dada pela razão íon/átomo, alteram características microestruturais, tamanhos de grão, tensões do filme aplicado ao substrato, que resultam em modificações nas propriedades mecânicas e térmicas do TiN. Assim para que o crescimento do filme passe a ser de grãos colunares e poros para grãos densos e fibrosos é necessária uma maior ativação para o processo de crescimento do filme, que ocorre devido ao bombardeamento iônio. Para o processo de deposição reativo ambos os valores, energia dos íons e variação de fluxo da razão íon/átomo é maior do que para o processo não reativo, pois, o processo reativo precisa dissociar o N2 gasoso em íons N. O uso da fonte RF para a deposição do filme faz com que o filme seja depositado de forma mais homogênea, devido a frequência da fonte RF e da baixa potência utilizada, entretanto o tempo de deposição é superior ao utilizado pelo processo com fonte DC.