Avaliação Final (Objetiva) - Individual Eletrônica Analógica I

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GABARITO | Avaliação Final (Objetiva) - Individual (Cod.:885537)
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Prova 71907563
Qtd. de Questões 10
Acertos/Erros 9/1
Nota 9,00
[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Leds e Diodos] Através da prática virtual Leds e Diodos foi possível verificar o comportamento do LED 
com a imposição de diferentes valores de tensão nesse componente. O LED do experimento estava em polarização direta, como podia ser visto no 
circuito. Seguindo outro caso específico, considere um diodo emissor de luz com limiar de tensão de 1,2 V, sem resistor presente no circuito, é polarizado 
inversamente em um circuito. Assumindo uma tensão inversa máxima aceitável é de 4 V.
Sobre o problema exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED não irá acender por estar polarizado inversamente.
B Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED irá acender mesmo estando polarizado inversamente.
C Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED não irá conduzir corrente elétrica, mas irá acender.
D Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED irá conduzir corrente elétrica, mas não irá acender.
O efeito do transistor foi mais tarde observado e explicado por John Bardeen e Walter Houser Brattain enquanto trabalhava para William Shockley 
no Bell Labs em 1947, logo após o vencimento da patente de 17 anos. Shockley inicialmente tentou construir um FET funcional, tentando modular a 
condutividade de um semicondutor, mas não teve sucesso, principalmente devido a problemas com os estados da superfície , a ligação pendente e os 
materiais compostos de germânio e cobre. No decorrer da tentativa de entender as razões misteriosas por trás de seu fracasso em construir um FET 
funcional, isso levou Bardeen e Brattain a construir um transistor de ponto de contato em 1947, que foi seguido pelo transistor de junção bipolar de 
Shockley em 1948. A frequência aplicada a um circuito com transistores influencia no comportamento dos componentes que estão soldados nele. Com 
base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Podemos notar que na faixa de 10 Hz a 10 kHz, a reatância é grande o suficiente para ter impacto sobre a resposta do sistema. 
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( ) Para frequências mais elevadas que 10 kHz, as reatâncias são mais baixas e podem ser considerados curto-circuito. 
( ) Podemos concluir que capacitores maiores de um sistema exercerão um impacto importante sobre a resposta de um sistema na faixa de baixa 
frequência e não podem ser ignorados para a região de alta frequência.
( ) Para frequências mais elevadas, as reatâncias não podem afetar gravemente a resposta do circuito. Deste modo, os capacitores menores do sistema 
exercerão um impacto importante sobre a resposta de um sistema na faixa de alta frequência e não podem ser ignorados para a região de baixa 
frequência.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - F - V - F.
B F - V - V - F.
C V - V - F - F.
D F - V - F - V.
Ao ocorrer a união dos dois materiais existe uma combinação entre os elétrons livres e as lacunas da região de junção, ou seja, alguns elétrons livres 
pertencentes ao semicondutor do tipo n atravessam a região de junção e preenchem algumas das lacunas pertencentes ao semicondutor do tipo p. Como 
resultado desta transição de cargas há o surgimento de uma região chamada de camada de depleção, onde se pode notar os círculos cinza que representam 
os as lacunas que foram preenchidas com os elétrons livres que deixam de estar disponíveis para serem portadores de corrente. Com base nesse contexto, 
analise as sentenças a seguir:
I- Se ligarmos terminais às extremidades de cada material, isso resultará em um dispositivo com dois terminais, onde se torna possível três opções: sem 
polarização, polarização direta e polarização reversa. 
II- A região em torno da junção dos materiais n e p (camada de depleção) é uma região escassa de portadores livres.
III- Quando falamos em polarização, nos referimos à aplicação de uma tensão externa aos terminais com o objetivo de extrair uma resposta.
Assinale a alternativa CORRETA:
A Somente a sentença I está correta.
B As sentenças I, II e III estão corretas.
C Somente a sentença II está correta.
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D Somente a sentença III está correta.
Os transistores são capazes de atuar como controlador de corrente, o que lhe possibilita ser utilizado como amplificações de sinais em 
equipamentos de som e imagem, ou como chave eletrônica para processamento de sinais em controles industriais, calculadoras, máquinas, computadores, 
entre outros.
Os transistores são divididos basicamente em três grupos:
- Transistores bipolares: são divididos entre NPN e PNP.
- Transistores unipolares: transistor de unijunção (UJT).
- Transistores de efeito de campo: são divididos entre FET e MOSFET (Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor).
Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A A análise CA do JFET nas configurações npnp e pnpn são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de
polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CC, onde o sinal evolui entre valores negativos, o circuito CC será o mesmo.
B A análise CA do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de
polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CC, onde o sinal evolui entre valores negativos, o circuito CC será o mesmo.
C
A análise CC do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de
polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CA, onde o sinal evolui entre valores positivos e negativos, o circuito CA será o
mesmo.
D A análise CC do MOSFET nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de
polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CA, onde o sinal evolui entre valores positivos, o circuito CA será o mesmo.
Sabemos que a relação entre os parâmetros de entrada e de saída em um transistor de efeito de campo não é linear, obedecendo à equação de 
Shockley que é uma função quadrática, resultando em uma curva, em vez de uma reta conforme foi analisado para os transistores bipolares de junção. 
Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A
Quando pensamos na análise CC, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos
amplificadores MOSFET, porém pode limitar a precisão de milicentésimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma corrente
enquanto em um TBJ é uma tensão.
B
Quando pensamos na análise CA, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos
amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de décimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma corrente enquanto em um
TBJ é uma capacitância.
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C
Quando pensamos na análise CA, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos
amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de microcentésimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma tensão enquanto
em um TBJ é uma impedância.
D
Quando pensamos na análise CC, a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido para a maioria dos
amplificadores FET, porém pode limitar a precisão de décimos. Vale lembrar que em um FET a variável de controle é uma tensão enquanto em um
TBJ era uma corrente.
[Laboratório Virtual – EletrônicaAnalógica – Iluminação de Emergência com Transistor] Através da prática virtual Iluminação de Emergência com 
Transistor foi possível verificar o comportamento do transistor com a variação de resistência de um LDR. Lembrando que o LDR é um resistor cuja 
resistência varia conforme a intensidade da luz que incide sobre ele. Na prática, ao ajustar o potenciômetro em uma determinada resistência, o LDR fará 
o LED acender quando a luz estiver apagada. Da mesma forma, o LDR fará o LED apagar quando a luz estiver acesa.
Com relação ao exposto e à prática virtual, assinale a alternativa CORRETA:
A Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de
base seja muito pequena.
B Com pouca intensidade da luz, o LDR irá se comportar como um curto circuito, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a
corrente de base seja muito pequena.
C Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito aumente e a corrente de
base seja muito pequena.
D Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá diminuir, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de
base seja muito pequena.
Quando trabalhamos com componentes eletrônicos podemos utilizar as características reais do equipamento ou usar um modelo aproximado do 
componente sem prejudicar a análise do circuito. O resistor é de 100 ohms, é na realidade dentro de um lote os valores podem variar, assim como a fonte 
de tensão pode não ser precisamente o valor de 12 V, pode ser de 12,02 V e essa pequena variação pode modificar a saída. Com base no exposto, assinale 
a alternativa CORRETA:
A
A reta de circuito, ou seja, a reta determinada através da tensão do circuito e a carga do diodo é uma característica importante dos diodos reais. Para
que seja possível traçar essa reta, podemos voltar as definições matemáticas que nos dizem que para traçar uma reta, basta termos dois pontos, e os
pontos mais fáceis de se determinar são as interseções com os eixos coordenados.
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B
A reta de carga, ou seja, a reta determinada através da tensão do circuito e a carga do diodo é uma característica importante dos diodos reais. Para que
seja possível traçar essa reta, podemos voltar as definições matemáticas que nos dizem que para traçar uma reta, basta termos dois pontos, e os
pontos mais fáceis de se determinar são as interseções com os eixos coordenados.
C
A reta determinística, ou seja, a reta determinada através da tensão do circuito e a indutância do diodo é uma característica importante dos diodos
reais. Para que seja possível traçar essa reta, podemos voltar as definições matemáticas que nos dizem que para traçar uma reta, basta termos dois
pontos, e os pontos mais fáceis de se determinar são as interseções com os eixos coordenados.
D
A reta tangente, ou seja, a reta determinada através da tensão do circuito e a capacitância do diodo é uma característica importante dos diodos reais.
Para que seja possível traçar essa reta, podemos voltar as definições matemáticas que nos dizem que para traçar uma reta, basta termos dois pontos, e
os pontos mais fáceis de se determinar são as interseções com os eixos coordenados.
Amplificadores operacionais são amplificadores diferenciais com ganho muito alto, impedância de entrada alta e impedância de saída baixa. Suas 
principais aplicações, como o próprio nome diz, são realizar operações matemáticas (integração, diferenciação, soma, multiplicação/amplificação etc.), 
quando operando na região linear (região ativa). Na região de saturação, este dispositivo pode ser utilizado como comparador, gerador de onda quadrada, 
dente de serra, filtros, osciladores etc. Possui três modos de entrada: entrada inversora, entrada não inversora e entrada diferencial, quando as entradas 
inversora e não inversora são utilizadas simultaneamente. A maioria dos amplificadores operacionais são internamente compensados, o que significa que 
incluem um capacitor de desvio dominante que provoca o decaimento do ganho de tensão a uma taxa de 20 dB por década. Com base no exposto, 
assinale a alternativa CORRETA:
A O efeito Millmann é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante.
B O efeito Norton é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante.
C O efeito Thevenin é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante.
D O efeito Miller é usado para produzir esse capacitor de desvio dominante.
O JFET é um dispositivo controlado por tensão de entrada que controla uma corrente de saída. O nome "efeito de campo" do JFET vem das zonas 
de depleção que rodeiam cada zona p e onde os elétrons livres da zona n se recombinam com as lacunas da zona p. Com base nesse contexto, classifique 
V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) A fonte de pressão de água pode ser comparada com à tensão aplicada do dreno para a fonte e estabelecer um fluxo de água (elétrons no JFET) a 
partir da torneira (fonte no JFET). A "porta" através da aplicação de um sinal (tensão) controla o fluxo de água (carga) para o dreno.
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( ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão da porta (G - gate) e na parte inferior do mesmo através de 
outro contato ôhmico temos o dreno (D - drain). 
( ) Na construção de um MOSFET de canal p é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo pn, que forma o canal entre as 
camadas imersas de material do tipo np.
( ) O FET tem portadores majoritários mas não tem portadores minoritários.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - F - F - V.
B F - V - F - V.
C F - V - V - F.
D V - V - F - F.
O transistor de efeito de campo pode ser feito muito mais pequeno do que um BJT transistor equivalente e, em conjunto com o seu baixo consumo 
de energia e de dissipação de potência mínimo, tornam ideais para uso em circuitos integrados, como a gama CMOS de chips lógicos digitais. Há vários 
tipos de polarização dos transistores de efeito de campo. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CC-CA. A tensão de controle porta-fonte é determinada através
de Rf.
B A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CC. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de
Rs.
C A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CA. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de
Rq.
D A configuração com autopolarização elimina a necessidade de duas fontes de tensão CA-CC. A tensão de controle porta-fonte é determinada através
de Rz.
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