(G) Transistor por Divisor de Tensão na Base

Prévia do material em texto

1 
 
 
 
 CURSO DE ENGENHARIA DE TELECOMUNICAÇÕES 
 
 
 Disciplina: Eletrônica (Laboratório) - Turma: ______ - Data: ___/___/___ 
 
 
 Alunos: ________________________________ 
 ________________________________ 
 ________________________________ 
 
 
 
 Prática 07: TRANSISTOR EM POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO NA BASE 
 
 
 Objetivo 
 
 Verificar, experimentalmente, o transistor em polarização por divisor de tensão na 
base. 
 
 Introdução teórica 
 
 Os dispositivos de polarização, além das características básicas conhecidas, 
contribuem de forma que o transistor supere a instabilidade de temperatura a ele inerente, 
devido à variação do parâmetro β com a temperatura. 
 O circuito de polarização por divisor de tensão apresenta maior estabilidade com a 
temperatura. 
 
 Material utilizado 
 
 Transistor: BC 548 (um); 
 Resistor: 1 kΩ (um), 2,2 kΩ (um), 4,7 kΩ (um) e 10 kΩ (um, todos com ± 5% e 1/4W; 
 Cabo teste (um par); 
 Ponteira de Multímetro (um par). 
 
 
 Instrumentos utilizados 
 
 Multímetro digital (um); 
 Fonte de alimentação DC (um); 
 Protoboard (um). 
2 
 
 
 
 
 Parte Prática 
 
A. Medir e anotar o 1º valor medido do hfe (β) do transistor dado e verificar se 
está bom ou com defeito: 
 
 hFE = β = _____________ Pinagem do BC 548: 
 
 
 
 
 
 
 B. Montar o circuito a seguir com um transistor em bom estado: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 C. Medir e anotar o valor das tensões, observando se haverá variação nos valores 
durante a medição. 
 
a) VR1 = ____________ ; b) VR2 = ____________ ; c) VRc = ____________ ; 
d) VRe = ____________ ; e ) VBE = _____________ ; f) VCE = ___________ ; 
g) VCB = ____________ ; h ) VC = _____________ ; i) VB = ___________ ; 
j) VE = _____________ . 
 
 OBS(1): Para medição de “VBE”, “VCE” e “VCB”, faz-se o seguinte procedimento: 
 
 Ponteira positiva na 1ª referência do terminal; 
 Ponteira negativa na 2ª referência do terminal. 
BC 548 
3 
 
 
 
 OBS(2): Para medição de “VB”, “VC” e “VE”, faz-se o seguinte procedimento: 
 
 Ponteira positiva no respectivo terminal; 
 Ponteira negativa no terminal “terra”. 
 
D. Medir e anotar o valor das correntes, observando se haverá variação nos valores 
 durante a medição: 
 OBS(1): Abrir o circuito no resistor ligado ao respectivo terminal ; 
 OBS(2): Para medir “IB”, faz-se o seguinte procedimento: 
 
• Abrir o circuito nos dois resistores ligados na Base (R1 e R2); 
• Unir estes resistores em uma linha de contato do protoboard e efetuar a 
medição de onde está aberto para onde estava ligado; 
• Utilizar a menor escala de corrente DC: “mA” ou “µA”. 
 
 a) IC = _____________ ; b) IE = _____________ ; c) IB = _____________ . 
 
E. Desenhar e calcular o circuito equivalente de THEVENIN: 
 
 
 
 
 
 
 F. Escrever a equação da malha do Coletor, substituir pelos valores medidos e 
fazer a comparação Teoria × Prática: 
 
 
 
 
 
 G. Idem ao item F, sendo que para a malha da Base do circuito equivalente de 
THEVENIN: 
 
 
4 
 
 
 
 H. Com base no valor medido de “VBE”, pode-se afirmar que o transistor utilizado 
é de Silício ou de Germânio? Por quê? 
 
 
I. Com base nos valores medidos de “IC” e “VCE”, pode-se afirmar que o transis 
tor está operando em qual região? Por quê? 
 
J. Qual a característica principal desta polarização?