Avaliação Final (Objetiva) -Eletrônica Analógica I Individual

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GABARITO | Avaliação Final (Objetiva) - Individual
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Qtd. de Questões 10
Acertos/Erros 5/5
Nota 5,00
O transistor de efeito de campo pode ser feito muito mais pequeno do que um BJT transistor 
equivalente e, em conjunto com o seu baixo consumo de energia e de dissipação de potência mínimo, 
tornam ideais para uso em circuitos integrados, como a gama CMOS de chips lógicos digitais. Há 
vários tipos de polarização dos transistores de efeito de campo. Com base no exposto, assinale a 
alternativa CORRETA:
A A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CC-CA. A
tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rf.
B A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CC. A
tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rs.
C A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CA. A
tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rq.
D A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CA-CC. A
tensão de controle porta-fonte é determinada através de Rz.
Os diodos Zener tem esse nome em homenagem ao físico americano Clarence Melvin Zener 
(1905-1993), que foi o primeiro a descrever o mecanismo de ruptura de isoladores elétricos. Os 
diodos Zener são um tipo de diodo que, diferentemente da maioria das aplicações nas quais os diodos 
operam na região de condução, o diodo Zener opera sempre polarizado reversamente. Com base no 
exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A
A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão fica constante,
de forma que ele funciona como um regulador de tensão. É claro que, se a tensão crescer demais,
o diodo zener também vai abrir e se comportar como um circuito aberto.
B
A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão fica constante,
de forma que ele funciona como um tiristor. É claro que, se a tensão crescer demais, o diodo zener
também vai queimar e entrar em curto.
C
A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão fica constante,
de forma que ele funciona como uma fonte não linear de corrente. É claro que, se a tensão crescer
demais, o diodo zener também vai abrir e se comportar como um circuito aberto.
D
A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão fica constante,
de forma que ele funciona como um regulador de tensão. É claro que, se a tensão crescer demais,
o diodo zener também vai queimar e entrar em curto.
O transistor de efeito de campo é um dispositivo semicondutor unipolar de três terminais que 
tem características muito semelhantes às dos seus homólogos transistores bipolares. Por exemplo, alta 
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eficiência, operação instantânea, robusto e econômico e pode ser usado na maioria das aplicações de 
circuitos eletrônicos para substituir seus primos BJT. Há vários tipos de polarização dos transistores 
de efeito de campo. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A A configuração com polarização fixa é uma das poucas configurações que se pode resolver pelo
método matemático e pelo método gráfico.
B A configuração com polarização fixa é uma das poucas configurações que se pode resolver
apenas pelo método gráfico.
C A configuração com polarização fixa é uma das poucas configurações que não se pode resolver
nem pelo método matemático e nem pelo método gráfico.
D A configuração com polarização fixa é uma das poucas configurações que se pode resolver
apenas pelo método matemático.
[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com Transistor] Através da 
prática virtual Iluminação de Emergência com Transistor foi possível verificar o comportamento do 
transistor com a variação de resistência de um LDR. Lembrando que o LDR é um resistor cuja 
resistência varia conforme a intensidade da luz que incide sobre ele. Na prática, ao ajustar o 
potenciômetro em uma determinada resistência, o LDR fará o LED acender quando a luz estiver 
apagada. Da mesma forma, o LDR fará o LED apagar quando a luz estiver acesa.
Com relação ao exposto e à prática virtual, assinale a alternativa CORRETA:
A Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência
de Thevenin do circuito aumente e a corrente de base seja muito pequena.
B Com pouca intensidade da luz, o LDR irá se comportar como um curto circuito, fazendo com que
a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.
C Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá diminuir, fazendo com que a resistência
de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.
D Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência
de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.
Sabemos que a relação entre os parâmetros de entrada e de saída em um transistor de efeito de 
campo não é linear, obedecendo à equação de Shockley que é uma função quadrática, resultando em 
uma curva, em vez de uma reta conforme foi analisado para os transistores bipolares de junção. Com 
base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A
Quando pensamos na análise CA, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método
gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de
décimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma corrente enquanto em um
TBJ é uma capacitância.
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B
Quando pensamos na análise CA, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método
gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de
microcentésimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma tensão enquanto em
um TBJ é uma impedância.
C
Quando pensamos na análise CC, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método
gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de
décimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma tensão enquanto em um TBJ
era uma corrente.
D
Quando pensamos na análise CC, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método
gráfico o mais rápido para a maioria dos amplificadores MOSFET, porém pode limitar a precisão
de milicentésimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma corrente enquanto
em um TBJ é uma tensão.
[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Leds e Diodos] Através da prática virtual Leds e Diodos 
foi possível verificar o comportamento do LED com a imposição de diferentes valores de tensão 
nesse componente. O LED do experimento estava em polarização direta, como podia ser visto no 
circuito. Seguindo outro caso específico, considere um diodo emissor de luz com limiar de tensão de 
1,2 V, sem resistor presente no circuito, é polarizado inversamente em um circuito. Assumindo uma 
tensão inversa máxima aceitável é de 4 V.
Sobre o problema exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED irá conduzir corrente elétrica, mas não irá acender.
B Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED irá acender mesmo estando polarizado inversamente.
C Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED não irá conduzir corrente elétrica, mas irá acender.
D Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED não irá acender por estar polarizado inversamente.
O surgimento do transistor abriu caminho para o surgimento de diversas outras invenções 
importantes, por exemplo os CIs (Circuitos Integrados), que nada mais é que um dispositivo pequeno 
que contém milhares de transistores. Com base no exposto,assinale a alternativa CORRETA:
A Com o advento deste pequeno componente temos lustres e outros milagres eletrônicos em nosso
cotidiano.
B Com o advento deste pequeno componente temos computadores e outros milagres eletrônicos
em nosso cotidiano.
C Com o advento deste pequeno componente temos TVs a válvulas e outros milagres eletrônicos
em nosso cotidiano.
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D Com o advento deste pequeno componente temos lâmpadas incandescentes e outros milagres
eletrônicos em nosso cotidiano.
Existem vários tipos de transistor e cada um deles possui um funcionamento e aplicação 
específica. Iremos descrever neste artigo sobre como funciona um transistor TBJ (transistor de junção 
bipolar). Um componente bipolar é chamado assim devido a serem constituídos de materiais do tipo P 
e do tipo N. Isso significa que para sua correta operação o material tipo P depende de portadores de 
carga positiva (lacunas) e o material de tipo N depende de portadores de carga negativa (elétrons). Os 
materiais semicondutores (tipo P ou tipo N) conseguem conduzir uma corrente elétrica, porém não 
conseguem conduzir tão bem quanto um material condutor. Como exemplo, podemos citar o silício e 
o germânio. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) O transistor consiste em três camadas de material, sendo que duas delas são feitas de material 
igual.
( ) O princípio de operação do transistor é que uma pequena quantidade de corrente na base irá 
provocar o fluxo de uma grande quantidade de corrente no coletor.
( ) O transistor pode ter apenas duas configurações: base-comum e emissor-comum.
( ) O transistor pode ter apenas duas configurações: base-emissor e emissor-comum.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - F - V.
B V - V - F - F.
C F - V - V - F.
D V - F - V - F.
O efeito do transistor foi mais tarde observado e explicado por John Bardeen e Walter Houser 
Brattain enquanto trabalhava para William Shockley no Bell Labs em 1947, logo após o vencimento 
da patente de 17 anos. Shockley inicialmente tentou construir um FET funcional, tentando modular a 
condutividade de um semicondutor, mas não teve sucesso, principalmente devido a problemas com os 
estados da superfície , a ligação pendente e os materiais compostos de germânio e cobre. No decorrer 
da tentativa de entender as razões misteriosas por trás de seu fracasso em construir um FET funcional, 
isso levou Bardeen e Brattain a construir um transistor de ponto de contato em 1947, que foi seguido 
pelo transistor de junção bipolar de Shockley em 1948. A frequência aplicada a um circuito com 
transistores influencia no comportamento dos componentes que estão soldados nele. Com base nesse 
contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Podemos notar que na faixa de 10 Hz a 10 kHz, a reatância é grande o suficiente para ter impacto 
sobre a resposta do sistema. 
( ) Para frequências mais elevadas que 10 kHz, as reatâncias são mais baixas e podem ser 
considerados curto-circuito. 
( ) Podemos concluir que capacitores maiores de um sistema exercerão um impacto importante 
sobre a resposta de um sistema na faixa de baixa frequência e não podem ser ignorados para a região 
de alta frequência.
( ) Para frequências mais elevadas, as reatâncias não podem afetar gravemente a resposta do 
circuito. Deste modo, os capacitores menores do sistema exercerão um impacto importante sobre a 
resposta de um sistema na faixa de alta frequência e não podem ser ignorados para a região de baixa 
frequência.
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Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - V - F - F.
B F - V - V - F.
C F - V - F - V.
D V - F - V - F.
Um datasheet, folha de dados ou folha de especificações é um documento que resume o 
desempenho e outras características técnicas de um produto, máquina, componente, material, 
subsistema ou software em detalhe suficiente para que possa ser usado por um engenheiro de projeto 
para integrar o componente em um sistema. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A
Existem alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo
semicondutor. São elas: Tensão inversa, em condições específicas de temperatura e corrente,
Corrente inversa máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa,
em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou
V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de tensão, em condição
específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de
temperatura de operação.
B
Existem alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo
semicondutor. São elas: Tensão inversa, em condições específicas de temperatura e corrente,
Corrente direta máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa,
em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou
V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de resistência, em condição
específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de
temperatura de operação.
C
Existem alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo
semicondutor. São elas: Tensão direta, em condições específicas de temperatura e corrente,
Corrente direta máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa,
em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou
V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de potência, em condição
específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de
temperatura de operação.
D
Existem alguns dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo
semicondutor. São elas: Tensão direta, em condições específicas de temperatura e corrente,
Corrente inversa máxima, em condição específica de temperatura, Corrente de saturação reversa,
em condições específicas de temperatura e tensão, Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou
V(BR), em condição específica de temperatura, Dissipação máxima de corrente, em condição
específica de temperatura, Níveis de capacitância, Tempo de recuperação reversa, Faixa de
temperatura de operação.
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