Vamos analisar cada afirmativa sobre os Transistores de Efeito de Campo (FET) em comparação com os transistores comuns: I. Zin (impedância de entrada alta), possibilitando que a carga armazenada permaneça por tempo suficiente para que o dispositivo seja utilizável como elemento de memória em circuitos digitais. Verdadeiro, os FETs realmente possuem alta impedância de entrada, o que é uma característica importante. II. Dissipam potências elevadas e podem comutar grandes correntes em alguns nano segundos. Falso, os FETs geralmente não dissipam potências elevadas como os transistores bipolares e não são conhecidos por comutar grandes correntes em nano segundos. III. Menos ruidosos do que os bipolares e mais adequados para estágios de entrada de amplificadores. Verdadeiro, os FETs são geralmente menos ruidosos e são frequentemente usados em estágios de entrada de amplificadores. Agora, vamos resumir: - I: Verdadeiro - II: Falso - III: Verdadeiro Portanto, as afirmativas corretas são I e III. A alternativa que contém todos os itens verdadeiros é: A) I, II e III.