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A configuração de polarização em base comum é uma técnica utilizada em transistores bipolares de junção (BJT) em que a base é mantida em um potencial fixo, geralmente por meio de uma fonte de tensão ou aterramento direto. Essa configuração destaca-se por oferecer baixa impedância de entrada e alta estabilidade, sendo ideal para aplicações em amplificadores de alta frequência. Ao estabilizar o ponto quiescente (ponto Q), a polarização na base comum assegura que o transistor funcione de maneira confiável, mesmo diante de variações de temperatura ou mudanças nos parâmetros do componente. Essa estabilidade é fundamental para garantir desempenho consistente em sistemas eletrônicos avançados.
Sobre o ponto de operação quiescente (Ponto Q) do circuito, analise as afirmativas a seguir, assumindo uma queda de tensão emissor-base VEB = 0,7 V:
I. A tensão coletor-emissor (VCE) do transistor é de -1,46 V. Esse valor indica que o transistor opera na região de saturação.
II. A corrente de coletor (IC) é de aproximadamente 2,44 mA, e esse valor estabelece a tensão no nó do coletor (VC) em aproximadamente -0,76 V.
III. A tensão no nó do emissor (VE) é fixada em aproximadamente +0,7 V em relação ao terra, o que resulta em uma corrente de emissor (IE) de cerca de 2,47 mA.
IV. A tensão coletor-base (VCB) é de aproximadamente -0,76 V, confirmando que a junção coletor-base está reversamente polarizada, uma condição para a operação na região ativa.
A III e IV, apenas.
B I, II e III, apenas.
C I e IV, apenas.
D II e III, apenas.
E II, III e IV, apenas.
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02 - Resultado da Avaliação II
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02 - Resultado da Avaliação II

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há 2 semanas

Vamos analisar cada afirmativa: I. A tensão coletor-emissor (VCE) do transistor é de -1,46 V. Esse valor indica que o transistor opera na região de saturação. Falso. Para que o transistor esteja na região de saturação, a tensão VCE deve ser baixa (próxima de 0 V), e um valor negativo como -1,46 V não indica saturação. II. A corrente de coletor (IC) é de aproximadamente 2,44 mA, e esse valor estabelece a tensão no nó do coletor (VC) em aproximadamente -0,76 V. Verdadeiro. Se a corrente de coletor é de 2,44 mA, isso pode resultar em uma tensão no coletor que faz sentido dentro do contexto dado. III. A tensão no nó do emissor (VE) é fixada em aproximadamente +0,7 V em relação ao terra, o que resulta em uma corrente de emissor (IE) de cerca de 2,47 mA. Verdadeiro. A tensão no emissor é geralmente +0,7 V em relação ao terra devido à queda de tensão VEB, e a corrente de emissor pode ser calculada a partir disso. IV. A tensão coletor-base (VCB) é de aproximadamente -0,76 V, confirmando que a junção coletor-base está reversamente polarizada, uma condição para a operação na região ativa. Verdadeiro. Uma tensão VCB negativa indica que a junção coletor-base está reversamente polarizada, o que é uma condição para a operação na região ativa. Agora, vamos resumir os resultados: - I: Falso - II: Verdadeiro - III: Verdadeiro - IV: Verdadeiro Portanto, as afirmativas verdadeiras são II, III e IV. A alternativa correta que contém todos os itens verdadeiros é: E) II, III e IV, apenas.

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A configuração de polarização em base comum para transistores de junção bipolar (BJT) é frequentemente empregada em aplicações de alta frequência, como em amplificadores de RF (Rádio Frequência), devido à sua baixa impedância de entrada e excelente resposta em frequência. Nesta topologia, o terminal de base do transistor é mantido em um potencial CC fixo, tipicamente o terra, enquanto o sinal de entrada é aplicado ao emissor e o de saída é retirado do coletor. A análise do ponto de operação quiescente (Ponto Q) neste tipo de circuito é crucial e envolve a aplicação da Lei das Malhas de Kirchhoff na malha de entrada (emissor-base) para determinar a corrente de emissor, que por sua vez define os demais parâmetros CC do circuito.
Sobre o ponto de operação quiescente (Ponto Q) do transistor de silício, analise as afirmativas a seguir, assumindo VBE = 0,7 V:
I. A tensão coletor-emissor (VCE) do transistor é de 9,48 V, indicando que o transistor opera na região ativa, longe da saturação.
II. A corrente de emissor (IE), determinada pela diferença de potencial sobre o resistor RE, tem um valor aproximado de 2,41 mA.
III. A tensão no nó do coletor (VC) é de 5,52 V e, como a base está aterrada, a tensão coletor-base (VCB) também é de 5,52 V.
IV. Nesta configuração, com a base aterrada, a polarização direta da junção base-emissor estabelece a tensão no nó do emissor (VE) em aproximadamente -0,7 V.
A I e IV, apenas.
B III e IV, apenas.
C I, II, III e IV.
D II, III e IV, apenas.
E I, apenas.

A polarização de um transistor de junção bipolar (BJT) é o processo de estabelecer um ponto de operação CC quiescente (Ponto Q) estável e previsível. Uma configuração de polarização robusta, como a estabilizada por emissor, é projetada para minimizar os desvios no Ponto Q causados por variações na temperatura ou por diferenças no ganho de corrente (β) entre transistores do mesmo tipo. Ao introduzir um resistor no emissor, cria-se uma forma de realimentação negativa que estabiliza a corrente de coletor contra essas variações, garantindo que o transistor opere de forma confiável na região ativa, o que é crucial para aplicações de amplificação de sinal.
Tratando o transistor de silício com um ganho β = 50 e uma queda de tensão base-emissor VBE = 0,7 V, assinale a alternativa que apresenta, aproximadamente, o valor da tensão do emissor, VE:
A 2,04 V.
B 1,96 V.
C 19,3 V.
D 2,19 V.
E 0,70 V.

Os transistores de efeito de campo de junção (JFETs) são dispositivos semicondutores amplamente utilizados em circuitos eletrônicos, e a configuração com autopolarização é frequentemente adotada devido à sua simplicidade e estabilidade. Nessa configuração, uma resistência é conectada ao terminal de fonte, o que gera uma tensão negativa no gate em relação à fonte, devido à corrente de dreno que passa pela resistência. Essa realimentação negativa ajusta automaticamente o ponto de operação do transistor, tornando essa configuração adequada para amplificadores de sinais, em que a estabilidade do desempenho é crucial.
Para esse circuito, considere um ponto de operação quiescente hipotético em que a tensão porta-fonte é VGSQ = -2 V. Com base nesta condição, analise as afirmativas a seguir:
I. A tensão dreno-fonte (VDSQ) vale 7,2 V.
II. A corrente de dreno quiescente (IDQ) é de 400 µA.
III. A tensão no nó da fonte (VS) em relação ao terra é de 2 V.
IV. A tensão no nó do dreno (VD) em relação ao terra é de 10 V.
A I, II e III, apenas.
B II, III e IV, apenas.
C I e IV, apenas.
D II e IV, apenas.
E II e III, apenas.

A configuração de polarização em base comum é uma técnica aplicada em transistores bipolares de junção (BJT) em que o terminal de base é mantido em um potencial CC de referência, frequentemente o terra. Essa topologia é valorizada em aplicações que necessitam de baixa impedância de entrada e uma excelente resposta em altas frequências, como em estágios de entrada de amplificadores de RF. A análise do ponto de operação quiescente (Ponto Q) neste tipo de circuito, que pode utilizar fontes de alimentação simétricas ou assimétricas, é crucial para garantir que o transistor opere na região ativa, condição essencial para a amplificação de sinal sem distorção.
Sobre o ponto de operação quiescente (Ponto Q) do circuito, analise as afirmativas a seguir, assumindo uma queda de tensão emissor-base VEB = 0,7 V:
I. A corrente de coletor (IC) é de aproximadamente 1,12 mA. Esse valor, ao fluir pelo resistor RC, estabelece a tensão no nó do coletor (VC) em -1,2 V.
II. A tensão coletor-emissor (VCE) do transistor é de -1,9 V, e a tensão coletor-base (VCB) é de -1,2 V. Ambos os valores negativos confirmam que o transistor PNP está operando corretamente na região ativa.
III. Nessa configuração com a base aterrada, a polarização da junção emissor-base fixa a tensão no nó do emissor (VE) em aproximadamente +0,7 V, o que resulta em uma corrente de emissor (IE) de cerca de 1,14 mA.
IV. A corrente de emissor (IE) no circuito é de 0,86 mA, valor obtido ao se aplicar a Lei das Malhas de Kirchhoff considerando que a fonte VEE de 5 V é a tensão total sobre o resistor RE e a junção VEB.
A II e III, apenas.
B III e IV, apenas.
C I e IV, apenas.
D I, II e III, apenas.
E II, III e IV, apenas.

A configuração Darlington consiste na conexão de dois transistores de junção bipolar (BJT) em cascata, de forma que o emissor do primeiro transistor alimenta a base do segundo. Esta topologia é tratada, para fins de análise, como um único "supertransistor" com características notáveis. O ganho de corrente (β) total do par é aproximadamente o produto dos ganhos individuais dos transistores, resultando em valores extremamente elevados. Essa capacidade de proporcionar uma alta impedância de entrada e um ganho de corrente robusto torna o par Darlington ideal para aplicações como drivers de potência e estágios de entrada de amplificadores de áudio.
Nesse sentido, analise as afirmativas a seguir.
I. A tensão no emissor final do par (VE), medida sobre o resistor RE, é de aproximadamente 7,6 V.
II. O ganho de corrente CC aproximado do par Darlington (βD) é o produto dos ganhos individuais, resultando em 3750.
III. A corrente de base do segundo transistor (IB2), que é igual à corrente de emissor do primeiro (IE1), é de aproximadamente 236 µA.
IV. A corrente de coletor do segundo transistor (IC2), que corresponde à maior parte da corrente total do circuito, é de aproximadamente 17,7 mA.
A II, III e IV, apenas.
B I e IV, apenas.
C II e III, apenas.
D I, II e III, apenas.
E III e IV, apenas.

O Transistor de Efeito de Campo de Junção (JFET) é um dispositivo semicondutor unipolar controlado por tensão, no qual o fluxo de corrente é modulado pela aplicação de uma tensão em seu terminal de porta (gate). Sua altíssima impedância de entrada é uma característica vantajosa em muitas aplicações de amplificação. A configuração de polarização fixa é um método direto para estabelecer o ponto de operação quiescente (Ponto Q), aplicando-se uma tensão CC independente ao circuito de porta. A análise deste ponto é governada pela equação de Shockley para JFETs, que descreve a relação não linear entre a corrente de dreno e a tensão porta-fonte.
Considerando o circuito de polarização fixa com JFET de canal N da figura, analise as afirmativas a seguir:
I. A tensão na porta (VG) é de +5 V, pois o resistor RG de 1 MΩ inverte a polaridade da fonte de alimentação do circuito de porta.
II. A tensão porta-fonte (VGS) é de -5 V, o que coloca o JFET em condição de condução, resultando em uma corrente de dreno quiescente (IDQ) de aproximadamente 0,98 mA.
III. A tensão no nó do dreno (VD) é de aproximadamente 10,04 V, o que corresponde também à tensão dreno-fonte (VDSQ), uma vez que o terminal de fonte está aterrado.
IV. A potência dissipada pelo JFET no ponto quiescente (PD = VDSQ × IDQ) é de aproximadamente 9,8 mW, enquanto a potência total fornecida pela fonte VDD é de 120 mW.
A III e IV, apenas.
B I, apenas.
C I, II, III e IV.
D II e III, apenas.
E I, II e III, apenas.

Os transistores de efeito de campo de junção (JFETs) são dispositivos semicondutores utilizados para controle de corrente em circuitos eletrônicos, oferecendo alta impedância de entrada. Na configuração com autopolarização, uma resistência é conectada ao terminal de fonte, criando uma tensão negativa no gate em relação à fonte, gerada pela corrente de dreno que atravessa a resistência. Esse arranjo ajusta automaticamente o ponto de operação, garantindo maior estabilidade frente a variações de temperatura e dos parâmetros do transistor, sendo mais confiável que a configuração com polarização fixa.
Analise o circuito de autopolarização da figura. Para esse circuito, a tensão de alimentação VDD é de 15 V. Considerando um ponto de operação quiescente hipotético onde a tensão porta-fonte é VGSQ = -2,5 V, analise as afirmativas a seguir:
I. A tensão dreno-fonte (VDSQ) vale 8,75 V.
II. O valor quiescente da corrente do dreno (IDQ) é igual a 1,25 mA.
III. A tensão no nó do dreno (VD) em relação ao terra é igual a 11,25 V.
IV. A tensão no nó da fonte (VS) em relação ao terra é igual a 5,2 V.
A II e IV, apenas.
B III e IV, apenas.
C I, II, III e IV.
D I, apenas.
E I, II e III, apenas.

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