Para determinar a resistência ôhmica no circuito descrito, precisamos considerar que o transistor está em saturação forte e que o Id (sat) é menor que Idss. Em um transistor em saturação, a resistência de saída pode ser considerada como a resistência ôhmica do transistor. A resistência ôhmica (R) pode ser calculada usando a relação entre a tensão e a corrente. No caso de um transistor em saturação, a corrente de dreno (Id) é aproximadamente igual à corrente de saturação (Idss), mas como foi mencionado que Id (sat) é menor que Idss, devemos considerar isso. Dado que não temos valores exatos de tensão e corrente para calcular diretamente a resistência, mas sabemos que a resistência em saturação é geralmente baixa, podemos analisar as opções: A) 50 Ω B) 100 Ω C) 400 Ω D) 200 Ω E) 300 Ω Considerando que estamos lidando com um transistor em saturação forte, a resistência ôhmica deve ser uma das opções mais baixas. Assim, a opção mais plausível é: A) 50 Ω.