Processo estocastico
Na memória RAM, os microcapacitores que armazenam a informação indicam 1 se
estão carregados e 0 se estão descarregados. No caso da memória dinâmica (DRAM),
os microcapacitores carregados tendem a se descarregar espontaneamente, passando
de 1 a 0. Um controlador de memória varre o conjunto de microcapacitores
carregando aqueles cuja carga esteja acima da metade do total. Cada varredura é
feita uma vez a cada 1 ms (10-3 s). A probabilidade de um microcapacitor ter sua carga
reduzida a menos da metade e, portanto, não -5 ser recarregado é de 10-5 por
varredura, o que implicará na perda de 1 bit de informação. Supondo que haja 1011
bits de memória DRAM carregados com 1, determine quantos bits de informação
devem ser perdidos em 1 s.
💡 2 Respostas
RD Resoluções
I. A memória RAM Dinâmica (DRAM) é um circuito que armazena os bits de informação através de minúsculos capacitores: um capacitor carregado equivale a “1“ e um capacitor descarregado equivale a “0”. (Correto)
II. A memória RAM Estática (SRAM) utiliza capacitores circuitos denominados flip-flops para o armazenamento de cada “0” ou “1”.
III. As SRAM são bem mais lentas rápidas que as DRAM.
IV. As SRAM DRAM necessitam de refresh. (Devido a fuga de corrente inerente de capacitores)
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