Transistores

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Ano: 2019 Banca: Quadrix Órgão: CREA-GO 
No que se refere aos conceitos de eletrônica analógica, julgue o item.
Transistores MOS são menos sensíveis a descargas eletrostáticas que transistores bipolares de junção.
Certo
Errado
Ano: 2018 Banca: FCC Órgão: EMAE-SP 
Pedro, engenheiro eletricista, foi incumbido de escolher um tipo de transistor de potência para ser utilizado no controle de
um motor de indução de uma bomba hidráulica. Considerando que os requisitos para a escolha são: comando simples e
por tensão, potência de 2 kW e baixa perda na comutação, o tipo de transistor de potência a ser escolhido é o
A BJT.
B IGBT.
C SCR.
D TRIAC.
E UJT.
Ano: 2019 Banca: FUNDATEC Órgão: Prefeitura de Gramado - RS 
Para o circuito do regulador linear em malha aberta abaixo, determine o valor máximo de R de modo que o regulador tenha
capacidade de fornecer pelo menos 5A para a carga. Para o zener operar adequadamente, é necessária uma corrente de 50
mA. O transistor T1 apresenta um β1 de 2 e o transistor T2 um β2 de 50. A fonte apresenta uma tensão de 20V ± 10%.
Considere a queda de tensão nos diodos 0,5V e a tensão de zener 10V. 
A 65Ω.
B 70Ω.
C 75Ω.
D 80Ω.
1 Q1033724 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: Quadrix - 2019 - CREA-GO - Analista de Fiscalização - Engenheiro Eletricista
2 Q1032668 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FCC - 2018 - EMAE-SP - Engenheiro - Elétrica
3 Q1005921 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Diodo , Transistor
Prova: FUNDATEC - 2019 - Prefeitura de Gramado - RS - Engenheiro
Eletricista
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E 85Ω
Ano: 2019 Banca: IDECAN Órgão: IF-PB 
Para as curvas características de transistores, a respeito do Efeito Early podemos a�rmar que
A trata-se da tensão reversa responsável pelo mecanismo de avalanche nos semicondutores.
B trata-se da Tensão Vce Limite na região ativa da Reta de carga de um transistor quando Ic tende a zero.
C trata-se do efeito cumulativo de aumento no ganho Bt = B1*B2 associado a con�guração Darlington de transistores.
D
trata-se do efeito resultante da inclinação da curva IB de polarização de um transistor que ao extrapoladas se
interceptam em um ponto em comum do eixo negativo de Vce.
E trata-se da carga armazenada em ambos os lados da camada de depleção em uma junção semicondutora PN.
Ano: 2019 Banca: IDECAN Órgão: IF-PB 
Considere a seguinte resposta grá�ca das curvas características do transistor conectado conforme o circuito: 
Sabendo que a reta que se estende do ponto Y ao ponto X é a reta de carga do transistor no arranjo, os pontos Y e X são
dados respectivamente por:
A V /Rc e Vcc
B V e V /RC
C V /Rb e V
D V /R e V
E V /R e V
Ano: 2019 Banca: IDECAN Órgão: IF-PB 
4 Q1000409 > Eletroeletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IDECAN - 2019 - IF-PB - Técnico em Eletroeletrônica
5 Q1000408 > Eletroeletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IDECAN - 2019 - IF-PB - Técnico em Eletroeletrônica
cc
cc cc
bb bb
cc b bb
bb c cc
6 Q1000401 > Eletroeletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IDECAN - 2019 - IF-PB - Técnico em Eletroeletrônica
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Considere o seguinte arranjo de transistores: De forma
analítica, o ganho total da corrente de coletor Ic em relação a corrente de base Ib é dado po
A β1 x β2
B β + β
C β - β
D (β x β ) + β + β
E (β x β ) + β - β
Ano: 2019 Banca: IDECAN Órgão: IF-PB 
Considere o seguinte esquema associado ao estágio de saída de um apli�cador de potência: 
 Sobre o arranjo, é incorreto a�rmar que
A quando a tensão V for zero, os dois transistores estarão em corte e a tensão de saída V é zero.
B
quando o sinal de entrada entra na faixa negativa (inferior negativamente cerca de 0,5V da referência a �m de vencer
a junção do transistor Q ) Q entrará em condução e a tensão na saída é limitada pelo valor V = -V + V onde
V é a tensão de saturação de Q .
C quando a tensão V é positiva excedendo cerca de 0,5V o valor da referência Q estaráem corte
D
o sistema é polarizado com uma corrente CC aproximadamente nula e cada transitor conduz apenas durante metade
do ciclo total (semiciclo positivo ou semiciclo negativo) do sinal de entrada
1 2
1 2
1 2 1 2
1 2 1 2
7 Q1000397 > Eletroeletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IDECAN - 2019 - IF-PB - Técnico em Eletroeletrônica
in o 
2 2 o cc ECsatQ
ECsatQ2 2 2
in 2
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E
o transistor Q possui ângulo de condução de 360° permitindo a característica de transferência de sinais positivos e
negativos na entrada Vin.
Ano: 2019 Banca: CESPE Órgão: SLU-DF 
Acerca das aplicações possíveis dos dispositivos eletrônicos, julgue o item seguinte.
Em isoladores ópticos, pode-se utilizar a associação de dois transistores bipolares de junção para aumentar o ganho de
corrente total do isolador.
Certo
Errado
Ano: 2019 Banca: CESPE Órgão: SLU-DF 
Acerca das características elétricas de elementos de circuitos elétricos, julgue o próximo item.
Um transistor em estado de corte se comporta, idealmente, como um interruptor fechado.
Certo
Errado
Ano: 2019 Banca: UFMG Órgão: UFMG 
Analise as a�rmativas sobre os transistores bipolares, marcando (V) para verdadeiro e (F) para falso.
( ) A operação do transistor NPN é análoga à do PNP, porém com os papeis desempenhados pelos elétrons e lacunas
trocados.
( ) A camada que corresponde à base, num transistor bipolar, deve ser fortemente dopada para que os portadores
minoritários apareçam em número reduzido.
( ) A região ativa de operação de um transistor bipolar é caracterizada pela existência de duas junções diretamente
polarizadas.
( ) Um transistor bipolar fortemente saturado deverá ser mais facilmente comutado para o corte que um outro fracamente
saturado.
( ) O fator de ampli�cação, para a con�guração emissor comum é representado pelo símbolo β (BETA), sendo dado por β = Ic
/ Ib , com valor sempre maior que 1.
A sequência correta é:
A V, V, F, F, V.
B V, F, F, F, V.
C F, V, F, V, V
D V, F, V, V, F.
Ano: 2019 Banca: UFMG Órgão: UFMG 
Considere o grá�co e a �gura:
2
8 Q996591 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2019 - SLU-DF - Analista de Gestão de Resíduos Sólidos - Engenharia Elétrica
9 Q996550 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2019 - SLU-DF - Analista de Gestão de Resíduos Sólidos - Engenharia Elétrica
10 Q981791 > Eletroeletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: UFMG - 2019 - UFMG - Técnico em Eletroeletrônica
11 Q981790 > Eletroeletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: UFMG - 2019 - UFMG - Técnico em Eletroeletrônica
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Estão CORRETAS as a�rmativas, EXCETO:
A R = 5 kΩ.
B V = 5 V.
C I = 30 µA satura o transistor.
D I ≈ 17 µA otimiza a polarização para ampli�cação analógica.
Ano: 2019 Banca: UFMG Órgão: UFMG 
O diagrama, a seguir, representa um mapa de aplicações de semicondutores de potência como função dos níveis de
potência e da frequência de comutação desses componentes. No diagrama, estão identi�cadas algumas das tecnologias
dos dispositivos e também setores de aplicação.
Fonte: Figura de domínio público.
Levando-se em conta os dois parâmetros de�nidores, os campos assinalados pelos números 1, 2, 3 e 4 correspondem,
respectivamente, aos dispositivos de potência:
A SCR, MOSFET, GTO e IGBT.
B SCR, GTO, IGBT e MOSFET.
C GTO, IGBT, MOSFET e SCR.
D IGBT, SCR, GTO e MOSFET.
Ano: 2019 Banca: COSEAC Órgão: UFF 
O avanço da eletrônica de potência permitiu o desenvolvimento de conversores de frequência com dispositivos de estado
sólido. Inicialmente com tiristores e atualmente com transistores, mas especi�camente o:
A MOSFET.
B BJT.
C
CC
B
B
12 Q981771 > Eletroeletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: UFMG - 2019 - UFMG - Técnico em Eletroeletrônica
13 Q980284 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: COSEAC - 2019 - UFF - Engenheiro - Eletrônica
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C UJT.
D JFET.
E IBGT.
Ano: 2018 Banca: CESPE Órgão: FUB 
De acordo com a topologia apresentada no circuito da �gura anterior, utilizado para realizar uma operação lógica, julgue o
próximo item.
Quando A = 1 e B = 1, os transistores PMOS estarão conduzindo
Certo
Errado
Ano: 2018 Banca: Quadrix Órgão: SEDF 
Com relação à eletrônica de potência, julgue o item a seguir.
O sinal PWM é utilizado no acionamento de chaves transistorizadas e a tensão AC produzida com esse chaveamento é uma
média da área do pulso dos intervalos do ciclo denominada de tempo de “desligado”.
Certo
Errado
Ano: 2018 Banca: Quadrix Órgão: SEDF 
Com relação à eletrônica de potência, julgue o item a seguir.
Ao utilizar chaveamento de transistores para viabilizar a transferência de potência para uma carga de forma controlada, o
transistor de potência apresenta os estágios “ligado”, “desligado” e “transição”. O estágio mais crítico, propenso a causar
danos ao transistor, é o intervalo de “transição”, em que o transistor vai de “ligado” para “desligado e vice‐versa.
Certo
Errado
Ano: 2018 Banca: Quadrix Órgão: SEDF 
Com relação à eletrônica de potência, julgue o item a seguir.
Na eletrônica de potência, uma das principais preocupações é a transferência de potência por meio de dispositivos
eletrônicos. Nessa evolução, o reostato pode ser considerado como um mecanismo que realiza essa tarefa com baixa
e�ciência, tendo sido superado pelo transistor de potência.
Certo
Errado
Ano: 2018 Banca: Quadrix Órgão: SEDF 
Com relação à eletrônica analógica, julgue o próximo item.
Na análise de circuitos com transistores lineares, é utilizado o teorema da superposição, que realiza a análise do efeito da
polarização por corrente alternada em separado da fonte de frequência de sinal contínuo ou ampli�cado.
Certo
Errado
14 Q955449 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2018 - FUB - Engenheiro - Elétrica
15 Q953354 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: Quadrix - 2018 - SEDF - Professor Substituto - Eletrônica
16 Q953351 > Eletrônica Eletrônica de Potência , Diodos, transistores e outros componentes de potência
Prova: Quadrix - 2018 - SEDF - Professor Substituto - Eletrônica
17 Q953350 > Eletrônica Eletrônica de Potência , Diodos, transistores e outros componentes de potência
Prova: Quadrix - 2018 - SEDF - Professor Substituto - Eletrônica
18 Q953331 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: Quadrix - 2018 - SEDF - Professor Substituto - Eletrônica
19 Q953329 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
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Ano: 2018 Banca: Quadrix Órgão: SEDF 
Com relação à eletrônica analógica, julgue o próximo item.
A regulação de tensão de fontes pode ser implementada por meio de transistores nas variantes regulador de tensão tipo
série e regulador de tensão tipo paralelo. Ambos utilizam uma tensão de referência, que pode ser provida por meio de um
diodo Zener.
Certo
Errado
Ano: 2018 Banca: COMPERVE Órgão: UFRN 
Dado o circuito ao lado, considerando que os transistores têm um valor de β muito alto e V =0,7 V, o valor da corrente em
amperes no resistor de 2 Ω é
A 8/15
B 78/150
C 79/150
D 81/150
Respostas
1: E 2: B 3: B 4: D 5: A 6: D 7: E 8: C 9: E 10: B 11: A 12: B 13: E 14: E
15: E 16: C 17: C 18: E 19: C 20: C
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Prova: Quadrix - 2018 - SEDF - Professor Substituto - Eletrônica
20 Q941059 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: COMPERVE - 2018 - UFRN - Engenheiro - Engenharia da Computação
BE
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Ano: 2018 Banca: FAURGS Órgão: TJ-RS 
Assinale a alternativa correta em relação à topologia de regulador de tensão CC série.
A
O regulador-série apresenta como vantagens a simplicidade, o baixo custo e o baixo ruído gerado. Por outro lado, é
pouco e�ciente, pois dissipa energia na forma de efeito Joule, devido à queda de tensão no transistor de passagem.
B Em comparação com o regulador-série, o regulador paralelo é mais adequado para regulação de cargas elevadas.
C
O transistor de passagem empregado nos reguladores-série opera na região não linear, ou seja, como chave
controlada.
D
O emprego de realimentação no regulador-série elimina o problema da dissipação excessiva no transistor de
passagem.
E Os reguladores-série são pouco empregados atualmente, devido às di�culdades de integração e à elevada dissipação.
Ano: 2018 Banca: FAURGS Órgão: TJ-RS 
Assinale a a�rmação correta com relação aos transistores bipolares de junção.
A
Embora possam operar em altas frequências, os transistores bipolares são incapazes de controlar correntes elevadas,
da ordem de dezenas de ampères.
B Transistores de junção de silício apresentam tensão de operação limiar menor do que os feitos de germânio.
C
A miniaturização de transistores de junção bipolares permitiu o desenvolvimento dos microprocessadores modernos,
utilizados nos computadores atuais.
D
O transistor bipolar de junção ampli�ca a corrente; uma pequena corrente aplicada à base controla uma corrente
entre coletor e emissor, muitas vezes maior do que a da base, de acordo com o seu ganho.
E
A corrente vinda do emissor à base de um transistor bipolar de junção tipo PNP controla a corrente que �ui do coletor
ao emissor.
Ano: 2018 Banca: FGV Órgão: COMPESA 
A �gura a seguir apresenta a polarização de um transistor NPN.
A respeito desse circuito é correto dizer que a corrente
A base-coletor é muito pequena.
B base-emissor é muito pequena.
C base-coletor é zero.
D base-emissor é zero.
E base-coletor é elevada.
Ano: 2018 Banca: FGV Órgão: COMPESA 
O engenheiro de uma equipe de desenvolvimento de protótipos analisa a folha de dados de um transistor hipotético que
possui potência nominal de 800 mW a uma temperatura de 25 C. Sabendo-se que o fator de degradação do transistor é 10
mW/ C, a potência máxima, em mW, que poderá ser fornecida pelo transistor quando opera sob uma temperatura de 40
C, é
21 Q921653 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FAURGS - 2018 - TJ-RS - Técnico em Eletrônica
22 Q921649 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FAURGS - 2018 - TJ-RS - Técnico em Eletrônica
23 Q919407 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FGV - 2018 - COMPESA - Analista de Saneamento - Engenheiro Eletrônico
24 Q919401 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FGV - 2018 - COMPESA - Analista de Saneamento - Engenheiro Eletrônico
o
o
o
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A 790.
B 650.
C 500.
D 450.
E 300.
Ano: 2015 Banca: FCC Órgão: DPE-SP 
Os transistores bipolares podem ser utilizados em diversas con�gurações. A con�guração que possibilita ganho em tensão,
sem ganho em corrente é denominada
A ampli�cador de pequenos sinais.
B base comum.
C coletor comum.
D darlington.
E emissor comum.
Ano: 2016 Banca: FGV Órgão: COMPESA 
A �gura a seguir mostra o circuito de polarização de transistor de junção bipolar com a sua respectiva reta de carga.
Sabendo que a tensão base-emissor do transistor é igual a 0,6 V, os valores dos resistores R e R para a polarização no
ponto Q são, respectivamente,
A 480 kΩ e 3 kΩ
B 480 kΩ e 2,85 kΩ
C 456 kΩ e 3 kΩ
D 456 kΩ e 2,85 kΩ
E 504 kΩ e 3 kΩ
Ano: 2018 Banca: FCC Órgão: SABESP 
Os dispositivos semicondutores são produzidos a partir de materiais que possuem uma condutividade menor que a dos
metais em geral e maior que a dos isolantes. Após a invenção do transistor em 1947 nos Laboratórios da Bell, os
semicondutores que mais foram utilizados na indústria da eletrônica desde então são feitos a partir de cristais de
A alumínio e fósforo
B cobre e ouro
C silício e germânio
D prata e bromo
E ferro e platina
Ano: 2018 Banca: UTFPR Órgão: UTFPR 
25 Q908020 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FCC - 2015 - DPE-SP - Engenheiro de Telecomunicação
26 Q907316 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FGV - 2016 - COMPESA - Assistente de Saneamento e Gestão - Técnico Operacional -
Habilitação em Eletrônica
B C
27 Q902574 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FCC - 2018 - SABESP - Técnico em Sistemas de Saneamento 01 - Eletrotécnica
28 Q900771 > Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência , Transistor de potência
Prova: UTFPR - 2018 - UTFPR - Técnico de Laboratório - Eletrotécnica
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Para o circuito da �gura, todos os componentes são de potência nominal ideal. O transistor Q1 tem β = 200. O valor
conhecido de V = 0,8V. 
Analisando o circuito, é correto a�rmar que a queda de tensão em: 
A R é de 32V.
B R é 2V.
C R é 40V.
D V é de 5,8V.
E R é 12V.
Ano: 2018 Banca: SUGEP - UFRPE Órgão: UFRPE 
Para o circuito da �gura abaixo, assinale a alternativa que indica o valor da tensão no dreno do transistor V .
A 10V
B 8,57V
C 8,33V
D 7,85V
E 5,87V
BE
3
2
1
CE
1
29 Q899346 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: SUGEP - UFRPE - 2018 - UFRPE - Engenheiro Elétrico
D
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Ano: 2018 Banca: SUGEP - UFRPE Órgão: UFRPE 
Dado o circuito apresentado abaixo, assinale a alternativa que indica o valor da tensão no coletor V .
A 0V
B 2V
C 5V
D 10V
E 12V
Ano: 2018 Banca: SUGEP - UFRPE Órgão: UFRPE 
Acerca do funcionamento dos transistores bipolares, analise as proposições a seguir.
1) Os dois modos básicos para operar um transistor são a polarização de base (circuitos de chaveamento) e a polarização de
emissor (circuitos ampli�cadores).
2) O ganho de corrente de um transistor é de�nido como a razão da corrente do emissor pela corrente de base (IE/IB).
3) Se num circuito com um transistor o resistor de base for curto-circuitado, o transistor será dani�cado.
Está(ão) correta(s):
A 1, apenas.
B 1 e 2, apenas.
C 1 e 3, apenas
D 2 e 3, apenas
E 1, 2 e 3.
Ano: 2018 Banca: CESPE Órgão: EBSERH 
                      
30 Q899345 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: SUGEP - UFRPE - 2018 - UFRPE - Engenheiro Elétrico
C
31 Q899336 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: SUGEP - UFRPE - 2018 - UFRPE - Engenheiro Elétrico
32 Q895539 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2018 - EBSERH - Engenheiro Clínico
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Tendo como base o circuito apresentado na �gura precedente e os conceitos envolvidos com os transistores de efeito de
campo (FET), julgue o item subsecutivo.
Os transistores utilizados no circuito são do tipo depleção, não sendo necessária a aplicação de uma tensão na porta para
que o canal seja formado.
Certo
Errado
Ano: 2018 Banca: CESPE Órgão: EBSERH 
Tendo como base o circuito apresentado na �gura precedente e os conceitos envolvidos com os transistores de efeito de
campo (FET), julgue o item subsecutivo.
O circuito apresentado é uma porta lógica da família TTL.
Certo
Errado
Ano: 2018 Banca: CESPE Órgão: EBSERH 
Tendo como base o circuito apresentado na �gura precedente e os conceitos envolvidos com os transistores de efeito de
campo (FET), julgue o item subsecutivo.
No circuito em questão, quando V = 0, a saída V = 0.
Certo
Errado
Ano: 2018 Banca: CESPE Órgão: EBSERH 
                      
Tendo como base o circuito apresentado na �gura precedente e os conceitos envolvidos com os transistores de efeito de
campo (FET), julgue o item subsecutivo.
O circuito apresentado utiliza a tecnologia CMOS.
Certo
Errado
Ano: 2018 Banca: INSTITUTO AOCP Órgão: ITEP - RN 
Dado o circuito da Figura 9, assinale a alternativa que apresenta os valores de I b, I e v , considerando V =0,7 V eβ = 50.
33 Q895538 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2018 - EBSERH - Engenheiro Clínico
34 Q895537 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2018 - EBSERH - Engenheiro Clínico
I 0
35 Q895536 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2018 - EBSERH - Engenheiro Clínico
36 Q890323 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: INSTITUTO AOCP - 2018 - ITEP - RN - Perito Criminal - Engenharia Elétrica
c O BE
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A I = 45 mA, I = 1,5 mA e v = 3,5 V.
B I = 590 µA, I = -7,36 mA e v = 4,75 V.
C I = 500 µA, I = 635 mA e v = 6,25 V.
D I = 15 mA, I = 25 mA e v = 2,55 V.
E I = 165 µA, I = 8,25 mA e v = 5,175 V.
Ano: 2018 Banca: INSTITUTO AOCP Órgão: ITEP - RN 
Assinale a alternativa que apresenta o valor do ganho de tensão V /V , considerando V = 0,7 V e I = 0,07 mA,
para o circuito da Figura 8.
A
B
C
D
E
Ano: 2018 Banca: CESGRANRIO Órgão: Transpetro 
O cálculo da corrente de polarização no transistor Q da Figura abaixo pode ser simpli�cado se o circuito em questão for
substituído por um equivalente mais simples que o original, mas que produza o mesmo resultado. 
b c O
b c O
b c O
b c O
b c O
37 Q890322 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: INSTITUTO AOCP - 2018 - ITEP - RN - Perito Criminal - Engenharia Elétrica
O S BE b
38 Q886874 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESGRANRIO - 2018 - Transpetro - Engenheiro Júnior - Elétrica
1
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https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/institutos/itep-rn
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 Nesse sentido, o circuito equivalente ao
apresentado acima que produz a mesma corrente de polarização no transistor Q será:
A
B
C
D
E
Ano: 2018 Banca: UECE-CEV Órgão: DETRAN-CE 
1
39 Q878867 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: UECE-CEV - 2018 - DETRAN-CE - Analista de Trânsito e Transporte -
Engenharia Elétrica
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https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/provas/uece-cev-2018-detran-ce-analista-de-transito-e-transporte-engenharia-eletrica
Atente à �gura a seguir.
Adote V =0,7 V e I =I .
Admitindo-se que a resistência do LDR seja igual a zero, o valor correto da tensão entre coletor e emissor do transistor Q ,
V é
A 0.
B 5.
C 7.
D 12.
Ano: 2018 Banca: CESPE Órgão: ABIN 
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
O fator de carga de uma porta lógica representa a quantidade máxima de saídas que é possível ligar a uma entrada.
Certo
Errado
Respostas
21: A 22: D 23: E 24: B 25: B 26: C 27: C 28: D 29: B 30: D 31: C 32: C
33: E 34: E 35: E 36: E 37: A 38: E 39: C 40: E
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BE E C
2
CE
40 Q876129 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2018 - ABIN - O�cial Técnico de Inteligência - Área 6
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www.qconcursos.comAno: 2018 Banca: CESPE Órgão: ABIN 
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
Quando não se deseja utilizar uma entrada de uma porta lógica TTL, pode-se conectar essa entrada a uma tensão de +5 V
por meio de um resistor de 1 kΩ.
Certo
Errado
Ano: 2017 Banca: IESES Órgão: IGP-SC 
Dado o circuito abaixo contendo um ampli�cador com o transistor Q1, que tem uma tensão base-emissor de 0,7 V. Os
resistores R1 a R4 tem, respectivamente, os seguintes valores: 8,4kΩ, 1,6 kΩ, 100Ω e 1kΩ. A tensão de entrada da fonte é de
10V. Sobre o comportamento deste circuito, leia as proposições abaixo.
I. A corrente no Resistor R3 depende do valor da resistência ali colocada.
II. Esse circuito possui uma con�guração do transistor como fonte de corrente.
III. A tensão sobre o Resistor R4 é 0,90V
IV. O funcionamento desse circuito independe dos dados de fabricação do transistor Q1.
Assinale a alternativa correta:
A Apenas as proposições I e III são verdadeiras.
B Apenas as proposições II e IV são verdadeiras.
C Apenas as proposições II e III são verdadeiras.
D Apenas as proposições I e II são verdadeiras.
Ano: 2017 Banca: FUNCERN Órgão: IF-RN 
Para responder à questão, quando necessário, considere: 
                                      π = 3,14      √2 = 1,41 
Para responder a questão, considere o texto abaixo.
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante
de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth=
0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm .
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um
resistor de 1 kΩ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é
A 1,98 V
B 1,69 V
C 1,89 V
41 Q876128 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2018 - ABIN - O�cial Técnico de Inteligência - Área 6
42 Q854901 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IESES - 2017 - IGP-SC - Perito Criminal Engenharias
43 Q846753 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FUNCERN - 2017 - IF-RN - Professor - Eletrônica
2
2
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https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/provas/funcern-2017-if-rn-professor-eletronica
D 1,78 V
Ano: 2017 Banca: FUNCERN Órgão: IF-RN 
Para responder a questão, considere o texto abaixo.
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante
de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth=
0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm . 
Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 μA, o valor da tensão mínima
entre dreno e fonte (VDS mínimo) é
A
B
C
D
Ano: 2017 Banca: FUNCERN Órgão: IF-RN 
Observe a �gura abaixo, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especi�cado para ter β (hFE) na
faixa de 15 a 75.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação= 0,2 V e VBE= 0,67 V), com Fator Forçado igual a 20, o valor
da resistência de base (RB) será de
A 1,79 kΩ
B 7,06 kΩ
C 38,83 Ω
D 353,00 Ω
Ano: 2015 Banca: UFMT Órgão: IF-MT 
Em relação ao transistor MosFet e seus modelos, é correto a�rmar:
A
Na região de triodo, a tensão entre o dreno e a fonte é maior que a tensão do gatilho-fonte menos a tensão limiar (Vds
> Vgs-Vt).
B O ampli�cador porta comum apresenta ganho elevado, mas a sua impedância de entrada é baixa.
C
Na região de saturação, a tensão entre o dreno e a fonte é menor que a tensão do gatilho-fonte menos a tensão limiar
(Vds < Vgs-Vt).
D
A corrente de dreno é controlada por tensão e a expressão matemática da corrente de dreno explicita que ela é
diretamente proporcional ao comprimento do canal.
44 Q846752 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FUNCERN - 2017 - IF-RN - Professor - Eletrônica
2
2
45 Q846750 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FUNCERN - 2017 - IF-RN - Professor - Eletrônica
46 Q843531 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: UFMT - 2015 - IF-MT - Professor - Engenharia Eletrônica
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https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/questoes/21648431-a9
Ano: 2015 Banca: UFMT Órgão: IF-MT 
Em relação ao transistor bipolar de junção (TBJ), seus modelos e métodos de polarização, assinale a a�rmativa correta.
A
Para operar como um ampli�cador linear, o TBJ é polarizado de forma que a tensão entre base e emissor é mantida
próxima da tensão limiar (V ).
B
Na polarização cc, a resistência de realimentação do emissor tem a função de estabelecer uma corrente de coletor
dependente do ganho β .
C Para pequenos sinais na região linear, o TBJ funciona como uma fonte de corrente controlada por tensão.
D O ganho β do TBJ aumenta com a frequência.
Ano: 2017 Banca: IF-TO Órgão: IF-TO 
Com relação à polarização CC de TBJ (transistor bipolar de junção), faça uma comparação acerca da estabilidade (menor
variação de I e V ), dos modelos de polarização �xa, polarização do emissor e polarização por divisor de tensão e
observe as asserções abaixo.
I. A polarização �xa apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização por divisor de tensão. Isto é, neste
modelo as correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modi�cações nas
condições externas, como temperatura e β, ocorrem.
II. A polarização por divisor de tensão apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização �xa. Isto é,
neste modelo as correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando
modi�cações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.
III. A polarização do emissor apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização por divisor de tensão.
Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC não permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando
modi�cações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.
Com relação às a�rmativas é correto a�rmar.
A Apenas a a�rmativa II está correta.
B Apenas a a�rmativa I está correta.
C Apenas as a�rmativas I e III estão corretas.
D Apenas a a�rmativa III está errada.
E Apenas as a�rmativas II e III estão corretas.
Ano: 2017 Banca: CESPE Órgão: TRE-BA 
No circuito de acionamento de uma resistência de aquecimento ilustrado na �gura precedente, observam-se três fontes de
tensão eletricamente isoladas: duas fontes de corrente contínua, de 24 V e 30 V, e uma fonte de corrente alternada com
tensão e�caz de 220 V. Nesse circuito, quando se fechar a chave SW1,
A o diodo D1 não conduzirá corrente apreciável quando o transistor de saída do optoacoplador estiver saturado.
B as fontes de 30 V e 24 V passarão a �car eletricamente conectadas.
C o diodo LED de entrada do optoacoplador �cará reversamente polarizado.
D o transistor bipolar de saída do optoacoplador passará a operar no modo corte.
E a corrente na resistência de aquecimento dependerá da resistência ôhmica da bobina do relé.
47 Q843530 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: UFMT - 2015 - IF-MT - Professor - Engenharia Eletrônica
T
cc
cc
48 Q838735 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IF-TO - 2017 - IF-TO - Técnico de laboratório - Processos Industriais
CQ CEQ
49 Q836053 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Diodo , Transistor
Prova: CESPE - 2017 - TRE-BA - Técnico Judiciário – Eletricidade e Telecomunicações
50 Q830812 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
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Ano: 2017 Banca: FUNDATEC Órgão: IGP-RS 
No circuito da �gura abaixo, o transistor PNP tem β = 100 e V = - 0,7 V. Sendo R = 20 KΩ, R = 20 KΩ, R = 3 KΩ, R = 1 KΩ
e V = 10 V, qual o valor da corrente I ?
A 0,38 mA.
B 3,87 mA.
C 5,13 mA.
D 4,25 mA.
E 5,64 mA.
Ano: 2017 Banca: FUNDATEC Órgão: IGP-RS 
O invólucro do transistor de potência mostrado na Figura 6 abaixo possui diâmetro D=10 mm e comprimento L=8 mm. Uma
corrente de ar que resfria o transistor está a 20°C e sob condições em que mantém um coe�ciente de convecção médio de
h=90 W/m².K na superfície do invólucro. Sabendo que a temperatura super�cial do transistor não deve exceder 80°C,
assinale a alternativa que indica a máxima potência admissível para as condições descritas. 
A 0,42 W.
B 1,35 W.
C 1,78 W.
D 2,95 W.
E 3,05 W.
Ano: 2017 Banca: FADESP Órgão: COSANPA 
No circuito representado na �gura a seguir, a corrente de coletor I é de 0,99 I mA e a tensão da junção base-emissor é de
0,7 volts. A tensão de coletor (V ) e a corrente de emissor (I ) são, respectivamente, iguais a
Prova: FUNDATEC - 2017 - IGP-RS - Perito Criminal - Engenharia Elétrica
BE 1 2 C E
CC C
51 Q830806 > Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência , Transistor de potência
Prova: FUNDATEC - 2017 - IGP-RS - Perito Criminal - Engenharia Mecânica
52 Q830616 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FADESP - 2017 - COSANPA - Engenheiro Eletrônico
C E
C E
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A V = 5,268 volts e I = 1 mA.
B V = 6,45 volts e I = 2 mA.
C V = 5,268 volts e I = 2 mA.
D V = 6,45 volts e I =1 mA.
Ano: 2017 Banca: FADESP Órgão: COSANPA 
Um transistor de junção bipolar do tipo pnp opera na região ativa se
A a tensão do emissor é maior do que a tensão da base e a tensão da base é menor do que a tensão do coletor.
B a tensão do emissor é maior do que a tensão da base e a tensão da base é maior do que a tensão do coletor.
C a tensão do emissor é menor do que a tensão da base e a tensão da base é maior do que a tensão do coletor.
D a tensão do emissor é menor do que a tensão da base e a tensão da base é menor do que a tensão do coletor.
Ano: 2014 Banca: UFES Órgão: UFES 
No circuito da �gura, o transistor TBJ (transistor bipolar de junção) apresenta, na região linear, um ganho β = 140. Ao aplicar-
se 5 V em V , o valor de V , em V, será
A 0
B 15
C 5
D 10
E 7,5
Ano: 2014 Banca: UFES Órgão: UFES 
Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN é polarizado por divisor de tensão, sendo R1 = 20 kΩ o resistor que conecta a
base à tensão VCC e R2 = 1 kΩ o resistor que conecta a base ao GND (terra do circuito). Sendo Re = 100 Ω o resistor que
conecta o emissor ao GND, o mínimo valor do ganho do transistor, β, que permite aplicar análise aproximada de
polarização é
C E
C E
C E
C E
53 Q830609 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FADESP - 2017 - COSANPA - Engenheiro Eletrônico
54 Q822218 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: UFES - 2014 - UFES - Técnico em Eletrotécnica
B D
55 Q822217 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: UFES - 2014 - UFES - Técnico em Eletrotécnica
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https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica/eletronica-analogica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica/transistor
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/provas/fadesp-2017-cosanpa-engenheiro-eletronico
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/questoes/be14cec2-50
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https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica/transistor
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A 10
B 20
C 40
D 100
E 200
Ano: 2014 Banca: UFES Órgão: UFES 
Uma fonte CC está ligada, adequadamente, ao conjunto bobina de relé em série com um transistor bipolar de junção (TBJ)
do tipo NPN. Com a corrente de base (I ) positiva, o TBJ é ligado (conduz), a bobina é energizada e o relé é acionado. Com a
I caindo a zero, a bobina desenvolverá uma grande tensão sobre o transistor, o que poderá destruí-lo. Para evitar isso,
coloca-se um
A diodo em paralelo com a bobina.
B diodo em série com a bobina, no sentido da corrente.
C diodo em paralelo com o TBJ.
D grande resistor em paralelo com a bobina.
E diodo Zener em série com a bobina.
Ano: 2015 Banca: CESPE Órgão: Telebras 
Julgue o item seguinte, no que se refere a transistor bipolar e transistor de junção por efeito de campo (JFET).
O transistor JFET caracteriza-se como um transistor unipolar. Na prática, ele é controlado por tensão, ao passo que um
transistor bipolar é controlado por corrente.
Certo
Errado
Ano: 2015 Banca: CESPE Órgão: Telebras 
Se, na con�guração do circuito apresentado, β for igual a 100 e a tensão entre a base e o emissor for igual a 0,7 V, então
a tensão no coletor será superior a 15 V.
Certo
Errado
Ano: 2015 Banca: CESPE Órgão: Telebras 
56 Q822215 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Diodo , Transistor
Prova: UFES - 2014 - UFES - Técnico em Eletrotécnica
B
B
57 Q818507 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2015 - Telebras - Engenheiro - Eletricista ou Eletrônico
58 Q818503 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2015 - Telebras - Engenheiro - Eletricista ou Eletrônico
CC
59 Q818502 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2015 - Telebras - Engenheiro - Eletricista ou Eletrônico
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Considerando o circuito com transistor bipolar representado na �gura em que β é igual a 200 e a tensão base-emissor é
igual a 0,7 V, julgue os próximos itens.
O valor da corrente de saturação do coletor é superior a 15 mA.
Certo
Errado
Ano: 2015 Banca: CESPE Órgão: Telebras 
Considerando o circuito com transistor bipolar representado na �gura em que β é igual a 200 e a tensão base-emissor é
igual a 0,7 V, julgue os próximos itens.
O circuito apresentado é pouco sensível a grandes variações de β ; logo ele representa uma das formas de polarização
mais comumente utilizadas na prática.
Certo
Errado
Respostas
41: C 42: C 43: D 44: B 45: D 46: B 47: C 48: A 49: A 50: B 51: C 52: A
53: B 54: B 55: D 56: A 57: C 58: C 59: E 60: E
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CC
60 Q818501 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2015 - Telebras - Engenheiro - Eletricista ou Eletrônico
CC
CC
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Ano: 2015 Banca: CESPE Órgão: Telebras 
Considerando o circuito com transistor bipolar representado na �gura em que β é igual a 200 e a tensão base-emissor é
igual a 0,7 V, julgue os próximos itens.
A corrente do coletor depende do valor do β do transistor e da tensão base-emissor.
Certo
Errado
Ano: 2015 Banca: IF-MG Órgão: IF-MG 
Selecione a alternativa que complete corretamente a frase, considerando um transistor bipolar genérico: O ganho de
corrente é sempre a razão da __________________.
A corrente de coletor pela corrente do emissor.
B corrente da base pela corrente de coletor.
C corrente de coletor pela corrente da base.
D corrente do emissor pela corrente da base.
E corrente da base pela corrente do emissor.
Ano: 2015 Banca: IF-MG Órgão: IF-MG 
Para um transistor bipolar cujo o ganho de corrente é igual a 200 e a corrente de coletor é igual a 100mA. Qual o valor da
corrente de Base?
A 2mA
B 0,5A
C 20A
D 0,5µA
E 0,5mA
Ano: 2017 Banca: FUNDEP (Gestão de Concursos) Órgão: UFVJM-MG 
Analise as a�rmativas a seguir relativas ao emprego de tiristores em eletrônica de potência. I. Comutação natural e
comutação forçada são dois métodos de disparo de SCRs. II. Os SCRs podem ser disparados por sobretensão, taxa de
crescimento da tensão direta elevada e elevação acentuada da temperatura, embora estas formas devam ser evitadas. III. O
método de disparo de SCRs por pulso de gatilho é o preferencial, por permitir maior controlabilidade. IV. O IGBT apresenta
as vantagens de comando por corrente e alta queda de tensão V em condução. Estão corretas as a�rmativas:
A II e III, apenas.
B II, III e IV, apenas.
C I e IV, apenas.
D I, II e III, apenas.
Ano: 2017 Banca: FUNDEP (Gestão de Concursos) Órgão: UFVJM-MG 
São características típicas de um transistor bipolar operando como chave eletrônica em saturação, EXCETO:
61 Q818500 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2015 - Telebras - Engenheiro - Eletricista ou Eletrônico
CC
CC
62 Q818092 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: IF-MG - 2015 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Eletrônica
63 Q818091 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: IF-MG - 2015 - IF-MG - Técnico de Laboratório - Eletrônica
64 Q810804 > Eletroeletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2017 - UFVJM-MG -
Técnico de Laboratório/Eletreletrônica
CE
65 Q810801 > Eletroeletrônica Transistor
Prova: FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2017 - UFVJM-MG -
Técnico de Laboratório/Eletreletrônica
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https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/provas/if-mg-2015-if-mg-tecnico-de-laboratorio-eletronica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/questoes/41e55493-34
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/eletroeletronica-eletroeletronica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/eletroeletronica-eletroeletronica/eletronica-analogica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/eletroeletronica-eletroeletronica/transistor
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https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/questoes/41dca056-34https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/eletroeletronica-eletroeletronica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/eletroeletronica-eletroeletronica/transistor
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/provas/fundep-gestao-de-concursos-2017-ufvjm-mg-tecnico-de-laboratorio-eletreletronica
A V ≤ 0,4 V
B V > 0 V
C Ganho forçado de corrente β < β
D V aproximadamente igual a 0,8 V
Ano: 2017 Banca: IFB Órgão: IFB 
Analise o circuito abaixo e de�na os valores de saída preenchendo a tabela.
Assinale a alternativa que contém a sequência correta de valores da saída da tabela, da primeira linha para a última.
A 0V, 5V, 5V, 5V
B 5V, 0V, 0V, 0V
C 5V, 0V, 0V, 5V
D 0V, 5V, 0V, 5V
E 5V, 5V, 5V, 0V
Ano: 2017 Banca: IFB Órgão: IFB 
Analise o circuito abaixo e de�na os valores de saída preenchendo a tabela.
Assinale a alternativa que contém a sequência correta de valores da saída da tabela da primeira linha para a última.
CE
CB
F
BE
66 Q807593 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IFB - 2017 - IFB - Professor - Mecatrônica
67 Q807592 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IFB - 2017 - IFB - Professor - Mecatrônica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/bancas/ifb
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/institutos/ifb
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/bancas/ifb
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/institutos/ifb
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/questoes/7b1be38f-2b
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica/eletronica-analogica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica/transistor
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/provas/ifb-2017-ifb-professor-mecatronica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/questoes/7b18fa47-2b
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica/eletronica-analogica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica/transistor
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/provas/ifb-2017-ifb-professor-mecatronica
A 5V; 0V; 0V; 5V
B 5V; 5V; 5V; 0V
C 5V; 0V; 5V; 0V
D 0V; 0V; 0V; 5V
E 0V; 5V; 5V; 0V
Ano: 2015 Banca: COMPERVE Órgão: UFRN 
O circuito mostrado a seguir foi polarizado de forma que não haja distorções por corte, saturação e não linearidades dos
transistores, quando for acoplado a um sinal senoidal de entrada " V " . As reatâncias dos capacitores nas frequências de
operação são desprezíveis. O sinal de saída " V " é mostrado no circuito.
 Nesse caso, a
realimentação do circuito é do tipo
A corrente – paralela.
B corrente – série.
C tensão – paralela.
D tensão – série.
Ano: 2012 Banca: CESPE Órgão: PEFOCE 
Famílias de circuitos lógicos têm características próprias quanto a complexidade de implementação, consumo de potência,
frequência de operação, margem de ruído. Alguns desses tipos de famílias já se tornaram obsoletos ou passaram por
evoluções e aperfeiçoamento. Com relação a esse assunto, julgue o próximo item.
Os transistores de efeito de campo do tipo depleção possuem um canal formado, mesmo com tensão porta-fonte, V , nula.
Contudo, se o valor dessa tensão for variado, é possível variar a resistência desse canal e, consequentemente, a corrente
elétrica dreno-fonte, I .
Certo
Errado
Ano: 2017 Banca: FUNDEP (Gestão de Concursos) Órgão: UFVJM-MG 
Numere a COLUNA II de acordo com a COLUNA I, associando cada componente eletrônico à sua curva característica.
COLUNA I
1. UJT
2. FET
3. DIAC
4. FOTODIODO
68 Q807095 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: COMPERVE - 2015 - UFRN - Engenheiro - Engenharia Elétrica - UFRN
E
s
69 Q805084 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor , Eletrônica Digital Álgebra Booleana e Circuitos Lógicos
Prova: CESPE - 2012 - PEFOCE - Perito Criminal - Engenharia Elétrica
pf
df
70 Q803251 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Diodo , Transistor
Prova: FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2017 - UFVJM-MG -
Engenheiro Eletricista
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/bancas/comperve
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/institutos/ufrn
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/bancas/cespe
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/institutos/pefoce
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/bancas/fundep-gestao-de-concursos
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/institutos/ufvjm-mg
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/questoes/fd4fdcfc-2b
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica/eletronica-analogica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica/transistor
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/provas/comperve-2015-ufrn-engenheiro-engenharia-eletrica-ufrn
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/questoes/91de1cc4-27
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica/eletronica-analogica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica/transistor
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica/eletronica-digital
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica/algebra-booleana-e-circuitos-logicos
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/provas/cespe-2012-pefoce-perito-criminal-engenharia-eletrica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/questoes/b5e99ddd-24
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https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica/eletronica-analogica
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica/diodo
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/disciplinas/engenharia-eletronica-engenharia-eletronica/transistor
https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/provas/fundep-gestao-de-concursos-2017-ufvjm-mg-engenheiro-eletricista
5. BJT
6. SHOCKLEY
COLUNA II
Assinale a alternativa CORRETA.
A 1, 3, 5, 2, 4 e 6
B 2, 4, 1, 5, 6 e 3
C 4, 1, 3, 6, 2 e 5
D 6, 2, 4, 1, 5 e 3
Ano: 2017 Banca: NC-UFPR Órgão: COPEL 
Sobre os dispositivos semicondutores utilizados para o processamento de energia elétrica em circuitos eletrônicos,
identi�que como verdadeiras (V) ou falsas (F) as seguintes a�rmativas: ( ) Os diodos Schottky apresentam um
elevado tempo de recuperação da capacidade de bloqueio, motivo pelo qual são usados em aplicações envolvendo
altas frequências. ( ) Uma vez polarizado corretamente e aplicada uma corrente de gatilho apropriada, o tiristor
comporta-se como um diodo em condução, não havendo mais controle externo sobre o seu instante de bloqueio. ( )
Um transistor bipolar é formado pela adição de uma segunda região “p” ou “n” a um diodo de junção “pn”,
formando assim duas junções, a junção Coletor-Base e a junção Base-Emissor. ( ) Os transistores MOSFET são
dispositivos controlados por tensão, implicando a necessidade de um circuito de baixa corrente para o seu
acionamento. Além disso, apresentam melhores características para operação em altas frequências quando
comparadoscom os transistores bipolares. ( ) O MOSFET apresenta alta impedância de entrada, com a vantagem de
proporcionar menores perdas em condução. Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta, de cima para
baixo.
A F – V – V – V – F.
B V – F – V – F – V.
C V – V – F – V – V.
D V – F – V – V – F.
E F – V – F – F – V.
Ano: 2017 Banca: NC-UFPR Órgão: COPEL 
Sobre o transistor bipolar da �gura ao lado, identi�que como verdadeiras (V) ou falsas (F) as seguintes a�rmativas: (
) A con�guração apresentada é conhecida como base comum. ( ) O transistor encontra-se na zona ativa. ( ) O
transistor encontra-se na zona de saturação. ( ) A con�guração apresentada é conhecida como emissor comum. ( ) A
corrente de coletor é igual a 10 mA. Assinale a alternativa que
apresenta a sequência correta, de cima para baixo.
A V – F – V – F – V.
B F – V – F – V – V.
C F – V – F – F – F.
D F – F – V – V – F.
E V – V – V – F – V.
Ano: 2017 Banca: NC-UFPR Órgão: COPEL 
71 Q797746 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Diodos , Transistores
Prova: NC-UFPR - 2017 - COPEL - Técnico Industrial de Eletrônica I
72 Q797743 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: NC-UFPR - 2017 - COPEL - Técnico Industrial de Eletrônica I
73 Q797739 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: NC-UFPR - 2017 - COPEL - Técnico Industrial de Eletrônica I
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Considere os seguintes semicondutores: 1. JFET Canal N. 2. Transistor NPN. 3. FET Canal N. 4. MOSFET Canal N. 5.
Transistor PNP. 6. MOSFET Canal P. Com relação às simbologias adotadas em desenhos eletrônicos analógicos,
numere os parênteses, relacionando as �guras com os respectivos semicondutores. 
Assinale a alternativa que apresenta a numeração correta dos parênteses, da esquerda para a direita.
A 3 – 6 – 2 – 1 – 4 – 5.
B 1 – 4 – 3 – 2 – 5 – 6.
C 6 – 1 – 5 – 3 – 2 – 4.
D 3 – 4 – 2 – 1 – 5 – 6.
E 1 – 6 – 5 – 3 – 2 – 4.
Ano: 2017 Banca: NC-UFPR Órgão: COPEL 
Numere a coluna da direita, relacionando os dispositivos semicondutores de potência com as respectivas
características indicadas na coluna da esquerda. 1. Dispositivo de três terminais que apresenta entrada em
condução controlada por gatilho e bloqueio não controlado. 2. Tiristor bidirecional. 3. Transistor de potência que
conjuga vantagens dos transistores de junção e de efeito de campo. 4. Tiristor com bloqueio controlado por gatilho.
( ) TRIAC. ( ) SCR. ( ) GTO. ( ) IGBT. Assinale a alternativa que apresenta a numeração correta na coluna da direita, de
cima para baixo.
A 2 – 1 – 4 – 3.
B 1 – 4 – 2 – 3.
C 1 – 2 – 3 – 4.
D 2 – 1 – 3 – 4.
E 3 – 2 – 4 – 1.
Ano: 2017 Banca: CS-UFG Órgão: UFG 
Analise o circuito a seguir.
Este circuito representa um ampli�cador de sinal na con�guração:
A emissor comum.
B base comum.
C coletor comum.
D seguidor de emissor.
74 Q797589 > Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência , Tiristor , Transistor de potência
Prova: NC-UFPR - 2017 - COPEL - Engenheiro Eletricista Júnior
75 Q797181 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor , Ampli�cadores
Prova: CS-UFG - 2017 - UFG - Técnico em Telecomunicações
76 Q796661 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Diodo , Transistor Eletrônica de Potência , Tiristor , Filtros , Amp Op
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Ano: 2017 Banca: UFPA Órgão: UFPA 
O dispositivo representado abaixo é chamado de 
A triac.
B transistor.
C ampli�cador operacional.
D tiristor.
E diodo.
Ano: 2017 Banca: UFPA Órgão: UFPA 
O transistor é um componente muito usado na construção de circuitos ampli�cadores de sinais. Para a curva de um
transistor, mostrada abaixo, o ganho CC dotransistor para uma corrente de base de 50μA, na região ativa, é
A 200.
B 100.
C 2000.
D 1000.
E 500.
Ano: 2017 Banca: IF-CE Órgão: IF-CE 
Sobre as características dos DIAC, SCR e TRIAC, é correto dizer-se que
A o DIAC é disparado pela injeção de corrente de porta.
B
corrente de travamento é a corrente de mínima necessária para manter o SCR ou TRIAC conduzindo depois de
travado.
Prova: UFPA - 2017 - UFPA - Engenheiro - Área: Eletricidade
77 Q796654 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: UFPA - 2017 - UFPA - Engenheiro - Área: Eletricidade
78 Q795366 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IF-CE - 2017 - IF-CE - Técnico de Laboratório - Indústria Elétrica
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C o SCR é unidirecional em relação à passagem da corrente elétrica.
D
para destravar o SCR e levá-lo ao bloqueio, basta reduzir a corrente de porta a um valor menor que a corrente de
manutenção.
E o DIAC é empregado para controlar o ângulo de disparo do TRIAC em circuitos de corrente alternada.
Ano: 2017 Banca: IF-CE Órgão: IF-CE 
Com relação às características do transistor bipolar de junção, é correto a�rmar-se que
A pode operar em três regiões: corte, ativa e saturação, dependendo do tipo de polarização das junções.
B possui três terminais denominados de coletor, emissor e porta.
C há três tipos de transistores bipolares: NPN, PNP e PNPN.
D o ganho de corrente β determina quantas vezes a corrente de base é maior que a corrente de coletor.
E na região de corte, comporta-se como um ampli�cador de sinais.
Ano: 2017 Banca: UFMT Órgão: UFSBA 
Sobre eletrônica analógica, assinale a a�rmativa INCORRETA.
A
O transistor de efeito de campo de junção é um dispositivo que permite o controle do �uxo de corrente que circula
por um canal pela polarização reversa dos seus terminais de controle.
B
Na polarização direta, a curva do SCR é muito parecida com a do diodo reti�cador, com exceção da saliência que
representa as condições para o disparo do dispositivo.
C
No diodo, o terminal do lado P, onde se formam os ânions, é denominado anodo (A) e o terminal do lado N, onde se
formam os cátions, é denominado catodo (K).
D
A especi�cação do transistor bipolar que caracteriza o seu efeito ampli�cador de corrente contínua é simbolizado por
β, sendo a relação entre as correntes de coletor e de emissor.
Respostas
61: C 62: C 63: E 64: A 65: B 66: A 67: D 68: A 69: C 70: C 71: A 72: B
73: D 74: A 75: A 76: A 77: A 78: C 79: A 80: D
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79 Q795360 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IF-CE - 2017 - IF-CE - Técnico de Laboratório - Indústria Elétrica
80 Q788564 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Diodo , Transistor Ampli�cadores
Prova: UFMT - 2017 - UFSBA - Engenheiro Eletricista
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Ano: 2017 Banca: CONSULPLAN Órgão: TRF - 2ª REGIÃO 
VGS (o�) é um parâmetro presente nas folhas de dados de um JFET. Este parâmetro corresponde à:
A Tensão de transcondutância.
B Tensão de estrangulamento.
C Tensão de polarização do JFET.
D Tensão de corte Gate – Source.
Ano: 2017 Banca: CONSULPLAN Órgão: TRF - 2ª REGIÃO 
O circuito da �gura a seguir representa uma polarização do TBJ. Analise-o.
O ponto quiescente do circuito é representado na alternativa:
(Considere: Vbe = 0,7V e β = 100.)
A IB = 30uA, VCE = 4.0V.
B IB = 23uA, VCE = 5.4V.
C IB = 230uA, VCE = 5.4V.
D IB = 300uA, VCE = 4.0V.
Ano: 2017 Banca: CONSULPLAN Órgão: TRF - 2ª REGIÃO 
Analise o circuito a seguir.
81 Q786385 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CONSULPLAN - 2017 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário -
Engenharia Eletrônica
82 Q786383 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CONSULPLAN - 2017 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário -
Engenharia Eletrônica
83 Q786378 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CONSULPLAN - 2017 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário -
Engenharia Eletrônica
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Dado o circuito representado pela �gura, o valor de VCE e a região de operação do circuito são, respectivamente:
(Considere: Vbe = 0,7V e β = 100.)
A 5V, região linear.
B 10V, região de corte.
C –3,9V, região reversa.
D 0V, região de saturação.
Ano: 2017 Banca: CONSULPLAN Órgão: TRF - 2ª REGIÃO 
A �gura a seguir representa um ampli�cador coletor comum aplicado a circuitos ampli�cadores de pequenos sinais.
 O valor máximo de pico a pico da tensão c.a de saída,
sem ceifamento, é aproximadamente igual a: (Obs.: Vbe = 0.7V.)
A 3.43V.
B 10.3V.
C 11V.
D 11.7V.
Ano: 2013 Banca: CESPE Órgão: TRT - 17ª Região (ES) 
                                    
84 Q786373 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CONSULPLAN - 2017 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário -
Engenharia Eletrônica
85 Q781941 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2013 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia
Elétrica
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Considerando o circuito apresentado na �gura acima, em que V = 5 V, V = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o
próximo item.
Se R = 3 kΩ e a corrente no coletor, igual a 2 mA, então a Ω tensão entre o coletor e o emissor é 3V.
Certo
Errado
Ano: 2013 Banca: CESPE Órgão: TRT - 17ª Região (ES) 
Considerando o circuito apresentado na �gura acima, em que V = 5 V, V = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o
próximo item.
Para que o transistor sature com corrente de coletor igual a 40 mA, o valor da resistência R deve ser igual a 250 Ω .
Certo
Errado
Ano: 2013 Banca: CESPE Órgão: TRT - 17ª Região (ES) 
Considerando o circuito apresentado na �gura acima, em que V = 5 V, V = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o
próximo item.
A corrente na base é 100 vezes menor que a corrente no coletor.
Certo
Errado
Ano: 2013 Banca: CESPE Órgão: TRT - 17ª Região (ES) 
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.
O controle do �uxo de corrente no transistor de efeito de campo (FET) é feito por corrente, ao passo que, no transistor
bipolar de junção (BJT), esse controle é feito por tensão.
Certo
Errado
Ano: 2017 Banca: Quadrix Órgão: SEDF 
Julgue o próximo item acerca da eletrônica de potência.
MOSFETs são transistores que, quando operados como chave em circuitos de eletrônica de potência, apresentam
resistência de condução muito pequena.
Certo
Errado
Ano: 2017 Banca: Quadrix Órgão: SEDF 
Julgue o próximo item acerca da eletrônica de potência.
Transistores bipolares de potência caracterizam-se por apresentar ganho β superior a 1.000, por isso são chamados de
transistores de potência.
i CC
C
86 Q781940 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2013 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia
Elétrica
i CC
C
87 Q781939 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2013 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia
Elétrica
i CC
88 Q781936 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2013 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia
Elétrica
89 Q779128 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: Quadrix - 2017 - SEDF - Professor - Eletrônica
90 Q779127 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: Quadrix - 2017 - SEDF - Professor - Eletrônica
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Certo
Errado
Ano: 2017 Banca: CESPE Órgão: SEDF 
Em relação aos dispositivos utilizados em eletrônica de potência, julgue o item que se segue.
Para que o TRIAC possa ser disparado, é necessário que ele esteja diretamente polarizado, como ocorre nos diodos e nos
transistores.
Certo
Errado
Ano: 2017 Banca: CESPE Órgão: SEDF 
Em relação aos dispositivos utilizados em eletrônica de potência, julgue o item que se segue.
O reti�cador controlado de silício (SCR) possui funcionamento semelhante ao de um transistor bipolar de junção que opera
em potências elevadas.
Certo
Errado
Ano: 2017 Banca: IFB Órgão: IFB 
No o circuito da �gura a seguir o transistor é de silício, possui um ganho β = 100 e está polarizado na região ativa. Sabendo
que V = 12V, V = 4V, R = 330kΩ e R = 9kΩ qual é o valor de V ?
A V = 6V
B V = 3V
C V = 8V
D V = 5V
E V = 4V
Ano: 2017 Banca: IFB Órgão: IFB 
O transistor do circuito da �gura a seguir é de silício, possui um ganho β = 100 e está polarizado na região ativa. Determine
R , R e R sabendo que V = 20V, V = 3V, I = 40µA e RC = 4R .
91 Q777228 > Eletrônica Eletrônica de Potência , Diodos, transistores e outros componentes de potência
Prova: CESPE - 2017 - SEDF - Professor de Educação Básica - Eletrônica
92 Q777227 > Eletrônica Eletrônica de Potência , Diodos, transistores e outros componentes de potência
Prova: CESPE - 2017 - SEDF - Professor de Educação Básica - Eletrônica
93 Q773241 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IFB - 2017 - IFB - Professor - Engenharia Elétrica
CC i B C 0
0
0
0
0
0
94 Q773235 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IFB - 2017 - IFB - Professor - Engenharia Elétrica
E b C CC CE B E 
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A R = 1kΩ, Rb = 397,5kΩ, R = 4kΩ
B R = 850Ω, Rb = 400kΩ, RC = 3,4kΩ
C R = 850Ω, Rb = 397,5kΩ, RC = 3,4kΩ
D R = 2kΩ, Rb = 397,5kΩ, RC = 8kΩ
E R = 1kΩ, Rb = 400kΩ, RC = 4kΩ
Ano: 2017 Banca: IBFC Órgão: EBSERH 
Utilize a �gura a seguir para responder a questão abaixo.
Cada coletor tem uma tensão (ideal) de repouso no valor aproximado ao que se lê na alternativa:
A 15,0 V
B 10,0 V
C 12,0 V
D 13,5 V
E -12,0 V
Ano: 2017 Banca: IBFC Órgão: EBSERH 
Utilize a �gura a seguir para responder as questão abaixo.
E C
E
E
E
E
95 Q770436 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IBFC - 2017 - EBSERH - Engenheiro Eletricista (HUGG-UNIRIO)
96 Q770435 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IBFC - 2017 - EBSERH - Engenheiro Eletricista (HUGG-UNIRIO)
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https://www.qconcursos.com/questoes-de-concursos/provas/ibfc-2017-ebserh-engenheiro-eletricista-hugg-unirio
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Com base no circuito, cada corrente (ideal) de emissor vale o descrito na alternativa:
A 2,0 mA
B ½ mA
C ¼ mA
D 1,5 mA
E 1,0 mA
Ano: 2017 Banca: IF-PE Órgão: IF-PE 
Considere o circuito elétrico apresentado na Figura 04. Nele, os valores dos resistores estão apresentados em kΩ, onde Ic é
a corrente elétrica no coletor de T1, VB é a tensão de base e Ve é a tensão de emissor, ambas em relação ao terra. 
 Os valores aproximados de Ic, VB e Ve são, respectivamente,
A 5,56 mA, 7,0 V e 6,5 V.
B 2,59 mA, 4,59 V e 3,89 V.
C 13,0 mA, 6,0 V e 4,7 V.
D 4,67 mA, 5, 9 V e5,6 V.
E 3,57 mA, 3,45 V e 4,15 V.
Ano: 2016 Banca: FIOCRUZ Órgão: FIOCRUZ 
Analise as assertivas sobre os transistores.
1 - BJT é um dispositivo que se encontra normalmente ligado, sendo desativado por uma corrente de base.
97 Q768517 > Eletroeletrônica Análise de Circuitos Elétricos , Circuitos de Corrente Contínua , Eletrônica Analógica Transistor
Prova: IF-PE - 2017 - IF-PE - Técnico em Eletrotécnica
98 Q767429 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: FIOCRUZ - 2016 - FIOCRUZ - Técnico em Saúde Pública - Eletrônica
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2 - JFET é um dispositivo que se encontra normalmente desligado, sendo ativado por uma tensão de gatilho.
3 - MOSFET emprega uma estrutura de gatilho isolado.
4 - FET’s de potência não possuem algumas das limitações dos transistores bipolares.
Das a�rmativas acima: estão corretas:
A somente 2, 3 e 4.
B somente 1, 3 e 4.
C somente 3 e 4.
D somente 1 e 2.
E 1, 2, 3 e 4.
Ano: 2016 Banca: FIOCRUZ Órgão: FIOCRUZ 
O componente eletrônico que tem como fator diferencial a ampli�cação de tensão é denominado:
A circuitos diferenciados.
B reti�cador controlado de silício.
C circuitos integrados.
D transistor de unijunção.
E transistor de efeito de campo.
Ano: 2016 Banca: FIOCRUZ Órgão: FIOCRUZ 
Para o circuito a seguir, são dados: .
⋅um transitor de silício em que VCC = 12 V, VCE =7 V, IB = 100 µ A e β = 100.
Pode-se a�rmar que a potência dissipada em RE , em mW, vale:
A 100.
B 50.
C 7.
D 70.
E 12.
Respostas
99 Q767426 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: FIOCRUZ - 2016 - FIOCRUZ - Técnico em Saúde Pública - Eletrônica
100 Q767419 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: FIOCRUZ - 2016 - FIOCRUZ - Técnico em Saúde Pública - Eletrônica
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81: D 82: B 83: A 84: A 85: E 86: C 87: E 88: E 89: C 90: E 91: E 92: E 93: B
94: C 95: B 96: E 97: B 98: C 99: E 100: B
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Ano: 2016 Banca: FIOCRUZ Órgão: FIOCRUZ 
Normalmente o FET é polarizado para operar após o estrangulamento na região de saturação da corrente, onde o
dispositivo tem sua operação de�nida mais facilmente pela equação de Schockley. Considerando um FET canal n com
tensão de estrangulamento = - 3 V, corrente de saturação = 10 m A e tensão de polarização = 1,8 V, a corrente de dreno, em
m A, vale:
A 0,8.
B 0,9.
C 1,0
D 1,5.
E 1,6.
Ano: 2016 Banca: IF-PE Órgão: IF-PE 
Sobre os transistores, pode-se a�rmar que I. um transistor tem três regiões dopadas: um emissor, uma base e um coletor.
Existe uma região pn entre a base e o emissor. Essa parte do transistor é chamada de diodo emissor e a junção entre a base
e o coletor é chamada de diodo coletor. II. o grá�co da corrente da base versus tensão base-emissor tem a mesma
aparência do grá�co de um diodo comum. III. a de�nição do ganho de corrente é dada por ß I / I . IV. para uma
operação normal, polariza-se o diodo emissor inversamente e o diodo coletor reversamente. Sob essas condições, o
emissor injeta elétrons livres na base. A maioria desses elétrons livres passa do coletor para a base. V. na zona de corte o
transistor equivale a um interruptor aberto quando no coletor a corrente não é nula. Está(ão) CORRETO(S) apenas
A I.
B II e IV.
C I, II e V.
D I, II e III.
E III, IV e V.
Ano: 2016 Banca: FCC Órgão: ELETROBRAS-ELETROSUL 
O transistor tem sua concepção construtiva, construído com os seguintes metais:
A germânio e silício.
B platina e germânio.
C alumínio e platina.
D silício e alumínio.
E aço e cobre.
Ano: 2016 Banca: FCC Órgão: ELETROBRAS-ELETROSUL 
Considere os modos de ligar um transistor no circuito abaixo.
101 Q767405 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: FIOCRUZ - 2016 - FIOCRUZ - Técnico em Saúde Pública - Eletrônica
102 Q758578 > Eletroeletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IF-PE - 2016 - IF-PE - Técnico de Laboratório - Eletroeletrônica
cc = c b
103 Q747673 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FCC - 2016 - ELETROBRAS-ELETROSUL - Técnico de Manutenção de
Proteção e Apoio à Operação
104 Q747672 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FCC - 2016 - ELETROBRAS-ELETROSUL - Técnico de Manutenção de
Proteção e Apoio à Operação
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I. Emissor comum, o sinal entra na base e sai ampli�cado no coletor.
II. Base comum, o sinal entra no emissor e sai ampli�cado no coletor.
III. Coletor comum, o sinal entra na base e sai no coletor, porém apenas com ganho de corrente.
Está correto o que se a�rma em
A I, II e III.
B II, apenas.
C III, apenas.
D II e III, apenas.
E I, apenas.
Ano: 2016 Banca: FUNDEP (Gestão de Concursos) Órgão: IFN-MG 
Analise as características apresentadas no quadro a seguir.
Essas características são encontradas nos ampli�cadores:
A Bu�er utilizando MOSFET.
B de corrente utilizando FET.
C de potência com BJT.
D operacionais de instrumentação.
Ano: 2016 Banca: INSTITUTO AOCP Órgão: EBSERH 
Um Engenheiro Eletricista está analisando o seguinte circuito de eletrônica. Ao interpretá-lo, o Engenheiro concluiu
que esse circuito
105 Q743384 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2016 - IFN-MG - Técnico
em Eletrotécnica
106 Q732783 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor , Ampli�cadores
Prova: INSTITUTO AOCP - 2016 - EBSERH - Engenheiro Eletricista (CH-UFPA)
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A trata-se de um ampli�cador em emissor comum com uma resistência no emissor.
B utiliza um transistor IGBT para ampli�car o sinal de entrada Vin.
C refere-se a um comparador analógico de 12 bits.
D apresenta arquitetura RISC.
E ampli�ca o sinal de entrada em Vout e amostra o sinal ampli�cado em Vin.
Ano: 2016 Banca: IF-TO Órgão: IF-TO 
No que diz respeito aos transistores de junção bipolar (BJT), assinale a alternativa correta.
A Os transistores são utilizados apenas em ampli�cadores de áudio e, por isso, são tão importantes.
B
Os transistores de junção bipolar são dispositivos semicondutores que possuem três terminais, formado por três
camadas consistindo de: duas do tipo P e uma do tipo N, formando assim o transistor PNP ou duas do tipo N e uma
do tipo P, formando assim o transistor NPN.
C
Os transistores de junção bipolar são dispositivos semicondutores que possuem três terminais que são: coletor,
emissor e gate.
D
Para que um transistor funcione é necessário polarizar corretamente as suas junções. Deste modo, nos transistores
tipo NPN, a corrente elétrica entra pela base e sai pelo coletor e emissor.
E
Os transistores PNP, quando polarizados corretamente, a junção base-emissor é polarizada reversamente e a junção
base-coletor é polarizada diretamente.
Ano: 2015 Banca: FUNCAB Órgão: PC-AC 
Dispositivo que contém 2 junções “pn”, sendo possível as formas “npn” e “pnp”, é denominado:
A transistor de junção.
B diodo.
107 Q725184 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IF-TO - 2016 - IF-TO - Técnico em Eletroeletrônica
108 Q720032 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Diodo , Transistor Eletrônica de Potência , Tiristor
Prova: FUNCAB - 2015 - PC-AC - Perito Criminal - Engenharia Elétrica
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C transistor de efeito de campo (FET).
D tiristor.
E triac.
Ano: 2010 Banca: CESPE Órgão: TRE-BA 
Acerca dos dispositivos eletrônicos, julgue o próximo item.
O transistor de unijunção (UJT) é um dispositivo de três terminais. O silício pode ser utilizado na construção desse tipo de
componente.
Certo
Errado
Ano: 2016 Banca: CESPE Órgão: TCE-PA 
Julgue o item seguinte, referente a famílias de circuitos digitais, sistemas digitaise circuitos conversores de energia.
A lógica transistor–transistor refere-se à família de circuitos digitais que operam em níveis de tensão de 0 V e 5 V. Em sua
construção, usam internamente transistores bipolares de junção (BJT) e resistores.
Certo
Errado
Ano: 2016 Banca: CESPE Órgão: POLÍCIA CIENTÍFICA - PE 
Considerando que o transistor do circuito apresentado possua tensão base-emissor igual a 0,7 V, ganho em polarização
direta igual a 49 e ganho em polarização reversa igual a 1, assinale a opção correta.
A A corrente na base é menor que 10 µA
B
Para que o transistor opere na região ativa e direta, a tensão entre o coletor e o emissor deve ser menor que a
veri�cada entre a base e o emissor.
C O ganho em polarização direta do transistor representa o ganho de corrente na con�guração base-comum.
D O circuito possui um transistor bipolar PNP em polarização inversa.
E A corrente no emissor é igual a 1 mA.
Ano: 2015 Banca: CESPE Órgão: Telebras 
109 Q718775 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2010 - TRE-BA - Técnico Judiciário - Telecomunicações e Eletricidade
110 Q699434 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2016 - TCE-PA - Auditor de Controle Externo - Área Fiscalização - Engenharia
Elétrica
111 Q666560 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2016 - POLÍCIA CIENTÍFICA - PE - Perito Criminal - Engenharia
Elétrica
112 Q647586 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2015 - Telebras - Engenheiro - Engenharia da Computação
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Ao entrar na região de saturação, a corrente de dreno de um transistor MOS (metal oxide semiconductor) aumenta
levemente com o incremento da tensão dreno-fonte.
Certo
Errado
Ano: 2015 Banca: CESPE Órgão: Telebras 
O ganho de corrente na con�guração emissor comum de um transistor bipolar polarizado na região direta indica que uma
pequena variação da corrente no emissor provocará grande variação na corrente do coletor.
Certo
Errado
Ano: 2015 Banca: CESPE Órgão: Telebras 
No circuito a seguir, se os valores lógicos das entradas V e V forem iguais a 1, então o valor lógico da saída V será
também igual a 1. 
Certo
Errado
Ano: 2016 Banca: FCC Órgão: TRF - 3ª REGIÃO 
O circuito abaixo apresenta um fototransistor em uma con�guração típica.
Para que o circuito opere no modo de chaveamento, deve-se ter
A Ic = 0.
B Ic > 10 × Vpp /R.
C Vpp > R × Ic.
D Vpp > 10 × R × Ic .
E Vpp < R × Ic.
113 Q647585 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2015 - Telebras - Engenheiro - Engenharia da Computação
114 Q647584 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2015 - Telebras - Engenheiro - Engenharia da Computação
A B OUT
115 Q630984 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FCC - 2016 - TRF - 3ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia (Elétrica)
2
2
116 Q609987 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Diodo , Eletrônica de Potência Tiristor , Transistor de potência
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Ano: 2015 Banca: FCC Órgão: Prefeitura de São Luís - MA 
A �gura abaixo mostra o bloco funcional de um inversor de 6 pulsos.
A base de funcionamento deste inversor fundamenta-se no chaveamento do
A IGBT.
B SCR.
C TRIAC.
D DIAC.
E LASCR.
Ano: 2015 Banca: CESPE Órgão: FUB 
                              
Com referência aos circuitos com transistores ilustrados nas �guras I e II, julgue o próximo item.
O circuito mostrado na �gura II corresponde à con�guração base comum.
Certo
Errado
Ano: 2015 Banca: FCC Órgão: DPE-RR 
O circuito abaixo, onde R2 = R3, constitui um tipo de saída de potência de fonte de alimentação.
Prova: FCC - 2015 - Prefeitura de São Luís - MA - Auditor de Controle
Interno - Engenharia Elétrica
117 Q606973 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2015 - FUB - Técnico em Eletroeletrônica
118 Q593060 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Diodo , Transistor
Prova: FCC - 2015 - DPE-RR - Engenheiro Eletrônico ou Mecatrônico
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Em condições normais de operação do circuito, a tensão na carga R é, aproximadamente, em volt,
A 9.
B 12.
C 6.
D 15.
E 11,5.
Ano: 2015 Banca: FCC Órgão: DPE-RR 
O circuito abaixo mostra uma ponte H simpli�cada, usada para inverter a rotação de motor CC.
O elemento indicado pela seta é um componente semicondutor designado como
A transistor bipolar de junção.
B transistor Darlington.
C SCR.
D TRIAC.
E transistor MOSFET.
Ano: 2015 Banca: FGV Órgão: TJ-RO 
A �gura abaixo mostra a polarização de um transistor bipolar de junção e a reta de carga que representa essa polarização
no ponto P. 
A tensão base-emissor do transistor é igual a 1,0 V. Os valores dos resistores R e R são iguais a:
A 1000 kΩ e 4,2 kΩ;
B 800 kΩ e 5,4 kΩ;
C 750 kΩ e 4,8 kΩ;
D 680 kΩ e 3,6 kΩ;
E 500 kΩ e 2,2 kΩ.
Respostas
L
119 Q593059 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FCC - 2015 - DPE-RR - Engenheiro Eletrônico ou Mecatrônico
120 Q571682 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FGV - 2015 - TJ-RO - Engenheiro Eletrônico
B C
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101: E 102: D 103: A 104: E 105: C 106: A 107: B 108: A 109: C 110: C 111: E
112: C 113: E 114: E 115: E 116: A 117: E 118: A 119: E 120: A
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Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ 
A �gura 1 mostra um circuito ampli�cador que utiliza um transistor MOSFET do tipo N (NMOS) e que se encontra fechado
em uma caixa, sendo seu único ponto de acesso o nó S.
A �gura 2, por sua vez, mostra um grá�co, fora de escala, com a reta de carga do ampli�cador.
Sabendo que a tensão medida no nó A foi 5 V, pode-se a�rmar que a corrente de dreno do transistor, em mA, é:
A 1,0.
B 1,5.
C 2,5.
D 3,0.
E 4,0.
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ 
O ampli�cador cascode utilizando transistores TBJ (Transistor Bipolar de Junção) apresenta a vantagem de combinar uma
alta impedância de entrada com baixo ganho de tensão, minimizando a Capacitância Miller de entrada, além de uma boa
operação em altas frequências.
Tais características são alcançadas pelo uso dos seguintes estágios ampli�cadores em série:
A um estágio base comum seguido por um estágio emissor comum.
B um estágio base comum seguido por um estágio coletor comum.
C um estágio coletor comum seguido por um estágio emissor comum.
121 Q569020 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica
122 Q569018 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica
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D um estágio coletor comum seguido por um estágio base comum.
E um estágio emissor comum seguido por um estágio base comum.
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ 
Considere um transistor MOSFET do tipo N (NMOS) com corpo aterrado e tensões de gate, dreno, fonte e limiar (threshold)
dadas, respectivamente, por VG, VD, VS, e Vt.
Para que este transistor opere como uma fonte de corrente, é necessário que as seguintes relações sejam satisfeitas:
A VG - VS > Vt e VD > VG - Vt.
B VG - VS > Vt e VD < VG - Vt.
C VG - VS < Vt e VD > VG - Vt.
D VD - VS > Vt e VG > VD - Vt.
E VD - VS > Vt e VG < VD - Vt.
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ 
No ampli�cador diferencial da �gura acima, os transistores apresentam fator β igual a 70 e resistência interna de base (r )
igual a 40 kΩ.
O seu ganho de modo comum v / é igual a:
A 0,3.
B 0,5.
C 0,7.
D 0,8.
E 1,0.
Ano: 2010 Banca: ZAMBINI Órgão: PRODESP 
O IGBT é um
A transistor de efeito de campo.
B transistor de sinal.
C transistor de alta frequência.
D transistor bipolar de porta isolada.
E transistor de alteração de corrente.
Ano: 2015 Banca: COSEAC Órgão: UFF 
123 Q569017 > Engenharia Eletrônica Transistor
Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica
124 Q569014 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica
b
o vi 
125 Q538784 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor , Eletrônica de Potência Transistor de potência
Prova: ZAMBINI - 2010 - PRODESP - Engenheiro
126 Q522172 > Eletroeletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: COSEAC - 2015 - UFF - Técnico em Equipamento Médico-Odontológico
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Dado o circuito eletrônico:
A valor de IC no circuito acima, em mA, é:
A 1,1.
B 2,0.
C 1,5.
D 1,4.
E 2,6.
Ano: 2014 Banca: COSEAC Órgão: UFF 
Sobre o transistor, é correto a�rmar que na região:
A ativa é utilizado como chave.
B de corte é utilizado como ampli�cador.
C de saturação é utilizado como ampli�cador.
D de ativa é utilizado, principalmente, na eletrônica digital.
E de ativa é utilizado como ampli�cador.
Ano: 2014 Banca: COSEAC Órgão: UFF 
O componente eletrônico que substituiu o capacitor sintonizado mecanicamente em várias aplicações é denominado:
A transistor.
B tiristor ou SCR.
C optoacoplador.
D diodo Schottky.
E varactor.
Ano: 2014 Banca: COSEAC Órgão: UFF 
Com relação à refrigeração em um semicondutor, é correto a�rmar que:
A as fontes de perdas se resumem a apenas uma: corrente de fuga no estado de bloqueio.
B o calor gerado na junção é transferido para o “gate”.
C o aquecimento da base não é possível ser dissipado por convexão.
D o calor transferido para o dissipador não se distribui.
E é maior operando em baixas ou médias frequências.
Ano: 2014 Banca: COSEAC Órgão: UFF 
127 Q507422 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: COSEAC - 2014 - UFF - Técnico de Laboratório - Eletrônica
128 Q507420 > Eletrônica Eletrônica de Potência , Diodos, transistores e outros componentes de potência
Prova: COSEAC - 2014 - UFF - Técnico de Laboratório - Eletrônica
129 Q507405 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: COSEAC - 2014 - UFF - Técnico de Laboratório - Eletrônica
130 Q507402 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: COSEAC - 2014 - UFF - Técnico de Laboratório - Eletrônica
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Todo equipamento eletrônico tem uma fonte de alimentação, mais especi�camente um reti�cador acompanhando um �ltro
com capacitor de entrada seguido de um regulador de tensão. Essa fonte de alimentação fornece as tensões de corrente
contínua necessárias aos transistores e outros componentes. Se o equipamento não estiver funcionando adequadamente,
a primeira providência é testar a :
A tensão cc dos diodos que compõem o reti�cador.
B corrente cc que �ui para a carga.
C tensão ca primária do transformador.
D tensão cc de saída da fonte de alimentação.
E corrente ca secundária do transformador.
Ano: 2014 Banca: COSEAC Órgão: UFF 
Os transistores de germânio são ativados quando a tensão V se iguala ao valor , em mV, de:
A 200
B 400
C 600
D 0,2
E 0,6
Ano: 2012 Banca: CESGRANRIO Órgão: Innova 
O circuito eletrônico mostrado na Figura acima está polarizado com todos os componentes calculados para funcionar de
acordo com a reta de carga traçada sobre a curva característica do transistor bipolar NPN. Considerando I = 6 mA e com
base no circuito e no Grá�co da reta de carga, o valor, em Ω, do resistor R é
A 1.500
B 1.200
C 500
D 360
E 200
Ano: 2013 Banca: CESPE Órgão: Polícia Federal 
Acerca do funcionamento de um transistor bipolar de junção NPN, julgue o item abaixo.
Se a tensão na base for maior que a tensão no emissor, e se a tensão no coletor for menor que a tensão na base, então o
transistor operará no modo de corte.
Certo
131 Q507401 > Eletrônica Transistores
Prova: COSEAC - 2014 - UFF - Técnico de Laboratório - Eletrônica
BE
132 Q500672 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESGRANRIO - 2012 - Innova - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica
c
E
133 Q491358 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2013 - Polícia Federal - Perito Criminal Federal - Cargo 2
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Errado
Ano: 2014 Banca: BIO-RIO Órgão: ELETROBRAS 
Observeosímboloabaixoempregadoemeletrônicaindustrial:
Talsímboloéreferidoaocomponentedenominado:
A MOSFET
B TJB
C IGBT
D TRIAC
E SCR
Ano: 2014 Banca: CESGRANRIO Órgão: Petrobras 
Os dispositivos eletrônicos possuem símbolos que são representados nos esquemas de aparelhos que usam esses
componentes em seu projeto. A Figura abaixo mostra 3 símbolos (I, II e III) desses dispositivos eletrônicos.
Tais dispositivos são identi�cados, respectivamente, como:
A Ampli�cador operacional; DIAC e TRIAC
B LED; MSFET Enhancement canal N e TRIAC
C MOSFET Enhancement canal N; LED e TRIAC
D Transistor NPN; Diodo Zenner e LED
E TRIAC; MSFET Enhancement canal P e LED
Ano: 2014 Banca: CESGRANRIO Órgão: Petrobras 
O circuito mostrado abaixo representa um circuito lógico usando CMOS. Nele, Q1 é um MOSFET Enhancement canal N,e Q2
é um MOSFET Enhancement canal P, também conhecido como par complementar de transistores MOSFET. 
134 Q490117 > Eletroeletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: BIO-RIO - 2014 - ELETROBRAS - Pro�ssional Nível Médio - Suporte I (PMS I) -
TEL62
135 Q460541 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: CESGRANRIO - 2014 - Petrobras - Técnico(a) de Projetos, Construção e
Montagem Júnior - Eletrônica
136 Q460538 > Eletrônica Transistores
Prova: CESGRANRIO - 2014 - Petrobras - Técnico(a) de Projetos, Construção e
Montagem Júnior - Eletrônica
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Qual é a função do circuito que está sendo investigado?
A Conversor analógico digital
B Conversor digital analógico
C Inversor
D Multivibrador astável
E Unidade lógica aritmética
Ano: 2014 Banca: CESGRANRIOÓrgão: Petrobras 
O circuito abaixo representa uma porta lógica com duas entradas A e B e uma saída Z. São usados quatro transistores de
efeito de campo tipo MOSFET (Metal Oxide Semicondutor Field E�ect Transistor), sendo dois de canal n (Q1 e Q2) e dois de
canal p (Q3 e Q4), encapsulados em um mesmo circuito integrado da família CMOS (Complementary Metal Oxide
Semiconductor). Para cada transistor, S representa o terminal fonte, D o dreno, G a porta e SB o substrato.
Após análise do circuito, veri�ca-se que ele representa a porta lógica
A AND
B OR
C NOR
D NAND
E XOR
137 Q453994 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: CESGRANRIO - 2014 - Petrobras - Técnico(a) de Manutenção Júnior -
Eletrônica
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Ano: 2014 Banca: CESGRANRIO Órgão: Petrobras 
A con�guração mostrada a seguir, muito usada em projetos nos quais se deseja elevado ganho de corrente, é formada por
dois transistores, T1 e T2, ambos NPN. 
Considerando-se, para �ns de cálculo, que, para ganhos de corrente CC (corrente contínua) Ic/Ib > 100 a corrente de coletor
Ic é igual à corrente de emissor Ie, e sabendo-se ainda que Β1 = 150 e Β2 = 200, o ganho total Ic2/ Ib1 da con�guração
apresentada será
A 60.000
B 30.000
C 3.000
D 350
E 50
Ano: 2014 Banca: IF-SC Órgão: IF-SC 
No circuito da �gura a seguir, o transistor deve operar como chave, acionando o relé. Para que isso aconteça, qual deve ser
a faixa adequada de valores para o resistor de base, considerando que a corrente mínima e máxima na bobina do relé,
respectivamente, deve ser de 50 mA e 1 A?
138 Q453983 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: CESGRANRIO - 2014 - Petrobras - Técnico(a) de Manutenção Júnior -
Eletrônica
139 Q452628
 > Eletroeletrônica Análise de Circuitos Elétricos , Circuitos de Corrente Contínua , Eletrônica Analógica Diodo ,
Transistor
Prova: IF-SC - 2014 - IF-SC - Técnico de Laboratório - Eletroeletrônica
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Assinale a alternativa CORRETA.
A 1,13 kΩ ≤ R1 ≤ 22,6 kΩ .
B 1,2 kΩ ≤ R1 ≤ 24 kΩ .
C 12 Ω ≤ R1 ≤ 240 Ω .
D 11,8 Ω ≤ R1 ≤ 236 Ω .
E 12 kΩ ≤ R1 ≤ 240 kΩ .
Ano: 2014 Banca: IF-SC Órgão: IF-SC 
Um transistor NPN está ligado em con�guração emissor comum. A base do transistor está conectada diretamente a uma
fonte de tensão V . O coletor está conectado a uma fonte de tensão V através de um resistor de coletor. O emissor está
conectado a um resistor de emissor que, por sua vez, está conectado ao terra comum do circuito. Com base na
con�guração apresentada para o transistor NPN, julgue as asserções a seguir. 
“O circuito é caracterizado como fonte de corrente PORQUE
há uma fonte de tensão alimentando a base do transistor.” Assinale a alternativa CORRETA.
A A primeira asserção é uma proposição falsa e a segunda, uma proposição verdadeira
B As duas asserções são proposições verdadeiras, mas a segunda não é justi�cativa correta da primeira
C A primeira asserção é uma proposição verdadeira e a segunda, uma proposição falsa.
D As duas asserções são proposições verdadeiras e a segunda é uma justi�cativa correta da primeira.
E Tanto a primeira quanto a segunda são proposições falsas.
Respostas
121: B 122: E 123: A 124: B 125: D 126: E 127: E 128: E 129: E 130: D 131: A
132: C 133: E 134: C 135: C 136: C 137: D 138: B 139: A 140: D
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140 Q452622 > Eletroeletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: IF-SC - 2014 - IF-SC - Técnico de Laboratório - Eletroeletrônica
B c
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Ano: 2012 Banca: FMP Concursos Órgão: PROCEMPA 
Com relação aos materiais eletrônicos abaixo listados, analise as a�rmativas abaixo. 
I - Um transistor é basicamente constituído de três camadas de matérias semicondutores formando as junções NPN ou
PNP. II - O diodo Zener é especialmente fabricado para trabalhar em polarização reserva, pois nessas circunstancias
apresenta uma característica de tensão constante para uma faixa de corrente. III - Capacitor é um componente que tem
como �nalidade armazenar energia elétrica. IV - Resistores são componentes que tem por �nalidade oferecer uma oposição
à passagem de corrente elétrica por meio de seu material e são classi�cados como �xos ou constantes. V - Em um resistor,
a ausência da faixa de tolerância indica que esta é maior que 30%. Estão corretas as a�rmativas
A I, II e III.
B III, IV e V.
C II, III e IV.
D I, IV e V.
E I, III e V.
Ano: 2014 Banca: CESGRANRIO Órgão: LIQUIGÁS 
A Figura abaixo apresenta um circuito no qual o transistor bipolar Q é utilizado para controlar a potência dissipada pelo
resistor de carga R , e o grá�co com a evolução no tempo da tensão de controle V .
Considere que o transistor Q apresenta parâmetro β = 80, |V | = 0,7 V quando conduzindo corrente elétrica e |V | =
0,2 V quando operando em saturação. 
Dessa forma, a potência média, em watts, dissipada pelo resistor de carga R é
A 0,48
B 0,64
C 1,20
D 1,44
E 1,92
Ano: 2012 Banca: CESGRANRIO Órgão: Petrobras 
141 Q443615 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Diodo , Transistor
Prova: FMP Concursos - 2012 - PROCEMPA - Engenheiro
142 Q438734 > EngenhariaEletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESGRANRIO - 2014 - LIQUIGÁS - Engenheiro Júnior - Elétrica
1
L CTRL
1 BE CE
L
143 Q431703 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior -
Eletrônica-2012
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Quando um transistor de junção bipolar está polarizado na região de saturação, tem-se que o(a)
A ganho β tem seu valor máximo.
B junção emissor-base está inversamente polarizada.
C junção coletor-base está inversamente polarizada.
D junção coletor-base está diretamente polarizada.
E corrente de coletor tem seu valor máximo.
Ano: 2011 Banca: CESGRANRIO Órgão: Petrobras 
No circuito da �gura acima, considere R = 2,5 kΩ, R = 4,3 kΩ e que o transistor Q apresenta V = 0,7 V e um parâmetro
β muito elevado. 
Dessa forma, a tensão entre o coletor do transistor Q e o terminal de terra, em V, será
A 0,7
B 1,5
C 2,0
D 2,5
E 3,0
Ano: 2011 Banca: CESGRANRIO Órgão: Petrobras 
No circuito da �gura acima, o sinal em onda quadrada aplicado ao circuito de base do transistor bipolar é grande o
su�ciente para fazer com que o transistor opere apenas em corte ou saturação. 
Tal circuito é uma fonte
144 Q431555 > Eletroeletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESGRANRIO - 2011 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Eletrônica
- 2011
C E 1 BE 
1
145 Q431552 > Eletroeletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESGRANRIO - 2011 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Eletrônica
- 2011
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A linear com �ltro capacitivo, que emprega um regulador a diodo zener.
B linear com �ltro indutivo, que emprega um regulador a diodo zener.
C que emprega um conversor do tipo boost.
D que emprega um conversor do tipo buck
E que emprega um conversor do tipo �yback.
Ano: 2012 Banca: CESGRANRIO Órgão: Petrobras 
Na �gura, é apresentado o esquema de um circuito alimentado por uma fonte de tensão constante V = 5 V. O
acionamento do transistor é controlado por uma fonte V cuja tensão varia no tempo, conforme mostrado no grá�co.
 Considerando que o transistor Q apresenta V = 0,7 V e ß = 150
para as condições de operação desse circuito, o grá�co com a forma de onda da tensão V é
A
B
C
D
E
Ano: 2013 Banca: CESGRANRIO Órgão: LIQUIGÁS 
146 Q430263 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores , Análise de Circuitos Interpretação de Circuitos Elétricos
Prova: CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Técnico de Projetos, Construção e
Montagem Júnior - Eletrônica-2012
DC
S
1 EB 
O
147 Q424987 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: CESGRANRIO - 2013 - LIQUIGAS - O�cial de Manutenção - Eletrônica
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Atualmente, o circuito integrado mais empregado em eletrônica analógica é o ampli�cador operacional. Normalmente,
esses ampli�cadores são compostos de vários estágios, usando-se basicamente transistores bipolares BJT (bipolar junction
transistor), FET (�eld-e�ect transistor) e MOSFET (metal–oxide–semiconductor �eld-e�ect transistor), con�gurados
adequadamente em um mesmo circuito integrado (chip). 
As principais características dos ampli�cadores operacionais são
A alto ganho detensão, baixa resistência de entrada e alta resistência de saída
B alto ganho de tensão, baixa resistência de entrada e baixa resistência de saída
C alto ganho de tensão, alta resistência de entrada e baixa resistência de saída
D baixo ganho de tensão, baixa resistência de entrada e alta resistência de saída
E baixo ganho de tensão, baixa resistência de entrada e baixa resistência de saída
Ano: 2013 Banca: CESGRANRIO Órgão: LIQUIGÁS 
O ampli�cador abaixo usa um transistor bipolar NPN e foi rigorosamente polarizado para trabalhar corretamente em um
circuito de um equipamento eletrônico.
O capacitor Cb é de acoplamento com outros estágios do circuito, Cc é de desacoplamento e o capacitor Ce, de bypass.
Con�gurado em emissor comum, funciona perfeitamente, recebendo um sinal Vi na entrada e fornecendo um sinal de saída
ampli�cado V0, ambos senoidais e sem distorção. Em virtude de uma falha, o equipamento tem de ser reparado. Na
manutenção, ao substituir o resistor R2 dani�cado, um técnico, por engano, instalou um novo resistor com valor 100 vezes
maior do que o original.
Qual o efeito desse equívoco na polarização do transistor?
A A corrente de base diminui.
B A corrente de coletor diminui e a corrente de emissor aumenta.
C A tensão entre coletor e emissor tende para um valor mínimo, levando o transistor à saturação.
D
A tensão do coletor em relação a terra aumenta, tendendo a se igualar a VCC e levando, portanto, o transistor ao
corte.
E O ampli�cador continua funcionando normalmente, pois se trata de um circuito emissor comum.
Ano: 2014 Banca: CESGRANRIO Órgão: CEFET-RJ 
No estágio de ampli�cação de potência apresentado abaixo, os transistores Q e Q apresentam |V | = 0,7 V e ganho β =
50. 
148 Q424982 > Eletrônica Eletrônica de Potência , Diodos, transistores e outros componentes de potência
Prova: CESGRANRIO - 2013 - LIQUIGAS - O�cial de Manutenção - Eletrônica
149 Q422382 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: CESGRANRIO - 2014 - CEFET-RJ - Técnico de Laboratório - Eletrônica
1 2 BE
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 Durante a operação desse ampli�cador, a máxima potência e�caz RMS, em
watts, que pode ser transferida para a carga é
A 1,0
B 1,3
C 2,6
D 3,5
E 4,2
Ano: 2014 Banca: CESGRANRIO Órgão: CEFET-RJ 
O objetivo do circuito abaixo é acender o LED D quando a entrada de controle digital V = 5,0 V. De acordo com as
especi�cações do projeto, quando V = 5,0 V, o transistor Q deve entrar no modo de saturação e o LED D deve
conduzir uma corrente de 10 mA. Sob essa condição de operação, o transistor Q apresentará V = 0,7 V e V = 0,2 V, e o
LED exibirá uma queda de tensão V = 1,2 V. 
O circuito mostrado na Figura, entretanto, pode não satisfazer às especi�cações do projeto, dependendo do ganho de
corrente β do transistor. Dessa forma, ao selecionar um transistor Q para a construção do circuito, deve-se garantir que o
seu ganho β seja, no mínimo, igual a
A 200
B 250
C 300
D 350
E 400
Ano: 2014 Banca: CESGRANRIO Órgão: CEFET-RJ 
Considere o transistor NPN polarizado e operando na região ativa, conforme mostra a Figura abaixo. Os valores das
correntes mostradas são I = 2mA e I = 10μA. 
150 Q422369 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: CESGRANRIO - 2014 - CEFET-RJ - Técnico de Laboratório - Eletrônica
1 CTRL
CTRL 1 1
1 BE CE
D
1
151 Q422366 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: CESGRANRIO - 2014 - CEFET-RJ - Técnico de Laboratório - Eletrônica
C B
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Sabendo-se que os resistores valem R = 1,5kΩ e R = 5kΩ, e que a fonte V de alimentação vale 18V, o valor da tensão de
operação [ V ] do transistor, em volts, é de
A 12,0
B 8,0
C 6,0
D 5,0
E 4,5
Ano: 2005 Banca: CESPE Órgão: TRE-GO 
O dispositivo denominado UJT
A possui três regiões dopadas.
B possui quatro terminais externos.
C apresenta emissor com dopagem muito fraca.
D apresenta dopagem n tanto na base quanto no emissor.
E possui duas bases e um emissor.
Ano: 2014 Banca: CESPE Órgão: Polícia Federal 
No que se refere às características de circuitos eletrônicos analógicos e digitais, julgue os seguintes itens. 
No circuito analógico abaixo, que contém um transistor bipolar de junção do tipo NPN polarizado no modo ativo, a tensão
entre coletor e emissor é superior a 8 V e inferior a 10 V.
Certo
Errado
Ano: 2014 Banca: IADES Órgão: METRÔ-DF 
Existem três eletrodos em um transistor FET, que são
E C CC
CE
152 Q411639 > Eletroeletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2005 - TRE-GO - Técnico Judiciário - Telecomunicações e Eletricidade
153 Q404913 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2014 - Polícia Federal - Engenheiro Eletricista
154 Q404455 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: IADES - 2014 - METRÔ-DF - Técnico em Eletrônica
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A emissor, base e coletor.
B dreno, emissor e ânodo.
C fonte, porta e dreno.
D cátodo, ânodo e fonte.
E coletor, dreno e eletrólito.
Ano: 2014 Banca: IADES Órgão: METRÔ-DF 
Os símbolos apresentados são, respectivamente,
A 1: ampli�cador operacional; 2: MOSFET canal N; 3: MOSFET canal P.
B 1: transistor darlington; 2: MOSFET canal N; 3: MOSFET canal P.
C 1: transistor darlington; 2: MOSFET canal P; 3: MOSFET canal N.
D 1: FET; 2: MOSFET canal N; 3: MOSFET canal P.
E 1: FET; 2: MOSFET canal P; 3: MOSFET canal N.
Ano: 2014 Banca: IADES Órgão: METRÔ-DF 
Circuito 3
O transistor apresentado no circuito 3 é do tipo
A PN.
B NP.
C PNP.
D NPN.
E PPN.
Ano: 2014 Banca: IADES Órgão: METRÔ-DF 
Considerando o transistor do circuito 3 como ideal, a corrente de coletor é igual a
A 2,5 mA.
B 25 mA.
C 4,8 mA.
D 48 mA.
E 24 µA.
Ano: 2014 Banca: IADES Órgão: METRÔ-DF 
155 Q404454 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: IADES - 2014 - METRÔ-DF - Técnico em Eletrônica
156 Q404449 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: IADES - 2014 - METRÔ-DF - Técnico em Eletrônica
157 Q404448 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: IADES - 2014 - METRÔ-DF - Técnico em Eletrônica
158 Q404437 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores , Ampli�cadores
Prova: IADES - 2014 - METRÔ-DF - Técnico em Eletrônica
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Um ampli�cador a transistor polarizado em classe-B apresenta seu ponto Q de operação, com respeito à reta de carga de
polarização,
A em seu ponto médio.
B no ponto superior correspondendo ao máximo de corrente.
C fora dessa reta de carga, para não in�uir na sua variação.
D próximo ao ponto de tensão contínua igual a zero.
E próximo ao ponto inferior dessa reta, correspondendo à corrente zero.
Ano: 2014 Banca: IADES Órgão: METRÔ-DF 
Com relação ao tiristor Triac, assinale a alternativa correta.
A Ele aciona e protege altas potências, pois abre quando há uma sobrecarga.
B É um interruptor com temporizador.
C É um transistor que só liga ou desliga quando acionado por um diodo Diac.
D É um chaveador controlado que pode acionar altas potências.
E É um conjunto de diodos controlado por um transistor.
Ano: 2014 Banca: IADES Órgão: METRÔ-DF 
Com relação aos semicondutores e aos metais, assinale a alternativa correta. 
A Os semicondutores puros podem conduzir melhor do que alguns metais.
B Os semicondutores puros têm resistências menores do que alguns metais.
C Quando a temperatura aumenta, a resistência dos semicondutores diminui, enquanto a dos metais aumenta.
D A temperatura não in�ui na resistência interna dos semicondutores, mas in�ui na dos metais.
E A temperatura aumenta as resistências internas tanto dos semicondutores quanto dos metais.
Respostas
141: A 142: A 143: D 144: D 145: C 146: C 147: C 148: C 149: B 150: A 151: D
152: E 153: C 154: C 155: B 156: D 157: C 158: E 159: D 160: C
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159 Q404436 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: IADES - 2014 - METRÔ-DF - Técnico em Eletrônica
160 Q404432 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: IADES - 2014 - METRÔ-DF - Técnico em Eletrônica
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Ano: 2008 Banca: CESPE Órgão: INPE 
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência,dispositivos eletrônicos. Construídos
utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos
discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente
na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido-
semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
O carbeto de silício (SiC) é, a princípio, um material promissor para construir BJTs de potência, considerando-se sua alta
condutividade térmica e velocidade de saturação.
Certo
Errado
Ano: 2008 Banca: CESPE Órgão: INPE 
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos
utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos
discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente
na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido-
semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações
consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.
Certo
Errado
Ano: 2008 Banca: CESPE Órgão: INPE 
O ganho de corrente do BJT �ca prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em
uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de portadores que passam para o coletor é
elevada.
Certo
Errado
Ano: 2008 Banca: CESPE Órgão: INPE 
A tensão de limiar do MOSFET ( threshold voltage) é a tensão porta-substrato necessária para colocar a região de canal em
inversão forte.
Certo
Errado
Ano: 2008 Banca: CESPE Órgão: INPE 
A presença de portadores minoritários na corrente do BJT ajuda a diminuir o tempo de chaveamento, quando comparado
ao MOSFET.
Certo
Errado
161 Q364649 > Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência , Transistor de potência
Prova: CESPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11
162 Q364648 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor , Eletrônica de Potência Transistor de potência
Prova: CESPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11
163 Q364647 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11
164 Q364646 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11
165 Q364645 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11
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Ano: 2008 Banca: CESPE Órgão: INPE 
O BJT é denominado bipolar porque funciona de maneira semelhante para tensões positivas e negativas.
Certo
Errado
Ano: 2008 Banca: CESPE Órgão: INPE 
Um transistor bipolar de junção (BJT) é fundamentalmente uma chave controlada por corrente, enquanto o MOSFET se
aproxima de uma chave controlada por tensão, com porta de controle isolada. Assim, a potência demandada no terminal
de controle para chaveamento é, para condições semelhantes de operação, maior no MOSFET.
Certo
Errado
Ano: 2013 Banca: CETRO Órgão: ANVISA 
A �gura abaixo mostra um ampli�cador diferencial com resistores de base com valores de 30k?, e os transistores são
idênticos com ßcc = 100 e queda de 0,7V em relação base ao emissor. Incluindo o efeito das resistências de base, a tensão
de saída é, aproximadamente, 
A 7,75V.
B 7,85V
C 7,90V.
D 8,0V
E 8,10V.
Ano: 2013 Banca: CESPE Órgão: INPI 
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
O par emissor-base é conhecido como diodo emissor e o par base-coletor, como diodo coletor, então o transistor pode,
esquematicamente, ser visto como a união entre diodo emissor e diodo coletor. Na prática, um transistor pode ser obtido
pela união de dois diodos discretos, um de costas para o outro.
Certo
Errado
Ano: 2013 Banca: CESPE Órgão: INPI 
Na operação de um transistor em região linear, para se obter ganho de corrente entre o que é injetado na base e o que
trafega entre emissor e coletor, a junção entre emissor e base precisa ser polarizada diretamente e a junção base e coletor,
polarizada inversamente.
Certo
166 Q364644 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova:CESPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11
167 Q364643 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11
168 Q319773 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CETRO - 2013 - ANVISA - Especialista em Regulação - Vigilância Sanitária – Área 1 -
Prova Anulada
169 Q314066 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica
170 Q314065 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica
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Errado
Ano: 2013 Banca: CESPE Órgão: INPI 
O transistor deve ser fabricado com a região do coletor mais extensa que a região da base e a região do emissor, uma vez
que essa região dissipa mais calor que as demais.
Certo
Errado
Ano: 2013 Banca: CESPE Órgão: INPI 
A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos
eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.
Um cristal de silício tem, à temperatura ambiente, uma maior quantidade de elétrons livres, se comparado a um cristal de
germânio.
Certo
Errado
Ano: 2013 Banca: CESPE Órgão: INPI 
A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos
eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.
O germânio e o silício são semicondutores e exemplos de elementos tetravalentes.
Certo
Errado
Ano: 2012 Banca: CESPE Órgão: TJ-RO 
Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado
por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção
correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.
A Surge um canal com elevada resistência, fazendo que a corrente dreno-fonte �que nula.
B Quanto maior for a tensão porta-fonte, menor será a concentração de elétrons no canal N.
C Quanto maior for a tensão porta-fonte, maior será a resistência do canal.
D Ocorre o alinhamento de elétrons ao canal, na região do substrato entre as duas portas N.
E
Elétrons preenchem as lacunas da região N até que, com o excesso de elétrons, o substrato comporta-se como um
semicondutor P.
Ano: 2012 Banca: CESPE Órgão: Banco da Amazônia 
Julgue os itens a seguir, relativos à polarização de dielétricos.
Um transistor bipolar de junção estará operando no modo de corte quando tanto a junção emissor-base quanto a junção
coletor-base estiverem reversamente polarizadas.
Certo
Errado
171 Q314064 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica
172 Q314058 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Diodo , Transistor
Prova: CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica
173 Q314057 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Diodo , Transistor
Prova: CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica
174 Q275753 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2012 - TJ-RO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica
175 Q257488 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2012 - Banco da Amazônia - Técnico Cientí�co - Engenharia
Elétrica
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Ano: 2012 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO 
O parâmetro do transistor correspondente ao ganho direto de corrente na con�guração emissor comum é:
A hRB
B hFB
C hOE
D hFE
E hIE
Ano: 2012 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO 
Sobre o IGBT, é correto a�rmar que é um dispositivo
A de elevada impedância, mas de baixa corrente.
B de baixíssima impedância de entrada, mas de alta velocidade.
C usado em sistemas de comutação de cargas de alta corrente, mas de baixa velocidade.
D usado em sistemas de comutação de cargas de alta corrente em alta velocidade.
E usado em sistemas de comutação de cargas de baixa corrente, mas de elevada velocidade.
Ano: 2012 Banca: FCC Órgão: TRT - 6ª Região (PE) 
O grá�co abaixo mostra várias regiões de operação de um transistor NPN, numeradas de I a V, e o circuito ao lado do
grá�co corresponde a uma interface de potência para acionamento de um motor CA: 
O transistor Q1 do circuito opera APENAS nas regiões
A I e II.
B II e III.
C III e IV.
D I e IV.
E IV e V.
Ano: 2011 Banca: CESGRANRIO Órgão: Petrobras 
176 Q243397 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FCC - 2012 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia - Eletrônica
177 Q243350 > Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência , Transistor de potência
Prova: FCC - 2012 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica
178 Q240808 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FCC - 2012 - TRT - 6ª Região (PE) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica
179 Q237897 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESGRANRIO - 2011 - Petrobras - Engenheiro de Equipamento Júnior -
Elétrica 2011
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O circuito da �gura usa um transistor NPN (ß = 100 e V = 0,6 V). 
Analisando as condições e os dados do circuito, conclui-se que o transistor está saturado e o valor aproximado da potência
dissipada no resistor R , em mW, é
A 1,5
B 3,0
C 15,0
D 60,0
E 150,0
Ano: 2011 Banca: CESGRANRIO Órgão: Petrobras 
O tipo de con�guração montada com o transistor mostrada na �gura acima corresponde ao tipo de polarização conhecido
por
A corrente de emissor constante
B realimentação negativa controlada
C divisor de tensão na base
D coletor comum
E base comum
Respostas
161: C 162: E 163: E 164: C 165: E 166: E 167: E 168: D 169: E 170: C 171: C
172: E 173: C 174: D 175: C 176: D 177: D 178: D 179: E 180: A
BE
C
180 Q237896 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESGRANRIO - 2011 - Petrobras - Engenheiro de Equipamento Júnior -
Elétrica 2011
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Ano: 2006 Banca: CONSULPLAN Órgão: INB 
Se em um transistor de junção bipolar polarizarmos, na região negativa, a junção emissor-base diretamente e a
junção coletor-base inversamente, ele irá operar como:
A Filtro passa-faixa.
B Regulador de tensão.
C Ampli�cador.
D Filtro passa-baixa.
E Inversor de corrente.
Ano: 2006 Banca: CONSULPLAN Órgão: INB 
Assinale abaixo a alternativa que contém o componente que na operação como ampli�cador, a junção base-coletor
está reversamente polarizada:
A Diodo zener.
B Tiristor.
C Diodo túnel.
D Transistor bipolar.
E Fotodiodo.
Ano: 2010 Banca: CESGRANRIO Órgão: Petrobras 
 Dado que o transistor tem ganho de corrente β=100, os
valores aproximados das impedâncias de entrada e saída e do ganho de tensão do circuito acima são, respectivamente,
A 3,33kΩ, 1kΩ e 4
B 88,89kΩ , 4kΩ e -4
C 88,89kΩ, 4kΩ e 4
D 100kΩ, 4kΩ e -4
E 800kΩ, 4kΩ e -4
Ano: 2010 Banca: CESGRANRIO Órgão: Petrobras 
181 Q214753 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CONSULPLAN - 2006 - INB - Engenheiro Eletrônico
182 Q214747 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CONSULPLAN - 2006 - INB - Engenheiro Eletrônico
183 Q189226 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: CESGRANRIO - 2010 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Eletrônica
184 Q189225 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: CESGRANRIO - 2010 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Eletrônica
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O transistor do circuito acima tem tensão de condução base-emissor V =0,7V e ganho de corrente β = 100. Nessas
condições, as correntes de base e de coletor e a tensão de coletor valem, respectivamente,
A 10 �µA, 1mA e 5,3V
B 15,9µA, 1,59mA e 2,53V
C 21,3 µA, 2,13mA e 10V
D 33,3 µA, 3,3mA e 10V
E 62,5 µA, 6,25mA e 10V
Ano: 2010 Banca: CESGRANRIO Órgão: PETROQUÍMICA SUAPE 
O circuito eletrônico da �gura acima mostra um transistor NPN polarizado e operando na região ativa. O transistor tem,
nessas condições, um ß = 100 e V = 0,6 V. O valor aproximado da corrente de coletor I , em mA, é
A 1,0
B 1,5
C 2,0
D 2,5
be
185 Q185124 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESGRANRIO - 2010 - PETROQUÍMICA SUAPE - Engenheiro de
Equipamento Pleno - Eletricidade
BE C
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E 3,0
Ano: 2010 Banca: CESPE Órgão: ABIN 
Com relação às tecnologias de microeletrônica utilizadas na
implementação de sistemas digitais, julgue os itens que se seguem.
Os dispositivos TTL padrão são fabricados com uma tecnologia que utiliza transistores bipolares em conjunto com
transistores do tipo MOS; por isso, é desnecessário o uso de resistores nesse tipo de porta lógica.
Certo
Errado
Ano: 2011 Banca: CESGRANRIO Órgão: Petrobras 
O circuito da �gura acima mostra os dados de polarização de um transistor NPN. Para que a corrente CC de coletor seja de
2 mA e seja garantida uma excursão, no sinal de coletor, de 2 V (pico a pico), alcançando-se o limiar de transição para a
região de saturação do transistor, os valores de R e R são, em kΩ respectivamente,
A 16 e 6,25
B 16 e 5,35
C 24 e 5,35
D 28 e 5,35
E 28 e 6,25
Ano: 2011 Banca: CESGRANRIO Órgão: Petrobras 
186 Q184165 > Eletroeletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2010 - ABIN - Agente Técnico de Inteligência – Área de Eletrônica
187 Q183129 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESGRANRIO - 2011 - Petrobras - Engenheiro de Equipamento Júnior -
Eletrônica
B C 
188 Q182400 > Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistores
Prova: CESGRANRIO - 2011 - Petrobras - Técnico de Manutenção Júnior - Eletrônica
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Observe as �guras abaixo.
A Figura 1 mostra um circuito que utiliza um fototransistor de área sensível igual a 20 mm . A Figura 2 mostra a curva da
corrente de base em função da densidade de �uxo irradiado desse fototransistor, aproximada por uma reta. Se o
fototransistor for irradiado com 2 mW de potência, sua tensão , em Volts, será igual a
A 2,25
B 4,5
C 4,75
D 5,5
E 7,75
Ano: 2011 Banca: FCC Órgão: INFRAERO 
Na curva de transcondutância do JFET representada abaixo, os parâmetros X e Y correspondem, respectivamente, a: 
A VP e ID(o�)
B VGS(o�) e IDSS
C VDSS e IDsat
D VGSsat e IDbreakdown
E VDSmáx e IDP
Ano: 2011 Banca: FCC Órgão: INFRAERO 
O parâmetro híbrido do transistor bipolar que caracteriza a sua impedância de entrada na con�guração coletor comum é:
A h
B h
C h
D h
2 
189 Q181874 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FCC - 2011 - INFRAERO - Engenheiro Eletrônico
190 Q181868 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FCC - 2011 - INFRAERO - Engenheiro Eletrônico
fc
ic
rb
oe
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E h
Ano: 2011 Banca: FCC Órgão: TRT - 23ª REGIÃO (MT) 
Um transistor bipolar de silício tipo NPN, operando como chave, é polarizado na con�guração emissor comum com tensão
de alimentação de 5 V. Quando ele se encontra saturado, as tensões VBEsat e VCEsat valem, aproximada e respectivamente,
A 5,0 V e 0,7 V
B 0,3 V e 5,0 V
C 2,5 V e 5,0 V
D 0,7 V e 0,3 V
E 0,7 V e 5,0 V
Ano: 2008 Banca: CESPE Órgão: SEPLAG-DF 
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Fisicamente, a condução em um JFET se dá pela passagem de portadores de carga da fonte para o dreno, através do canal.
Certo
Errado
Ano: 2008 Banca: CESPE Órgão: SEPLAG-DF 
Na denominada autopolarização do JFET por derivação de corrente, a corrente de dreno é muito maior que a corrente de
porta.
Certo
Errado
Ano: 2008 Banca: CESPE Órgão: SEPLAG-DF 
Um transistor JFET é inadequado para ser usado em estágios de ampli�cador, pois o mesmo, quando polarizado, funciona
como resistor controlado por tensão
Certo
Errado
Ano: 2008 Banca: CESPE Órgão: SEPLAG-DF 
A corrente Ie que circula no circuito é igual a 
Certo
Errado
Ano: 2008 Banca: CESPE Órgão: SEPLAG-DF 
O circuito pode ser polarizado de modo a funcionar como fonte de corrente.
Certo
fe
191 Q180890 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FCC - 2011 - TRT - 23ª REGIÃO (MT) - Analista Judiciário - Engenharia
Elétrica
192 Q161885 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica
193 Q161884 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica
194 Q161883 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica
195 Q161881 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica
196 Q161880 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica
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Errado
Ano: 2008 Banca: CESPE Órgão: SEPLAG-DF 
Considere os circuitos I e II mostrados a seguir.
Considerando que VB no circuito II é uma tensão que não é nuladurante todo intervalo de tempo, julgue os itens que se
seguem.
O transistor utilizado nos dois circuitos são do tipo transistor de efeito de campo de junção JFET (junction �eld e�ect
transistor).
Certo
Errado
Ano: 2008 Banca: CESPE Órgão: SEPLAG-DF 
No circuito II, o transistor encontra-se desligado, porque a tensão VB somada com VS resulta em tensão nula.
Certo
Errado
Ano: 2008 Banca: CESPE Órgão: SEPLAG-DF 
Comparando as duas con�gurações, a dissipação de potência no transistor é maior no circuito I.
Certo
Errado
Ano: 2011 Banca: CESPE Órgão: Correios 
No que se refere às tecnologias utilizadas na fabricação de circuitos
integrados digitais, julgue itens subsecutivos.
Os elementos básicos dos circuitos integrados TTL são os transistores de efeito de campo MOS tipo N.
Certo
Errado
Respostas
197 Q161846 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica
198 Q161845 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica
199 Q161844 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica
200 Q132674 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2011 - Correios - Analista de Correios - Engenheiro - Engenharia Eletrônica
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181: C 182: D 183: B 184: A 185: C 186: E 187: C 188: D 189: B 190: B 191: D
192: C 193: C 194: E 195: E 196: C 197: E 198: E 199: E 200: E
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Ano: 2011 Banca: CESPE Órgão: Correios 
Os circuitos integrados CMOS têm em sua constituição transistores NMOS e PMOS.
Certo
Errado
Ano: 2011 Banca: CESPE Órgão: Correios 
Considere o diagrama acima, que representa um ampli�cador, comtransistor bipolar de junção que está polarizado
corretamente naregião ativa, e cujo ganho é igual a 20. Considere, 
ainda, que seja igual a 12 V e que o potencial CC de
polarização seja igual a 4 V no emissor e igual a 8 V no coletor.Considere, por �m, que todos os capacitores tenham
capacitânciaalta o su�ciente para que funcionem como curtos-circuitos para osinal em razão da frequência desse
sinal. Com base nessas
informações, julgue os itens seguintes.
Se for um sinal senoidal com amplitude de pico de 1 mV, então, a tensão no coletor do transistor será igual a soma de
uma tensão contínua de 4 V e de uma tensão senoidal, que terá amplitude de pico igual a 20 mV e a mesma frequência e a
mesma fase do sinal 
Certo
Errado
Ano: 2011 Banca: CESPE Órgão: Correios 
Com relação a dispositivos elétricos e eletrônicos, julgue os itens
seguintes.
Para que um transistor bipolar de junção opere na região ativa, a junção entre a base e o emissor deve estar polarizada
diretamente e a junção entre o coletor e a base deve estar polarizada reversamente.
Certo
Errado
201 Q132673 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2011 - Correios - Analista de Correios - Engenheiro - Engenharia Eletrônica
202 Q132666 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor , Ampli�cadores
Prova: CESPE - 2011 - Correios - Analista de Correios - Engenheiro - Engenharia Eletrônica
203 Q132646 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2011 - Correios - Analista de Correios - Engenheiro - Engenharia Eletrônica
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Ano: 2010 Banca: CESPE Órgão: INMETRO 
Com relação a transistores de efeito de campo do tipo MOS, assinale a opção correta.
A
Em um transistor do tipo enriquecimento, NMOS, deve ser aplicada uma diferença de potencial negativa entre porta e
fonte para que seja induzido um canal N.
B No transistor MOS, o substrato deve ser fortemente dopado, e a fonte e o dreno devem ser levemente dopados.
C O transistor MOS, quando é usado como ampli�cador linear, deve ser operado na região de triodo.
D No transistor NMOS do tipo enriquecimento, o corpo é composto por material tipo P.
E Por usar um canal induzido, o transistor NMOS tem impedância de entrada muito menor que a do transistor bipolar.
Ano: 2011 Banca: CESPE Órgão: FUB 
Em um laboratório de eletrônica, foram realizadasmedições elétricas em um circuito de polarização de um transistorbipolar
de junção (TBJ) do tipo npn, representado na �gura acima.
Os valores obtidos para a corrente de emissor e de base dodispositivo foram 1,29 mA e 12,8 mA, respectivamente.Com
base nesses dados, julgue os itens a seguir.
O parâmetro do transistor, também denominado ganho de corrente em emissor comum, é superior a 105.
Certo
Errado
Ano: 2011 Banca: CESPE Órgão: FUB 
A potência dissipada pelo transistor indicado na �gura é inferior a 6,5 mW.
Certo
Errado
Ano: 2011 Banca: CESPE Órgão: FUB 
Se a ponta de prova vermelha de um multímetro digital (exato e preciso) for conectada ao emissor do TBJ, e a ponta preta, à
base, a leitura de tensão fornecida pelo multímetro será inferior a - 0,6 V.
Certo
Errado
Ano: 2011 Banca: CESPE Órgão: STM 
A energia elétrica pode ser condicionada e transferida como
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de umaforma em outra é feita por meio de equipamentos
204 Q112741 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica
205 Q108163 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2011 - FUB - Técnico de Laboratório - Física - Especí�cos
206 Q108162 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2011 - FUB - Técnico de Laboratório - Física - Especí�cos
207 Q108161 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2011 - FUB - Técnico de Laboratório - Física - Especí�cos
208 Q107792 > Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência , Transistor de potência
Prova: CESPE - 2011 - STM - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica - Especí�cos
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conversores queutilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca dessetema, julgue os itens subsequentes.
O dispositivo MOSFET possui um canal que pode ser de material semicondutor do tipo P ou N, e a profundidade desse canal
pode ser modulada eletricamente por uma tensão de controle.
Certo
Errado
Ano: 2011 Banca: CESPE Órgão: STM 
A energia elétrica pode ser condicionada e transferida como
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de umaforma em outra é feita por meio de equipamentos
conversores queutilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca dessetema, julgue os itens subsequentes.
Um regulador de Bucké um regulador chaveado utilizado em conversores CC-CC com tensão média de saída menor que a
tensão de entrada.
Certo
Errado
Ano: 2010 Banca: FCC Órgão: METRÔ-SP 
O dispositivo semicondutor baseado no transistor bipolar, mas que não é acionado por corrente de base e sim por tensão,
como no transistor de efeito de campo, e que pode operar em alta frequência com altas correntes é o
A IGBT.
B TRIAC.
C DIAC.
D UJT.
E MOSFET.
Ano: 2010 Banca: FCC Órgão: METRÔ-SP 
O parâmetro híbrido do transistor que se refere ao ganho de corrente na con�guração emissor comum é
A hib.
B hic.
C hrb.
D hoe.
E hfe.
Ano: 2009 Banca: FCC Órgão: TRT - 4ª REGIÃO (RS) 
Observe o símbolo abaixo.
Ele corresponde ao dispositivo denominado
A LASCR.
B TRIAC.
C IGBT tipo NPN.
D FET canal N.
209 Q107790 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor , Eletrônica de Potência Transistor de potência
Prova: CESPE - 2011 - STM - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica - Especí�cos
210 Q74995 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FCC - 2010 - METRÔ-SP - Engenheiro Eletrônico
211 Q74992 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FCC - 2010 - METRÔ-SP - Engenheiro Eletrônico
212 Q73613 > Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência , Transistor de potência
Prova: FCC - 2009 - TRT - 4ª REGIÃO (RS) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica
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E UJT.
Ano: 2009 Banca: VUNESP Órgão: CETESB 
Qual é a tensão de saída do circuito mostrado?
A (-7 + 1,5 sen wt) V.
B (7 + 1,5 sen wt) V.
C (3 + 1,5 sen wt) V.
D -7 V.
E 7 V.
Ano: 2010 Banca: CESPE Órgão: MS 
O domínio da eletrônica industrial pode ser subdividido
em eletrônica de potência e eletrônica de regulação e comando.A eletrônica de potência é a aplicação de
dispositivossemicondutores em sistemas elétricos de potência. Por meio dosdispositivos semicondutores de potência,
associados a outroscircuitos eletrônicos, podem-se acionar e controlar diversos tiposde cargas industriais. A ampli�cação da
potência e a potênciados dispositivos envolvidos são preponderantes.A partir do texto acima, julgue os itens a seguir.
SCR, LASCR, LTT, TRIAC, DIAC, GTO, GVT e MCT são dispositivos semicondutores de potência.
Certo
Errado
Ano: 2010 Banca: FCC Órgão: TRE-RS 
É um dispositivo optoeletrônico:
A FET.
B NTC.
C TRIAC.
D fototransistor.
E varactor.
Ano: 2007 Banca: FCC Órgão: MPU 
A interface de potência abaixo deve ser utilizada para acionar um motor DC de 12 V/200 mA por meio de uma tensão de
entrada = 5 V.
213 Q70248 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: VUNESP - 2009 - CETESB - Engenheiro Eletricista
214 Q65913 > Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência , Diodo de potência (NOVO) , Tiristor Transistor de potência
Prova: CESPE - 2010 - MS - Engenheiro Elétrico
215 Q64195 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FCC - 2010 - TRE-RS - Técnico Judiciário - Eletricidade
216 Q57303 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Diodo , Transistor
Prova: FCC - 2007 - MPU - Analista - Engenharia Elétrica
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São dadas as especi�cações do transistor e do diodo:Transistor: = 1 A
= 45 V
= 50
= 0,7 V
= 0,2 V
Diodo: = 1 A
 = 400 V
O valor nominal do resistor que atende às especi�cações do projeto é
A
B
C
D
E
Ano: 2009 Banca: FCC Órgão: TRT - 3ª Região (MG) 
A saída de um sistema digital é ligada a um transistor NPN que serve para acionar um relé em seu coletor. Para evitar que o
pico de tensão reversa que surge na bobina do relé, no seu desligamento, dani�que o transistor, usa-se um
A varistor ligado entre o coletor e o emissor do transistor.
B resistor menor que 10 ?, de �o, em paralelo com a bobina do relé.
C diodo Zener polarizado diretamente entre o coletor e o emissor do transistor.
D diodo polarizado reversamente em paralelo com a bobina do relé.
E capacitor da ordem de dezenas de picofarads em paralelo com a bobina do relé.
Ano: 2009 Banca: CESPE Órgão: TRT - 17ª Região (ES) 
217 Q23731 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: FCC - 2009 - TRT - 3ª Região (MG) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica
218 Q19547 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2009 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia
Elétrica
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As �guras I e II acima mostram transistores MOS-FET comdiferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos
dessestransistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
Ao contrário de um transistor bipolar, um transistor MOS-FET não pode ser polarizado para atuar como uma chave aberta
ou fechada.
Certo
Errado
Ano: 2009 Banca: CESPE Órgão: TRT - 17ª Região (ES) 
219 Q19546 > Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica , Transistor
Prova: CESPE - 2009 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia
Elétrica
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As �guras I e II acima mostram transistores MOS-FET comdiferentes tipos de canais. A respeito dos símbolos
dessestransistores e de suas características, julgue os itens seguintes.
A �gura I mostra um transistor do tipo canal P, enquanto a �gura II ilustra um transistor do tipo canal N.
Certo
Errado
Respostas
191: C 192: E 193: C 194: D 195: E 196: C 197: C 198: C 199: C 200: A 201: E
202: C 203: A 204: E 205: D 206: E 207: D 208: E 209: E
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