A alternativa correta é a letra B: V - F - V - F. Explicação: - A primeira sentença é verdadeira, pois os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky na porta, o que resulta em níveis menores de capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências. Logo, a primeira sentença é verdadeira (V). - A segunda sentença é falsa, pois a presença de uma junção metal-semicondutor não é a razão para o nome de transistor de efeito de campo metal-semicondutor (MESFETs). Logo, a segunda sentença é falsa (F). - A terceira sentença é verdadeira, pois existe o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p. Logo, a terceira sentença é verdadeira (V). - A quarta sentença é falsa, pois não existe o MESFET tipo junção. Logo, a quarta sentença é falsa (F).
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