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PHP7NQ60E; PHX7NQ60E
Transistor de efeito de campo de modo de aprimoramento de canal N
Rev. 01 - 20 de agosto de 2002 Informações do produto
Traduzido do Inglês para o Português - www.onlinedoctranslator.com
1. Descrição
Canal N, transistor de potência de efeito de campo no modo de aprimoramento.
Disponibilidade de produto:
PHP7NQ60E em TO-220AB (SOT78) 
PHX7NQ60E em TO-220AB isolado.
2. Características
- Troca muito rápida
- Disponível em plástico e pacote completo de plástico
- Baixa resistência térmica.
3. Aplicações
- Conversores CC para CC
- Fontes de alimentação de modo comutado
- balastros de iluminação eletrônica
- Fontes de alimentação para monitores de TV e computador.
4. Fixando informações
Tabela 1: Fixação - TO-220AB e TO-220AB isolado, contorno simplificado e símbolo
Alfinete Descrição esboço simplificado Símbolo
1
2
3
portão (g)
dreno (d)
fontes)
mb mb
d
mb
(TO-220AB
apenas)
montagem
base,
conectado a
dreno (d)
g
1 2 3 MBB076 sMBK106 MBK110
1 2 3
TO-220AB (SOT78) TO-220AB isolado
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Philips Semicondutores PHP7NQ60E; PHX7NQ60E
Transistor de efeito de campo de modo de aprimoramento de canal N
5. Dados de referência rápida
Tabela 2: Dados de referência rápida
Símbolo Parâmetro Condições Tipo máx. Unidade
VDS tensão dreno-fonte (DC)
corrente de dreno (DC)
temperatura de junção
resistência de estado ligado da fonte de dreno
25°C≤Tj≤150°C
Tc= 25°C; VGS= 10 V
-
-
-
600
7
150
V
A
°C
EUD
Tj
[1]
RDSon VGS= 10 V; EUD= 3,5 A
Tj= 25°C
Tj= 150°C
0,94
2.4
1.2
2.9
Ω
Ω
6. Valores limitantes
Tabela 3: Valores limitantes
Símbolo Parâmetro Condições mín. máx. Unidade
VDS
VDGR
VGS
tensão dreno-fonte (DC)
tensão da porta de dreno (CC)
tensão porta-fonte (DC)
corrente de dreno (DC)
25°C≤Tj≤150°C
25°C≤Tj≤150°C; RGS= 20kΩ
-
-
-
-
-
600
600
±30
7
4.5
V
V
V
A
A
EUD Tc= 25°C; VGS= 10 V; [1]
[1]Tc= 100°C; VGS= 10 V; 
Figura 3e4
EUDM pico de corrente de dreno Tc= 25°C; pulsado; tp≤10µs; 
Figura 5e6
- 28 A
Ppequeno
Ppequeno
dissipação total de energia (TO-220AB) Tc= 25°C;figura 1
Tc= 25°C;Figura 2
-
-
147
37
C
Cdissipação de energia total 
(TO-220AB isolado)
Tstg temperatura de armazenamento
temperatura de junção
− 55
− 55
-
+150
+150
2500
°C
°C
V
Tj
Visolar Tensão de isolamento RMS de todos os três 
terminais para dissipador de calor externo
f = 50 a 60 Hz; forma de onda 
senoidal; RH≤65%; limpo e sem 
poeira; TO-220AB isolado apenas
Diodo fonte-dreno
EUS fonte (diodo direto) corrente (DC)
Robustez de avalanche
Tc= 25°C - 7 A
EDS(AL)S energia de avalanche de fonte de 
dreno não repetitiva
carga indutiva não fixada, I
COMO= 6,5 A; tp= 2,3 ms; Tj
antes da avalanche = 25°C; V
DD≤50 V; RGS= 50Ω; VGS= 10 V
- 316 mJ
EDS(AL)R energia de avalanche de fonte de dreno 
repetitiva
EUAR= 7A; tp= 2,5µs; Tjantes 
da avalanche = 25°C; RGS= 50
Ω;VGS= 10 V
- 13 mJ
EUDS(AL)S corrente de avalanche de fonte de 
dreno não repetitiva
- 7 A
[1] Para TO-220AB isolado limitado apenas pela temperatura máxima permitida
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Transistor de efeito de campo de modo de aprimoramento de canal N
03ak23
120 03ak39120
Pder
(%) Pder
(%)
80 80
40 40
0 0
0 50 100 Tmb (°C) 150 0 50 100 mil (°C) 150
Figura 1. TO-220AB normalizou a dissipação de energia total em 
função da temperatura da base de montagem.
Figura 2. Dissipação de potência total normalizada TO-220AB 
isolada em função da temperatura do dissipador de 
calor.
03ak26 03ak40
120 120
Ider
(%)
Ider
(%)
80 80
40 40
0 0
0 50 100 Tmb (°C) 150 0 50 100 TThs (°C)hs (°C)
150
Figura 3. Corrente de drenagem contínua normalizada TO-220AB 
em função da temperatura da base de montagem.
Figura 4. Corrente de dreno contínua normalizada TO-220AB 
isolada em função da temperatura do dissipador de 
calor.
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03ak28
102
EU IA
(A)
limite RDSon = VDS/ID
tp = 10µs
10
100µs
1ms
1 CC
10ms
100ms
10-1
10 102 VDS (V) 103
Tmb= 25°C; EUDMé pulso único.
Fig 5. Área operacional segura do TO-220AB; correntes de dreno contínuas e de pico em função da tensão dreno-fonte.
03ak29
102
EU IA
(A)
limite RDSon = VDS/ID
101 tp = 10 µs
100µs
10 1ms
CC 10ms
100ms10-1
10-2
10 102 VDS (V) 103
Ths= 25°C; EUDMé pulso único.
Figura 6. Área operacional segura TO-220AB isolada; correntes de dreno contínuas e de pico em função da tensão dreno-
fonte.
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7. Características térmicas
Tabela 4: Características térmicas
Símbolo Parâmetro Condições mín. Tipo máx. Unidade
Rth(j-mb) resistência térmica da junção à base de montagem
TO-220AB
resistência térmica da junção ao dissipador de calor
TO-220AB isolado
resistência térmica da junção ao ambiente
pacote TO-220AB isolado
Pacote TO-220AB
Figura 7 - - 0,85 K/W
Rth(j-hs)
Figura 8 - - 3,4 K/W
Rth(ja)
vertical no ar parado
vertical no ar parado
-
-
55
60
-
-
K/W
K/W
7.1 Impedância térmica transitória
03ak24
10
Zth(j-mb)
(K/W)
δ =0,5
1 0,2 0,1
10-1
pulso único tP p
T0,02 δ =10-2 0,05
tp t
T
10-3
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 1 tp(s) 10
Fig 7. Impedância térmica transiente do TO-220AB da junção à base de montagem em função da duração do pulso.
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03ak25
10
Zth(j-hs)
(K/W)
δ =0,5
0,21
0,1
0,05
0,0210-1
tp
T
pulso único P δ =
10-2
tp t
T
10-3
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 1 tp(s) 10
Fig 8. Impedância térmica transitória isolada do TO-220AB da junção ao dissipador de calor em função da duração do pulso.
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8. Características
Tabela 5: Características
Tj= 25°C a menos que especificado de outra forma
Símbolo Parâmetro Condições mín. Tipo máx. Unidade
Características estáticas
V(BR)DSS tensão de ruptura dreno-fonte EUD= 250µA; VGS= 0V
Tj= −55°C
EUD= 250µA; VDS= VGS;Figura 13
Tj= 25°C
Tj= 150°C
Tj= −55°C
VGS= 0 V; VDS= 600 V
Tj= 25°C
Tj= 125°C; VDS= 480V
VDS= 0 V; VGS=±10 V
VGS= 10 V; EUD= 3,5 A;Figura 11e12
Tj= 25°C
Tj= 150°C
f = 1 MHz; TO-220AB isolado apenas
600
534
-
-
-
-
V
V
VGS(th) tensão de limite de porta-fonte
2
1
-
2,9 4
- -
3,2 4,5 V
V
V
EUDSS corrente de fuga dreno-fonte
-
-
-
0,3
150
2
100
500
200
µA
µA
n / DEUGSS
RDSon
corrente de fuga porta-fonte
resistência de estado ligado da fonte de dreno
-
-
-
0,94
2,4 2,9 Ω
10
1.2 Ω
Cisolar Capacitância do pino 2 ao dissipador de calor 
externo
- pF
Características dinâmicas
Qg(tot)
Qgs
Qgd
Ciss
Coss
Crss
tvestir)
carga total do portão
carga porta-fonte
carga de dreno de portão (Miller)
capacitância de entrada
capacitância de saída
capacitância de transferência reversa
tempo de atraso de ativação
tempo de subida
tempo de atraso de desligamento
tempo de outono
EUD= 7A; VDD= 480 V; VGS= 10 V;Figura 17 -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
27
3.6 -
10
1130
105
24
17
20
40
20
- nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
-
-
-
-
VGS= 0 V; VDS= 25 V; f = 1 MHz;Figura 15
VDD=300 V; RD= 39Ω;RG= 9,1Ω
tr
td(desligado)
tf
Diodo fonte-dreno
VSD
trr
Tensão fonte-dreno (diodo direto)
tempo de recuperação reversa
carga recuperada
EUS= 7A; VGS= 0 V;Figura 16
EUS= 7A; euS/dt = −100 A/µs; VGS= 0V
-
-
-
0,9
530
6.7 -
1,2 V
- ns
µCQr
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03ak27 03ak31
12 20
EU IA
(A)
12 V
EU IA
(A) VDS > ID x RDSon10 V
7,5 V
7V
15
8
6,5 V
6V 10
5,5 V
5 V4 150°C
54,5 V
VGS = 4 V Tj = 25°C
0 0
0 5 10 15 20VDS(V) 0 2 4 6 VGS (V) 8
Tj= 25°C Tj= 25°C e 150°C; VDS> euDxRDSon
Figura 9. Características de saída: corrente dreno em 
função da tensão dreno-fonte; Valores tipicos.
Fig 10. Características de transferência: corrente de dreno como uma
função da tensão porta-fonte; Valores tipicos.
03ak30 03ak34
5 3
4V 4,5 V
RDSon
(Ω) 5 V
a
4
5,5 V 2
6V
6,5 V
3
7 V 7,5 V2
10 V 1
1
VGS = 12 V
0 0
0 4 8
EU IA(A) 12 - 60 10 80 T (°C) 150j
Tj= 25°C R
a= -----------D- - - -S---o---n------
RDSon(25°C)
Fig. 11. Resistência no estado ligado da fonte de dreno como uma função
de corrente de dreno; Valores tipicos.
Fig. 12. Resistência normalizada no estado ligado da fonte de dreno
fator em função da temperatura de junção.
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03ak16 03ak33
5 10-1
VGS(th)
(V)
EU IA
máximo
(A)
10-24
tipo
3 10-3
min tipo máximo
min
2 10-4
1 10-5
0 10-6
- 60 10 80 Tj (°C) 150 0 2 4 6VGS (V)
EUD= 1mA; VDS= VGS Tj= 25°C; VDS= 5V
Fig. 13. Tensão limite de porta-fonte em função de
temperatura de junção.
Fig 14. Corrente de dreno abaixo do limite em função de
tensão porta-fonte.
03ak35
104
C
(pF)
ciss
103
102
Coss
10 Crss
1
10-1 1 10 102VDS (V) 103
VGS= 0 V; f = 1 MHz
Fig. 15. Capacitâncias de entrada, saída e transferência reversa em função da tensão dreno-fonte; Valores tipicos.
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03ak22
20 03ak3615
É
(A) VGS = 0 V VGS(V) Tj = 25°C
15
10
10
VDD = 480 V
VDD = 200 V
150°C
5
5
VDD = 100 V
Tj = 25°C
0 0
0 0,3 0,6 0,9 VSD (V) 1.2 0 10 20 QG (nC) 30
Tj= 25°C e 150°C; VGS= 0V EUD= 7A; VDD= 100 V; 200 V; 480 V
Fig. 16. Corrente da fonte (diodo direto) em função de
tensão fonte-dreno (diodo direto); Valores 
tipicos.
Fig. 17. Tensão porta-fonte em função da porta
cobrar; Valores tipicos.
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9. Esboço da embalagem
Pacote de plástico single-ended; dissipador de calor montado; 1 furo de montagem; 3 derivações TO-220AB SOT78
E
p
A
A1
q montagem
baseD1
D
eu(1) L21
Q
b1
eu
1 2 3
b c
e e
0 5 10 mm
escala
DIMENSÕES (mm são as dimensões originais)
UNIDADE A A1 b b1 c D D1 E e eu L2máx.L1(1) p q Q
milímetros
4.5
4.1
1.39
1.27
0,9
0,7
1.3
1,0
0,7
0,4
15.8
15.2
6,4 10,3
5,9 9,7
15,0
13,5 2,79
3.30 3.8
3.6
3.0
2.7
2.6
2.22.54 3.0
Observação
1. Os terminais nesta zona não são estanhados.
CONTORNO
VERSÃO
REFERÊNCIAS
JEDEC
EUROPEU
PROJEÇÃO DATA DE EMISSÃOIEC EIAJ
00-09-07
01-02-16SOT78 3 derivações TO-220AB SC-46
Fig. 18. TO-220AB (SOT78)
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Pacote de plástico single-ended; dissipador de calor isolado montado; 1 furo 
de montagem; 3 derivações TO-220 'pacote completo' SOT186A
E
P
A
A1
q
D1 montagem
baseT
D
j
L2 L1 k
Q
b1
b2eu
1 2 3
b cM c
e
e1
0 5 10 mm
escala
DIMENSÕES (mm são as dimensões originais)
(1) (2)
UNIDADE A A1 b b1 b2 c D D1 E e e1 j k eu L1 eu2máx.
P Q q T c
milímetros
4,6 2,9 0,9 1,1 1,4 0,7
4,0 2,5 0,7 0,9 1,0 0,4
15,8 6,5 10,3
15,2 6,3 9,7
2,7 0,6 14,4 3,30
1,7 0,4 13,5 2,79
3,2 2,6 3,0
3,0 2,3 2,62,54 5,08 3 2,5 0,4
Notas
1. As dimensões do terminal dentro desta zona não são controladas. Os terminais nesta zona não são estanhados.
2. Ambos os recessos são∅ 2.5×0,8 máx. profundidade
CONTORNO
VERSÃO
REFERÊNCIAS
JEDEC
EUROPEU
PROJEÇÃO DATA DE EMISSÃOIEC JEITA
02-03-12
02-04-09SOT186A TO-220F de 3 derivações
Fig 19. TO-220AB isolado
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10. Histórico de revisões
Tabela 6: Histórico de revisões
Rev Data CPCN Descrição
01 20020820 Especificação do produto; versão inicial.
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11. Status da folha de dados
estado da folha de dados[1] Status do produto[2] Definição
Dados objetivos Desenvolvimento Esta folha de dados contém dados da especificação objetiva para o desenvolvimento do produto. A Philips Semiconductors reserva-
se o direito de alterar as especificações de qualquer maneira sem aviso prévio.
Dados preliminares Qualificação Esta folha de dados contém dados a partir da especificação preliminar. Dados suplementares serão publicados 
posteriormente. A Philips Semiconductors reserva-se o direito de alterar as especificações sem aviso prévio, a fim de 
melhorar o design e fornecer o melhor produto possível.
Informações do produto Produção Esta folha de dados contém dados da especificação do produto. A Philips Semiconductors reserva-se o direito de fazer 
alterações a qualquer momento para melhorar o design, a fabricação e o fornecimento. As alterações serão comunicadas de 
acordo com o procedimento SNW-SQ-650A de notificação de alteração de produto/processo do cliente (CPCN).
[1] Consulte a folha de dados emitida mais recentemente antes de iniciar ou concluir um projeto.
[2] O status do produto do(s) dispositivo(s) descrito(s) nesta folha de dados pode ter mudado desde que esta folha de dados foi publicada. As informações mais recentes estão disponíveis na Internet no URL 
http://www.semiconductors.philips.com.
12. Definições 13. Isenções de responsabilidade
Especificação de forma abreviada —
extraído de uma folha de dados completa com o mesmo número de tipo e título. Para obter 
informações detalhadas, consulte a folha de dados ou o manual de dados relevantes.
Os dados em uma especificação de formato curto são Suporte de vida -Esses produtos não foram projetados para uso em aparelhos, dispositivos 
ou sistemas de suporte à vida em que o mau funcionamento desses produtos pode resultar 
em ferimentos pessoais. Os clientes da Philips Semiconductors que usam ou vendem esses 
produtos para uso em tais aplicações o fazem por sua própria conta e risco e concordam em 
indenizar totalmente a Philips Semiconductors por quaisquer danos resultantes de tal 
aplicação.
Definição de valores limitantes - Os valores limite dados estão de acordo com
o Sistema de Classificação Máxima Absoluta (IEC 60134). A tensão acima de um ou mais dos 
valores limite pode causar danos permanentes ao dispositivo. Estas são apenas 
classificações deestresse e a operação do dispositivo nessas ou em quaisquer outras 
condições acima das fornecidas nas seções de características da especificação não está 
implícita. A exposição a valores limite por períodos prolongados pode afetar a confiabilidade 
do dispositivo.
Direito de fazer alterações -A Philips Semiconductors reserva-se o direito de fazer 
alterações, sem aviso prévio, nos produtos, incluindo circuitos, células padrão e/ou software, 
descritos ou contidos neste documento para melhorar o design e/ou o desempenho. A 
Philips Semiconductors não assume nenhuma responsabilidade ou responsabilidade pelo 
uso de qualquer um desses produtos, não transmite nenhuma licença ou título sob qualquer 
patente, direito autoral ou direito de trabalho de máscara para esses produtos e não faz 
representações ou garantias de que esses produtos estão livres de patentes, direitos 
autorais , ou mascarar violação de direito de trabalho, a menos que especificado de outra 
forma.
Informações do aplicativo -
desses produtos são apenas para fins ilustrativos. A Philips Semiconductors não faz 
nenhuma representação ou garantia de que tais aplicativos serão adequados para o 
uso especificado sem testes ou modificações adicionais.
Os aplicativos descritos aqui para qualquer
Informações de contato
Para informações adicionais, visitehttp://www.semiconductors.philips.com
Para endereços de escritórios de vendas, envie e-mail para:sales.addresses@www.semiconductors.philips.com
.
. Fax: +31 40 27 24825
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Conteúdo
1
2
3
4
5
6
7
7.1
8
9
10
11
12
13
Descrição. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 
Características. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 
Formulários. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 
Informações de fixação
Dados de referência rápida
Valores limitantes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 
Características térmicas. . . . . . . . . . . . . . . . . . .5
Impedância térmica transitória. . . . . . . . . . . . . . 5 
Características
esboço do pacote
Histórico de Revisão
estado da folha de dados
Definições. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14 Isenções de 
responsabilidade. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
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Data de lançamento: 20 de agosto de 2002 Nº de encomenda do documento: 9397 750 10153