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UNIVERSIDADE FEDERAL FLUMINENSE UFF MESTRADO DE ENGENHARIA DE TELECOMUNICAC¸O˜ES MARCIO ALEXANDRE DIAS GARRIDO RoF (Radio Over Fiber) NO PROCESSAMENTO FOTOˆNICO DE MICROONDAS NITERO´I 2018-2 Marcio AleXandre Dias Garrido RoF - (Radio OVER FIBER) NO PROCESSAMENTO FOTOˆNICO DE MICROONDAS Monografia Apresentada ao Departamento de Engenharia da Universidade Federal Fluminense - UFF, como requisito parcial para a obtenc¸a˜o da aprovac¸a˜o da disciplina– Processamento Fotoˆnico de Micro-ondas Professor: Ricardo Marques Ribeiro, DSc. Dezembro de 2018 DEPARTAMENTO ENGENHARIA UNIVERSIDADE FEDERAL FLUMINENSE Monografia de conclusa˜o da mate´ria Processamento Fotoˆnico de Micro-ondas - RoF - (Radio OVER FIBER) NO PROCESSAMENTO FOTOˆNICO DE MICROONDAS de autoria de Marcio AleXandre Dias Garrido Prof. Dr. Ricardo Marques Ribeiro, DSc. Nitero´i, 13 de Dezembro de 2018 PPGEET, Universidade Federal Fluminense 156 - Bloco E - Sala 502-B - Sa˜o Domingos - Nitero´i - RJ - CEP: 24210-240 Tel.: (21) 2629-5519 / 5501 RESUMO Esta monografia tem como objetivo estudar a tecnologia de ra´dio sobre fibra (Radio over Fiber (RoF ) e seu comportamento dentro da mate´ria Processamento fotoˆnico de microondas - PFM, observando seus impactos no ganho de RF, banda, figura de ru´ıdo e distorc¸o˜es. O RoF tem sido considerada uma poss´ıvel soluc¸a˜o para a distribuic¸a˜o de sinais de alta capacidade e alta frequeˆncia, uma vez que por ela, e´ poss´ıvel transportar grandes volumes de dados. O processamento fotoˆnico de microondas, estuda a interac¸a˜o de ondas de luz e microondas consolidando o que de melhor pode ser absorvido por ambas a´reas. De forma geral, o PFM, busca ferramentas e te´cnicas para gerar/receber, processar , distribuir e analisar os sinais de microondas. No ambiente o´tico, devido a suas propriedades e caracter´ısticas de transmissa˜o em baix´ıssimas perdas, cresce a cada dia a busca por novas pesquisas, te´cnicas e diferentes aplicac¸o˜es, como redes de acesso a banda larga, comunicac¸o˜es via sate´lite etc. Em alguns regimes de aplicac¸o˜es, a largura de banda e velocidade sa˜o fatores decisivos, assim como geralmente a compactac¸a˜o dos componentes e imunidade a interfereˆncia eletromagne´tica. Dentro do PFM, a aplicac¸a˜o de RoF tem sido um dos principais to´picos de pesquisa. De forma sucinta, uma conexa˜o deste tipo consiste em um laser que pode ser modulado direta ou externamente ( convertendo sinais ele´tricos em o´pticos) onde um ou va´rios sinais analo´gicos sa˜o modulados nas mais variadas frequeˆncias de microondas e convertidos para o meio o´ptico (E/O), e via uma conexa˜o em fibra o´ptica, um modulo detector (photodotector) faz o processo inverso (O/E) e demodula esta informac¸a˜o. Contudo, dentro deste processamento de sinais, ainda existem va´rios aspectos e desafios a serem analisados. O conteu´do desta monografia e´ conhecer os dispositivos e os intervenientes que ocorrem dentro desta estrutura como as distorc¸o˜es, ru´ıdos, ganhos e bandas que o proposto sistema pode atuar. Palavras-chave: <RoF>, <Fibras>, <Modulador>,<Receptor>. Conteu´do 1 Introduc¸a˜o - RoF 7 2 Arquiteturas e aplicac¸o˜es 10 3 Transmissores 13 4 Te´cnicas de Modulac¸ao 14 4.1 Modulac¸a˜o Direta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 4.2 Modulac¸a˜o Externa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 5 Fibras 23 6 Receptores 24 7 Ganho no Sistema ROF 26 7.1 Frequeˆncia de operac¸a˜o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 7.2 Ganho . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 7.3 Banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 8 Ru´ıdo e Distorc¸a˜o 30 8.1 Ru´ıdo te´rmico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 8.2 Shot Noise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 8.3 RIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31 8.4 Faixa dinaˆmica de operac¸a˜o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31 9 Cases / Aplicac¸o˜es 34 9.1 WIFI-RoF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34 9.2 Arquitetura WIFI-RoF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34 10 Conclusa˜o 36 REFEREˆNCIAS 37 6 1 Introduc¸a˜o - RoF E´ fato que nos u´ltimos anos, se na˜o, de´cadas, as comunicac¸o˜es o´pticas teˆm crescido de forma significativa, alavancando cada vez mais o crescimento das telecomunicac¸o˜es e da internet. Imposs´ıvel na˜o mencionar um grande divisor de a´guas que tivemos nesta evoluc¸a˜o, que foi foi a` invenc¸a˜o do laser em 1960 [2], seguido pela da fibra o´tica com baixa atenuac¸a˜o em 1970. De forma simplo´ria, o dispositivo ou sistema que fac¸a algum tipo de “processamento fotonico de microondas”, e a transmissa˜o entre dois pontos quaisquer de um sinal optico modulado pela sub-portadora na banda ele´trica. Andando a passos largos, a eletroˆnica e a internet processam muitos mais dados, e por consequeˆncia, se faz necessa´rio muito mais velocidade e banda larga para tanta informac¸a˜o a ser difundida. O desenvolvimento de sistemas de transmissa˜o de RF sobre fibras opticas (RoF – Radio over Fiber), na˜o fogem muito da premissa de que e´ levar uma informac¸a˜o de um ponto ao outro. Para tanto, temos basicamente 3 componentes: • Transmissor • Meio de transmissa˜o • Receptor No caso do RoF, podemos estar empregando transmissores com diodos laser operando tanto em modulac¸a˜o direta como externa, fibras o´pticas e receptores com fotod´ıodos. Este conjugado ja´ e´ uma realidade desde a de´cada de 80. Este tipo de aplicac¸a˜o possui uma se´rie de vantagens sobre os outros modelos de enlace. Vantagens A te´cnica de RoF e´ caracterizada por ter como principais vantagens a possibilidade de operac¸a˜o centralizada de forma simples e o baixo consumo de poteˆncia. A baixa atenuac¸a˜o da fibra permite a transmissa˜o de sinais RF a longas distaˆncias reduzindo a necessidade do uso de repetidores. Existem treˆs situac¸o˜es de comprimento de onda para a transmissa˜o em fibra o´tica que apresentam baixa atenuac¸a˜o: λ = 850nm. (1) λ = 1310nm. (2) λ = 1550nm. (3) 7 Figura 1: Perdas x Comprimento nos 3 lambdas representados As fibras geralmente apresentam atenuac¸a˜o entre os 0,2 dB/km (1550 nm) e 0,5 dB/km (1310 nm). Analogamente com os cabos coaxiais, estas perdas sa˜o muito me- nores, principalmente a altas frequeˆncias, visto que sabemos que as perdas aumentam com a frequeˆncia. Desta maneira, ao usar sinais o´ticos e´ poss´ıvel transmitir os sinais em distaˆncias muito superiores e ainda com o benef´ıcio de usar menor poteˆncia na transmissa˜o [3]. Seguranc¸a Um ponto interessante a ser observado e´ que os dados(informac¸o˜es) sa˜o transmi- tidos em forma de luz na fibra o´tica.Neste contexto e poss´ıvel observar a imunidade a interfereˆncia de radiofrequeˆncia assim como a impossibilidade de escutas, o que permite obter comunicac¸o˜es seguras e com maior privacidade [3]. ”Nem tudo e´ perfeito” Elencadas foram as vantagens nos para´grafos anteriores, por outro lado, apesar disso, existem algumas limitac¸o˜es na implementac¸a˜o destes sistemas. O envio de sinais analo´gicos sofre de distorc¸a˜o devido a` na˜o-linearidade dos componentes o´ticos/micro- ondas, ale´m disso, ele demanda uma largura de banda dispon´ıvel maior que a frequeˆncia da portadora RF. Ale´m disso, a gama dinaˆmica de um link o´tico analo´gico decresce linearmente com a distaˆncia da transmissa˜o, devido a` atenuac¸a˜o da fibra o´tica [4].Os sistemas RoF sa˜o fundamentalmente sistemas analo´gicos,onde o ru´ıdo e a distorc¸a˜o sa˜o caracter´ısticas que afetam a comunicac¸a˜o. Existem va´rias fontes de ru´ıdo em sistemas 8 de comunicac¸a˜o analo´gicos, a exemplo temos : O ru´ıdo de intensidade do laser (RIN ), o ru´ıdo quaˆntico do fotod´ıodo e o ru´ıdo te´rmico do amplificador ( quando aplica´vel ). Em sistemas RoF que usam fibra mult´ımodo, distaˆncia de transmissa˜o e a largura de banda da fibra, sa˜o limitadas pela dispersa˜o modal, ja´ na fibra monomodo, a distaˆncia de transmissa˜o e´ limitada pela dispersa˜o croma´tica [3]. Se analisarmos friamente, as principais dificuldades ou desencorajadores neste tipo sa˜o : • Alto custo e complexidade para implantar e ampliar redes o´pticas. • Dificuldade de se fazer emendas e conectores. • Fragilidade • Custo pode ser elevado quando comparado a outros meios de transmissa˜o. • O fato de sua condutividade ele´trica ser nula, impede o uso da fibra para transmissa˜o de energia para repetidores e amplificadores ao longo do enlace. RoF na aplicac¸a˜o da telefonia A tecnologia 4G utiliza portadoras em altas frequeˆncias para realizar a transmissa˜o em banda larga, o que reduz a a´rea de cobertura quando comparado com as redes atuais de telefonia celular. Desta maneira, a forma de contornar este problema se recorre a instalac¸a˜o de diversas estac¸o˜es ra´dio base (ERBs) para cobrir-se a` mesma regia˜o. Ime- diatamente temos dois impactos: O comercial ja´ que tal ac¸a˜o eleva o custo operacional e a interfereˆncia eletromagne´tica entre as estac¸o˜es. Uma prova´vel e eficiente alternativa para estes problemas e´ o uso da tecnologia de RoF [5], que como ja´ mencionado acima, realiza a convergeˆncia entre as redes o´pticas e sem-fio. Sistemas RoF compo˜em uma das vertentes da a´rea de MicroWave Photonics (MWP) [5], que e´ a mate´ria aplicada base para esta monografia. Figura 2: Conceito do sistema RoF 9 2 Arquiteturas e aplicac¸o˜es De forma visual, podemos descrever a arquitetura em 3 partes. Figura 3: 1-Conversor E/O;2 Link em fibra; 3 Conversor O/E O primeiro dispositivo - Modulador O/E, recebe o sinal de RF e faz uma conversa˜o de meio ele´trico para o´ptico, e na sequencia modula em uma portadora. Uma fibra o´tica acopla a sa´ıda do dispositivo de modulac¸a˜o a` entrada do dispositivo de foto detecc¸a˜o, que recupera o sinal ele´trico demodulando O/E. Conceitualmente, o sinal de RF pode ser transmitido atrave´s de uma ligac¸a˜o o´ptica usando qualquer um dos paraˆmetros da portadora o´ptica que sejam ana´logos aos paraˆmetros comumente usados com uma portadora de RF: isto e´, a amplitude da porta- dora o´ptica Eo frequeˆncia ν ou fase θ . Podemos especificar, assumindo que uma onda, no domı´nio o´ptico propagando-se no espac¸o livre na direc¸a˜o Z[6] : E(z, t) = E o exp[2Jpi zv c (−vt+ θ)]. (4) Existem condic¸o˜es no domı´nio o´ptico que duplicam muitas das func¸o˜es no domı´nio de RF (Mixagem de frequeˆncias, amplificadores o´ticos etc), o que de fato na˜o deixa de ser uma excec¸a˜o nota´vel,quando comparamos as limitac¸o˜es em relac¸a˜o ao domı´nio ele´trico. Praticamente, todos os receptores de RF atuais sa˜o receptores coerentes nos quais a amplitude ou a frequ¨eˆncia - ou em alguns casos a fase - da portadora de entrada e´ detectada. Isto esta´ em contraste com os primo´rdios da ra´dio quando a detecc¸a˜o direta era a norma - ou seja, a detecc¸a˜o da presenc¸a ou auseˆncia da portadora de RF sem ter em conta a sua frequeˆncia precisa e certamente sem qualquer informac¸a˜o de fase [6] 10 Enlaces IM/DD Existem duas formas de se fazer a modulac¸a˜o por intensidade o´ptica [6]” Figura 4: Diagrama de enlaces IM /DD .(a) Modulac¸a˜o direta e (c) Modulac¸a˜o Externa. Esquema (b) Espectro dos sinais Como o enlace e´ feito pela fibra o´ptica, transmissor e receptor ficam isolados ele- tricamente. E´ fato que a fibra de s´ılica conduzindo uma portadora em 1550nm, apresenta uma baixa atenuac¸a˜o, mas devemos levar em considerac¸a˜o outras perdas ( O/E, E/O entre outros acoplamentos)[6]. Os pilares para esta arquitetura sa˜o : • Ganho de RF; • Banda; • Ru´ıdo; • Distorc¸a˜o; 11 Neste caso, o enlace analo´gico, conforme Figura 2, podemos hierarquizar por or- dem de impacto nos pilares da arquitetura: Item 1 - Transmissor/Conversor - Impacto de primeira ordem; Item 3 - Receptor/Conversor - Impacto de segunda ordem; Item 2 - Link/Fibra - A distancia impacta no ganho de RF,afetando assim o ru´ıdo; Categorizando as Aplicac¸o˜es 1 – Enlaces o´pticos de transmissao: Sistemas de Transmissa˜o remota, sistemas de celulares, radares em modo transmissa˜o 2 - Enlaces o´pticos de distribuic¸a˜o: TV a cabo, 3 – Enlaces o´pticos de recepc¸a˜o: Sistemas Celulares, Radar em modo receptor; Notoriamente que atualmente, os operadores de rede esta˜o buscando a simpli- ficac¸a˜o de suas operac¸o˜es junto com arquiteturas unificadas e centralizadas para que sejam flex´ıveis para serem desenvolvidas em diversos n´ıveis da rede [1]. Neste contexto, a tecnologia de ra´dio sobre fibra (RoF), e´ uma soluc¸a˜o de grande eficieˆncia para fornecer acesso de ra´dio de banda larga. RoF e´ indicada especialmente para suportar comunicac¸o˜es de alta velocidade. A tecnologia de RoF e´ basicamente analo´gica. Pore´m, existem outras tecnologias que digitalizam o sinal analo´gico para ser transmitido em forma de bits pelo canal o´ptico e melhoram o desempenho em comparac¸a˜o ao caso analo´gico. 12 3 Transmissores O transmissor o´ptico basicamente tem a func¸a˜o de converter sinais ele´tricos em sinais o´pticos, ou seja, o sinal de RF para o domı´nio o´ptico por meio da conversa˜o eletro- o´ptica (E/O). Os sistemas RoF, em grande maioria utilizam lasers semicondutores que operam na regia˜o de 1300 e 1500 nm, devido a`s vantagens de baixa dispersa˜o e atenuac¸a˜o (quando ha´ transmissa˜o por fibra nestas regio˜es) conforme podemos observar na Figura 1. Ale´m disso, algumas aplicac¸o˜es na janela de 850 nm tambe´m sa˜o poss´ıveis, pore´m a alta atenuac¸a˜o (cerca de 3 dB/km) limita sua aplicac¸a˜o para a distribuic¸a˜o de sinais em ambientes indoor por meio de lasers de baixo custo [7] Os transmissores de uso comercial,em sua grande maioria, usam a te´cnica de mo- dulac¸a˜o direta no processo de conversa˜o. Isso se da ao fato de sua eficieˆncia, simplicidade e logico, baixo custo [7]. Outro ponto observado e´ que os lasers sa˜o as principais fonte de luz em sistemas RoF. Isso se da ao fato deles serem ”devices”de pequeno porte, possuem estreita largura de linha, trabalharem em temperatura ambiente, n´ıveis ideais de poteˆncia o´ptica e linearidade e disponibilidade nas treˆs principais janelas transmissa˜o (800, 1300 e 1500 nm). Temos transmissores que trabalham em forma de modulac¸a˜o direta e externa. Entre as famı´lias de LD (laser Diode) em modulac¸a˜o o´ptica direta temos a seguinte es- trutura : LD = Fabry-Perot, DFB, VCSEL, (5) Na modalidade de modulac¸a˜o o´ptica externa, outra estrutura e´ apresentada : Modulador o´ptico externo = Modulador eletro-o´ptico, MZM , Modulador acoplador direcional DCM , Modulador eletro absortivo EAM , (6) Dentre as estruturas acima mencionadas, a com realimentac¸a˜o distribu´ıda (DFB) e´ a mais utilizada, uma vez que ela apresenta o´tima combinac¸a˜o das caracter´ısticas descritas anteriormente [7]. Pore´m, lasers DFB, devido a suas caracter´ısticas construtivas, sa˜o mais caros[8]. 13 4 Te´cnicas de Modulac¸ao 4.1 Modulac¸a˜o Direta O sinal ele´trico (voltagem ou corrente) de entrada modula diretamente a inten- sidade o´ptica de sa´ıda de um LED ou LD.Na modulac¸a˜o direta, com o sinal de RF diretamente aplicado a` corrente de alimentac¸a˜o do laser,e´ poss´ıvel modular a intensidade a poteˆncia o´ptica de sa´ıda [6]. Esta simplicidade traz uma vantagem te´cnica incr´ıvel. Comercialmente falando e´ muito vantajoso. Contudo, sistemas que operem com esta ca- racter´ıstica, sa˜o limitados pela banda de modulac¸a˜o do LD [6] e o efeito de alargamento espectral ou chirp [9] Figura 5: Modulac¸a˜o Direta Quando usamos LD, a modulac¸a˜o direta produz uma modulac¸a˜o de fase indesejada. Neste caso o nome deste efeito e´ Chirp. Este tipo de situac¸a˜o ocorre devido a` variac¸a˜o no fluxo de ele´trons, o que altera o ı´ndice de refrac¸a˜o do material, produzindo diferentes componentes no domı´nio o´ptico e alargando o espectro.O Chirp junto com a dispersa˜o croma´tica da fibra reduz a capacidade do sistema de comunicac¸a˜o [9]. Laser de diodo de Fabry-Perot Figura 6: Esquema de um laser semicondutor do tipo Fabry-Perot em emissa˜o pela lateral. 14 Dentre os tipos de LD podemos ter variantes de encapsulamento : Encapsulamentos = TO-x, Os mais gene´ricos, Pigtail ou patchcord De fa´cil acoplamento, ButterFly Possui terminais de controles etc, (7) Premissas para se obter a emissa˜o Laser Possuir habilidade de emitir radiac¸a˜o estimulada. Para baixas correntes, o LD emite inicialmente fo´tons espontaˆneos. Com o aumento de IL cresce a emissa˜o de fo´tons estimulados e quando estes superam os fo´tons absorvidos, o diodo laser entra em regime laser! Inversa˜o de populac¸a˜o com o aumento de IL. Alimentac¸a˜o ele´trica: Se faz necessa´rio uma Corrente ele´trica direta injetada na junc¸a˜o PN. O diodo Laser em ultima ana´lise e um diodo emissor de luz estimulada. A cavidade deve ser ressonante em torno do comprimento de onda central da radiac¸a˜o estimulada. Esta emissa˜o deve ocorrer dentro de uma cavidade o´ptica capaz de ressonar no comprimento de onda central λC emitido. Band-ap(Eg) do semicondutor da camada ativa do LD - λ central emitido.A cavidade mais comum e´ a Fabry-Perot onde o modulo longitudinal devera´ obedecer a restric¸a˜o (condic¸a˜o de contorno) considerando esta, vazia! λ0 2 = l (8) λ0= Comprimento de onda central no va´cuo ou para m=1. l=Comprimento f´ısico da cavidade Fabry-Perot. O nu´mero inteiro que designa a ordem do modo longitudinal oscilante na cavidade e´ atribu´ıdo pela varia´vel m, tendo esta, as seguintes condic¸o˜es: m= 1 Modo longitudinal fundamental m= 2, 3,... Modos longitudinais de ordem superior 15 Os modelos longitudinais de ordem qualquer devera˜o obedecer a seguinte restric¸a˜o considerando uma cavidade de Fabry-Perot vazia: m λm0 2 = l −→ 2l = mλm0 (9) λm0 2l m −→ dλm0 = − 2l m2 dm −→ ∆λm0 ≈ − 2l m2 ∆ m (10) Sabendo que 2l = mλm0, podemos observar que m se varia a medida que λm0 pode ser variado de forma a manter o produto mλm0 = 2l fixo uma vez que inicialmente o comprimento f´ısico da cavidade na˜o se altera. Desta maneira, o sinal negativo e´ irrelevante ser mantido, ja´ que o objetivo e´ poder calcular o espac¸amento em comprimento de onda. ∆λm0 ≈ 2l m2 ∆m −→ ∆λm0 ≈ 2l m2 (11) Ma´s se 2l = mλm0 −→ m 2l λm0 (12) Substituindo m na expressao deλm0. ∆λm0 ≈ 2l ( 2l λm0 )2 −→ ∆λm0 ≈ 2lλ 2 m0 (2l)2 −→ ∆λm0 ≈ λ 2 m0 2l (13) Outro cena´rio que e´ poss´ıvel e´ quando a cavidade Fabry Perot e´ preenchida por algum material semicondutor. Figura 7: Esquema de oscilacao-amplificacao de um laser semicondutor na cavidade (interferometro) de Fabry-Perot. n= I´ndice de refrac¸a˜o do material que preenche a cavidade do diodo laser λ= Comprimento de onda central dentro da cavidade 16 Por analogia: λm0 = nλm ou λm = λm0 n (14) Quando falamos de λm0 estamos falando sempre ao que e´ emitido fora da cavi- dade(ar ou va´cuo). E quando falamos ∆λm ≈ λ2m2l estamos falando da cavidade preen- chida. Ao combinarmos as duas u´ltimas equac¸o˜es: ∆λm0 n ≈ λ 2 m0 2n2l −→ ∆λm0 ≈ λ 2 m0 2nl (15) Figura 8: Espectro optico padra˜o de sa´ıda de um laser semicondutor na con- figurac¸a˜o de Fabry-Perot. Ganho de modulac¸a˜o no Diodo Laser O Ganho de modulac¸a˜o e´ totalmente dependente da combinac¸a˜o de correntes ele´tricas participantes no circuito do modulador. Corrente ele´trica: iL = IL + il. iL =Corrente ele´trica total IL = Corrente DC -bias il =Corrente de modulac¸a˜o - RF Analogicamente: Poteˆncia o´ptica gerada: pL,o = PL, O + pl,o. pL,o =Poteˆncia o´ptica total PL, O = Poteˆncia O´ptica na˜o modulada pl,o =Poteˆncia O´ptica Modulada 17 Podemos observar no gra´fico abaixo, que ha´ uma ”janela”de corrente que a poteˆncia na˜o se altera. Quando chegamos no ponto IT ,ou seja, corrente de threshold, nossa poteˆncia o´ptica comec¸a a ter ganho e quando chegamos ao ponto mais linear da curva, encontramos o ponto ideal de trabalho. Este valor e´ considerado a corrente de bias Figura 9: Curva PxI de um Laser. Outros paraˆmetros importantes em transmissores RoF com modulac¸a˜o direta sa˜o: eficieˆncia de conversa˜o, banda de modulac¸a˜o do laser, janela o´ptica de transmissa˜o e RIN [6]. Na figura 9 podemos ver a variac¸a˜o da banda de modulac¸a˜o do laser conforme a corrente de alimentac¸a˜o, mostrando que quanto maior a corrente de alimentac¸a˜o maior e´ a banda de modulac¸a˜o. Entretanto, esta relac¸a˜o implica em duas penalidades: maior consumo de energia e reduc¸a˜o da vida u´til do laser [6]. Figura 10: Banda x Corrente Bias x Frequeˆncia. A faixa de frequeˆncia sobre a qual um link de fibra o´tica e´ transmitida e´ limitada pela largura de banda do transmissor, do receptor e pela dispersa˜o da fibra o´ptica. O limite da largura de banda de um link geralmente e´ definido como a frequeˆncia em que a 18 resposta de modulac¸a˜o de microondas cai em 3 dB. Ao interligar o laser em um transmissor completo com outros componentes como amplificadores ou casamento de impedaˆncia, tambe´m podemos limitar esta transmissa˜o. A eficieˆncia de conversa˜o do laser determina a capacidade do diodo em converter ele´trons em fo´tons.Este paraˆmetro e´ chamado de ”slope efficiency”e e´ dado em W/A. Considerando que iL = IL seja o ponto de operac¸a˜o de um diodo laser: sl = (iL = IL) ≡ dpl dil (16) pl =Componente de potencia o´ptica modulada em RF il =Componente de corrente ele´trica modulada em RF Quando temos a definic¸a˜o sl = e´ poss´ıvel evidenciar sua dependeˆncia com alguns paraˆmetros sl = (iL = IL) ≡ ηlhc qλ0 (17) ηl =Raza˜o do nu´mero de fo´tons emitidos pelos injetados h = Constante de Planckh = 6, 63.10−34J.s c = Velocidade de um de um sinal eletromagne´tico no va´cuoc = 3.108m/s q = Carga eletroˆnicaq = 1, 6.1019C λ0 = Comprimento de onda no va´cuo DFB = Distributed FeedBack Laser Os lasers DFB constituem atualmente a versa˜o mais popular de lasers na comu- nicac¸a˜o o´ptica. Um Laser do tipo DFB conte´m de forma distribu´ıda uma grade difrativa ao longo da guia que seleciona (filtra por reflexa˜o) um u´nico modo longitudinal para oscilar, dentro da banda de amplificac¸a˜o deste. VCSEL = Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser 19 Por u´ltimo, temos os lasers em que a emissa˜o de luz se da´ na mesma direc¸a˜o que a de injec¸a˜o de portadores, ou seja, com um eixo o´ptico perpendicular a` zona ativa, e que sa˜o designados por lasers de emissa˜o em superf´ıcie de cavidades verticais, VCSEL. Lasers DFB esta˜o comercialmente dispon´ıveis com eficieˆncias que variam entre 0,1 a 0,32 W/A [10]. Os VCSELs entregam alta eficieˆncia de conversa˜o devido a` reduc¸a˜o da regia˜o ativa, o que permite a criac¸a˜o de diodos com baixa corrente de alimentac¸a˜o [11]. Tipicamente, VCSELs apresentam corrente entre 2-5 mA. enquanto em DFBs esta grandeza e´ entre 40-60 mA [12]. Contudoisso, VCSELs apresentam baixa poteˆncia o´ptica de emissa˜o, chegando a n´ıveis 1 mW em 1550 nm [6]. Portanto, os principais fatores que devem ser considerados no desenvolvimento de um transmissor RoF com modulac¸a˜o direta sa˜o: eficieˆncia de conversa˜o, corrente de alimentac¸a˜o,RIN, banda de modulac¸a˜o e largura de linha [10]. 4.2 Modulac¸a˜o Externa Na modulac¸a˜o externa, o laser e´ operado em onda cont´ınua (CW - Continuous Wave), e a sa´ıda e´ modulada por meio de um gerador de sinal de RF externo em func¸a˜o do sinal ele´trico aplicado. Neste caso, a modulac¸a˜o externa e´ o me´todo muitas vezes preferido em sistemas onde e´ demandado alta velocidade, para altas frequeˆncias e maiores distaˆncias, devido a`s suas carater´ısticas vantajosas em comparac¸a˜o a` modulac¸a˜o direta como a reduc¸a˜o do chirp. Figura 11: Diagrama de modulac¸a˜o externa. Diferente da modulac¸a˜o direta, a eficieˆncia de conversa˜o deste dispositivo depende do n´ıvel de poteˆncia o´ptica do laser semicondutor [6]. Outro ponto a ser observado, e que, se a fonte o´tica trabalha no regime CW, a banda de modulac¸a˜o do diodo laser, um importante paraˆmetro em transmissores o´pticos com modulac¸a˜o direta, passa a ser indiferente, agora tendo como foco a poteˆncia o´ptica e o RIN como os principais fatores a serem observados. 20 Modulador o´ptico externo = Modulador eletro-o´ptico, MZM, Modulador acoplador direcional DCM, Modulador eletro-absortivo EAM, (18) Modulador eletro-o´ptico de Mach-Zehnder - MZM Moduladores Mach-Zehnder (MZM) sa˜o feitos com LiNbO3 - niobato de l´ıtio [6], material inorgaˆnico, o qual apresenta o´tima combinac¸a˜o entre perda de inserc¸a˜o, sensibili- dade eletro-o´ptica, poteˆncia de saturac¸a˜o e linearidade [6]. O princ´ıpio de funcionamento deste dispositivo baseia-se na aplicac¸a˜o de um campo ele´trico, que por sua vez altera o ı´ndice de refrac¸a˜o do niobato de l´ıtio. Logo na entrada do modulador, o sinal da fonte o´ptica CW e´ dividido de maneira uniforme por meio de um guia de onda composta por dois “brac¸os” que esta˜o paralelamente fabricados na estrutura do MZM. O eletrodo que fica pro´ximo a um dos guias, gera um campo ele´trico que altera o ı´ndice de refrac¸a˜o do material, alterando a velocidade de propagac¸a˜o no guia e induzindo a mudanc¸a de fase do sinal o´ptico em relac¸a˜o ao outro[6]. Figura 12: Diagrama de modulac¸a˜o externa. L = Comprimento f´ısico do brac¸o do MZM n = I´ndice de refrac¸a˜o de um brac¸o do MZM nL = Comprimento ou caminho o´ptico do brac¸o do MZM Para a condic¸a˜o tensa˜o aplicada no MZM seja de = 0V, o sinal o´ptico obtido na sa´ıda do modulador na˜o apresenta padra˜o de interfereˆncia construtiva e destrutiva, pois na˜o existe diferenc¸a de fase. Contudo, ao se chegar a um determinado valor de 21 tensa˜o aplicado em um dos “brac¸os”, a fase e´ automaticamente alterada, criando uma interfereˆncia construtiva e destrutiva na sa´ıda do modulador e a variac¸a˜o de intensidade da portadora o´ptica. A voltagem necessa´ria para criar uma diferenc¸a de fase de 1800 ou pi radianos e´ chamada de Vpi, sendo este um dos paraˆmetros mais importantes no MZM [6].Outro paraˆmetro que tambe´m deve ser levado em conta e´ o TF F que e´ a eficieˆncia de acoplamento o´ptico entre as guias de onda e a fibra o´ptica. Sendo: 0 ≥ TF F ≤ 1 Temos se seguinte fo´rmula de ca´lculo de eficieˆncia do MZM : PM ,O = TF FPI 2 [ 1 + cos (piVM Vpi )] (19) Levando em considerac¸a˜o o modulador trabalhara´ na quadratura e que teremos um casamento de impedaˆncia puramente resistivo, aplicando a lei das malhas e comparando a definic¸a˜o de eficieˆncia de modulac¸a˜o direta, chegamos ao seguinte fo´rmula final: Smz ( VM = Vpi 2 ) = TF FPIpiRs 2Vpi (20) 22 5 Fibras A fibra o´ptica e´ responsa´vel pela ligac¸a˜o do transmissor com o receptor o´ptico. De forma simplo´ria, podemos dizer que existem treˆs tipos de fibra o´ptica que podem ser aplicadas em sistemas RoF : Monomodo - SMF (Single Mode Fiber,multimodo - MMF (Multi Mode Fiber), e polime´rica POF (Plastic Optical Fiber). Em suma, as alternaˆncias entre elas sa˜o as variac¸o˜es do tamanho do nu´cleo, sendo que este pode ser de 9µm (SMF ), 50 µm ou 62,5 µm (MMF ) e 500 µm (POF ). Figura 13: Fibras o´pticas. Fibras monomodo sa˜o utilizadas em sistemas de longa distaˆncia, pois apresentam baixa atenuac¸a˜o e dispersa˜o croma´tica [13]. Quando temos aplicac¸o˜es de curtas distaˆncias, e´ geralmente utilizado como soluc¸a˜o a fibra multimodo. Nesta linha de racioc´ınio, existe um grande interesse na reutilizac¸a˜o dessas infra-estruturas juntamente com a tecnologia RoF para distribuir sinais Wi-Fi e de telefonia mo´vel. O grande problema neste caso, e´ justamente o alcance neste formato uma vez que a a propagac¸a˜o de mu´ltiplos modos o´pticos, e´ que produz o efeito de descorrelac¸a˜o de fase no processo foto detecc¸a˜o. Ja´ as fibras polime´ricas (fibras pla´sticas) sa˜o recentes em sistemas RoF [14]. A vantagem deste tipo de fibra e´ que ela e´ feita de acr´ılico, pla´stico termo sens´ıvel que apre- senta baixa temperatura de fusa˜o, o que torna o processo de fabricac¸a˜o fa´cil e permite a criac¸a˜o de fibras recicla´veis. Outra vantagem e´ que o nu´cleo desta fibra e´ muito superior ao das fibras monomodo e multimodo, aproximadamente 500 m, facilitando o acopla- mento o´ptico. A maioria dos estudos visa aplicar esta fibra na distribuic¸a˜o de sistemas RoF em ambientes indoor. Em grande analise,a fibra o´ptica e´ um componente chave na distribuic¸a˜o de sinais em sistemas RoF, permitindo a criac¸a˜o de redes eficientes e com menor consumo de energia e mais seguranc¸a. 23 6 Receptores O receptor o´ptico faz exatamente o oposto do transmissor, ou seja, realiza a con- versa˜o opto - ele´trica (O/E), recuperando o sinal de RF por meio de um fotodetector. Geralmente a maioria dos receptores RoF aplica um fotodiodo PIN - Positive intrinsic Negative. Figura 14: Dopagem PIN. O fotodiodo PIN trabalha sob alto n´ıvel de injec¸a˜o, ou seja, a regia˜o intr´ınsica e preenchida com carga levando a mesma da regia˜o P ate´ N. fotodiodo PIN apresentam excelente responsividade entre os comprimentos de onda de 1300 e 1500 nm [6]. As principais varia´veis que devem ser observadas sa˜o a responsi- vidade, corrente de saturac¸a˜o e banda de operac¸a˜o [6]. Os fotodiodo PIN usados em sistemas RoF com modulac¸a˜o direta apresentam responsividade de 0,85 e 0,9 A/W em 1310 e 1550 nm. Da mesma maneira, suportam poteˆncias o´pticas entre 0 e 10 dBm e operam na faixa de 10 MHz a 12 GHz. rd(λ)= Responsividade de um foto-diodo. rd = iD po,d (21) iD= Fotocorrente gerada pelo foto diodo quando uma poteˆncia o´ptica pO,D e´ apli- cada em seu chip Figura 15: Curva de Corrente x Poteˆncia em um fotodiodo 24 Os fotodiodos quando trabalham dentro da faixa de corrente de saturac¸a˜o apresen- tam oscilac¸o˜es na corrente de sa´ıda, o que naturalmente pode criar distorc¸o˜es no sinal de RF e degradar o desempenho do sistema[6]. A conversa˜o O/E depende apenas fracamente da voltagem de bias um foto-diodo como uma fonte de corrente ideal. Na pra´tica, a responsividade muda muito pouco. rd(λ) = iD po,d −→ iD = rd.pO,D (22) O na˜o uso de um circuito de casamento de impedaˆncias, significa que o circuito na˜o introduz dependeˆncia adicional em frequeˆncia Ω, ou seja, toda a dependeˆncia na frequeˆncia do circuito receptor o´ptico sera´ devida somente ao foto-diodo. o casamento e´ feito para ter a ma´xima transfereˆncia de poteˆncia no enlace. Depen- dendo de qual casamento va´ ser feito e a da frequeˆncia de operac¸a˜o, elementos reativos podem fluir uma dependeˆncia em frequeˆncia.pload/p 2 O,D = Eficieˆncia incremental de detecc¸a˜o com foto-diodo. Entrada: pO,D = Poteˆncia o´ptica de entrada, saindo da fibra o´ptica. Sa´ıda: pload = Poteˆncia ele´trica de sa´ıda, entregue a` carga. Resumo das eficieˆncias mais usuais de um enlace analo´gico completo: LD = p2l ,o ps,a = s2l RL +RMATCH (23) MZM = p2m,o ps,a = s2mz Rs onde smz ( VM = V pi 2 ) = TF FPIpiRs 2Vpi (24) PD = pload p2O,D = r2DRLOAD (25) 25 7 Ganho no Sistema ROF Nos sistemas RoF, alguns paraˆmetros de desempenho devem ser verificados na escolha para o transmissor e receptor o´ptico de acordo com a frequeˆncia do sinal de RF e sistema de comunicac¸a˜o sem-fio. Aqui, abordaremos as principais me´tricas de desempenho em sistemas RoF, apresentando a contribuic¸a˜o de cada componente no transmissor e receptor o´ptico. os pilares de desempenho principais sa˜o: frequeˆncia de operac¸a˜o, ganho de RF, figura de ru´ıdo, ru´ıdo equivalente de entrada (Equivalent Input Noise – EIN ) e faixa dinaˆmica de operac¸a˜o livre de espu´rios (Spurious-Free Dynamic Range - SFDR) [6]. 7.1 Frequeˆncia de operac¸a˜o A frequeˆncia da portadora de RF em sistemas RoF esta atrelada ao alcance ma´ximo de transmissa˜o do enlace o´ptico. Cada componente do espectro o´ptico viaja pela fibra em uma fase e velocidade diferente. A portadora de RF e´ modulada em uma fonte o´ptica, e na sequeˆncia, bandas laterais sa˜o criadas, as quais esta˜o localizadas nas frequeˆncias de fopt±fRF , onde fopt e´ a frequeˆncia da portadora o´ptica e fRF e´ a frequeˆncia da portadora de RF.O que acontece neste caso e´ que estas bandas laterais sofrem o efeito de dispersa˜o croma´tica, criando padro˜es de interfereˆncia destrutivas e construtivas na fotocorrente.[15] 7.2 Ganho O ganho de RF e´ informado pela maioria dos fabricantes e e´ outro fator muito importante nos sistemas RoF. Os enlaces sem amplificac¸a˜o, o ganho de RF acaba sendo negativo, ou seja, existe perda de potencia logo apo´s a transmissa˜o. Este valor e´ dado em dB. Contudo, a grande maioria dos dispositivos usam amplificadores de RF para minimizar ou suprir as perdas provenientes do processo conversivo E/O e O/E, fazendo com que este paraˆmetro/dado seja positivo. Entre as va´rias definic¸o˜es de ganho (linear) existente na literatura, a mais u´til para enlaces o´pticos analo´gicos e´ dado pela diferenc¸a de poteˆncia ele´trica entregue a carga pela poteˆncia ele´trica que a fonte de RF entrega ao transmissor o´ptico. gt = pload ps,a (26) 26 Ale´m disso, no transmissor RoF, a impedaˆncia do laser semicondutor precisa ser casada com a impedaˆncia de entrada da porta de RF para evitar perdas por re- flexo˜es.Geralmente, um circuito resistivo pode ser colocado em se´rie ao diodo laser, o qual apresenta baixa impedaˆncia (cerca de 5Ω), elevando este valor para igual ao da entrada do sistema (50Ω). Figura 16: Casamento de impedaˆncia Resistivo - Modulac¸a˜o Direta Da´ mesma maneira que casamos no envio do sinal, o devemos fazer no receptor, no caso, com o fotodiodo. Uma particularidade deste circuito e´ que neste caso o casamento e feito com o resistor em paralelo. Figura 17: Casamento de impedaˆncia Resistivo no Detetor - Modulac¸a˜o Direta 27 Como temos que calcular ganho(dB) do enlace, temos que levar em conta os pontos a seguir : Gt(dB) = 10log (pload ps,a ) (27) Desta forma o ganho linear do enlace se da por : gt = (p2m,o ps,a ) T 2MD (pload p2o,d ) (28) TMD = Representa todas as perdas de acoplamento no modulador e no foto- detector e a atenuac¸a˜o imposta pela fibra o´ptica. pod = TMDpm,o pod =Potencia o´ptica modulada que atinge o fotodiodo pod = Potencia o´ptica modulada que e´ gerada no modulador p2m,o ∝ ps,a =Modulador O´ptico pload ∝ p2o,d = Fotodetector O ganho em dB e´ obtido por : Gt9(dB) = 10log(gt) (29) O tipo de casamento resistivo degrada significativamente o sinal de RF e e´ sens´ıvel ao ru´ıdo te´rmico [6], assim como as distorc¸o˜es sa˜o causadas por na˜o linearidades nas funco˜es de transfereˆncia dos dispositivos o´pticos eletroˆnicos. 7.3 Banda Para avaliar a largura de banda dispon´ıvel de um enlace optico, antes do projeto das redes de casamento de impedaˆncias, devemos usar a “teoria”do orc¸amento de banda” ou rise-time budgeting. τr = Tempo-de-subida ou rise-time caracter´ıstico de um componente ou sistema linear. Pode ser mostrado que o tempo-de-subida τSY S de um sistema (no caso um enlace o´ptico analo´gico) pode ser calculado como mostrado abaixo atrave´s da “filtragem da filtragem....” 28 τ 2SY S = N∑ i τ 2i (30) τSY S = Tempo de subida ou rise-time do enlace o´ptico analo´gico τi =Tempo-de-subida ou rise-time do componente “i” do enlace. A largura de banda analo´gica do enlace BSY S e´ inversamente proporcional ao seu tempo de subida τSY S. BSY S ∝ 1 τSY S (31) No caso mais simples, temos 3 componentes em um enlace o´ptico analo´gico: mo- dulador (M), fibra o´ptica (F) e foto-detector (D), desta forma: τ 2SY S = N∑ i τ 2i ⇒ τ 2SY S = τ 2M + τ 2F + τ 2D (32) 1 b2SY S = N∑ i 1 B2i ⇒ 1 b2SY S = 1 B2M + 1 B2F + 1 BD (33) Outro ponto que importante a saber e´ que O rise-time τf e´ dado pelo alargamento temporal ∆τSM causado pela dispersa˜o croma´tica na fibra SM (Single Mode) que pode ser calculado por: τf = ∆τSM (34) ∆τSM = DL∆λ (35) D = Paraˆmetro de dispersa˜o croma´tica da fibra o´tica L = Comprimento da fibra o´tica. ∆λ = Largura espectral ou largura de linha da fonte o´tica. 29 8 Ru´ıdo e Distorc¸a˜o Em sistemas de comunicac¸a˜o, os componentes utilizados nos mo´dulos de trans- missa˜o e recepc¸a˜o na˜o sa˜o perfeitos, ou seja, a poteˆncia de RF sofre atenuac¸a˜o, convertendo o sinal em fontes de ru´ıdo indesejadas [6]. Sistemas RoF sem amplificac¸a˜o apresentam fundamentalmente treˆs fontes de ru´ıdo: ru´ıdo te´rmico,ru´ıdo shot do fotodetector e ru´ıdo de intensidade relativa do laser [6]. 8.1 Ru´ıdo te´rmico O ru´ıdo te´rmico e´ a ultima fonte de degradac¸a˜o em sistemas RoF, sendo ela comum a todo sistema de comunicac¸a˜o. O ru´ıdo te´rmico e´ produzido pela variac¸a˜o no fluxo de ele´trons no material condutor - movimento Browniano -principalmente em circuitos resistivos, incluindo os amplificadores. Esta fonte de ru´ıdo depende da temperatura de operac¸a˜o do sistema, segundo a derivac¸a˜oo feita por Nyquist a corrente ruidosa gerada na sa´ıda do receptor e´ dada por : 〈v2t (t)〉 = 4kBTR∆f (36) kB = 1, 38.10 −23J/K constante de Boltzmann T =Temperatura absoluta (K) do componente em tela R =Resisteˆncia ele´trica Ω do componente ∆f =Largura de banda de frequeˆncias de medic¸a˜o vt(t) 8.2 Shot Noise O ru´ıdo shot do fotodetector e´ a segunda maior fonte de ru´ıdo em sistemas RoF, sendo este oriundo da aleatoriedade do processo de fotodetecc¸a˜o [6]. A luz e´ composta por pacotes discretos de energia, os quais sa˜o chamados de fo´tons. A variac¸a˜o no tempo de chegada de cada fo´ton gera uma corrente ruidosa na sa´ıda do fotodiodo PIN, sendo este chamado de ru´ıdo shot do fotodetector.Schottky mostrou que: uma vez que uma corrente ele´trica me´dia < ID >, onde < ID > e´ um sinal de corrente determin´ıstico, e´ estabelecida num circuito, enta˜o este sinal de corrente vira´ acompanhado da superposic¸a˜o com uma componente ruidosa de corrente ele´trica. iD(t) = Corrente ele´trica total(sinal+ru´ıdo) isn(t) = Componente de corrente ruidosa -shot noise. sn = Shot-Noise. 30 iD(t) = isn(t) + sn Shot-Noise. Schottky tambe´m calculou a me´dia-quadra´tica 〈i2sn(t)〉 do ru´ıdo bal´ıstico sn de corrente como sendo proporcional a: 〈i2sn(t)〉 ∝D (t)〉 (37) 〈i2sn(t)〉= | q | τ 〈iD(t)〉 (38) τ = Intervalo de tempo da me´dia-quadra´tica da componente ruidosa da corrente. | q |= 1, 6.1019 Mo´dulo da carga ele´trica elementar 8.3 RIN Em lasers semicondutores, a poteˆncia o´ptica de sa´ıda na˜o e´ constante. Esta va- riac¸a˜o de poteˆncia e´ chamada de ru´ıdo de intensidade relativa do laser (RIN ), a qual e´ medida em dB/Hz ou mW/Hz. O RIN e´ oriundo das interac¸o˜es entre o processo de emissa˜o estimulada e emissa˜o espontaˆnea na regia˜o ativa do laser, pois a emissa˜o de fo´tons depende da recombinac¸a˜o aleato´ria de pares de ele´tron-lacuna [6]. RIN(dB/Hz) = 10log [ 2 ∆f 〈i2RIN(t)〉 〈iD〉2 ] (39) 8.4 Faixa dinaˆmica de operac¸a˜o Os dispositivos de modulac¸a˜o/foto-detecc¸a˜o concentram em si a gerac¸a˜o das na˜o- linearidades. Observa-se que em geral, predominam as distorc¸o˜es provocadas pelo modu- lador o´ptico quando comparadas com as provocadas pelo foto- detector. A faixa dinaˆmica de operac¸a˜o livre de espu´rios (Spurious-Free Dynamic Range – SFDR) e´ um paraˆmetro em sistemas RoF responsa´vel por determinar a linearidade do sistema. Com este dado con- seguimos indicar a diferenc¸a de poteˆncia entre o sinal de RF transmitido e as harmoˆnicas e produtos de intermodulac¸a˜o. Nas aplicac¸o˜es analo´gicas, como a transmissa˜o de sub- portadoras em aplicac¸o˜es de CATV, a SFDR quantifica nu´mero ma´ximo de canais de RF que podem ser transmitidos em cada portadora o´ptica [6,10].A operac¸a˜o na faixa na˜o linear gera produtos de intermodulac¸a˜o e harmoˆnicas na sa´ıda do sistema RoF, o qual e´ intensificado conforme a poteˆncia do sinal de RF aumenta na entrada. Desta forma, com determinado valor de poteˆncia as componentes de intermodulac¸a˜o e harmoˆnicas cresc¸am rapidamente, ultrapassando o ru´ıdo de fundo do sistema e transformando-se nas principais fontes de degradac¸a˜o [6,10], 31 Figura 18: Baixa Poteˆncia de RF Aplicando-se um pouco mais de poteˆncia, temos uma mudanc¸a significativa no segundo e terceiro harmoˆnico. Figura 19: Alta Potencia de RF Ponto de Interceptac¸a˜o. A te´cnica com duas portadoras mede a intermodulac¸a˜o de terceira ordem (3rd order InterModulation - IMD3 ), a qual e´ um importante paraˆmetro em sistemas de co- municac¸a˜o, pois trata-se de uma componente de RF dif´ıcil de ser filtrada, uma vez que esta´ muito pro´xima a frequeˆncia fundamental. Neste me´todo, duas portadoras de RF, 32 e , com frequeˆncias pro´ximas sa˜o inseridas na entrada do sistema RoF atrave´s de um acoplador de RF.O ca´lculo da IMF por meio da IP3 e´ dado por[6]: IMF3(∆f) = 2 3 [IP3(sa´ıda)−Nout]− 2 3 [10log(∆f)](40) Posteriormente, duas retas sa˜o usadas para extrapolar os valores medidos, criando um ponto de interceptac¸a˜o, o qual e´ chamado de 3rd Order Intercept Point (IP3), dado em dBm. O IP3 apresenta geralmente um valor de poteˆncia de RF muito acima do que o sistema RoF e´ capaz de operar e quanto maior o seu valor mais linear e´ o sistema. Figura 20: Intermodulac¸a˜o de 3aordem 33 9 Cases / Aplicac¸o˜es Aplicac¸o˜es de implementac¸a˜o de sistemas RoF. Apo´s explorarmos toda estrutura fundamental para a disciplina Processamento fotoˆnico de microondas, aqui apresentaremos uma das aplicac¸o˜es comumente usadas com aux´ılio desta arquitetura. Com o crescimento das redes Wi-Fi na criac¸a˜o de hotspots para os pro´ximos anos, e´ poss´ıvel identificar que como a tecnologia RoF pode contribuir positivamente na criac¸a˜o e otimizac¸a˜o destas redes. 9.1 WIFI-RoF Nos u´ltimos anos, as redes Wi-Fi cresceram significativamente, tornando-se a prin- cipal tecnologia de conexa˜o com a internet em va´rios dispositivos, tais como: notebooks, TVBox, celulares, videogames, media centers e televisores. A frequeˆncia de operac¸a˜o nes- sas redes e´ de 2,4 GHz, para o padra˜o IEEE 802.11g/n e de 5,8 GHz para o IEEE 802.11a, entregando taxas de transmissa˜o de ate´ 300 Mbps [16]. A utilizac¸a˜o destas frequeˆncias, as quais na˜o sa˜o licenciadas, permitiu a popularizac¸a˜o da tecnologia Wi-Fi, principal- mente em ambientes dome´sticos e empresariais atrave´s de roteadores sem-fio. Ao redor do mundo, va´rias redes Wi-Fi esta˜o sendo instaladas em locais pu´blicos, como prac¸as, pontos tur´ısticos, aeroportos e shoppings, criando os chamados hotspots. 9.2 Arquitetura WIFI-RoF A arquitetura Wi-Fi-RoF permite a distribuic¸a˜o de sinais Wi-Fi por meio de en- laces de fibra o´ptica, criando uma rede centralizada com mu´ltiplas antenas remotas [16], a qual pode ser aplicada em ambientes indoor e outdoor.Hoje cresce muito este tipo de aplicac¸a˜o, entretanto, a instalac¸a˜o destes va´rios roteadores esta´ contribuindo para o au- mento de interfereˆncias na faixa de 2,4 GHz, o que reduz o raio de cobertura e a taxa de transmissa˜o efetiva das redes Wi-Fi. Desta forma, uma poss´ıvel e eficiente soluc¸a˜o e´ utili- zar a tecnologia RoF para realizar a distribuic¸a˜o de celulas Wi-Fi em pre´dios comerciais e resideˆncias [16]. Neste exemplo, va´rias antenas sa˜o distribu´ıdas remotamente em cada andar,e neles sa˜o instalados enlaces de fibra o´ptica do tipo multimodo ou monomodo.Suas principais vantagens sa˜o o compartilhamento de infraestrutura, aumento do raio de cobertura e reduc¸a˜o das interfereˆncias entre os canais. Ale´m disso, esta arquitetura apresenta fa´cil atualizac¸a˜o, pois a tecnologia Wi-Fi pode ser substitu´ıda na EC - Estac¸a˜o de Central por outros padro˜es de comunicac¸a˜o sem-fio sem necessitar trocar todas as antenas remotas e cabeamento. Apesar destas vantagens, sistemas Wi-Fi-RoF com padra˜o 802.11g sa˜o atu- almente limitados a 4 km de distaˆncia da EC devido ao atraso de propagac¸a˜o adicionado 34 Figura 21: Redes Wireless Indoor pela fibra o´ptica [17]. Isto ocorre porque a programac¸a˜o da MAC no padra˜o Wi-Fi apre- senta um tempo ma´ximo de espera de 20 s para estabelecer um canal de comunicac¸a˜o. Ou seja, o sistema envia um pacote, chamado ACKNOWLEDGE, responsa´vel por solicitar um canal de transmissa˜o e ativar um contador. Caso o pacote de confirmac¸a˜o, chamado ACKout na˜o seja recebido no per´ıodo de 20 s, a conexa˜o na˜o e´ estabelecida [17]. Portanto, uma vez que a fibra monomodo insere um atraso t´ıpico de 5 s/km, a distaˆncia ma´xima para o padra˜o IEEE 802.11g em sistemas RoF e´ de 4 km. 35 10 Conclusa˜o Nesta monografia, abordamos os principais pilares (ganho, banda, ru´ıdo e dis- torc¸a˜o) sobre a disciplina Processamento Fotoˆnico de Micro-ondas com eˆnfase em RoF. As aplicac¸o˜es RoF sa˜o amplamente exploradas, mas aqui, fiz um breve relato so- bre a modalidade sendo utilizada em conjunto com antenas remotas posicionadas nos pavimentos tendo o sinal Wi-Fi distribu´ıdo atrave´s da rede RoF. Foram abordadas as diferentes te´cnicas/dispositivos de modulac¸a˜o que podemos utilizar para levar o sinal de RF de um ponto ao outro. Foi tambe´m demonstrado as variantes de fibra o´ptica bem como seus pro´s e contra tanto no aˆmbito te´cnico quanto comercial. No tocante a recepc¸a˜o do sinal, abordei os tipos de sensores e sua dopagem bem como os tipos de ru´ıdos que sa˜o gerados na conversa˜o O/E , assim como as frequeˆncias geradas a partir da RF fundamental e seus produtos de intermodulac¸a˜o. 36 REFEREˆNCIAS [1]SIMMONS, J. M. Optical Network Design and Planning. 2. ed. [S.l.]: Springer, 2014. [2]F. P. K., D. B. Keck, and R. D. Maurer, ”Radiation losses in glass optical waveguides,”Appl. Phys. Lett., vol. 17, no. 10, pp. 423-425, Nov. 1970. [3] R. J. Mears, L. Reekie, I. M. Jauncey, and D. N. Payne, ”Low-noise Erbium- doped fibre amplifier operating at 1.54 m,”Electron. Lett., vol. 23, no. 19, pp. 1026-1028, Sep. 1987 [4] S. -J. Park, L. -H. Chang, K.-T. 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