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Eletronica Analogica Objetiva

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29/04/2021 UNIASSELVI - Centro Universitário Leonardo Da Vinci - Portal do Aluno - Portal do Aluno - Grupo UNIASSELVI
https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/avaliacao/avaliacao_lista.php 1/3
Acadêmico: Andrei Tiago Sausen (1720912)
Disciplina: Eletrônica Analógica I (EEA123)
Avaliação: Avaliação Final (Objetiva) - Individual Semipresencial ( Cod.:670679) ( peso.:3,00)
Prova: 30450951
Nota da Prova: 9,00
Legenda:   Resposta Certa    Sua Resposta Errada  
1. O JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato dire
canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica. Em dispositivos JFET canal N, a corrente de dreno (Id) é controlada aplicando-
tensão reversa em sua porta-fonte (GATE-SOURCE). Deste modo uma barreira é formada na camada tipo P, expandindo-a e estreitando a passagem
corrente no canal N. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
 
(    ) Na construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n, que forma o canal entre as ca
imersas de material do tipo p. 
 (    ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do dreno (D -  drain) e na parte inferior do mesmo at
outro contato ôhmico temos a fonte (S - source). 
 (    ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate).
 (    ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain).
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) V - F - V - F.
 b) F - V - F - V.
 c) F - V - V - F.
 d) V - V - V - F.
2. Os transistores podem atuar como amplificadores ou interruptores em circuitos eletrônicos. Seu uso mais comum está nos processadores de com
nos quais são requeridos graças a sua capacidade de emular os bits por meio do aumento ou queda de tensão, de forma rápida e precisa. Com ba
contexto, analise as sentenças a seguir:
 
I- O transistor é um componente semicondutor composto por três camadas, podendo ser constituídas de dois modos distintos: duas camadas de 
semicondutor do tipo n e uma camada de material semicondutor do tipo p (sendo chamado de transistor npn) ou duas camadas de material semic
tipo p e uma camada de material semicondutor do tipo n (sendo chamado de transistor pnp).
 II- Os transistores bipolares de junção são semelhantes aos diodos de junção, embora eles contenham uma junção adicional, o transistor é dito bip
possui tanto lacunas (+) quanto elétrons (-) constituindo o fluxo de corrente através do dispositivo.
 III- Os TBJs - do inglês "tripolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores tripolares de junção pois têm três pernas.
 
Assinale a alternativa CORRETA:
 a) As sentenças I e II estão corretas.
 b) Somente a sentença II está correta.
 c) As sentenças I e III estão corretas.
 d) As sentenças II e III estão corretas.
3. Diodos semicondutores são utilizados em aparelhos, equipamentos e dispositivos eletrônicos, por exemplo televisão, celular, computador, aparelh
multímetros, carregadores, controle remoto para televisão e entre muitos outros. Com base no exposto, analise as sentenças a seguir:
 
I- Podemos testar um diodo semicondutor de diversos modos, os mais comuns são: através de um multímetro digital (função testes de diodo ou n
de ohmímetro) e através de um equipamento traçador de curva.
 II- Ao utilizar um multímetro digital podemos abordar o teste de dois modos, através da função teste de diodo e através da função teste de transist
III- Para utilizar a função de teste de diodo do multímetro é necessário colocar o botão de seleção no símbolo do diodo, e posicionar os eletrodos d
aparecerá uma indicação de tensão de polarização direta caso o diodo semicondutor esteja em seu estado "ligado".
 
Assinale a alternativa CORRETA:
 a) Somente a sentença III está correta.
 b) As sentenças I e III estão corretas.
 c) As sentenças II e III estão corretas.
 d) As sentenças I e II estão corretas.
4. O teorema de Miller se refere ao processo de criação de circuitos equivalentes. Ele afirma que um elemento de impedância flutuante, fornecido po
fontes de tensão conectadas em série, pode ser dividido em dois elementos aterrados com impedâncias correspondentes. O teorema de Miller é ú
casos em que há uma impedância em paralelo com um caminho do sinal principal. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verd
para as falsas:
 
(    ) A maioria dos amplificadores operacionais são internamente compensados, o que significa que incluem um capacitor de desvio dominante qu
o decaimento do ganho de tensão a uma taxa de 20 dB por década. O efeito Miller é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante.
 (    ) Um dos estágios amplificadores em um amp-op tem um indutor de realimentação.
 (    ) Com o teorema de Miller, podemos converter o capacitor de realimentação em dois capacitores equivalentes.
 (    ) Existem dois circuitos de atraso, um na entrada e outro na saída. Devido ao efeito Miller, o capacitor de desvio na entrada é muito maior do qu
capacitor de desvio na saída. Como resultado, o circuito de atraso é dominante; ou seja, ele determina a frequência de corte do estágio. O capacito
de saída geralmente não tem efeito até que a frequência de entrada seja várias décadas maior.
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) V - F - V - V.
 b) F - V - F - V.
 c) F - V - V - F.
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https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/notas/request_gabarito_n2.php?action1=RUVBMDAzOA==&action2=RUVBMTIz&action3=NjcwNjc5&action4=MjAyMS8x&prova=MzA0NTA5NTE=#questao_4%20aria-label=
29/04/2021 UNIASSELVI - Centro Universitário Leonardo Da Vinci - Portal do Aluno - Portal do Aluno - Grupo UNIASSELVI
https://portaldoalunoead.uniasselvi.com.br/ava/avaliacao/avaliacao_lista.php 2/3
 d) V - V - V - F.
5. Um datasheet, folha de dados ou folha de especificações é um documento que resume o desempenho e outras características técnicas de um pro
máquina, componente, material, subsistema ou software em detalhe suficiente para que possa ser usado por um engenheiro de projeto para integ
componente em um sistema. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
 a) Existem alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo semicondutor. São elas: Tensão inversa, em condições es
de temperatura e corrente, Corrente inversa máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições esp
temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de tensão, em
específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
 b) Existem alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo semicondutor. São elas: Tensão inversa, em condições es
de temperatura e corrente, Corrente direta máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições espec
temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de resistência
condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
 c) Existem alguns dados que são necessáriospara uma correta utilização do dispositivo semicondutor. São elas: Tensão direta, em condições esp
temperatura e corrente, Corrente direta máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específic
temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de potência, e
condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
 d) Existem alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo semicondutor. São elas: Tensão direta, em condições esp
temperatura e corrente, Corrente inversa máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa, em condições específi
temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de corrente, e
condição específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de temperatura de operação.
6. O efeito do transistor foi mais tarde observado e explicado por John Bardeen e Walter Houser Brattain enquanto trabalhava para William Shockley 
Labs em 1947, logo após o vencimento da patente de 17 anos. Shockley inicialmente tentou construir um FET funcional, tentando modular a condu
um semicondutor, mas não teve sucesso, principalmente devido a problemas com os estados da superfície , a ligação pendente e os materiais com
germânio e cobre. No decorrer da tentativa de entender as razões misteriosas por trás de seu fracasso em construir um FET funcional, isso levou B
Brattain a construir um transistor de ponto de contato em 1947, que foi seguido pelo transistor de junção bipolar de Shockley em 1948. A frequênc
a um circuito com transistores influencia no comportamento dos componentes que estão soldados nele. Com base nesse contexto, classifique V 
sentenças verdadeiras e F para as falsas:
 
(    ) Podemos notar que na faixa de 10 Hz a 10 kHz, a reatância é grande o suficiente para ter impacto sobre a resposta do sistema. 
 (    ) Para frequências mais elevadas que 10 kHz, as reatâncias são mais baixas e podem ser considerados curto-circuito. 
 (    ) Podemos concluir que capacitores maiores de um sistema exercerão um impacto importante sobre a resposta de um sistema na faixa de baix
frequência e não podem ser ignorados para a região de alta frequência.
 (    ) Para frequências mais elevadas, as reatâncias não podem afetar gravemente a resposta do circuito. Deste modo, os capacitores menores do 
exercerão um impacto importante sobre a resposta de um sistema na faixa de alta frequência e não podem ser ignorados para a região de baixa fr
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) F - V - F - V.
 b) V - V - F - F.
 c) F - V - V - F.
 d) V - F - V - F.
7. Os FETs também são conhecidos como transistores unipolares, pois envolvem operação do tipo portadora única, ou seja, os FETs usam elétrons o
como portadores de carga em sua operação, mas não ambos. Existem muitos tipos diferentes de transistores de efeito de campo. Os transistores
de campo geralmente exibem impedância de entrada muito alta em baixas frequências. O transistor de efeito de campo mais amplamente usado é
(transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico). Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F par
(    ) Os MOSFETS se dividem em dois tipos: os MOSFETs tipo Intensificação e os MOSFETs tipo Depleção.
 (    ) Os JFETs para pequenos sinais possuem três tipos de polarização: baixa frequência, media frequência e alta frequência.
 (    ) Como ocorre com o transistor bipolar, o JFET funciona com um terminal comum à entrada e à saída do circuito. A configuração mais usual é a
que o terminal fonte é escolhido como terminal comum.
 (    ) O FET é um transistor cujo princípio de funcionamento baseia-se no controle que a tensão VGS exerce sobre a corrente ID. Esse controle é sem
tipo de controle de fluxo de fluido em um sistema hidráulico.
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) F - V - V - F.
 b) V - F - V - V.
 c) V - V - F - F.
 d) F - V - F - V.
8. Os amplificadores que utilizam transistores de efeito de campo proporcionam um excelente ganho em tensão, além da alta impedância de entrada
fornecem. Além disso, são dispositivos que possuem baixo consumo de potência, aplicáveis a uma extensa gama de frequências e são muito peq
leves. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
 a) O TBJ possui uma ampla possibilidade de uso, sendo possível seu uso desde amplificadores quase lineares até como dispositivo digital em circ
analógico (sendo muito comum o uso do MOSFET tipo intensificação).
 b) O JFET possui uma ampla possibilidade de uso, sendo possível seu uso desde amplificadores não lineares até como dispositivo digital em circu
analógico (sendo muito comum o uso do MOSFET tipo intensificação).
 c) O MESFET possui uma ampla possibilidade de uso, sendo possível seu uso desde amplificadores não lineares até como dispositivo digital em c
analógico (sendo muito comum o uso do MOSFET tipo intensificação).
 d) O FET possui uma ampla possibilidade de uso, sendo possível seu uso desde amplificadores lineares até como dispositivo digital em circuito an
(sendo muito comum o uso do MOSFET tipo intensificação).
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29/04/2021 UNIASSELVI - Centro Universitário Leonardo Da Vinci - Portal do Aluno - Portal do Aluno - Grupo UNIASSELVI
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9. Os transistores também são usados para executar operações lógicas e aritméticas. A carga retirada de um transistor pode servir para alimentar um
que, se combinados de forma correta, podem executar as operações lógicas básicas, E, OU, NÃO e as aritméticas, adição, subtração, divisão e mu
Com isso, os transistores não apenas podem ser utilizados para armazenar dados, mas como executar operações lógicas e aritméticas sobre ess
Isso é fantástico e vem revolucionado todo o mundo. Não só na Ciência da Computação, mas como também em todas as áreas do conhecimento
nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
 
I- Os transistores bipolares de junção são semelhantes aos triodos de junção, embora eles contenham uma junção adicional, o transistor é dito bip
possui tanto lacunas (+) quanto elétrons (-) constituindo o fluxo de corrente através do dispositivo.
 II- Com relação à operação de um transistor npn, as características são equivalentes ao transistor pnp, sendo somente necessária a troca das funç
lacunas e dos elétrons.
 III- Em um transistor uma das junções é polarizada diretamente enquanto a outra é polarizada inversamente.
 
Assinale a alternativa CORRETA:
 a) As sentenças II e III estão corretas.
 b) As sentenças I e III estão corretas.
 c) Somente a sentença II está correta.
 d) As sentenças I e II estão corretas.
10.Para podermos utilizar de forma correta os dispositivos semicondutores, é necessário o conhecimento de algumas características específicas qu
disponibilizadas pelo fabricante em um arquivo. Esse arquivo fornece dados que podem ser apresentados através de breve descrição (normalmen
página, no máximo) ou através de uma análise completa(apresentando tabelas, gráficos etc.). Com base no exposto, assinale a alternativa CORR
 a) O nome desse arquivo fornecido pelo fabricante é chamado de deeplearning ou folha de dados.
 b) O nome desse arquivo fornecido pelo fabricante é chamado de datasheet ou folha de dados.
 c) O nome desse arquivo fornecido pelo fabricante é chamado de bigdata ou folha de dados.
 d) O nome desse arquivo fornecido pelo fabricante é chamado de datamining ou folha de dados.
Prova finalizada com 9 acertos e 1 questões erradas.
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