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Engenharia de Controle e Automação Eletrônica Analógica I Aula 06 - Transistor Bipolar de Junção - Curvas características de operação Professor Dr. Edson Italo Mainardi Junior Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Mato Grosso do Sul - campus Três Lagoas • Existem três maneiras básicas de conectar um transistor em um circuito: – Emissor comum • Usada quando se deseja utilizar o transistor como chave (aberta ou fechada) ou amplificador; – Coletor comum • Pouco utilizada; – Base comum • Usada para circuitos reguladores de tensão; • O termo “comum” refere-se a qual terminal do transistor é comum às suas seções de entrada e de saída. • Configuração Emissor comum – Na Figura abaixo, note que o lado comum ou o terra de cada fonte de tensão está conectado ao emissor. – Por isso, o circuito é tratado por conexão em emissor comum (EC). – O circuito tem duas malhas. A da esquerda é a malha da base e a da direita é a malha do coletor. • Características do circuito: – Na malha da base, a fonte VBB polariza a junção base- emissor diretamente com RB como resistência de limitação de corrente. – Variando VBB ou RB, podemos variar a corrente da base. Variando a corrente da base podemos variar a corrente do coletor. – Em outras palavras, a corrente da base controla a corrente do coletor. – Isso é importante. Significa que uma corrente baixa controla uma corrente alta (coletor). – Na malha do coletor, uma fonte de tensão VCC polariza reversamente a junção base-coletor com RC. – Dessa forma, o coletor deve ser positivo para que possa coletar os elétrons livres injetados na base. • Curva característica da base: – Representa uma análise gráfica da corrente ib versus a tensão Vbe; – Note que para RB fixo, ao aumentar lentamente a tensão de entrada VBB, faz-se surgir no circuito uma pequena corrente na base (ib); – Observe ainda que a corrente na base aumenta exponencialmente quando a tensão VBB for maior que a tensão da junção base-emissor (VBE); – Logo, do gráfico veja que a curva representa a polarização da junção base-emissor, se assemelhando muito a um diodo emissor; • Curva característica do coletor: – Representa uma análise gráfica da corrente no coletor (ic) versus a tensão entre coletor e emissor (VCE); – Inicialmente, suponha que você varie VBB até obter IB desejado e constante. Com esse valor de corrente da base fixo, pode-se agora variar VCC e medir os valores de IC e VEC. – Aumentando-se lentamente VCC, injeta-se lacunas no região do coletor que irão capturar os elétrons livres que advém da base; – Logo, a corrente no coletor tende a aumentar e consequentemente VEC tende a aumentar a partir de zero. – Quando VEC é de alguns décimos de Volt, a corrente no coletor fica quase constante. – Esse fato se deve à captura de todos os elétrons que chegam à camada de depleção da junção base-coletor. – Aumentar VCC consequentemente aumentará VEC, porém a corrente de coletor ainda permanecerá constante. – O coletor só pode capturar aqueles elétrons livres que o emissor injetou na base. • Agora, observe que se VEC for maior que 40 V, o diodo coletor atingirá a ruptura e o funcionamento normal do transistor não mais acontecerá. • O transistor não é projetado para funcionar na região de ruptura. Por essa razão, um dos valores nominais máximos que devemos observar em uma folha de dados de um transistor é sua tensão de ruptura VEC(máx). • Se o transistor atingir a ruptura, ele será danificado. • Regiões de operação do TBJ: – Região ativa: • Região do meio, onde VEC está entre 1 V e 40 V. Ela representa a operação de amplificação do transistor. • Nessa região a corrente no coletor é constante; – Região de ruptura: • O transistor nunca deve operar nessa região porque ele será danificado. – Região de saturação: • VEC está entre 0 V e alguns décimos de um volt. • Nessa região, o diodo coletor tem uma tensão positiva insuficiente para que o coletor possa capturar todos os elétrons livres injetados na base. • Mais curvas – Quando traçamos várias curvas para diferentes correntes de base, obtemos um conjunto ou uma família de curvas do coletor. – Na região ativa da figura, cada corrente do coletor é 100 vezes maior que sua corrente de base correspondente. – Por exemplo, a curva superior tem uma corrente de coletor de 7 mA e a corrente da base é de 70 μA. – Isso estabelece um ganho de corrente de: • Modelo equivalente do Transistor – A Figura abaixo mostra um transistor NPN. – A tensão VBE aparece no diodo emissor e a a tensão VEC aparece nos terminais coletor-emissor. – Logo, o circuito equivalente do Transistor BJT pode ser representado por: • Conforme mostrado na Figura, o lado do coletor do transistor age como uma fonte de corrente dependente que força uma corrente no coletor com valor de β e IB pelo resistor do coletor. • Portanto, após o cálculo da corrente na base, você pode multiplicá-la pelo ganho de corrente para obter a corrente no coletor. • Exercício 01) O transistor da Figura abaixo tem β = 300. Calcule IB, IC, IE, VEC e PDC . • Exercício 02) A Figura a seguir mostra um circuito com transistor. Calcule o ganho de corrente do 2N4424 sabendo que a tensão de coletor é de 5,45V. • Exercício 03) Para o circuito a seguir, projeto o modelo equivalente do Transistor e posteriormente calcule a tensão coletor-emissor. • Exercício 04) Para o circuito a seguir, calcule, ib, ic, ie e a tensão coletor-emissor.
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