que possuem estas propriedades 
apresentam a perda de intensidade na manifestação das mesmas. 
 
Geralmente as substâncias que apresentam o comportamento descrito são 
diamagnéticas ou paramagnéticas. 
 
As substâncias que apresentam as propriedades descritas anteriormente não podem 
apresentar simultaneamente propriedades ferroelétricas. 
 
Geralmente possuem estruturas cristalinas complexas e com baixo grau de simetria. 
 
Este comportamento pode ser aprimorado por meio do aquecimento acima da 
temperatura de Curie da substância, seguido de resfriamento até temperaturas 
criogênicas. 
 
 Gabarito Comentado 
 
 
2. 
 
 
Assinale a alternativa que contém apenas resistores ajustáveis. 
 
 
Trimpot, potenciômetro. 
 
Potenciômetro e resistor de carbono. 
 
Trimpot e resistor de fio. 
 
Trimpot e resistor de porcelana. 
 
Resistor de fio e resistor de carbono. 
 
 
 
 
3. 
 
 
A polarização é o alinhamento de momentos dipolares atômicos ou 
moleculares, permanentes ou induzidos, com um campo elétrico 
aplicado externamente. Existem três tipos ou fontes de polarização: 
eletrônica, iônica ou de orientação. Baseado nestas informações e na 
figura a seguir, os dois tipos de polarização mostrados na figura (a) e 
figura (b) são respectivamente: 
 
 
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An 
Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
 
 
 
 
 
 
Eletrônica e de orientação. 
 
Eletrônica e iônica. 
 
De orientação e eletrônica. 
 
Iônica e de orientação. 
 
Iônica e eletrônica. 
 
 
 
4. 
 
Os resistores são componentes que possuem a função básica de conversão de energia 
 
elétrica em energia térmica na forma de calor. A resistência é o parâmetro que descreve 
o comportamento dos resistores, medido em Ohm (Ω). Com relação a estes componentes 
elétricos, é INCORRETO afirmar: 
 
 
Considerando os resistores variáveis, tem-se que esta variação pode seguir uma 
tendência linear ou logarítmica, entre outras funções matemáticas. 
 
Os resistores são denominados de fixos quando possuem um valor da resistência fixo 
durante a operação. 
 
O calor retirado do resistor possui diversas aplicações, entre elas o aquecimento de 
água e aquecimento do próprio ambiente em áreas frias do planeta. 
 
Os resistores são denominados de ajustáveis quando possuem o valor da resistência 
previamente determinados pelo fabricante antes da operação e pode ser modificado 
posteriormente. 
 
Os resistores são denominados de variáveis quando possuem uma variação 
desconhecida no valor da resistência durante a operação. 
 
 Gabarito Comentado 
 
 
 
5. 
 
 
Alguns materiais, como o zirconato de chumbo, ao serem submetidos a 
uma tensão mecânica , geram eletricidade, como mostrado na figura a 
seguir. Este tipo de material é utilizado como transdutor, ou seja, 
dispositivo que é capaz de converter energia elétrica em deformações 
mecânicas e vice-versa. 
 
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An 
Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
 
Em relação aos materiais que apresentam a propriedade anteriormente 
descrita, pode-se dizer que: 
 
 
 
São denominados de magnéticos. 
 
São denominados de ferroelétricos. 
 
São denominados de diamagnéticos. 
 
São denominados de ferrimagnéticos. 
 
São denominados de piezoelétricos. 
 
 
 
6. 
 
 
O titanato de bário, mostrado na figura a seguir, é um material que 
apresenta polarização espontânea a nível microestrutural, ou seja, 
mesmo na ausência de campos elétricos externos, este material 
apresenta dipolos elétricos. 
 
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An 
Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
 
Com relação a este tipo material, podemos afirmar: 
 
 
 
 
 
São denominados de ferroelétricos. 
 
São denominados de magnéticos. 
 
São denominados de diamagnéticos. 
 
São denominados de ferrimagnéticos. 
 
São denominados de ferromagnéticos. 
 
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P rezado (a) A luno(a), 
 
Você fará agora seu EXERCÍCIO DE FIXAÇÃO! Lembre-se que es te exercíc io é opcional, mas não valerá 
ponto para sua avaliação. O mesmo será composto de ques tões de múltipla escolha (3). 
Após a finalização do exerc ício, você terá acesso ao gabarito. A proveite para se familiarizar com este modelo 
de ques tões que será usado na sua AV e AVS. 
 
 
1. 
 
 
Os Cabos Coaxiais se aplicam às características das linhas de transmissão voltadas ao 
mercado de telecomunicações, controle de processos industriais, automação predial e 
comercial, no que se refere a interligação dos vários equipamentos utilizados nestes 
sistemas se considerando os parâmetros que devem ser observados na aquisição dos 
mesmos visando a compra de produtos de qualidade. Das alternativas abaixo, qual 
aquela que se apresenta na forma totalmente correta quanto ao cabo coaxial? 
 
 
 
O termo cabo coaxial se refere a condutores de seção circular dispostos no mesmo 
eixo geométrico. São formados por um condutor interno geralmente de cobre nú ou 
aço cobreado, uma isolação de polietileno sólido ou expandido, sem blindagem sobre 
esta isolação, e finalmente a capa externa de polietileno ou PVC. 
 
O termo cabo coaxial se refere a condutores de seção circular dispostos em eixos 
geométricos difrerentes. São formados por um condutor interno geralmente de cobre 
nú ou aço cobreado, uma isolação de polietileno sólido ou expandido, uma blindagem 
sobre esta isolação, e finalmente a capa externa de polietileno ou PVC. 
 
O termo cabo coaxial se refere a condutores de seção circular dispostos no mesmo 
eixo geométrico. São formados por dois condutores em paralelo evuma isolação de 
polietileno sólido ou expandido, uma blindagem sobre esta isolação, e finalmente a 
capa externa de polietileno ou PVC. 
 
O termo cabo coaxial se refere a condutores de seção circular dispostos no mesmo 
eixo geométrico. São formados por um condutor interno geralmente de cobre nú ou 
aço cobreado, uma isolação de polietileno sólido ou expandido, uma blindagem sobre 
esta isolação e finalmente a capa externa de polietileno ou PVC. 
 
O termo cabo coaxial se refere a condutores de seção circular dispostos no mesmo 
eixo geométrico. São formados por um condutor interno geralmente de cobre nú ou 
aço cobreado uma isolação de polietileno sólido ou expandido, uma blindagem sobre 
esta isolação, e finalmente a capa externa de papel. 
 
 
 
 
2. 
 
Considerando-se as propriedades elétricas e a simetria da rede 
cristalina da figura a seguir. Pode-se dizer que a mesma pode pertencer 
a um material com que tipo de magnetização? 
 
 
 
 
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An 
Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
 
 
 
 
magnético. 
 
ferrimagnético. 
 
ferroelétrico. 
 
ferromagnético. 
 
diamagnético. 
 
 
 
 
3. 
 
 
Indutores são dispositivos que se utilizam
das propriedades das bobinas de fios 
condutores e que possuem a função de armazenar energia através de campo magnético. 
Com relação a este dispositivo, identifique a respostaINCORRETA. 
 
 
 
Os indutores de possuem alta capacidade de armazenamento de campo magnético e 
pequena saturação de corrente. 
 
Nos indutores de núcleo de ferro, podem-se utilizar como material ferro ou óxido de 
ferro particulado ou laminado. 
 
Os transformadores são componentes que tem a função básica de aumentar ou 
diminuir a tensão. 
 
Nos indutores de núcleo de ferro, não há corrente passando pela bobina, mas 
somente pelo núcleo de ferro. 
 
Nos indutores de núcleo de ferro, a indutância é aumentada pela utilização deste 
núcleo. 
 
 
 
 
4. 
 
As formas de comunicação sofreram recentemente uma revolução com 
o desenvolvimento da tecnologia das fibras óticas. Enquanto os meios, 
outrora convencionais, se utilizam de sinais eletrônicos para a 
transmissão de informação, as fibras óticas se utilizam de sinais 
fotônicos, ou seja, fótons de radiações eletromagnéticas. 
 
 
 
Com relação a este meio de transmissão de dados (fibras óticas), 
representado na figura a seguir, podemos afirmar que: 
 
 
 
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An 
Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 22). 
 
 
As fibras óticas são fabricadas com Óxido de Ferro. 
 
O sinal é transmitido através do núcleo da fibra e requer uma diferença de potencial 
elétrico 
 
As fibras podem ser multímodo, monomodo e polimodo 
 
A parte (1) é denominada de centro e a parte (2) é denominada de ex-centro. 
 
A transmissão de fótons pelo núcleo da fibra ótica se deve a diferença do índice de 
refração entre o núcleo e casa da fibra. 
 
 
 
 
5. 
 
 
A popularização dos aparelhos de televisão tornou premente a 
intensificação dos meios de transmissão com freqüências moduladas 
em GHz, que deveriam então se estender por quilômetros. Para tanto, 
projetou-se o cabo coaxial mostrado na figura a seguir. 
Com relação a estrutura do mesmo, somente uma opção não está 
correta, assinale-a: 
 
 
 
 
 
O elemento (2) é um material isolante externo. 
 
O elemento (4) é um material plástico externo, que tem a função de proteger o cabo 
coaxial. 
 
O elemento (5) , interface entre os elementos (3) e (4) é uma cola condutora. 
 
O elemento (1) é composto por um condutor de cobre comercial. É onde o sinal 
elétrico contendo a informação é transmitido. 
 
O elemento (3) é um condutor externo. 
 
 
 
 
6. 
 
 
A figura a seguir mostra uma reprodução artística de uma fibra ótica no 
momento da transmissão de dados em seu interior através de feixe 
fotônico. Percebe-se que o feixe permanece confinado entre o núcleo 
da fibra e suas paredes, garantindo que a informação não se perca ao 
longo do caminho. 
 
 
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An 
Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 22). 
 
Entre os itens abaixo, podemos apontar como correto: 
 
 
 
O feixe fotônico não se perde devido a igualdade entre os índices de refração do 
núcleo da fibra e as paredes. 
 
O feixe fotônico não se perde devido a diferença entre os índices de refração do 
núcleo da fibra e as paredes. 
 
O feixe fotônico mantém sua trajetória contanto que não haja campo magnético 
externo. 
 
O feixe fotônico mantém sua trajetória contanto que não haja campo elétrico externo 
 
O feixe fotônico não se perde em decorrência da diferença de potencial estabelecida 
entre as extremidades da fibra. 
 
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P rezado (a) A luno(a), 
 
Você fará agora seu EXERCÍCIO DE FIXAÇÃO! Lembre-se que es te exercíc io é opcional, mas não valerá 
ponto para sua avaliação. O mesmo será composto de ques tões de múltipla escolha (3). 
Após a finalização do exerc ício, você terá acesso ao gabarito. A proveite para se familiarizar com este modelo 
de ques tões que será usado na sua AV e AVS. 
 
 
1. 
 
 
Deseja-se construir um capacitor de 22 nF utilizando-se duas placas paralelas com 
área de 230 cm2 cada uma. O valor da constante dielétrica do material utilizado é 
2,26. Determine o afastamento entre as placas para atender-se a esta especificação. 
 
 
 
5,5 x10-2 mm 
 
6,6 x10-2 mm 
 
3,3 x10-2 mm 
 
2,2 x10-2 mm 
 
4,4 x10-2 mm 
 
 
 
 
2. 
 
 
Suponha que você, aluno conhecedor das propriedades elétricas dos materiais deseja 
diminuir a resistência de uma bobina elétrica, que deve passar de 30 ohms para 25 
ohms. Sabendo-se que não haverá variação na área da seção reta do material e que o 
comprimento inicial do fio que compõe a bobina é de 12m, pode-se dizer que: 
 
 
 
O valor de resistência requerido só poderá ser obtido aumenta-se em 50% o diâmetro 
do fio que compõe a bobina. 
 
Não é possível alterar o valor da resistência através da variação do comprimento do 
fio. 
 
O novo comprimento deverá ser de 14,4m. 
 
O novo comprimento poderá estar entre 11m e 12m. 
 
O novo comprimento deverá ser de 10 m. 
 
 Gabarito Comentado 
 
 
 
3. 
 
Capacitores são dispositivos capazes de armazenar energia elétrica através do 
acúmulo de cargas elétricas em, por exemplo, placas paralelas. A capacitância 
 
 
de um capacitor desse tipo é dada por C =  o A/l, onde A representa a área das 
placas, l a distância entre elas e o= 9. 10
-12
 C
2
N
-1
m
-2
 é a permissividade do 
vácuo. 
Considerando um capacitor de placas quadradas e paralelas, cuja distância entre 
as mesmas é igual ao triplo do lado das placas, que por sua vez é igual a 50mm, 
obtenha a capacitância do capac itor. 
 
 
45 pF. 
 
150pF. 
 
4,5 pF. 
 
15 pF. 
 
0,15 pF 
 
 Gabarito Comentado 
 
 
 
4. 
 
 
Considere as seguintes afirmações: 
I. Os resistores de película de filme de carbono são resistores de precisão, 
normalmente com tolerância de 1 ou 2%. 
II. Os resistores de filme metálico são resistores de precisão, normalmente 
com tolerância de 1 ou 2%. 
III. Os resistores de película de filme de carbono são resistores normalmente 
com tolerância de 5 ou 10%. 
IV. Os resistores de fio suportam apenas correntes de valores reduzidos e 
dissipam pouca potência. 
V. Os resistores de fio utilizam fios que são compostos de ligas que resultam 
em uma resistividade adequada para obter o valor da resistência desejado. 
Das afirmações listadas acima, são verdadeiras as seguintes: 
 
 
 
c) As afirmações III e IV. 
 
b) As afirmações II e III. 
 
e) As afirmações II, III e V. 
 
d) As afirmações I, II e IV. 
 
a) Somente a afirmação V. 
 
 
 
 
5. 
 
A utilização de fibras óticas para a transferência de dados e a evolução 
da eletrônica representaram um salto tecnológico na indústria da 
informática, promovendo a democratização do acesso a internet e aos 
hardwares necessários. 
Considerando as figuras a seguir, podemos identificá-las como: 
 
 
 
 
 
 
 
 
(1) Resistor e (3) Cabo Coaxial. 
 
(1) Resistor e (3) fibra ótica.
(2) Fibra ótica e (3) Resistor 
 
(1) Cabo coaxial e fibra ótica e (2) resistor. 
 
(1) Fibra ótica e (2) Cabo Coaxial. 
 
 
 
 
6. 
 
 
Georg Simon Ohm (1787-1854) lecionou Física na Universidade de 
Munique e em 1827 e foi um dos pioneiros na investigação de 
propriedades dos resistores, o que lhe conferiu a imortalidade científica 
através da associação de seu nome, Ohm, a quantificação da 
característica resistividade de um material. 
Entre as informações referentes a um resistor, não podemos afirmar 
que: (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . 
Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3) 
 
 
 
O coeficiente de temperatura do resistor (TCR) descreve o comportamento da 
variação do valor da resistência em função da temperatura. 
 
O TCR é um parâmetro importante pois é desejável conhecer este comportamento 
antes da operação do componente. 
 
Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar 
semicondutores. 
 
A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas. 
 
Temperatura, presença de impurezas e deformação mecânica são fatores que 
influenciam a resistividade de um material.