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CCCT0049 - Eletrônica Aplicada Prof. Marcio Cerqueira Universidade Federal do Maranhão Bacharelado Interdisciplinar em Ciência e Tecnologia Aula 2 Diodos Níveis de resistência; Circuitos equivalentes do diodo; capacitância de transição e difusão; Diodos semicondutores: Notação Dispositivos semicondutores Diodos ideais Resistência na região de operação: Se considerarmos a região de condução no primeiro quadrante: Diodos ideais Resistência na região de operação: Se considerarmos a região de condução no terceiro quadrante: Diodos ideais Estados de condução e não-condução Diodos ideais Diodos ideais Diodos ideais Diodos semicondutores Sem polarização ( VD = 0V) Sob condições de não-polarização, todos os portadores minoritários no material do tipo n da região de depleção passarão diretamente para o material do tipo p. Diodos semicondutores Sem polarização ( VD = 0V) Diodos semicondutores Polarização reversa ( VD < 0V) Se um potencial externo de V volts for aplicado na junção p-n de maneira que o terminal positivo esteja conectado ao material do tipo n e o terminal negativo esteja conectado ao material do tipo p: Diodos semicondutores Polarização reversa ( VD < 0V) A corrente de saturação reversa dificilmente ultrapassa alguns microampères, exceto para dispositivos de alta potência. O termo saturação deriva do fato de a corrente alcançar seu máximo rapidamente e de não mudar de maneira significativa com o aumento da tensão de polarização reversa. Diodos semicondutores Polarização direta ( VD > 0V) Uma condição de polarização direta (condução) é estabelecida quando se aplica o potencial positivo ao material do tipo p e o potencial negativo ao material do tipo n. A aplicação de um potencial de polarização direta força os elétrons do material do tipo n e as lacunas do material do tipo p com os íons da fronteira e a reduzir a região de depleção. Diodos semicondutores Polarização direta ( VD > 0V) Diodos semicondutores Polarização direta ( VD > 0V) Diodos semicondutores Potencial de offset / limiar / potencial de disparo É o potencial no qual o diodo começa a conduzir. 0,7 V para Si e 0,3 V para Ge Diodos semicondutores: Exemplo 01: A uma temperatura de 27ºC (temperatura comum para componentes em um sistema operacional encapsulado), determine a tensão térmica VT. Diodos semicondutores: Valores de resistência Resistência CC ou Estática Diodos semicondutores: Valores de resistência Resistência CC ou Estática Exemplo 02: Determine os níveis de resistência CC do diodo da Figura abaixo em: A) Id=2mA (nível baixo) B) Id=20mA (nível alto) C) Id=-10V (polarização reversa) Diodos semicondutores: Valores de resistência RESISTÊNCIA CA OU DINÂMICA Diodos semicondutores: Valores de resistência RESISTÊNCIA CA OU DINÂMICA Exemplo 03: Para a curva característica da Figura abaixo, A) Determine a resistência em Id=2mA B) Determine A resistência CA em Id=25mA C) Compare os resultados das partes a e b para as resistências CC em cada nível de corrente. Diodos semicondutores: Valores de resistência RESISTÊNCIA CA MÉDIA Se o sinal de excitação for grande o suficiente, a resistência associada ao dispositivo é chamada de resistência CA média, a qual é, por definição, aquela determinada por uma linha reta traçada entre as duas interseções estabelecidas pelos valores máximo e mínimo da tensão de entrada. Diodos semicondutores: Valores de resistência Diodos semicondutores: Circuito equivalente Em outras palavras, um circuito equivalente pode substituir o dispositivo sem afetar demasiadamente o comportamento real do sistema. O resultado é geralmente um circuito que pode ser resolvido com o uso de técnicas tradicionais de análise de circuito. Diodos semicondutores: Circuito equivalente Circuito equivalente linear por partes Uma técnica para se obter o circuito equivalente do diodo é aproximar a curva característica do dispositivo por segmentos de reta. O circuito equivalente resultante é chamado de circuito equivalente linear por partes. Diodos semicondutores: Circuito equivalente Circuito equivalente linear por partes Circuito equivalente simplificado Para a maioria das aplicações, a resistência interna r pode ser desprezada. A retirada de r do circuito equivalente resulta no seguinte circuito simplificado: Diodos semicondutores: Circuito equivalente Circuito equivalente ideal O circuito equivalente ideal considera que o potencial de disparo do diodo (0,7 V) pode ser por vezes ignorado em comparação ao nível de tensão aplicada. Nesse caso, o circuito equivalente se reduz a um diodo ideal e é representado abaixo: Diodos semicondutores: Circuito equivalente Diodos semicondutores: Circuito equivalente Capacitância de transição e difusão
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