ELETRONICA DIGITAL IX

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11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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ELETRONICA DIGITAL ( https://www.tecconcursos.com.br/s/Q152GX )
Engenharia Elétrica e Eletrônica
Questão 1601: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PESDES/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A tabela mostra os dados do Si @ 300K:
 
gap
(eV)
ni
(cm-3)
NC
(cm-3)
NV
(cm-3)
mn
(cm2/V.s)
mp
(cm2/V.s)
Dn
(cm2/s)
Dp
(cm2/s)
e
1,12
1,5 x
1010
2,8 x
1019
1,02 x
1019
1350 480 35 12,5 11,8
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, J. Willey, New York, 1981
Uma junção p-n de Si tem uma concentração de impurezas doadoras igual a 1016 cm-3, e 1018 cm-3 de aceitadoras. Aponte dentre as alternativas o valor correto do
potencial de contato dessa junção.
Constantes Físicas:
kB = 1,38062 x 10-23 J/K
e = 1,60219 x 10-19 C
h = 6,62620 x 10-34 J.s
e0 = 8,85 x 10-12 C2/Nm2
 a) 0,56 V
 b) 0,85 V
 c) 1,12 V
 d) 1,42 V
 e) Nenhuma das anteriores.
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Questão 1602: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PESDES/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Avalie a capacitância da junção p-n da questão 18, considerando que essa tem uma seção circular de 100 mm de diâmetro.
 a) 2,5 pF
 b) 2,5 nF
 c) 4,1 pF
 d) 4,1 nF
 e) Nenhuma das anteriores.
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Questão 1603: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PESDES/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Avalie a corrente de saturação em 300 K para a junção p-n de Si das questões 18 e 19. Considere tp = tn = 0,5 ms.
 a) 2,8 x 10-15
 b) 1,4 x 10-16A
 c) 2,8 x 10-17 A
 d) 1,4 x 10-17 A
 e) Nenhuma das anteriores.
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Questão 1604: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PESDES/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
As afirmativas abaixo se referem às dificuldades relativas ao aumento da integração nos circuitos integrados. São afirmativas verdadeiras, EXCETO:
 a) Para comprimento de porta em estruturas MOS abaixo de 130 nm o óxido de silício deve ser da ordem de 2nm, e tunelamento através do óxido aumenta
fortemente.
 b) O dielétrico de porta deve também ser espesso o suficiente para inibir o efeito da difusão de boro, do silício para o dielétrico.
 c) Os materiais com constante dielétrica alta permitem que a redução da área do capacitor não seja exija a redução da espessura do dielétrico.
 d) Silicato de háfnio e dióxido de háfnio tem sido usados com algum sucesso atualmente pela indústria.
 e) A substituição de óxido de silício pelos materiais com alto k leva ao surgimento de estados localizados na interface.
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Questão 1605: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRFF111/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um importante passo na fabricação de circuitos integrados consiste na deposição de camadas diretamente sobre o substrato semicondutor ou sobre outras camadas
anteriormente depositadas. Tais camadas podem ser constituídas de materiais condutores ou isolantes. Acerca do processo de deposição, analise as seguintes asserções:
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I) Durante a Deposição Física de Vapor (Physical Vapor Deposition - PVD), não ocorre reação química entre os gases e o substrato. Um exemplo deste processo é
a vaporização do alumínio, mais conhecido como metalização.
II) O processo de Deposição Química de Vapor (Chemical Vapor Deposition – CVD) faz com que gases ou vapores reajam quimicamente com o substrato gerando
camadas de material sólido. Um exemplo é a deposição de dióxido de silício.
III) No caso da deposição de silício em um ambiente com temperatura da ordem de 1000°C sobre um substrato com estrutura cristalina também de silício, o
material depositado também assumirá uma estrutura cristalina e o processo é conhecido como crescimento epitaxial.
Estão corretas as asserções:
 a) I
 b) I e II
 c) II
 d) I e III
 e) I, II e III
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Questão 1606: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRFF111/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A técnica largamente empregada na fabricação de microeletrônica, que permite selecionar e transferir padrões geométricos para a superfície do semicondutor, tornando
possível a introdução de impurezas ou a retirada de material de forma seletiva, é:
 a) Deposição.
 b) Fotolitografia.
 c) Qualificação.
 d) Setorização.
 e) Difusão.
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Questão 1607: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRFF111/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Na fabricação de microeletrônica existe a necessidade de se introduzir impurezas no material semicondutor cristalino. Um método que permite tal feito é a implantação
iônica. Quanto a este método, é correto afirmar que:
 a) É o método mais utilizado na indústria para a introdução de impurezas em redes cristalinas semicondutoras por ser o mais barato.
 b) Deve ser conduzido em temperaturas acima de 700ºC.
 c) Os íons do material a ser introduzido são acelerados através de um campo elétrico e se chocam com a superfície do semicondutor penetrando e se fixando na
rede cristalina.
 d) Este método é o que permite a menor precisão nas doses de implantação.
 e) Não é aconselhável a utilização deste método para a fabricação de circuitos integrados de alta densidade.
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Questão 1608: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRFF111/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Analise as sentenças a seguir, referentes a uma etapa de fabricação de microeletrônica:
I) O processo de difusão consiste em mover átomos dopantes para dentro da estrutura cristalina de um semicondutor, a partir de uma região com alta
concentração para outra com baixa concentração.
II) A difusão é um processo que depende fortemente da temperatura, sendo usualmente realizada em faixas de temperatura entre 700 e 1200 °C.
III) No processo de difusão, a profundidade com que as impurezas se difundem é somente função da temperatura.
Estão corretas as sentenças:
 a) I
 b) I e II
 c) II
 d) I e III
 e) I, II e III
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Questão 1609: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./MANUEF/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A oxidação térmica do silício tem como finalidade
I – formar máscaras que impedem a implantação iônica e a difusão de dopante no silício (Si).
II – auxiliar na conexão de circuitos, dada a alta condutividade do dióxido de silício (SiO2).
III – a passivação da superfície do wafer.
Assinale a alternativa correta.
 a) I, II e III estão corretas.
 b) Apenas II e III estão corretas.
 c) Apenas I e III estão corretas.
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 d) Apenas I e II estão corretas.
 e) Apenas II está correta.
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Questão 1610: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./MANUEF/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Uma importante etapa da fabricação de circuitos integrados é a deposição de filmes muito finos e estreitos de um metal formando uma linha que conecta os diversos
dispositivos. Após a deposição desses materiais, outros tratamentos térmicosainda devem ser realizados com temperaturas de até 500o C. Caso ocorra difusão do metal
para o interior do silicone, o circuito integrado pode perder a sua funcionalidade elétrica.
 
Observe os coeficientes de difusão dos metais abaixo no silício (Si):
I – coeficiente de difusão da prata (Ag) = 4,2 x 10-17m2/s.
II – coeficiente de difusão do alumínio (Al) = 2,5 x 19-21 m2/s.
III – coeficiente de difusão do ouro (Au) =2,5 x 19-15 m2/s.
IV – coeficiente de difusão do cobre (Cu) = 4 x 10-13m2/s.
Com base nesses dados e no enunciado da questão, o metal mais indicado para a formação das linhas de interconexão é
 a) Prata - Ag.
 b) Alumínio - Al.
 c) Ouro - Au.
 d) Cobre - Cu.
 e) Nenhum dos metais, pois todos são semicondutores.
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Questão 1611: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./MANUEF/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Abaixo são citadas características de dois tipos de etching: o seco e o molhado.
I – É anisotrópico, por isso, menos suscetível a remoções laterais indesejadas, ocorrendo em taxas mais lentas.
II – Usa agentes químicos, e apresenta remoção altamente seletiva e isotrópica.
III – Ocasiona remoção lateral indesejada
A(s) afirmativa(s) que se refere(m) ao etching seco é (são):
 a) I, II e III.
 b) II e III.
 c) I.
 d) II.
 e) III.
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Questão 1612: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PESDES/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Aponte dentre as afirmativas abaixo, aquela que NÃO é correta.
 a) Do ponto de vista do wafer, a sequência de passos no processo de fotolitografia é: aplicação do filme fotossensível, alinhamento da máscara com o wafer,
exposição do fotoresiste, revelação do padrão.
 b) O efeito da difração da luz usada para exposição com o padrão da máscara limita a resolução das estruturas.
 c) No resiste positivo as partes não expostas são dissolvidas na revelação.
 d) O ambiente da sala de fotolitografia é iluminado em um comprimento de onda que não interfere com o material fotossensível.
 e) O fotoresiste é exposto a luz ultravioleta para ser sensibilizado (usualmente as linhas g, h ou i de lâmpadas de mercúrio).
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Questão 1613: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PESDES/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
As afirmativas abaixo se referem à problemática de produção industrial eficiente de circuitos integrados.
Dentre elas aponte a que NÃO é correta.
 a) Uma maneira de aumentar o número de circuitos integrados fabricados é aumentar o diâmetro do wafer.
 b) Conhecer do rendimento de produção para cada etapa do processo de fabricação dos ICs é necessário.
 c) O rendimento global na produção de ICs é igual ao produto das eficiências de todas as etapas do processamento.
 d) Migrar para wafers maiores é a estratégia a ser seguida por todas as indústrias de microeletrônica.
 e) Controle de partículas é especialmente importante em microeletrônica devido ao tamanho dos objetos fabricados.
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Questão 1614: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./MANUEF/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
As afirmativas abaixo se referem a técnicas usadas no processo de fabricação de circuitos integrados.
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I – Técnica usada na fabricação de circuitos integrados para transferir um padrão desejado para a superfície do wafer, sendo considerada a etapa fundamental de
todo o processo.
II – Remoção seletiva de material das áreas do wafer desprotegidas.
III – Na deposição de uma camada de monocristal sobre o substrato, a camada depositada assume exatamente a orientação cristalina do substrato.
Assinale a alternativa que relaciona corretamente a afirmativa com a técnica a que se refere.
 a) I – Fotolitografia; II – Etching; III – Crescimento epitaxial.
 b) I – Crescimento epitaxial; II – Etching ; III – Fotolitografia.
 c) I – Etching; II - Crescimento epitaxial; III – Fotolitografia.
 d) I – Crescimento epitaxial; II – Fotolitografia; III – Etching.
 e) I – Fotolitografia; II – Crescimento epitaxial; III – Etching.
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Questão 1615: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O processo químico de forma seca, através da remoção por plasma, pode ser realizado por meio da utilização de plasma de oxigênio, onde ocorre a oxidação do resiste,
removendo-o da superfície. As remoções de resistes por meio de soluções líquidas são também usadas e preferidas nos processos de front end of the line (processo de
fabricação frontal e de linha do Circuito Integrado), onde a superfície e o estreito canal de condução (fonte e dreno) do circuito são
 a) sensíveis e vulneráveis aos danos causados pelo processo de remoção por plasma.
 b) sensíveis à oxidação.
 c) destruídas pela dissolução.
 d) sensíveis e vulneráveis aos danos causados pelo processo de ultrassom.
 e) resistentes à oxidação em vácuo.
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Questão 1616: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRANBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Em um dispositivo semicondutor, o movimento dos portadores de carga por deriva deve-se
 a) ao movimento aleatório resultante da agitação térmica no material semicondutor.
 b) à tensão do substrato.
 c) à aplicação de um campo elétrico no material semicondutor.
 d) à dopagem do material semicondutor.
 e) à corrente de base.
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Questão 1617: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Depois que o substrato exposto é processado, o fotorresiste é removido da superfície, deixando uma janela no dióxido de silício. Para a remoção do fotorresiste, utiliza-se
tradicionalmente uma série de processos químicos secos ou em soluções líquidas nos strippers (processos de remover completamente o resiste), que fazem com que o
resiste inche e perca sua adesão do substrato. Dentre os compostos de remoção completa de fotorresiste, qual o que tem o mecanismo de quebra de ligações e
dissolução?
 a) Oxigênio (por plasma).
 b) Acetona.
 c) Orgânicos aminos.
 d) H2O2.
 e) Água deionizada.
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Questão 1618: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O controle da limpeza e de contaminações é um fator de grande preocupação na fabricação dos dispositivos eletrônicos. Portanto, toda água utilizada no processo de
limpeza-padrão deve ser deionizada e todos os produtos químicos utilizados devem ser de grau eletrônico (grau de pureza do produto em %). Dessa forma, a água
deionizada é um produto químico muito importante usado na limpeza da lâmina e durante todo o processo de fabricação da microeletrônica. O monitoramento da limpeza
com água deionizada, entre as lavagens das lâminas de silício, ocorre avaliando
 a) a coloração da água.
 b) o odor da água.
 c) a resistividade da água.
 d) o paladar da água.
 e) a vaporização da água.
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Questão 1619: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Difusão, na fabricação de Circuitos Integrados, refere-se à migração forçada e controlada de impurezas no substrato. O perfil de impurezas resultante, que tem papel
importante no desempenhodo Circuito Integrado, é afetado pela temperatura e pelo tempo de difusão. Fontes de impurezas podem ser líquidas, gasosas e sólidas e são
colocadas em contato com o silício do substrato. Dentre as impurezas gasosas, as mais usadas como dopantes do tipo p e dopantes do tipo n, respectivamente, são
 a) B2H6 e PH3.
 b) PH3 e AsH3.
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 c) PH3 e B2H6.
 d) BCl3 e B2H6.
 e) AsH3 e BCl3.
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Questão 1620: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRANBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Para uma junção “pn”, sabe-se que a capacitância de junção sem aplicação de tensão Cj0 é igual a 1,6 pF, que a tensão interna da junção V0 é igual a 0,5 V e que o
coeficiente de graduação da junção é igual a 0,5. Ao ser aplicada uma tensão de polarização reversa de 1,5 V, a capacitância da junção será igual a:
 a) 0,8 pF.
 b) 2,4 pF.
 c) 16 pF.
 d) 1,6 pF.
 e) 8 pF.
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Questão 1621: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRANBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Para uma junção “pn” com concentração de átomos aceitadores de carga NA = 1015 cm-3 e com concentração de átomos doadores de carga ND = 1015 cm-3, a largura
da região de depleção é igual a: (Considere: concentração de elétrons livres intrínsecos ni igual a 1010 cm-3, carga elétrica elementar igual a 1,6 x 10-19 C, permissividade
do vácuo ε0 igual a 8,85 x 10-12 F/m e a permissividade do silício igual a 56,64ε0. Considere, ainda, nos cálculos que ln 10 = 2,3).
 a) 2212,5 Å.
 b) 4071 Å.
 c) 4425 Å.
 d) 2212,5 nm.
 e) 4450 nm.
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Questão 1622: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRANBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um transistor “npn” tem uma área de emissor de 10 μm x 10 μm. As concentrações de dopantes são as seguintes: no emissor é igual a 1019 cm-3, na base é igual a 1018
cm-3 e no coletor é igual a 1015 cm-3. O transistor está operando a 27 °C e nessa temperatura a concentração de elétrons livres intrínsecos ni = 1010 cm-3. Para os
elétrons em difusão na base, o comprimento da região de difusão é igual a 10 μm e a constante de difusão é igual a 20 cm2/s. Para lacunas em difusão no emissor, o
comprimento da região de difusão é igual a 0,6 μm e a constante de difusão é igual a 1,8 cm2/s. Supondo que largura da base é igual a 2 μm, pode-se afirmar que os
valores da corrente de saturação e do ganho de corrente de emissor comum são iguais a, respectivamente: (nos cálculos, assuma que o valor da carga elétrica elementar
é igual a 1,6 x 10-19 C)
 a) 1,6 x 10-18 A e 200.
 b) 16 x 10-18 A e 100.
 c) 1,6 x 10-15 A e 300.
 d) 36 x 10-15 A e 200.
 e) 3,2 x 10-20 A e 400.
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Questão 1623: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um procedimento-padrão de limpeza na fabricação de Circuitos Integrados é verificar se os recipientes e materiais que serão manipulados estão limpos. Isso ocorre antes
mesmo da limpeza das lâminas de silício, para evitar a contaminação. Nesse caso, ocorrem 2 (duas) etapas de limpeza desses materiais: a de pré-lavagem e a de retirada
de gordura. A etapa de pré-lavagem é realizada com detergente apropriado. Outra possibilidade é que, em vez da lavagem com detergente, as vidrarias do laboratório
sejam mergulhadas em uma solução denominada
 a) BOE.
 b) SPM.
 c) SC1.
 d) SC2.
 e) Água régia (HCl/HNO3).
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Questão 1624: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Uma forma sistemática de limpeza, denominada limpeza acústica, utiliza um "mecanismo suave de limpeza". O processo gera ondas sonoras que vibram os materiais.
Esse processo é usado mais frequentemente nas indústrias de semicondutores, porque é menos susceptível de causar danos, especialmente para aqueles materiais
sensíveis que precisam ser limpos regularmente. Os tipos mais comuns dessa tecnologia são o ultrassom e o megasonic. Qual a principal diferença entre o sistema de
limpeza ultrassônica e megasonic?
 a) O ultrassom utiliza frequência mais elevada.
 b) O ultrassom gera cavitação controlada.
 c) O megasonic causa efeitos de cavitação menos violentos.
 d) Ondas de ultrassom podem ser captadas pela audição humana.
 e) Quando o megasonic causa danos ao material, é indicado o ultrassom.
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Questão 1625: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Nos últimos anos, tem-se inserido continuamente a automatização na produção de Circuitos Integrados em larga escala. No caso específico do sistema de dosagem, têm
sido desenvolvidos equipamentos para operacionalizar, de forma automatizada e exata, a dosagem de produtos químicos necessárias ao processo produtivo. Em razão do
seu conceito de operação, o sistema de dosagem progressiva
 a) não necessita de ajuste da vazão via curso de bomba.
 b) é indicado somente para serviços de dosagem elevada (da ordem de 2.500L/h ou superiores).
 c) é indicado somente para serviços de dosagem baixa (da ordem de 0,25L/h).
 d) necessita de ajuste da vazão via curso de bomba.
 e) não permite a integração e/ou intertravamento com outras variáveis de processo.
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Questão 1626: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRANBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Deseja-se utilizar um capacitor a partir de tecnologia MOS (Metal-Óxido-Semicondutor), utilizando a metalização da porta e o substrato como os eletrodos do capacitor.
Suponha que se pretenda fabricar um capacitor quadrado com 9,8 pF, com espessura da camada de óxido igual a 5 nm. As dimensões máximas do capacitor serão:
(considere que a permissividade do vácuo seja igual a 8,85 x 10-12 F/m e que a permissividade do óxido seja igual a 22,125 vezes a permissividade do vácuo)
 a) 70 x 70 μm.
 b) 35 x 35 μm.
 c) 36 x 36 μm.
 d) 40 x 40 μm.
 e) 31 x 31 μm.
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Questão 1627: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRANBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Sobre os resistores em silício policristalino, fabricados nos processos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar), é correto afirmar que:
 a) São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “n+” depositadas entre o substrato “p” e a camada espessa de óxido, e a
variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.
 b) São fabricados aproveitando a cavidade “n” como resistor e possuem casamento de valores de cerca de 5%.
 c) São fisicamente separados do substrato e possuem capacitâncias parasitárias reduzidas.
 d) São auto-isolados pelas junções “pn” reversamente polarizadas e possuem capacitâncias parasitárias elevadas.
 e) São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “p+” depositadas entre a cavidade “n” e a camada espessa de óxido, e a
variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.
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Questão 1628: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITECS.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Antes do uso, as lâminas de silício são limpas quimicamente para remover partículas e contaminações da superfície, assim como alguns vestígios de impurezas orgânicas,
inorgânicas e metálicas. Um procedimento bastante utilizado é o SC1. Com relação a esse procedimento padrão, uma observação é feita: a solução não deve ser fervida.
Essa observação tem o seguinte objetivo:
 a) Propiciar a decomposição de H2O2 e a volatilização da amônia.
 b) Produzir os gases H2 e O2.
 c) Evitar a decomposição de H2O2 e a volatilização da amônia.
 d) Evitar um excessivo borbulhamento e formação de bolhas.
 e) Evitar o desperdício de energia.
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Questão 1629: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRANBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um transistor MOS (Metal-Óxido-Semicondutor) de canal “n” foi fabricado com comprimento mínimo da porta de 2 μm. Além disso, a transcondutância do processo k’n é
igual a 10 μA/V2 e a tensão de limiar é igual a 0,5 V. Sabe-se que o transistor opera na região de triodo com tensão de dreno para fonte muito pequena e com a tensão
de porta para fonte de +5,5 V. Considerando que se deseja assegurar que a mínima resistência disponível seja de 1 kΩ, a largura do transistor deve ser
aproximadamente igual a:
 a) 10 μm.
 b) 50 μm.
 c) 0,04 μm.
 d) 1 μm.
 e) 20 μm.
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Questão 1630: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A cromagem ou cromação é um processo pertencente à galvanoplastia que utiliza a tecnologia de imersão em produtos químicos sobre um material. A deposição de
cromo, em geral, ocorre através de eletrodeposição (processo eletrolítico de revestimento de superfícies com metais) a fim de torná-lo mais resistente à corrosão, para
alterar suas características elétricas ou apenas por motivos estéticos. A parte inicial do processo de cromagem por imersão (o processo mais tradicional) consiste na
preparação da peça por meio de banhos químicos controlados (lavagens, desengraxes, decapagem e ativação) capazes de remover impurezas, metais de base
desgastados ou simplesmente para preparo da peça em bruto. Com isso, gera um grande volume de efluentes contendo metais pesados. Isso acarreta um impacto
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diretamente em custos com licenciamento ambiental, certificações de processos e tratamento de rejeitos líquidos, sólidos e gasosos. Dessa forma, a automatização do
processo de cromagem em larga escala, com relação à minimização dos impactos ambientais, possibilita
 a) minimizar o volume de efluente químico gerado.
 b) diminuir os custos do licenciamento ambiental.
 c) aumento do consumo de produtos químicos.
 d) aumentar o tempo de escorrimento.
 e) utilizar solventes clorados.
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Questão 1631: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
No processamento de um fotorresiste, as distintas viscosidades decorrentes determinam a sua espessura em função da velocidade de rotação do substrato durante seu
espalhamento. Depois de espalhado sobre o substrato, o fotorresiste deve passar por um cozimento pré-exposição, a temperaturas superiores à de sua transição vítrea
(55°C), para que evapore o solvente do resiste. Em seguida, deve ser exposto à radiação ultravioleta. Um enxágue final é utilizado para a remoção final de resíduos que
permanecem sobre o substrato, a fim de se evitar a contaminação. Esse enxágue final, em geral, é realizado com
 a) Acetona.
 b) Água boricada.
 c) Amônia.
 d) Água oxigenada.
 e) Álcool iso-propílico.
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Questão 1632: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRANBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Cada fio de um par de interconexões de 1 mm tem distribuição linear de capacitância de 2,5 fF/μm em relação ao plano de terra representado pelo substrato e 2,5 fF/μm
em relação ao fio adjacente. Cada interconexão é ligada a um inversor CMOS com resistência de 20 kΩ. Pode-se afirmar que os retardos de contaminação e de
propagação ao longo do caminho das interconexões serão, respectivamente, iguais a: (despreze a capacitância parasita do inversor CMOS e a resistência dos fios)
 a) 25 ns e 75 ns.
 b) 2,5 ns e 7,5 ns.
 c) 5 ns e 90 ns.
 d) 50 ns e 150 ns.
 e) 45 ns e 45 ns.
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Questão 1633: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A falta da adesão do fotorresiste em muitas películas da superfície do filme é um problema geralmente encontrado no processamento do silício. A fim de promover a
adesão, a superfície da lâmina é tratada com um promotor de adesão como o hexametildisilazano (HMDS, (H3C)3-Si-NH-Si-(CH3)3) antes da aplicação do fotorresiste.
Esse tratamento fornece uma boa adesão do fotorresiste para uma variedade de filmes, incluindo o dióxido de silício contendo o fósforo, silício policristalino, nitreto de
silício (Si3N4) e o alumínio. O HMDS pode ser aplicado diretamente sobre o substrato ou aplicado em pressão reduzida, em um forno a vácuo, com o objetivo principal de
 a) formar uma camada bimolecular na superfície da lâmina, tornando-a hidrofóbica, o que permite a condensação de umidade.
 b) formar uma camada bimolecular na superfície da lâmina, tornando-a hidrofóbica, o que impede a condensação de umidade.
 c) formar uma camada monomolecular na superfície da lâmina, tornando-a hidrofílica, o que permite a condensação de umidade.
 d) formar uma camada monomolecular na superfície da lâmina, tornando-a hidrofóbica, o que impede a condensação de umidade.
 e) funcionar como equalizador para lâminas com mesmos tempos de estocagem.
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Questão 1634: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Ao longo das experiências em laboratórios, muitas adaptações e mudanças têm sido aplicadas na forma original das soluções RCA (Radio Corporation of America). Pelos
bons resultados obtidos nas práticas de limpeza com essas soluções, sua importância nos frequentes processos de limpeza nos laboratórios as torna notáveis. Há uma
perspectiva de que o processo RCA continue sendo, ainda por muito tempo, utilizado na limpeza das lâminas de silício. Dentre algumas modificações no uso das soluções
RCA, tem sido testado a mudança de concentração, pois soluções mais concentradas
 a) produzem menos rugosidade superficial, são mais rentáveis e fácil de serem removidas.
 b) produzem mais rugosidade superficial, são mais rentáveis e fácil de serem removidas.
 c) produzem menos rugosidade superficial, são mais rentáveis, apesar de serem difíceis para serem removidas.
 d) produzem mais rugosidade superficial, apesar de serem menos rentáveis e difíceis de serem removidas.
 e) produzem menos rugosidade superficial, além de serem menos rentáveis e difíceis de serem removidas.
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Questão 1635: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Antes do uso, as lâminas de Silício são limpas quimicamente para remover partículas e contaminações da superfície. Além disso, também devem ser eliminados os
vestígios de impurezas orgânicas, inorgânicas e metálicas. Um procedimento bastante conhecido e usado nos laboratórios e nas indústrias de fabricação deCircuito
Integrado para a limpeza destas partículas é denominado RCA (Radio Corporation of America). Em uma das etapas do processo RCA, as lâminas de Silício são imersas em
uma solução SC2, para a eliminação de
 a) gorduras e resíduos inorgânicos.
 b) resíduos inorgânicos e microorganismos.
 c) resíduos inorgânicos e resíduos orgânicos.
 d) gorduras e alguns metais pesados.
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 e) resíduos orgânicos e gordura.
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Questão 1636: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRANBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Seja um “wafer” (disco de silício) com densidade de defeitos de 4 defeitos/cm2. Suponha que, a partir do “wafer” produzido, sejam obtidos chips de 2 mm x 2 mm. Pode-
se afirmar que o “yield” para cada tipo de chip será, respectivamente, igual a: (para o cálculo do “yield” considere o modelo de Murphy e considere e-0,01 = 0,99)
 a) 99,0%.
 b) 99,9%.
 c) 9,9%.
 d) 99,5%.
 e) 100%.
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Questão 1637: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Controlar os defeitos gerados na lâmina é mais crítico para dispositivos/circuitos com menores características de tamanho, alta densidade e em lâminas maiores. Dessa
forma, a indústria eletrônica tem investido cada vez mais em minimizar os defeitos na máscara. Isso porque os defeitos em uma máscara/retículo acabam causando
defeitos na lâmina (substrato) ou desvio de padrão. Um dos defeitos comuns que ocorrem na máscara/retículo é a contaminação com sujeira ou manchas na parte clara
da máscara/retículo. Em óptica litográfica, esses defeitos podem ter a seguinte consequência:
 a) bloquear a luz e imprimir, na lâmina, uma região transparente onde deveria ser opaca.
 b) bloquear a luz e imprimir, na lâmina, uma região opaca onde deveria ser transparente.
 c) permitir que toda a luz chegue à lâmina, tornando-a opaca.
 d) bloquear a luz e imprimir, na lâmina, uma região transparente onde deveria ser translúcida.
 e) permitir que toda a luz chegue à lâmina, tornando-a translúcida.
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Questão 1638: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRANBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Sobre a fabricação de um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”), pode-se afirmar que a seguinte etapa desse processo é dita auto-alinhada:
 a) “Sputtering”.
 b) Oxidação.
 c) Difusão.
 d) Deposição de vapor químico.
 e) “Etching”.
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Questão 1639: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A limpeza das lâminas é fundamental num processo de microfabricação. Para garantir uma limpeza eficaz, com a menor quantidade possível de impurezas, em geral,
segue-se um processo padrão RCA (Radio Corporation of America). Esse processo consiste de uma sequência de etapas. A etapa SC1 tem como objetivo, principalmente,
a eliminação de contaminantes
 a) orgânicos.
 b) atômicos.
 c) inorgânicos.
 d) iônicos.
 e) poliméricos.
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Questão 1640: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Durante a fabricação dos Circuitos Integrados, após o processamento das lâminas, elas seguem para uma etapa em que cada circuito é testado. Os circuitos que não
passarem no teste são marcados na lâmina com uma gota de tinta para serem descartados em uma etapa posterior. O rendimento de um processo de fabricação de
circuitos é dado pela relação entre a quantidade de circuitos bons pela quantidade de circuitos total na lâmina. O rendimento de uma lâmina depende fortemente da área
do circuito e da densidade de defeitos na lâmina. Esses defeitos podem ser atribuídos a algumas partículas de poeira no substrato ou que caem no substrato durante o
processamento e que podem causar defeitos como
 a) elevada aderência.
 b) diminuição da rugosidade.
 c) espalhamento do resiste.
 d) aumento da uniformidade.
 e) dopagem seletiva.
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Questão 1641: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A busca constante pelo aumento na integração de dispositivos em sistemas integrados é caracterizada por uma acentuada redução nas dimensões verticais e horizontais.
Essa redução das dimensões dos dispositivos faz melhorar seu desempenho. Dentre as reduções dimensionais, está a da espessura do óxido de porta do capacitor.
Porém, essa redução gradual na espessura do óxido de porta não pode ser acompanhada de perdas de qualidade e/ou confiabilidade, de robustez dielétrica, e introdução
de mecanismos parasitários. Assim, para manter ou mesmo aumentar a qualidade dos óxidos, apesar da redução na espessura, faz-se necessário um maior cuidado e um
maior controle de contaminação metálica nas lâminas ou nas soluções, pois podem causar diretamente nas lâminas de SiO2:
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 a) elevação da aderência.
 b) oxidação.
 c) degradação.
 d) elevação da rugosidade.
 e) aumento da uniformidade.
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Questão 1642: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O tratamento químico prévio de substratos de Si tem sido alvo de inúmeras pesquisas, objetivando reduzir as temperaturas utilizadas no posterior tratamento térmico dos
substratos. Isso tem grande importância tecnológica, eliminando os efeitos indesejáveis de deformação das lâminas e difusão de dopantes, dentre outros. Sabe-se que
lâminas de silício comerciais apresentam uma camada de óxido nativo e uma camada de contaminação por hidrocarbonetos. Essas camadas devem ser removidas do
substrato para que se possa obter um filme de boa qualidade. Dentre as soluções com HF utilizadas, a menos agressiva ao substrato é comumente conhecida como
 a) Solução piranha.
 b) BOE (Buffered Oxide Etchant).
 c) DHF (HF/H2O).
 d) Sulfo-crômica.
 e) Água régia.
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Questão 1643: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRANBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Seja um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) em um processo de 0,6 μm com espessura do óxido da porta de 10 nm. A concentração de dopantes
aceitadores de carga NA é igual a 5 x 1018 cm-3 e a tensão de limiar nominal é igual a 5 V. Se tensão da fonte for igual a 440 mV, a variação na tensão de limiar à
temperatura ambiente será igual a:
(Considere os seguintes parâmetros: permissividade do vácuo ε0 = 8,85 x 10-14 F/cm; permissividade absoluta do óxido εox = 4ε0; permissividade absoluta do silício εSi =
88,5ε0; carga elétrica elementar q = 1,6 x 10-19 C; tensão térmica VT = 25 mV e concentração intrínseca de portadores de carga ni = 1010 cm-3 à temperatura ambiente.
Considere, ainda, para os cálculos que: ln 5 = 1,6 e ln 10 = 2,3.)
 a) 0,2 V.
 b) 3 V.
 c) 2 V.
 d) 0,6 V.
 e) 0,06V.
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Questão 1644: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A limpeza das lâminas de silício é fundamental num processo de microfabricação. Para garantir uma limpeza eficaz,com a menor quantidade possível de impurezas,
segue-se um processo padrão de uma sequência de etapas. No caso da eliminação, principalmente, de gordura, utiliza-se uma solução denominada piranha, a qual pode
ser representada como:
 a) NH4OH/H2O2/H2O.
 b) HF/H2O.
 c) H2SO4/H2O2.
 d) HCl/H2O2/H2O.
 e) Água deionizada.
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Questão 1645: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Os processos de produção desenvolvidos pela área de Microeletrônica têm colaborado com o desenvolvimento de tecnologias limpas em outras áreas do conhecimento.
Das técnicas advindas da Microeletrônica, destaca-se a deposição química a vapor enriquecida por plasma. As principais vantagens do uso de plasmas no tratamento de
superfícies são:
 a) exclusivamente, os efeitos do tratamento que não penetram mais do que 100Å.
 b) exclusivamente, a rapidez da modificação.
 c) os efeitos do tratamento que penetram mais do que 100Å e a rapidez da modificação.
 d) exclusivamente, a minimização dos problemas associados ao descarte de produtos químicos gerados pela utilização de soluções aquosas em microeletrônica.
 e) os efeitos do tratamento que não penetram mais do que 100Å, a rapidez da modificação e a minimização dos problemas associados ao descarte de produtos
químicos.
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Questão 1646: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um circuito integrado é um dispositivo microeletrônico que consiste de muitos transistores e outros componentes interligados capazes de desempenhar muitas funções.
Suas dimensões são extremamente reduzidas e seus componentes são formados em pastilhas de material semicondutor. A importância da integração está no baixo custo
e no alto desempenho, além do tamanho reduzido dos circuitos aliados à alta confiabilidade e estabilidade de funcionamento. Para isto, é necessário um cuidado maior
nas etapas de limpeza industrial. Com relação à remoção de óxido, SiO2, nativo da superfície de silício, utiliza-se HF(aq) à temperatura ambiente, o qual não poderá ser
reservado em recipientes de vidro pois provoca a corrosão do vidro através da reação, representada corretamente pela equação termoquímica balanceada:
 a) 
 
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SiO2 ( s ) + 4HF (aq ) → SiF4 (g ) + 2H2O ( 1 ) .
 
 b) 
 
SiO2 ( s ) + HF (aq ) → SiF4 (g ) + H2O ( 1 ) .
 
 c) 
 
SiO2 ( s ) + 4HF (aq ) → SiF4 ( s ) + 2H2O ( 1 ) .
 
 d) 
 
SiO2 ( s ) + 4HF (aq ) → SiF4 (g ) + 2H2O ( v ) .
 
 e) 
 
SiO2 ( s ) + 4HF (aq ) → SiF4 ( s ) + 2H2O ( v ) .
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Questão 1647: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O processo de limpeza padrão utilizado na fabricação de Circuitos Integrados consiste em uma sequência de etapas, e tem como objetivo principal garantir uma limpeza
eficaz das lâminas, com a menor quantidade possível de impurezas. Para a remoção de compostos orgânicos, há 2 (duas) observações importantes no preparo da mistura
de limpeza (H2SO4/H2O2): (1) adicionar primeiro o H2O2 e (2) deixar a mistura resfriar antes de reservá-la em um recipiente. Essas observações se devem,
respectivamente,
 a) ao processo endotérmico e à decomposição da água oxigenada.
 b) ao processo exotérmico e à decomposição da água oxigenada.
 c) à liberação rápida de calor e à condensação da água oxigenada.
 d) à absorção rápida de calor e à decomposição de ácido sulfúrico.
 e) ao processo exotérmico e à decomposição de ácido sulfúrico.
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Questão 1648: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O estudo e desenvolvimento de processos de oxidação de Si permitiram em 1960 o desenvolvimento do transistor de efeito de campo com porta isolada, ou seja, o
transistor MOSFET ou simplesmente MOS. Os dispositivos MOS apresentavam uma interface SiO2/Si de muito boa qualidade, com baixa densidade de estados de
superfície. Mas, apesar disso, apresentavam uma estabilidade pobre, causando um atraso de mais de 10 anos para seu uso em grande escala. O motivo desse problema
era a falta de controle de contaminação de impurezas. Mais especificamente, as impurezas responsáveis por cargas positivas dentro do isolante de porta e que causam
um desvio na tensão de limiar dos transistores (altera a densidade de portadores induzidos no canal). Dentre as impurezas catiônicas possíveis, tem-se a impureza de
 a) Cl2.
 b) O2.
 c) Na.
 d) N2.
 e) S(rômbico).
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Questão 1649: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Antes do uso, as lâminas de Silício são limpas quimicamente para remover partículas e contaminações da superfície, assim como alguns vestígios de impurezas orgânicas,
inorgânicas e metálicas. Entretanto, um problema relevante nos processos de limpeza é a remoção dos metais da superfície da lâmina. Existem íons que não são
dissolvidos na maioria das soluções de limpeza ou de “decapagem”. Nesse caso, se adiciona ácido acético, capaz de se unir aos íons metálicos para que não se depositem
na lâmina. Dentre os metais contaminantes, aquele que necessita do ácido acético para ser eliminado é o:
 a) Ag.
 b) Cu.
 c) Cd.
 d) Zn.
 e) PB.
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Questão 1650: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LIMPEZ/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Os filmes finos utilizados na fabricação dos Circuitos Integrados devem apresentar características rigorosamente controladas. A espessura, a estrutura atômica e a
composição química devem ser uniformes, com baixa densidade de defeitos e mínima contaminação por partículas. Dessa forma, as limpezas químicas em microeletrônica
exercem um papel muito importante, pois permitem
 a) Elevar a aderência, enfraquecendo a ligação atômica na zona de interface.
 b) Minimizar a aderência, elevando as tensões internas no filme depositado.
 c) Desprender o filme fino com o seu rompimento.
 d) Evitar o comportamento falho dos dispositivos.
 e) Formar reações de oxidação entre o filme e o substrato.
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Questão 1651: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O conceito de Rastreabilidade Metrológica ou, simplesmente, Rastreabilidade pode ser descrito como
 a) propriedade de um resultado de medição pela qual tal resultado pode ser relacionado a uma referência através de uma cadeia ininterrupta e documentada de
calibrações, cada uma contribuindo para a incerteza de medição.
 b) sequência de padrões e calibrações utilizada para relacionar um resultado de medição a uma referência.
 c) provimento de evidência objetiva de que um dado item atende a requisitos especificados.
 d) comparabilidade de resultados de medição que, para grandezas de um tipo determinado, são rastreáveis metrologicamente à mesma referência.
 e) relação matemática entre todas as grandezas que, sabidamente, estão envolvidas numa medição.
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Questão 1652: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRANBA/2012
Assunto: Tópicos avançadosem microeletrônica
Em uma barra de silício com seção transversal medindo 5 μm x 4 μm e com densidade de elétrons livres e de lacunas de 108cm-3 e 1010cm-3, respectivamente, verifica-
se um fluxo de corrente de 51,2 μA quando se aplica uma tensão de 1 V nas suas extremidades. Considerando as mobilidades dos elétrons livres e das lacunas como
sendo μn = 2400 cm2/Vs e μp = 1000 cm2/Vs, respectivamente, pode-se afirmar que o comprimento da barra de silício é igual a:
(Considere o valor da carga elétrica elementar como 1,6 x 10-19 C)
 a) 16 μm.
 b) 32 μm.
 c) 64 μm.
 d) 320 μm.
 e) 160 μm.
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Questão 1653: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRANBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Em um projeto de uma memória ROM (Read Only Memory) MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) de 16 palavras x 4 bits, deseja-se armazenar a soma de 4 bits de duas
variáveis de 2 bits. Para tal, serão necessários:
 a) 4 transistores pMOS e 14 transistores nMOS.
 b) 8 transistores pMOS e 16 transistores nMOS.
 c) 4 transistores pMOS e 22 transistores nMOS.
 d) 8 transistores pMOS e 32 transistores nMOS.
 e) 4 transistores pMOS e 20 transistores nMOS.
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Questão 1654: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRANBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Alguns anéis de pad existentes nas entradas de dispositivos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) contêm implementações de Schmitt triggers, cuja histerese
eleva o ponto de chaveamento quando o sinal de entrada é baixo e o reduz quando o sinal de entrada é alto. A função desse circuito nessas estruturas é
 a) reduzir o retardo de propagação nos circuitos digitais CMOS.
 b) ajudar a filtrar transientes que podem ocorrer se o sinal de entrada se elevar lentamente ou for muito ruidoso.
 c) oferecer um backup, em caso de falha do inversor CMOS, na alteração do nível lógico de um circuito digital.
 d) impedir a eletromigração no anel de pad.
 e) atuar como amplificadores do sinal de entrada.
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Questão 1655: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O Sistema Internacional de Unidade (SI) é um sistema coerente de unidades adotado e recomendado pela Conferência Geral de Pesos e Medidas (CGPM), o qual é
baseado em algumas unidades-base. Acerca desse assunto, pode-se afirmar que as unidades-base para as grandezas intensidade luminosa, quantidade de matéria e
temperatura termodinâmica são, respectivamente,
 a) candela, mol e kelvin.
 b) lux, quilograma e graus Celsius.
 c) lúmen, grama e graus centígrados.
 d) candela, mol e graus Celsius.
 e) lux, grama e kelvin.
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Questão 1656: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Em relação aos conceitos básicos de metrologia, a operação que estabelece uma relação entre os valores e as incertezas de medição fornecidas por padrões e as
indicações correspondentes com as incertezas associadas é conhecida como
 a) calibração.
 b) verificação.
 c) ajuste.
 d) certificação.
 e) validação.
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11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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Questão 1657: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
As interações entre um feixe de íons incidente e uma amostra NÃO ocasionam
 a) emissão de raios-X.
 b) emissão de átomos neutros.
 c) emissão de íons.
 d) aprisionamento dos íons incidentes na matriz da amostra.
 e) emissão de elétrons.
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Questão 1658: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Considere dois feixes incidentes distintos – um de elétrons e o outro de íons. Com relação a esses feixes, pode-se afirmar que
 a) tanto os feixes de íons quanto o de elétrons penetram profundamente em amostras com elementos de elevado número atômico.
 b) os feixes de íons penetrarão mais profundamente que o de elétrons, independente da amostra, devido a sua maior quantidade de movimento.
 c) os feixes de íon atravessam completamente qualquer tipo de amostra.
 d) devido as suas maiores dimensões, os íons têm maior probabilidade de interação com átomos da amostra, o que impede que os íons penetrem profundamente a
amostra.
 e) em consequência de seu tamanho e de sua energia, uma maior quantidade de raios-X é emitida por uma amostra quando bombardeada por um feixe de íons,
comparando-se com a mesma amostra bombardeada por um feixe de elétrons.
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Questão 1659: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O que visa a técnica de Multi-Vt, e qual o mecanismo empregado?
 a) A técnica de multi-Vt visa diminuir o consumo dinâmico mas procurando manter a performance global utilizando células com dispositivos de alto Vt (baixas
correntes de fuga mas maiores tempos de atraso) juntamente com células de dispositivos de baixo Vt (correntes de fuga mais altas e menores atrasos).
 b) A técnica de multi-Vt visa diminuir o consumo estático mas procurando manter a performance global utilizando células com dispositivos de alto Vt (baixas
correntes de fuga mas maiores tempos de atraso) juntamente com células de dispositivos de baixo Vt (correntes de fuga mais altas e menores atrasos).
 c) A técnica de multi-Vt visa diminuir o consumo estático mas procurando manter a performance global alterando de forma dinâmica, através do fenômeno de efeito
de corpo, a tensão de Vt dos transístores.
 d) A técnica de multi-Vt visa diminuir o consumo dinâmico mas procurando manter a performance global alterando de forma dinâmica, através do fenômeno de efeito
de corpo, a tensão de Vt dos transístores.
 e) A técnica de multi-Vt visa diminuir o consumo estático mas procurando manter a performance global alterando de forma dinâmica, através do fenômeno de efeito
de corpo, a tensão de Vt dos transístores.
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Questão 1660: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Leia atentamente as alternativas abaixo:
I – A espectroscopia de elétrons Auger não possibilita a detecção dos elementos hidrogênio e hélio.
II – A espectrometria de fotoelétrons por raios-X é uma técnica de superfície altamente específica devido ao curto alcance dos elétrons excitados do sólido. Além
da análise dos elementos presentes, pode fornecer informações sobre as ligações químicas.
III – A fluorescência de raios-X por reflexão total é uma técnica muito sensível capaz de detectar materiais em concentrações baixíssimas.
Assinale a alternativa que contém afirmativas verdadeiras.
 a) Somente I.
 b) Somente II.
 c) Somente III.
 d) Somente III e II.
 e) I, II e III.
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Questão 1661: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Dentre as técnicas de análise abaixo, assinale aquela que pode ser utilizada com pouco ou nenhum vácuo.
 a) Espectroscopia de elétrons Auger.
 b) Microscopia eletrônica de varredura com fonte termoiônica.
 c) Espectrometria de massa por íons secundários.
 d) Microscopia eletrônica de varredura com canhão de emissão de campo.
 e) Microscopia de força atômica.
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Questão 1662: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Com base nas afirmativas abaixo, assinale a alternativa que apresenta as características de um fônon
I – Ondas elásticas que se propagam pela rede cristalina.
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II – Propagam-se com velocidade igual à velocidade do som no meio de propagação.
III – Propagam-se com velocidade igual à velocidade da luz no vácuo.
 a) I.
 b) II.
 c) III.
 d) I e II.
 e) II e III.
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Questão 1663: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Abaixo são citadas desvantagens de um dos tipos de fonte de elétrons utilizada em um microscópio eletrônico de varredura:
1 – Evaporação do catodo.
2 – Baixo brilho.
A fonte a que se refere as desvantagens mencionadas é a fonte
 a) termoiônica.
 b) de emissão por campo térmica.
 c) de emissão por campo fria.
 d) de emissão por campo (Schottky).
 e) termoiônica ou de emissão de campo.
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Questão 1664: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Considere os seguintes componentes de um equipamento de análises: canhão de elétrons, lentes magnéticas, câmara de vácuo e detectores.
O equipamento que, em linhas gerais, possui todos os componentes acima é
 a) microscópio de força atômica.
 b) microscópio eletrônico de varredura.
 c) equipamentos para análise de fluorescência de raio-X.
 d) equipamento para análise de infravermelho por transformada de Fourier.
 e) elipsômetro espectral.
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Questão 1665: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Exige o recobrimento de amostras não condutoras com uma camada de material condutivo. A metalização das amostras pode contribuir para melhorar o contraste.
A técnica cuja preparação da amostra possui as características acima é
 a) elipsometria Espectral.
 b) fluorescência de raios-X por reflexão total.
 c) espetroscopia de infravermelho por transformada de Fourrier.
 d) microscopia eletrônica de varredura.
 e) imageamento por emissão focalizada de íons.
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Questão 1666: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O que visa a técnica de Multi-supply voltage, e qual o mecanismo empregado?
 a) A técnica de multi-supply voltage visa diminuir o consumo total, mas procurando manter a performance do circuito, ao utilizar maiores tensões de alimentação em
trechos não críticos do circuito, já que a maior tensão de alimentação resultaria em menor consumo mas em maiores tempos de atraso. Nos caminhos críticos seriam
utilizadas tensões menores visando-se otimizar a performance.
 b) A técnica de multi-supply voltage visa diminuir o consumo total ao variar, continuamente, a tensão de alimentação do circuito todo procurando equilibrar um baixo
consumo (conseguido em tensões menores) com uma performance aceitável (a velocidade aumenta com o aumento da tensão de alimentação).
 c) A técnica de multi-supply voltage visa diminuir o consumo total, mas procurando manter a performance do circuito, ao utilizar tensões de alimentação menores em
trechos não críticos do circuito, já que a menor tensão de alimentação resultaria em menor consumo mas em maiores tempos de atraso. Nos caminhos críticos seriam
utilizadas tensões maiores visando-se otimizar a performance.
 d) A técnica de multi-supply voltage visa diminuir o consumo total ao variar, em níveis fixos pré-definidos, a tensão de alimentação de alguns blocos circuitais,
procurando equilibrar um baixo consumo (conseguido em tensões menores) com uma performance aceitável (a velocidade aumenta com o aumento da tensão de
alimentação).
 e) A técnica de multi-supply voltage visa diminuir o consumo total ao variar, em níveis fixos pré-definidos, a tensão de alimentação do circuito todo procurando
equilibrar um baixo consumo (conseguido em tensões menores) com uma performance aceitável (a velocidade aumenta com o aumento da tensão de alimentação).
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Questão 1667: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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A técnica que pode ser aplicada para a análise de materiais isolantes, pois não utiliza corrente de tunelamento, no modo contato, não contato ou no modo contato
intermitente, é
 a) microscopia de força atômica.
 b) espectrometria de infravermelho por transformada de Fourrier.
 c) microscopia eletrônica de varredura.
 d) elipsometria espectral.
 e) imageamento com feixe de íons focalizados.
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Questão 1668: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A incidência de um feixe de elétrons sobre uma amostra ocasiona interações elásticas e inelásticas. As afirmativas a seguir referem-se a esses tipos de interações.
I – Afetam a trajetória dos elétrons, sem alterar suas velocidades.
II – Originam os elétrons retro-espalhados.
III – São consequências das interações entre os elétrons da amostra e os do feixe incidente.
A(s) afirmativa(s) que se refere(m) às interações elásticas é (são)
 a) I.
 b) II.
 c) III.
 d) I e II.
 e) II e III.
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Questão 1669: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Em que consiste o efeito “Antenna” e como se pode eliminá-lo?
 a) O efeito “Antenna” surge quando a área total do metal que conecta o gate de um transistor a outros pontos do circuito for excessiva. Nesses casos, tal metal atua
como uma antena que, sob a ação de ondas eletromagnéticas presentes no ambiente, acaba por acumular carga suficiente para destruir o óxido de gate desse transistor.
Pode-se eliminar esse problema interrompendo linhas de metal muito extensas (fazendo uma conexão em outro nível de metalização), ou ligando-se um diodo
diretamente polarizado entre este metal e o substrato para escoar a carga que venha a se acumular.
 b) O efeito “Antenna” surge quando, em função do roteamento, duas áreas suficientemente grandes de metais 1 e 2 se sobrepõem, sendo que o metal 1 está ligado
ao gate de um transistor. Nessa situação, o metal 2 atua como uma antena que, sob a ação de ondas eletromagnéticas presentes no ambiente, acaba por induzir carga
suficiente no metal 1 para destruir o óxido de gate do transistor a ele ligado. Pode-se eliminar esse problema ligando um diodo diretamente polarizado entre esse metal e
o substrato para escoar a carga que venha a se acumular.
 c) O efeito “Antenna” surge quando, em função do roteamento, duas áreas suficientemente grandes de metais 1 e 2 se sobrepõem, sendo que o metal 1 está ligado
ao gate de um transistor. Nessa situação, o metal 2 atua como uma antena que, sob a ação de ondas eletromagnéticas presentes no ambiente, acaba por induzir carga
suficiente no metal 1 para destruir o óxido de gate do transistor a ele ligado. Pode-se eliminar esse problema blindando a linha de metal 2, aterrando-a.
 d) O efeito “Antenna” surge quando a áreatotal do metal que conecta o gate de um transistor a outros pontos do circuito for excessiva. Nesses casos, tal metal atua
como uma antena durante o processo de fabricação e acaba por acumular carga suficiente para destruir o óxido de gate desse transistor. Pode-se eliminar esse problema
interrompendo linhas de metal muito extensas (fazendo uma conexão em outro nível de metalização), ou ligando-se um diodo reversamente polarizado entre esse metal
e o substrato para escoar a carga que venha a se acumular.
 e) O efeito “Antenna” surge quando a área total do metal que conecta o gate de um transistor a outros pontos do circuito for excessiva. Nesses casos, tal metal atua
como uma antena durante o processo de fabricação e acaba por acumular carga suficiente para destruir o óxido de gate desse transistor. Pode-se eliminar esse problema
interrompendo linhas de metal muito extensas (fazendo uma conexão em outro nível de metalização), ou ligando-se um diodo diretamente polarizado entre esse metal e
o substrato para escoar a carga que venha a se acumular.
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Questão 1670: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A elipsometria espectral pode ser utilizada para análise de oxidação e corrosão em semicondutores. Assinale a alternativa que descreve o princípio dessa técnica de
análise.
 a) O espectro de emissão de fótons característicos de átomos ionizados é uma elipse característica de cada elemento ou substância.
 b) Os elétrons arrancados da superfície de uma amostra descrevem uma trajetória elíptica característica.
 c) Baseia-se a técnica na mudança de polarização da luz após a reflexão.
 d) Baseia-se a técnica na análise de elétrons Auger por um analisador elíptico.
 e) Baseia-se na absorção diferenciada da radiação polarizada em função da razão entre os eixos maior e menor de uma elipse.
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Questão 1671: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Considere as afirmativas abaixo:
I – formação de imagem a partir de elétrons secundários e retro-espalhados decorrentes da interação de um feixe de elétrons com uma amostra.
II – análise dos raios-X resultantes da relaxação dos átomos excitados pela interação entre o feixe primário de elétrons e a amostra.
III – análise dos raios-X secundários característicos originados da incidência de um feixe de raios-X primário sobre uma amostra segundo um ângulo inferior ao
ângulo crítico.
IV – análise da energia cinética e da quantidade de elétrons oriundos de uma amostra submetida a um feixe de raios-X incidente.
Assinale a alternativa que relaciona corretamente as afirmativas acima com as técnicas de análise a que se referem.
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 15/47
 a) I – Espectroscopia de raios-X por dispersão de energia; II – Microscopia eletrônica de varredura; III – Fluorescência de raios-X por reflexão total; IV –
Espectroscopia de fotoelétrons por raios-X.
 b) I – Microscopia eletrônica de varredura; II – Espectroscopia de raios-X por dispersão de energia; III- Fluorescência de raios-X por reflexão total; IV –
Espectroscopia de fotoelétrons por raios-X.
 c) I – Fluorescência de raios-X por reflexão total; II – Espectroscopia de fotoelétrons por raios-X; III – Microscopia eletrônica de varredura; IV – Espectroscopia de
raios-X por dispersão de energia.
 d) I – Fluorescência de raios-X por reflexão total; II – Microscopia eletrônica de varredura; III – Espectroscopia de raios-X por dispersão de energia; IV –
Espectroscopia de fotoelétrons por raios-X.
 e) I – Microscopia eletrônica de varredura; II – Espectroscopia de fotoelétrons por raios-X; III – Espectroscopia de raios- X por dispersão de energia; IV-
Fluorescência de raios-X por reflexão total.
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Questão 1672: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A energia de ligação de um elétron (em Joules), com o núcleo de um átomo, pode ser aproximada pela fórmula
E = 2.10-18(Z – b)2/n2
em que:
E = energia de ligação eletrônica (Joules).
Z = número atômico do elemento emissor dos raios-X característico.
b = constante de Moseley, com valores iguais a 1 e 7, para as camadas K e L, respectivamente.
n = nº quântico principal do nível eletrônico (n = 1 para camada K, n = 2 para camada L, etc.).
h = constante de Planck = 6,625.10-34 joules.s.
c = velocidade da luz no vácuo = 3.108 m/s.
Os comprimentos de onda das radiações emitidas nas linhas K (L-K) do Molibidênio (Z=42) e do Ferro (Z=26) são, aproximadamente, de
 a) 0,07 nm e 0,19 nm.
 b) 0,12 nm e 0,49 nm.
 c) 1,85 nm e 0,49 nm.
 d) 0,49 nm e 0,12 nm.
 e) 0,19 nm e 0,07 nm.
Esta questão não possui comentário do professor no site. www.tecconcursos.com.br/questoes/160949
Questão 1673: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Observe as afirmativas abaixo.
I – A amostra sob análise é submetida a um bombardeamento por um feixe de íons.
II – A amostra analisada é submetida a um feixe de elétrons.
III – Pode ser realizada em analisadores de massa de tempo de voo.
IV – Baseia-se na radiação emitida pela amostra após interagir com o feixe de raio-X.
As sentenças que se referem à espectrometria de massa por íons secundários são expressas na alternativa
 a) Sentenças I, II, III.
 b) Sentenças I e II.
 c) Sentenças III e IV.
 d) Sentenças I e III.
 e) Sentenças II e IV.
Esta questão não possui comentário do professor no site. www.tecconcursos.com.br/questoes/160945
Questão 1674: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Por que a técnica de clock gating afeta substancialmente o consumo de um circuito digital?
 a) Uma parcela significativa do consumo dinâmico se deve à árvore de clock. A técnica de clock gating consiste em utilizar lógica dedicada para desabilitar o clock de
blocos cujo processamento não seja requerido no momento.
 b) A técnica de clock gating, por desabilitar o clock de blocos cujo processamento não seja requerido no momento, afeta o consumo de um circuito digital por atuar
exatamente sobre o maior componente do consumo que é o consumo estático.
 c) Mesmo quando a saída de um bloco digital não é utilizada, o simples fato de o clock estar funcionando implica um elevado consumo de potência estática. A técnica
de clock gating utiliza lógica dedicada para desligar o clock de blocos quando o seu consumo atingir um certo patamar programável.
 d) Mesmo quando a saída de um bloco digital não é utilizada, o simples fato de o clock estar funcionando implica um elevado consumo de potência dinâmica. A
técnica de clock gating utiliza lógica dedicada para desligar o clock de blocos quando o seu consumo do mesmo atingir um certo patamar programável.
 e) Uma parcela significativa do consumo estático se deve à árvore de clock. A técnica de clock gating consiste em utilizar lógica dedicada para desabilitar o clock de
blocos cujo processamento não seja requerido no momento.
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Questão 1675: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Abaixo são citadas algumas características e aplicações da técnica de feixes de íons focalizados. Assinale a alternativa que NÃO está relacionada a essa técnica.
 a) Proporciona imageamento de alta resolução e capacidade de micro-usinagem.b) É aplicada na indústria de semicondutores para reparo e mascaramento de circuitos.
 c) As imagens obtidas por microscopia eletrônica de varredura fornecem um contraste, para cristais com diferentes orientações, mais pobre do que a microscopia por
feixe de íons focalizados.
 d) Quanto maior for a densidade de uma amostra, mais elétrons secundários induzidos por íons serão gerados.
 e) Um dos defeitos provocados pelo feixe de íons é a amorfização, observada somente em materiais metálicos.
Esta questão não possui comentário do professor no site. www.tecconcursos.com.br/questoes/160942
Questão 1676: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A espectroscopia de infravermelho por transformada de Fourier baseia-se na absorção de energia, na região do infravermelho do espectro eletromagnético, por uma
amostra. Essa absorção de energia, com comprimento de onda na faixa do infravermelho,
 a) será maior quanto menor a distância percorrida pelo feixe incidente.
 b) ocorrerá quando o feixe incidente possuir energia suficiente para que ocorra uma transição eletrônica na amostra.
 c) ocorrerá apenas em soluções muito diluídas.
 d) será detectada quando ocasionar uma mudança no momento dipolar de uma molécula.
 e) independerá da frequência de vibração das ligações químicas das substâncias.
Esta questão não possui comentário do professor no site. www.tecconcursos.com.br/questoes/160941
Questão 1677: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
No que se refere à microscopia de força atômica pode-se afirmar que
 a) só pode ser utilizada para análise de materiais condutores.
 b) a energia cedida para a emissão do feixe de elétrons é igual a do feixe.
 c) a energia do feixe de elétrons deve ser maior que a força de ligação interatômica.
 d) um microscópio de força atômica utiliza corrente de tunelamento para a formação das imagens.
 e) o microscópio de força atômica fornece um perfil de superfície tridimensional.
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Questão 1678: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Os microscópios eletrônicos têm seu funcionamento baseado na emissão de um feixe de elétrons sobre a amostra analisada. Com relação ao canhão de elétrons, é
CORRETO afirmar que
 a) o feixe de elétrons pode ser obtido apenas por meio do aquecimento do material da fonte.
 b) as fontes termoiônicas devem ser aquecidas a temperaturas acima de sua temperatura de fusão.
 c) as fontes de emissão de campo podem emitir feixes de elétrons à temperatura ambiente.
 d) a densidade de corrente emitida aumenta indefinidamente com o aumento de temperatura.
 e) o feixe de elétrons emitidos por uma fonte termoiônica é dito monocromático.
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Questão 1679: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Quando o feixe de elétrons incide sobre uma amostra, os elétrons dos átomos são excitados, mudando de níveis energéticos. Ao retornarem para sua posição inicial,
liberam a energia adquirida na forma de ondas com comprimento de onda no espectro de raios-X. Um detector instalado na câmara de vácuo do Microscópio Eletrônico
de Varredura mede a energia associada a esse fóton. Como a energia emitida no decaimento dos elétrons é característica para cada elemento químico, é possível, no
ponto de incidência do feixe, determinar quais os elementos químicos presentes naquela área.
A técnica descrita acima corresponde a de
 a) difração de raio-X.
 b) espectroscopia de raio-X por dispersão de energia (EDS).
 c) espectroscopia de fotoelétrons com raio-X.
 d) litografia.
 e) elipsometria espectral.
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Questão 1680: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Quais das medidas a seguir se prestam a minimizar o cross talk, IR drop, interconnect noise e electromigration, respectivamente?
 a) Blindar de trilhas críticas, se possível com plano de terra; dimensionar corretamente a largura de uma trilha evitando cantos de 90° e variações bruscas na sua
secção transversal; utilizar poços aterrados ou ligados a Vdd envolvendo blocos de alto chaveamento e também utilizar anéis de guarda para coletar portadores
minoritários; minimizar o número de quadrados numa trilha.
 b) Utilizar anéis de guarda aterrados; utilizar apenas trilhas de metal 1; aumentar o número de contatos e vias entre condutores; utilizar condutores de silício
policristalino pois ele apresenta maior condutividade.
 c) Minimizar o número de quadrados numa trilha; utilizar poços aterrados ou ligados a Vdd envolvendo blocos de alto chaveamento e também utilizar anéis de
guarda para coletar portadores minoritários; dimensionar corretamente a largura de uma trilha evitando cantos de 90° e variações bruscas na sua secção transversal;
blindar de trilhas críticas, se possível com plano de terra.
 d) Envolver blocos ruidosos em poços aterrados; empregar condutores de silício pois o mesmo apresenta maior condutividade; blindar trilhas críticas envolvendo-as
em camadas de metal 2; utilizar condutores de silício policristalino pois o mesmo apresenta maior condutividade.
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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 e) Utilizar poços aterrados ou ligados a Vdd envolvendo blocos de alto chaveamento e também utilizar anéis de guarda para coletar portadores minoritários;
minimizar o número de quadrados numa trilha; blindar de trilhas críticas, se possível com plano de terra; dimensionar corretamente a largura de uma trilha evitando
cantos de 90° e variações bruscas na sua secção transversal.
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Questão 1681: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./LABANA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Dentre as características abaixo, assinale a alternativa que NÃO se relaciona com um microscópio eletrônico de varredura.
 a) Obtenção de imagens de superfícies polidas e rugosas.
 b) Elevada profundidade de campo e alta resolução.
 c) Resolução máxima da ordem do menor comprimento de onda da luz visível.
 d) Obtenção de informações sobre a química de superfície, com o auxílio de acessório.
 e) Resolução máxima da ordem do menor comprimento de onda da luz visível.
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Questão 1682: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./IMPION/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
As trajetórias dos íons de mesma energia dentro do substrato não são idênticas, pois a perda de energia resultante das colisões é um processo aleatório, o que resulta
em um espalhamento espacial. Os alcances dos íons implantados (“ion ranges”), isto é, as posições onde os íons alcançam o repouso dentro do substrato, obedecem
a uma distribuição espacial denominada de distribuição de alcances. Dessa forma, estabelece-se um perfil de distribuição dos íons implantados dentro do
substrato. Como são denominados os alcances dos íons implantados?
 a) Alcance total (R).
 b) Alcance total (R) e Alcance projetado (Rp)
 c) Alcance total (R), Alcance projetado (Rp) e Desvio padrão do Alcance projetado 
 d) Alcance projetado (Rp), Desvio padrão do Alcance projetado e Desvio lateral da posição (alcance) final do íon na direção perpendicular à do feixe
incidente .
 e) Alcance total (R), Alcance projetado (Rp), Desvio padrão do Alcance projetado e Desvio lateral da posição (alcance) final do íon na direção perpendicular à
do feixe incidente 
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