Vamos analisar cada afirmação sobre os Transistores de Efeito de Campo (FET) em comparação com os transistores bipolares: 1. Sua fabricação é simples e ocupa menos espaço, pois, quando integrados, ocupam menos espaço na pastilha do que o bipolar. São amplamente utilizados para a integração em larga escala. - Verdadeiro. Os FETs, especialmente os MOSFETs, são conhecidos por sua capacidade de serem integrados em larga escala e ocuparem menos espaço em circuitos integrados. 2. Em algumas configurações dos MOSFET, esses atuam como elementos resistivos controlados por tensão e com a diferença de ocuparem menor espaço físico do que seus iguais. - Verdadeiro. Os MOSFETs podem atuar como resistores controlados por tensão e, de fato, ocupam menos espaço físico em comparação com transistores bipolares. 3. Zin (impedância de entrada alta), possibilitando que a carga armazenada permaneça por tempo suficiente para que o dispositivo seja utilizável como elemento de memória em circuitos digitais. - Verdadeiro. Os FETs têm alta impedância de entrada, o que é uma característica importante para aplicações em circuitos digitais, especialmente em memórias. Todas as afirmações estão corretas. Portanto, a alternativa correta é que todas as afirmações são verdadeiras. Se houver uma opção que indique isso, essa seria a resposta correta. Se não houver, você deve considerar que todas as afirmações são verdadeiras.