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Materiais Eletroeletrônicos Material Teórico Responsável pelo Conteúdo: Prof. Me. Lincoln Ribeiro Nascimento Revisão Textual: Prof. Me. Luciano Vieira Francisco Materiais Semicondutores • Materiais Semicondutores. • Conhecer os principais materiais semicondutores utilizados na indústria elétrica e eletrônica e as principais aplicações desses materiais em projetos de Engenharia. OBJETIVO DE APRENDIZADO Materiais Semicondutores Orientações de estudo Para que o conteúdo desta Disciplina seja bem aproveitado e haja maior aplicabilidade na sua formação acadêmica e atuação profissional, siga algumas recomendações básicas: Assim: Organize seus estudos de maneira que passem a fazer parte da sua rotina. Por exemplo, você poderá determinar um dia e horário fixos como seu “momento do estudo”; Procure se alimentar e se hidratar quando for estudar; lembre-se de que uma alimentação saudável pode proporcionar melhor aproveitamento do estudo; No material de cada Unidade, há leituras indicadas e, entre elas, artigos científicos, livros, vídeos e sites para aprofundar os conhecimentos adquiridos ao longo da Unidade. Além disso, você tam- bém encontrará sugestões de conteúdo extra no item Material Complementar, que ampliarão sua interpretação e auxiliarão no pleno entendimento dos temas abordados; Após o contato com o conteúdo proposto, participe dos debates mediados em fóruns de discus- são, pois irão auxiliar a verificar o quanto você absorveu de conhecimento, além de propiciar o contato com seus colegas e tutores, o que se apresenta como rico espaço de troca de ideias e de aprendizagem. Organize seus estudos de maneira que passem a fazer parte Mantenha o foco! Evite se distrair com as redes sociais. Mantenha o foco! Evite se distrair com as redes sociais. Determine um horário fixo para estudar. Aproveite as indicações de Material Complementar. Procure se alimentar e se hidratar quando for estudar; lembre-se de que uma Não se esqueça de se alimentar e de se manter hidratado. Aproveite as Conserve seu material e local de estudos sempre organizados. Procure manter contato com seus colegas e tutores para trocar ideias! Isso amplia a aprendizagem. Seja original! Nunca plagie trabalhos. UNIDADE Materiais Semicondutores Materiais Semicondutores Os materiais semicondutores estão em uma faixa intermediária entre os ma- teriais condutores de eletricidade e os materiais isolantes. Em outras palavras, é possível dizer que os materiais semicondutores possuem condutividade elétrica in- termediária entre os materiais condutores e os materiais isolantes. Qual é a importância de estudar os materiais semicondutores? Ex pl or A importância de estudar os materiais semicondutores está no fato de que po- dem ser utilizados para fabricar componentes eletrônicos que servem para contro- lar o funcionamento de circuitos eletrônicos. É possível manusear um material semicondutor para que se torne condutor de eletricidade, ou um material isolante, de acordo com a necessidade. A principal característica de um material semicondutor está na quantidade de elétrons disponíveis na última camada eletrônica dos átomos que formam o mate- rial semicondutor – camada de elétrons chamada de camada de valência. Comumente, para que um átomo atinja a estabilidade química é necessário que essa camada de valência atinja oito elétrons, ou ainda o número máximo de elé- trons dessa camada. Porém, para que isso aconteça, esse átomo deve se ligar a outros átomos por meio de ligações químicas nas quais pode perder ou receber elétrons – ligação iônica –, ou ainda compartilhar elétrons – ligação covalente. Caso, por exemplo, um átomo possua três elétrons na camada de valência, have- ria duas possibilidades: poderia doar os três elétrons, ou então receber cinco elétrons, de forma a se estabilizar quimicamente durante a ligação com outro átomo. Nesse caso, esse átomo tenderia a doar os três elétrons – caminho mais fácil –, ficando, então, com mais prótons do que elétrons, ou seja, com carga elétrica positiva. Da mesma forma, em outro exemplo, caso um átomo possua cinco elétrons na ca- mada de valência, haveria duas possibilidades: poderia doar os cinco elétrons, ou então receber três elétrons, de forma a se estabilizar quimicamente durante a ligação com outro átomo. Tal átomo tenderia a receber os três elétrons – caminho mais fácil –, ficando, então, com menos prótons do que elétrons, ou seja, com carga elétrica negativa. Porém, no caso dos materiais semicondutores, a camada de valência possui qua- tro elétrons, ou seja, não existe tendência clara se esses átomos tendem a doar ou receber elétrons durante a ligação química – são os casos emblemáticos do Silício (Si) e Germânio (Ge), os dois materiais mais utilizados na indústria eletroeletrônica. Na Figura 1 é possível visualizar a distribuição dos elétrons nas camadas da ele- trosfera do silício. Como o número atômico do Si é igual a 14 – prótons, que é igual ao número de elétrons –, a distribuição dos elétrons nas camadas da eletrosfera deve ser K = 2, L = 8 e M = 4, ou seja, a camada de valência (M) possui quatro elétrons: 8 9 Si K L M – – – – – – – – – – – – – – Figura 1 – Distribuição dos elétrons nas camadas da eletrosfera em um átomo de Silício (Si) Os átomos de silício ou germânio se agrupam, formando uma estrutura cristalina e uniforme. Ademais, mantêm-se em uma ligação covalente, de tal forma que compar- tilham os elétrons de todas as camadas de valência até atingirem oito elétrons, veja: – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Figura 2 – Ligações covalentes nos átomos de Silício (Si) Qual é a infl uência da temperatura nos materiais semicondutores? Ex pl or Quando essa estrutura recebe aumento na temperatura, pode ocorrer trans- ferência de energia suficiente para que os elétrons de algumas dessas ligações se desprendam e fiquem livres. A presença de elétrons livres é uma condição fundamental para que ocorra o fluxo de elétrons – corrente elétrica. Assim, caso esse material aquecido receba a 9 UNIDADE Materiais Semicondutores aplicação de uma diferença de potencial, haverá corrente elétrica passando em seu interior. Dessa forma, é possível concluir que a condutividade elétrica se amplia com o aumento da temperatura em um material semicondutor. Dopagem em Materiais Semicondutores Silício e germânio puros não servem para aplicações de elétrica e eletrônica. Po- rém, é possível fazer modificações nesses materiais, acrescentando impurezas – da ordem de um átomo de impureza para cada 106 átomos do cristal; esse processo é chamado de dopagem. O objetivo da dopagem é inserir um elemento químico contaminante no semi- condutor de forma a aumentar o número de elétrons livres e, consequentemente, a quantidade de lacunas, ou seja, espaços deixados pelos elétrons que se tornaram livres, permitindo a passagem de corrente elétrica através desse material. As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser: • Doadoras – dopagem do tipo N; • Aceitadoras – dopagem do tipo P. Como fazer a dopagem de um material semicondutor? Ex pl or Dopagem do Tipo N Na dopagem do tipo N são acrescentados, no cristal, impurezas doadoras de elétrons na forma de átomos pentavalentes, ou seja, com cinco elétrons na ca- mada de valência como, por exemplo, o fósforo (P) ou o Antimônio (As), os quais tomam o lugar de um átomo de silício, porém, como têm um elétron a mais, este ficará “sobrando”; na Figura 3 é possível visualizar a dopagem do tipo N do silício, utilizando-se um átomo de Antimônio (As): – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – Si Si Si Si As Si Si Si SiSi Si Si –Elétron Livre Figura 3 – Dopagem do Silício (Si) com átomo de Antimônio (As) Na dopagem do tipo N, o elétron livre faz com que o cristal fique com carga elétrica negativa. 10 11 Dopagem do Tipo P Na dopagem do tipo P são acrescentados, no cristal, impurezas aceitadoras de elétrons na forma de átomos trivalentes, ou seja, com três elétrons na camada de valência como, por exemplo, o Boro (B), Alumínio (Al), ou Gálio (Ga), tomando o lugar de um átomo de silício; porém, como têm um elétron a menos, fica faltando um elétron para completar a ligação, sobrando, assim, uma lacuna sem elétrons. Na Figura 4 é possível visualizar a dopagem do tipo P do silício, utilizando-se um átomo de Boro (B): – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – Si Si Si Si B Si Si Si Si Si Si Si Lacuna Figura 4 – Dopagem do tipo P do Silício (Si) com átomo de Boro (B) Na dopagem do tipo P, a lacuna faz com que o cristal fique com carga elé- trica positiva. Em um material semicondutor onde estejam disponíveis elétrons livres e lacunas, basta uma pequena diferença de potencial aplicada nesse material para que ocorra a passagem de corrente elétrica dos elétrons livres para as lacunas. Quais são as aplicações dos materiais semicondutores? Ex pl or Aplicação dos Materiais Semicondutores Existem diversas aplicações aos materiais semicondutores, de modo que vere- mos algumas dessas aplicações. Diodo Um semicondutor que sofreu dopagem do tipo N, ou seja, com impureza doa- dora de elétrons, será chamado de semicondutor do tipo N. Da mesma forma, um semicondutor que sofreu dopagem do tipo P, ou seja, com impureza aceitadora de elétrons, será chamado de semicondutor do tipo P. A partir da união de um cristal do tipo N com um cristal do tipo P, obtém-se uma junção PN, que é um dispositivo de estado sólido simples: o diodo semicondutor de 11 UNIDADE Materiais Semicondutores junção. Em outras palavras, um diodo é formado pela junção de um semicondutor do tipo P com um semicondutor do tipo N – na Figura 5 é possível visualizar uma ilustração da junção PN: Figura 5 – Junção PN Fonte: Acervo do Conteudista Caso essa junção PN seja submetida a uma pequena diferença de potencial – tensão elétrica –, os elétrons livres do semicondutor do tipo N se deslocarão em direção às lacunas existentes no semicondutor do tipo P, ou seja, ocorrerá a passa- gem de corrente elétrica pelo diodo, conforme ilustrado na Figura 6: Figura 6 – Junção PN submetida a uma diferença de potencial Fonte: Acervo do Conteudista Do lado do semicondutor do tipo N existe a presença de diversos elétrons livres com carga elétrica negativa e que tendem a se repelir mutuamente, fazendo com que alguns desses elétrons ultrapassem o limite da junção, preenchendo as lacu- nas do semicondutor do tipo P na região próxima à junção PN – área de contato entre os dois semicondutores. Quando isso ocorrer, haverá a formação de um par de íons, o que, a partir de certo ponto, interrompe o processo de passagem de elétrons do semicondutor do tipo N ao semicondutor do tipo P – essa região é cha- mada de zona de depleção, ou camada de depleção. Figura 7 – Zona de depleção em uma junção PN Fonte: Acervo do Conteudista 12 13 Para superar essa barreira de íons criada na zona de depleção, é necessário aplicar um valor mínimo de tensão elétrica – diferença de potencial – nas extremi- dades do diodo. Para os diodos de silício, o valor dessa tensão elétrica é de 0,7 V; enquanto que aos diodos de germânio, o valor dessa tensão elétrica é de 0,3 V. Ademais, a polarização de um diodo consiste em aplicar uma diferença de po- tencial em suas extremidades; essa polarização pode ocorrer de duas formas: • Direta; • Reversa. A polari zação direta deve conectar o polo negativo da fonte de tensão elétrica no semicondutor do tipo N do diodo e o polo positivo deve ser conectado ao semi- condutor do tipo P do diodo – veja a Figura 8: Figura 8 – Polarização direta de um diodo Fonte: Acervo do Conteudista Na polarização direta, o terminal negativo da fonte de tensão repele os elétrons do semicondutor do tipo N. Quando a tensão atinge 0,7 V – diodo de silício –, ou 0,3 V – diodo de germânio –, ocorre a passagem de corrente elétrica através do diodo. Já na polarização inversa, deve-se conectar o polo negativo da fonte de tensão elétrica no semicondutor do tipo P do diodo e o polo positivo deve ser conectado no semicondutor do tipo N do diodo (Figura 9). Figura 9 – Polarização inversa de um diodo Fonte: Acervo do Conteudista 13 UNIDADE Materiais Semicondutores Na polarização inversa, o terminal negativo da fonte de tensão atrai os elétrons do semicondutor do tipo N, provocando aumento na zona de depleção e, dessa forma, evitando a passagem de corrente elétrica através do diodo. O semicondutor do tipo N de um diodo é o terminal negativo do qual, então chamado de cátodo – e o terminal positivo é denominado ânodo. Na Figura 10 há um exemplo de diodo de silício – a faixa branca indica o cátodo do diodo: Figura 10 – Diodo de silício Fonte: pixabay Um diodo que atualmente tem ampla aplicação é o Light Emitting Diode (LED); ou seja, o diodo emissor de luz é um tipo que, quando submetido a uma diferença de potencial, acende. A sua principal vantagem é o baixíssimo consumo de energia em comparação a outras formas de iluminação – na Figura 11 vemos exemplos de LED: Figura 11 – Exemplos de LED Fonte: iStock/Getty Images Transistor Bipolar O transistor de junção bipolar é um dispositivo semicondutor de três terminais, ou seja, formado por três camadas de material semicondutor, podendo ser de dois tipos: • NPN: formado por duas camadas de material semicondutor do tipo N e uma camada de material semicondutor do tipo P; • PNP: formado por duas camadas de material semicondutor do tipo P e uma camada de material semicondutor do tipo N. Os três terminais do transistor são chamados de base, emissor e coletor. Na Fi- gura 12 há uma ilustração das junções de um transistor NPN: 14 15 Figura 12 – Junções de um transistor NPN Fonte: Acervo do Conteudista Enquanto que na Figura 13 vemos as junções de um transistor PNP: Figura 13 – Junções de um transistor PNP Fonte: Acervo do Conteudista Por meio de uma polarização de tensão adequada, consegue-se estabelecer um fluxo de corrente, permitindo que o transistor seja empregado em inúmeras aplica- ções, tais como chaves comutadoras eletrônicas, amplificadores de tensão e potên- cia, osciladores etc. – veja alguns exemplos de transistores: Figura 14 – Exemplos de transistores Fonte: iStock/Getty Images Energia Solar Fotovoltaica A energia solar fotovoltaica é a forma energética obtida pela conversão de luz solar em energia elétrica, isto por meio de um painel fotovoltaico utilizando material semi- condutor. Um dos materiais semicondutores mais empregados nesse caso é o silício. A demanda por formas sustentáveis de energia tem impulsionado a cons- trução de painéis e usinas de geração de energia através do efeito da luz solar. 15 UNIDADE Materiais Semicondutores Na Figura 15 temos um exemplo de painel fotovoltaico fabricado com um ma- terial semicondutor: Figura 15 – Exemplo de placa solar fotovoltaica Fonte: iStock/Getty Images 16 17 Material Complementar Indicações para saber mais sobre os assuntos abordados nesta Unidade: Livros Ciência e Engenharia dos Materiais Leia o capítulo 3 (p. 45-83) da obra de Askeland e Wright, intitulada Ciência e Engenharia dos Materiais, disponível na Biblioteca Virtual da Universidade, no item E-books – Minha Biblioteca. Nesse texto serão apresentados os arranjos atômicos e iônicos dos materiais. Ciência dos Materiais Leia o capítulo 15 (p. 346-371) da obra de James F. Shackelford, intitulada Ciência dos Materiais, disponível na Biblioteca Virtual da Universidade, no item E-books – Bib. Virtual Universitária. Nessetexto serão apresentados os materiais eletroeletrônicos. Vídeos Estrutura da Matéria – Aula 13 - Materiais Semicondutores https://youtu.be/ZdR6ps-UtUI Química - Aula 09 - Qual é a diferença entre metais, isolantes e semicondutores? Aborda a diferença entre metais, semicondutores e isolantes. https://youtu.be/t6S5yF5epzs 17 UNIDADE Materiais Semicondutores Referências ASKELAND, D. R.; WRIGHT, W. J. Ciência e Engenharia dos Materiais. 3. ed. São Paulo: Cengage Learning, 2014. CALLISTER JR., W. D.; RETHVISCH, D. G. Ciência e Engenharia de Materiais – uma introdução. 9. ed. Rio de Janeiro: LTC, 2018. LESKO, J. Design industrial: materiais e processos de fabricação. São Paulo: Blucher, 2004. SHACKELFORD, J. F. Ciência dos Materiais. 6. ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2008. SMITH, W. F.; HASHEMI, J. Fundamentos de Engenharia e Ciência dos Mate- riais. 5. ed. Porto Alegre, RS: AMGH, 2012. 18
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