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O uso da eletrônica de potência pode ser encontrado em diversos ramos da engenharia, desde as tecnologias emergentes, fontes de energias renováveis, os veículos elétricos, acionamento de máquinas e equipamentos de geração, transmissão e distribuição de energia elétrica.
Sobre o exposto, analise as sentenças a seguir:
I- A invenção do IGBT pela GE representou um marco na eletrônica, pois apresentava características importantes para a manutenção de grandes potências.
II- A eletrônica de potência é responsável pela adequação das fontes não controláveis, como a energia solar para níveis de tensão admitidos pela concessionária local.
III- O IGBT representa, sem dúvida, a mudança na evolução da engenharia, em especial nas operações industriais até os dias atuais.
IV- Equipamentos de diversos tipos e áreas foram desenvolvidos desde a descoberta dos dispositivos e estado sólido e, juntamente com tais dispositivos, deu início a uma grande área da ciência, a Eletrônica de Potência.
A As sentenças II e IV estão corretas.
B As sentenças I e III estão corretas.
C As sentenças III e IV estão corretas.
D As sentenças I e II estão corretas.
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Praticando Para o Saber

há 2 anos

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há 2 anos

Eletrônica de Potência Avaliação I - Individual
6 pág.

Eletrônica de Potência Avaliação I - Individual

Uniasselvi

Respostas

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há 2 anos

Vamos analisar cada uma das sentenças: I- A invenção do IGBT pela GE representou um marco na eletrônica, pois apresentava características importantes para a manutenção de grandes potências. Verdadeiro, o IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) realmente trouxe avanços significativos na eletrônica de potência, permitindo o controle de grandes potências. II- A eletrônica de potência é responsável pela adequação das fontes não controláveis, como a energia solar para níveis de tensão admitidos pela concessionária local. Verdadeiro, a eletrônica de potência é fundamental para converter e adaptar a energia gerada por fontes renováveis para que seja compatível com a rede elétrica. III- O IGBT representa, sem dúvida, a mudança na evolução da engenharia, em especial nas operações industriais até os dias atuais. Essa afirmação é um pouco exagerada. Embora o IGBT tenha sido um avanço importante, afirmar que representa "sem dúvida" uma mudança na evolução da engenharia pode ser considerado uma generalização. Portanto, essa afirmação é discutível. IV- Equipamentos de diversos tipos e áreas foram desenvolvidos desde a descoberta dos dispositivos de estado sólido e, juntamente com tais dispositivos, deu início a uma grande área da ciência, a Eletrônica de Potência. Verdadeiro, a eletrônica de potência realmente se desenvolveu a partir da invenção de dispositivos de estado sólido. Agora, vamos ver quais alternativas contêm as sentenças corretas: A) As sentenças II e IV estão corretas. (Correto) B) As sentenças I e III estão corretas. (I é correta, mas III é discutível) C) As sentenças III e IV estão corretas. (IV é correta, mas III é discutível) D) As sentenças I e II estão corretas. (Correto) As alternativas A e D estão corretas, mas a alternativa A é a que contém as sentenças mais claramente corretas e não discutíveis. Portanto, a resposta correta é: A) As sentenças II e IV estão corretas.

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Atualmente, podemos encontrar diferentes transistores de potência no mercado. São dispositivos que estão em constante evolução e podemos até criar uma linha do tempo de criação dos transistores mais utilizados (BJT, MOSFET e IGBT). Onde cada um foi criado seguindo as necessidades do mercado.
Sobre essa evolução dos transistores, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Antes da criação do transistor bipolar de junção (BJT), o transistor mais utilizado era o transistor de efeito de campo (MOSFET).
( ) O surgimento do transistor de efeito de campo (MOSFET) se deu através da união das melhores características do BJT e do IGBT.
( ) O surgimento do transistor bipolar de porta isolada (IGBT) se deu através da união das melhores características do BJT e do MOSFET.
A F - V - F.
B V - F - V.
C F - F - V.
D V - F - F.

Uma fonte de corrente contínua de 350 volts está fornecendo energia para uma carga resistiva RL de 25 ohms, conectada em série a um reostato R1. Todos os componentes do circuito estão ligados em série.
Considerando a resistência do reostato R1, ajustada para 12 ohms, o rendimento do sistema é dado por:
A 66,67%.
B 67,56%.
C 68,24%.
D 65,76%.

Os diodos são chaves eletrônicas, classificadas como não controladas, sua entrada em condução ocorre de acordo com o sentido da corrente elétrica, ou seja, não utiliza um terminal de disparo. São considerados como chave fechada quando estão em condução e chave aberta quando em bloqueio, e em análises ideais são desprezadas as perdas por comutação e condução.
Dada a curva da figura, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) É representada a tensão máxima reversa ou tensão máxima em bloqueio e seu valor pode ser obtido diretamente da curva característica.
( ) A queda de tensão no diodo pode ser representada por uma fonte V(TO) associada a uma resistência em série rT.
( ) A corrente em condução pode ser obtida diretamente da curva característica.
( ) Quando o diodo é submetido a tensões superiores ao definido na tensão máxima reversa, ele entra em condução mantendo a tensão elevada, gerando uma alta temperatura na junção, ocasionado a queima do componente.
A F - V - V - F.
B V - F - V - F.
C F - V - F - V.
D V - V - F - V.

A fim de exemplificar a forma de onda de saída de um SCR ocasionada pelo disparo, utilizou-se o circuito onde há uma fonte de alimentação senoidal com frequência de 60Hz e amplitude de 311V, ou seja, 220V de tensão eficaz, a também um disparo controlado em α = 45º e uma resistência simbolizando uma carga.
Considerando as formas de onda apresentadas, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) A primeira forma de onda apresenta a tensão de alimentação com as características senoidais de amplitudes e frequência.
( ) Na segunda forma de onda é apresentada a tensão sobre a carga, observe que devido à característica bidirecional do SCR, é possível apresentar cada semiciclo de forma independente.
( ) Na terceira forma de onda observa-se o pulso no gatilho. Ele ocorre de maneira rápida e sem continuidade, mas na mesma frequência da rede, garantindo assim que sempre ele ocorra no mesmo ponto de operação.
( ) No segundo gráfico é possível observar que o semiciclo positivo é controlado através do gatilho, nesse caso, com ângulo de disparo α, ou seja, somente a partir daquele ponto que a tensão positiva passa a ser entregue à carga.
( ) O traçado em azul apresenta a relação de disparo, com início do bloqueio do SCR e ponto de referência na tensão de entrada.
A F - V - V - F - V.
B F - V - F - V - V.
C V - F - V - V - F.
D V - V - F - V - F.

Os semicondutores são sólidos cristalinos de condutividade elétrica variável. Sua utilização é essencial na indústria eletrônica e na construção de componentes. Quando trabalhamos com esses semicondutores em casos reais, nos deparamos com perdas de potência.
Assinale a alternativa CORRETA que represente um modo de perda de potência dos semicondutores:
A Perda por Atrito.
B Perda por Chaveamento.
C Perda de Vitalidade.
D Perda por Histerese.

Circuitos com controle de potência podem ser úteis em determinadas aplicações. Para o controle de potência sobre uma carga resistiva (Rcg) existem algumas topologias de circuitos.
Dentre as topologias apresentadas, qual a que consegue fazer esse controle de potência média na carga?
A Reostato em paralelo com a carga Rcg.
B Transístor ligado em série com a carga Rcg.
C Diodo ligado em série com a carga Rcg.
D Reostato em série com a carga Rcg.

Praticamente toda a energia dissipada na forma de calor está relacionada com a perda e, consequentemente, com o rendimento do conjunto. Além da geração de calor, a queda do rendimento afeta o desempenho dos circuitos eletrônicos chaveados. Em vista disso, analise as sentenças a seguir:
Assinale a alternativa CORRETA:
I- Perdas de potência na chave, além de significarem um baixo rendimento, proporcionam aquecimento térmico à região onde está colocado o componente eletrônico.
II- Alguns componentes eletrônicos mudam suas características de condutividade de acordo com a temperatura, como no caso dos diodos, cujo acréscimo de temperatura aumenta a queda de tensão.
III- Placas eletrônicas podem possuir dissipadores de calor e ventilação forçada, comumente instalados em chaves semicondutoras para conseguir uma menor temperatura no material.
IV- Os dissipadores de calor não apenas ajudam a distribuir o calor pelo AR de forma a não degradar o componente nem interferir em dispositivos próximos, como também contribuem para o aumento do rendimento do sistema.
A As sentenças I e II estão corretas.
B As sentenças II e III estão corretas.
C As sentenças I e III estão corretas.
D As sentenças III e IV estão corretas.

Um aspecto importante na introdução e popularização do transistor bipolar como elemento chaveador em substituição aos tiristores, foi a possibilidade de ampliação das frequências de comutação, sem perda de eficiência, e assim, a redução do volume dos elementos magnetizantes do circuito.
Considerando o uso dos transistores bipolares, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) O ponto quiescente ou ponto Q estabelece a região de operação do transistor sobre a reta de carga.
( ) Os valores assumidos por Q para os sistemas de potência, quando na saturação será igual a VCC/RC, e no caso do corte será idêntico a VCE, assim a linha traçada entre estes dois pontos é a reta de carga do transistor.
( ) A corrente IB, corrente na base do transistor, determina o estado de operação do dispositivo, define se o transistor estará em corte ou em saturação.
( ) A análise do ponto de operação do transistor BJT será a partir da curva Ic x VCC.
A V - V - F - V.
B F - V - F - V.
C F - V - V - F.
D V - F - V - F.

Em circuitos CA, há diversas perdas, todavia, conseguimos destacar três que ocorrem nos diodos. A perda por condução, a perda por bloqueio e a perda por comutação. Para se calcular os respectivos valores, é necessário compreender o que ocorre durante o bloqueio do diodo, em especial as perdas durante o tempo de recuperação reversa.
Dada a curva apresentada, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Durante o bloqueio do diodo há uma continuação da condução por um período de tempo chamada tempo de recuperação reversa (Reverse Recovery Time trr).
( ) O tempo de recuperação reversa é formado pelo tempo de armazenamento de carga na região de depleção ta e o tempo de armazenamento de cargas no material semicondutor tb.
( ) O tempo de armazenamento de cargas no material semicondutor é representado pelo tempo que leva para a corrente de pico reversa IRR chegar a 29%.
( ) O tempo de recuperação reversa é definido pelo tempo necessário para que as cargas possam se recombinar com as cargas opostas e serem neutralizadas.
A F - V - V - F.
B V - V - F - V.
C V - F - V - F.
D F - V - F - V.

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