Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas: ( ) Podemos estabelecer uma regra para a barreira de po...

Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Podemos estabelecer uma regra para a barreira de potencial de um diodo de silício, onde a mesma diminui 2 milivolts para cada aumento de 1 °C.
( ) O diodo em polarização reversa apresenta um aumento na barreira potencial (região de depleção), do ponto de vista de energia, quão maior é a temperatura de junção, maior será a corrente de saturação reversa, sendo uma aproximação útil é "Is dobrar a cada aumento de 10 °C", se a variação de temperatura for menor que 10 °C é deve-se usar que a variação da corrente de saturação é de 7% para cada °C de aumento.
( ) O silício não é o único material semicondutor de base, também possui grande relevância o Germânio (Ge) e o Arseneto de Gálio (GaAs).
( ) O silício é o único material semicondutor de base, também possui grande relevância o Germânio (Ge) e o Arseneto de Gálio (GaAs).
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:

A V - F - V - F.
B V - V - V - F.
C F - V - V - F.
D F - V - F - V.